具有光提取膜的发射制品的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本公开设及发射制品，并且具体地设及包括提供增强的亮度的光提取膜的发射制 品。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管(OLED)装置包括夹在阴极与阳极之间的电致发光有机材料薄膜， 其中运些电极中的一者或两者为透明导体。当在装置两端施加电压时，电子和空穴从它们 各自的电极注入，并通过中间形成发射激子而在电致发光有机材料中再结合。
[0003] 发射显示器，诸如化抓，通常使用抗反射膜(诸如圆偏振器)来减少由化抓的金属 层造成的环境光的反射。由线性吸收偏振器和四分之一波长膜构成的圆偏振器消除了大量 入射在显示器上的环境光。
[0004] 显示器亮度是关键属性，该属性承担了在电驱动能力及其相关体积和发射器使用 寿命上花费的成本。此外，显示器功率效率是与显示器亮度比肩的重要消费者监管因素。
[0005] 在化抓装置中，所产生的光通常由于装置结构内的工艺而损耗掉70% W上。光在 较高折射率的有机和氧化铜锡(ITO)层与较低折射率的基底层之间的界面处的捕集是运种 提取效率差的一个原因。仅相对少量的发射光作为"可用"光穿过透明电极。大部分光经受 内部反射，导致光从装置的边缘发射，或在装置内被捕集，并且最终在重复数次之后因在装 置内被吸收而损耗。
[0006] 光提取膜使用内部纳米结构来避免装置内发生波导损耗。尽管提供强效的光提 取，但包括诸如光子晶体或直线光栅的规则特征结构或诸如纳米粒子的无规特征结构的内 部纳米结构趋于影响由圆偏振器限定的环境对比度，运在最终应用中可能是不可取的。为 了改善与圆偏振器的兼容性，已经提出使用低节距纳米结构，例如介于200nm和380nm之间 的节距，如美国专利申请公布2010/0289038中所述。另选地，已经提出设计化抓像素，使得 纳米结构位于子像素的发射区域外侧，如例如日本专利申请公布2010272465中所述。然而， 此类方法降低了提取纳米结构的效果。因此，需要如下光提取膜，所述光提取膜经由纳米结 构来提高光提取效率，同时还能够利用圆偏振器保留用于反射消失的光偏振。
【发明内容】
[0007] 本公开设及发射制品，并且具体地设及包括提供增强的亮度的光提取膜的发射制 品。光提取膜改善了来自OLED的光禪合输出，例如，同时利用圆偏振器保留用于反射消失的 光偏振。
[000引在本公开的第一方面，发射制品包括具有光发射表面的化抓、圆偏振器和光学上 位于该OLm)与该圆偏振器之间并光学禪合到该光发射表面的光提取膜。该光提取膜包括具 有提取元件的二维结构化层和回填层，该二维结构化层具有第一折射率和在400nm至SOOnm 范围内的节距，所述回填层包含具有与第一折射率不同的第二折射率的材料。
[0009]在一个或多个实施例中，光提取膜包括光学禪合到结构化层的非双折射基底。在 一个或多个实施例中，光提取膜与圆偏振器分隔开且不光学禪合到该圆偏振器。在一个或 多个实施例中，非双折射基底包含=乙酷纤维素。在一个或多个实施例中，非双折射基底、 光提取膜和光学禪合材料形成复合膜。
[0010] 在一个或多个实施例中，非双折射基底具有低于20皿、或低于10皿、或低于5皿的 线性延迟量。
[0011] 在一个或多个实施例中，光提取膜经由光学禪合材料光学禪合到光发射表面，所 述光学禪合材料具有等于或大于第一折射率的折射率。在一个或多个实施例中，光学禪合 材料包括Ti化或Zr化。
[0012] 在一个或多个实施例中，第二折射率大于第一折射率。在一个或多个实施例中，光 提取膜在发射制品的光学增益上提供至少25%的增加或至少100%的增加。在一个或多个 实施例中，具有二维提取元件的结构化层包括具有至少两个不同节距值的至少两个不同节 距区的二维提取元件。
[0013] 在本公开的第二方面，发射制品包括具有光发射表面的化抓、圆偏振器和光学上 位于该OLm)与该圆偏振器之间并利用光学禪合材料光学禪合到该光发射表面的光提取膜。 该光提取膜包括非双折射基底、具有二维提取元件的结构化层和回填层，该结构化层具有 第一折射率和在4(K)nm至SOOnm范围内的节距，具有提取元件的该结构化层设置在非双折射 基底上，所述回填层包含具有与第一折射率不同的第二折射率的材料。回填层在提取元件 之上形成平整层。
[0014] 在一个或多个实施例中，光学禪合材料具有等于或大于第一折射率的折射率。在 一个或多个实施例中，第二折射率大于第一折射率。在一个或多个实施例中，具有二维提取 元件的结构化层包括具有至少两个不同节距值的至少两个不同节距区的二维提取元件。
[0015] 在一个或多个实施例中，非双折射基底、光提取膜和光学禪合材料形成复合膜。在 一个或多个实施例中，光提取膜与圆偏振器分隔开且不光学禪合到该圆偏振器。在一个或 多个实施例中，光提取膜在发射制品的光学增益上提供至少25%的增加或至少100%的增 加。
[0016] 附图和下文的说明中给出了本发明的一个或多个实施例的详情。从说明、附图和 权利要求书中将显而易见本发明的其它特征、目标和优点。
【附图说明】
[0017] 结合W下附图，参考对本公开的各种实施例的详细说明，可更全面地理解本公开， 其中：
[0018] 图1是发射制品的示意性剖视图；
[0019] 图2A至图沈示出了具有至少不同节距的多周期性纳米结构区的各种示例性构型。
【具体实施方式】
[0020] 在下面的详细说明中，参考了形成说明的一部分的附图，并且在附图中通过举例 说明的方式示出了若干具体的实施例。应当理解，在不脱离本公开的范围或实质的情况下， 设想并可进行其它实施例。因此，W下详细说明不被认为具有限制性意义。
[0021] 除非另外指明，否则本发明中使用的所有的科学和技术术语具有在本领域中所普 遍使用的含义。本发明给出的定义旨在有利于理解本文频繁使用的一些术语，并无限制本 发明范围之意。
[0022] 除非另外指明，否则说明书和权利要求书中所使用的所有表达特征尺寸、量和物 理特性的数值在所有情况下均应理解成由术语"约"修饰。因此，除非有相反的说明，否则在 上述说明书和所附权利要求书中列出的数值参数均为近似值，运些近似值可根据本领域的 技术人员使用本文所公开的教导内容寻求获得的期望特性而变化。
[0023] 除非内容明确指定，否则本说明书和所附权利要求中使用的单数形式"一个"、"一 种"和"所述"涵盖了具有多个指代对象的实施例。除非本文内容W其它方式明确指出，否则 本说明书和所附权利要求中使用的术语"或"一般W包括"和/或"的意义使用。
[0024] 空间相关的术语包括但不限于"下面"、"上面"、"在……下面"、"在……下方'、 "在……上方"和"在顶部"，如果在本文中使用，则用于便于描述一个元件相对于另一个元 件的空间关系。除了图中示出的或本文所述的具体取向外，运些空间相关术语涵盖装置在 使用或操作时的不同取向。例如，如果图中所描绘的对象翻过来或翻转过来，那么先前描述 的在其它元件下方或下面的部分就在运些其它元件上方。
[0025] 如本文所用，例如当元件、组件或层描述为与另一元件、组件或层形成"一致界 面"，或在另一元件、组件或层"上"、"连接到"、"禪合鄭'或"接触'另一元件、组件或层，其意 为直接在……上，直接连接到，直接禪合到或直接接触，或例如居间的元件、组件或层可能 在特定元件、组件或层上，或连接到、禪合到或接触特定元件、组件或层。例如当元件、组件 或层被称为"直接在另一元件上"、"直接连接到另一元件"、"直接与另一元件禪合"或"直接 与另一元件接触"时，则没有居间的元件、组件或层。
[0026] 如本文所用，"具有"、"包括"、"包含"、"含有"等等均W其开放性意义使用，并且一 般是指"包括但不限于"。应当理解，术语"由……组成"和"基本上由……组成"包含在术语 "包括"等等之中。
[0027] 术语"0LED"是指有机发光装置。OLm)装置包括夹在阴极与阳极之间的电致发光有 机材料薄膜，其中运些电极中的一者或两者为透明导体。当在装置两端施加电压时，电子和 空穴从它们各自的电极注入，并通过中间形成发射激子而在电致发光有机材料中再结合。
[0028] "光提取膜"是指改善来自OLm)装置的光禪合输出，同时利用圆偏振器保留用于反 射消失的光偏振的膜或层。结构化光学膜可包括工程化的纳米结构(例如，光提取元件）。光 提取膜可包括基本上透明的基底、低折射率纳米结构和在纳米结构之上形成大体平坦表面 的高折射率回填层。术语"大体平坦表面"意指回填层使下面的层平坦化，但在大体平坦表 面中可存在轻微的表面变化。当回填