发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件的制作方法
【专利说明】 发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件
[0001 ] 本申请是申请日为2012年3月28日、申请号为201210088602.8、发明名称为“发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件”的申请的分案申请。
技术领域
[0002]本发明涉及发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，详细而言，涉及发光二极管装置的制造方法、及该制造方法中使用的发光二极管元件。
【背景技术】
[0003]近年来，作为能够发出高能量的光的发光装置，已知有白色发光装置。白色发光装置中例如设置有基底基板、层叠在基底基板上的发出蓝色光的LED(发光二极管)、能够将蓝色光转换成黄色光的用于被覆LED的荧光体层和密封LED的密封层。这种白色发光装置被密封层密封，利用自基底基板供给电力的LED发光，通过透过了密封层和荧光体层的蓝色光与在荧光体层中一部分蓝色光被波长转换而得到的黄色光混色来发出高能量的白色光。
[0004]作为制造这种白色发光装置的方法，例如提出了如下方法。(例如参照日本特开2005-191420 号公报。)。
[0005]S卩，提出了如下方法:首先，形成由基板部和从基板部的周部向上侧突出的白色的反射框部构成的基体，接着，在基板部的中央处由反射框部形成的凹部的底部上以在反射框部的内侧隔开间隔的方式对半导体发光元件进行引线接合。
[0006]接着，通过涂布将荧光体与液态环氧树脂的混合物填充到凹部中，接着，使荧光体自然沉降在凹部的底部，然后，将环氧树脂加热固化。
[0007]在通过日本特开2005-191420号公报提出的方法得到的白色发光装置中，以高浓度含有通过沉降形成的荧光体的荧光体层(波长转换层)被划分为半导体发光元件的上侧的区域，以高浓度含有环氧树脂的密封部被划分为荧光体层的上侧的区域。
[0008]而且，在该白色发光装置中，光半导体发光元件以辐射状发出蓝色光，其中，由光半导体发光元件朝上方发出的一部分蓝色光被荧光体层转换成黄色光，并且剩余部分通过荧光体层。另外，由光半导体发光元件朝侧向发出的蓝色光在反射框部反射，接着，被朝上侧照射。而且，日本特开2005-191420号公报的白色发光装置通过将这些蓝色光和黄色光混色而发出白色光。
【发明内容】
[0009]然而，日本特开2005-191420号公报的荧光体层是通过在混合物中荧光体的自然沉降所产生的荧光体的浓度差而划分的区域，因此厚度易变得不均匀。在该情况下，荧光体层的波长转换的效率会变得不均匀，白色发光装置存在发出不均匀的白色光的不利情况。
[0010]另外，由于荧光体层的形成利用上述的自然沉降，因此需要长时间，进而，还需要严格管理该时间，因而制造工序变复杂。其结果，存在制造成本上升的不利情况。
[0011]进而，由于将光半导体层与反射框部隔开间隔地配置，因此由光半导体层朝侧向发出的光的一部分在被反射框部反射之前会被密封部吸收，因此，存在光的输出效率降低这样的不利情况。
[0012]再者，在日本特开2005-191420号公报的白色发光装置中，由于在光半导体发光元件上依次形成有荧光体层和密封部，因此光半导体发光元件在发光时发出的热量即使在以高浓度含有荧光体的荧光体层进行导热，其后，也会容易地被以高浓度含有环氧树脂的密封部蓄热。因此，光半导体发光元件发光时的散热变得不充分，其结果，存在光半导体发光元件的发光效率降低这样的不利情况。
[0013]另外，在日本特开2005-191420号公报的白色发光装置中，由于通过引线接合来将光半导体发光元件与基板部连接，因此存在由于引线的影子而使亮度降低这样的不利情况。
[0014]本发明的目的在于提供能够抑制制造成本的上升、并且能够在防止光半导体层的发光效率降低的同时发出均匀的白色光来提高光的输出效率的发光二极管装置的制造方法、及该制造方法中使用的发光二极管元件。
[0015]本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，所述发光二极管装置具备设置有端子的基底基板和在前述基底基板上倒装安装的发光二极管元件，该制造方法包括以下工序:准备形成为片状的荧光体层的工序;在前述荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序;在前述光半导体层的前述厚度方向中一方向侧的面以与前述光半导体层连接的方式形成电极部的工序；以被覆前述光半导体层和前述电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序;将前述密封树脂层的局部除去以露出前述电极部的前述厚度方向中一方向侧的面，从而制造具备前述荧光体层、前述光半导体层和前述电极部的前述发光二极管元件的工序；以及，将前述发光二极管元件与前述基底基板在厚度方向上相向配置，将前述电极部与前述端子电连接来在前述基底基板上倒装安装前述发光二极管元件的工序。
[0016]另外，本发明的发光二极管元件的特征在于，其具备:形成为片状的荧光体层;和形成在前述荧光体层的前述厚度方向中一方向侧的面的光半导体层;和以与前述光半导体层连接的方式形成在前述光半导体层的前述厚度方向中一方向侧的面的电极部;和被覆前述光半导体层和前述电极部、并且露出前述电极部的前述厚度方向中一方向侧的面的、含有光反射成分的密封树脂层。
[0017]在使用本发明的发光二极管元件的本发明的发光二极管装置的制造方法中，由于准备形成为片状的荧光体层，因此能够确实地形成均匀的荧光体层。因此，能够在荧光体层实现均匀的波长转换。其结果，通过本发明的发光二极管装置的制造方法得到的发光二极管装置能够发出均匀的白色光。
[0018]另外，在使用本发明的发光二极管元件的本发明的发光二极管装置的制造方法中，由于预先准备形成为片状的荧光体层，因此能够以短时间、并且简便地形成荧光体层。因此，能够抑制制造成本的上升。
[0019]进而，在使用本发明的发光二极管元件的本发明的发光二极管装置的制造方法中，由于以被覆光半导体层的方式形成含有光反射成分的密封树脂层，因此由光半导体层发出的光在被其他构件吸收之前会被密封树脂层的光反射成分反射。因此，能够提高光的输出效率。
[0020]再者，在通过使用本发明的发光二极管元件的本发明的发光二极管装置的制造方法得到的发光二极管装置中，由于荧光体层形成在光半导体层的厚度方向中另一方向侧的面，因此能够借助于荧光体层将光半导体层的热量向厚度方向的另一侧散热。因此，能够防止光半导体层的发光效率的降低。
[0021]另外，在使用本发明的发光二极管元件的本发明的发光二极管装置的制造方法中，由于在基底基板上倒装安装发光二极管元件，因此能够实现亮度的提高而实现输出效率的进一步提尚。
【附图说明】
[0022]图1示出本发明的发光二极管元件的一个实施方式的剖视图。
[0023]图2是说明本发明的发光二极管装置的制造方法的一个实施方式的工序图，
[0024](a)示出准备荧光体层的工序，
[0025](b)示出形成光半导体层的工序，
[0026](c)示出形成电极部的工序，
[0027](d)示出形成密封树脂层的工序，
[0028](e)示出将密封树脂层的局部除去的工序，
[0029 ] (f)示出对密封树脂层和荧光体层进行切断加工的工序，
[0030](g)示出在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序，
[0031](h)示出得到发光二极管装置的工序。
【具体实施方式】
[0032]图1示出本发明的发光二极管元件的一个实施方式的剖视图。
[0033]在图1中，该发光二极管元件20具备荧光体层17、形成在荧光体层17的上表面(厚度方向中一方向侧的面)的光半导体层3、形成在光半导体层3的上表面(厚度方向中一方向侧的面)的电极部4、用于密封光半导体层3的密封树脂层14。发光二极管元件20在后述的图2的(a)?图2的(f)的制造工序中被制造之后，如参照后述的图2的(g)的制造工序，被上下翻转(翻过来)而倒装安装在基底基板16(后述)上。
[0034]如图1所示，荧光体层17形成为片状，具体而言，以与发光二极管元件20的外形形状对应的方式形成。
[0035]荧光体层17例如由含有荧光体的荧光体组合物形成。
[0036]荧光体组合物优选含有荧光体和树脂。
[0037]作为荧光体，例如可列举出能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体。作为这种荧光体，例如可列举出在复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂例如铺(Ce)、铕(Eu)等金属原子而得到的荧光体。
[0038]具体而言，作为荧光体，可列举出例如Y3Al5012:Ce(YAG(钇.铝.石榴石):Ce)、(Y，Gd)3Al50i2:Ce、Tb3Al30i2:Ce、Ca3Sc2Si30i2:Ce、Lu