使用非透明栅极图案层22来遮挡所述负光阻层24不需要的部分。由于所述负光阻层24在通过所述曝光光线25照射后会变硬或高分子化，所以未被照射到的所述负光阻层24在经过一显影过程后会被移除，从而完成所述负光阻层24的自对准图案化效果。要提到的是，本发明在所述负光阻层24的自对准图案化的过程中，不需使用额外的掩膜，所以可以减少制造本发明实施例的薄膜晶体管结构时的工序繁复程度。
[0024]请一并参照图1及2D。在步骤106中，本发明的薄膜晶体管结构的制造方法形成一氧化物半导体层26于图案化后的所述负光阻层24及所述透明栅极绝缘层23上。在一实施例中，所述氧化物半导体层26不使用掩膜而以相等或相近似的厚度沉积在所述负光阻层24及所述透明栅极绝缘层23上。在另一实施例中，所述氧化物半导体层26通过物理气相沉积法或化学气相沉积法形成在所述负光阻层24及所述透明栅极绝缘层23上。
[0025]请一并参照图1及2E。在步骤107中，本发明的薄膜晶体管结构的制造方法移除所述负光阻层24，以同时移除位于所述负光阻层24上的所述氧化物半导体层26，以使位于所述透明栅极绝缘层23上的所述氧化物半导体层26图案化。在一实施例中，步骤106及步骤107可被称为掀离工艺。本发明的薄膜晶体管结构的制造方法10不使用蚀刻工艺，而是通过所述氧化物半导体层26的掀离工艺来减少工序繁复程度。
[0026]请一并参照图1及2F。在步骤108中，本发明的薄膜晶体管结构的制造方法形成一光阻图案层27于所述氧化物半导体层26及所述透明栅极绝缘层23上，以暴露出一源极预定位置231及一漏极预定位置232。在一实施例中，可先涂布均匀的正光阻或负光阻以完整覆盖所述氧化物半导体层26及所述透明栅极绝缘层23，之后以一掩膜进行曝光工艺及后续的显影工艺，进而暴露出所述源极预定位置231及所述漏极预定位置232。
[0027]请一并参照图1及2G。在步骤109中，本发明的薄膜晶体管结构的制造方法覆盖一金属层28于所述光阻图案层27、所述源极预定位置231及所述漏极预定位置232上。在一实施例中，所述金属层28不使用掩膜而以相等或相近似的厚度沉积在所述光阻图案层27、所述源极预定位置231及所述漏极预定位置232上。在另一实施例中，所述金属层28通过物理气相沉积法或化学气相沉积法形成在所述光阻图案层27、所述源极预定位置231及所述漏极预定位置232上。
[0028]请一并参照图1及2H。在步骤110中，本发明的薄膜晶体管结构的制造方法移除所述光阻图案层27及位于所述光阻图案层27上的金属层28，以使位于所述源极预定位置231及所述漏极预定位置232上的所述金属层28分别形成一源极28A及一漏极28B，从而制得本发明实施例的薄膜晶体管结构20。在一实施例中，步骤109及步骤110可被称为掀离工艺。本发明的薄膜晶体管结构的制造方法10不使用蚀刻工艺，而是通过所述金属层28的掀离工艺来形成所述源极28A及所述漏极28B，从而除了减少工序繁复程度之外，还避免传统源/漏极进行蚀刻工艺过程往往会损伤半导体沟道，且对器件的电学性能造成影响的问题。
[0029]请参照图21，在一实施例中，在进行步骤110之后，本发明的薄膜晶体管结构的制造方法还可以在覆盖一钝化层29于所述源极28A、所述漏极28B、所述氧化物半导体层26及所述透明栅极绝缘层23上，从而避免所述源极28A及所述漏极28B被氧化或腐蚀。
[0030]综上所述，本发明实施例的薄膜晶体管结构的制造方法通过自对准及一掀离工艺来制作氧化物半导体层，并且通过另一掀离工艺来制作源极及漏极，以解决现有技术进行蚀刻时所产生的损伤半导体沟道的问题，及增加工序繁复从而提升工艺成本的问题。
[0031]本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述薄膜晶体管结构的制造方法包含步骤: 提供一透明基板； 形成一非透明栅极图案层于所述透明基板上； 覆盖一透明栅极绝缘层于所述非透明栅极图案层及所述透明基板上； 形成一负光阻层于所述透明栅极绝缘层上； 以所述非透明栅极图案层为一掩膜，提供从所述透明基板朝向所述负光阻层的一方向发射的一曝光光线，以自对准图案化所述负光阻层； 形成一氧化物半导体层于图案化后的所述负光阻层及所述透明栅极绝缘层上； 移除所述负光阻层，以同时移除位于所述负光阻层上的所述氧化物半导体层； 形成一光阻图案层于所述氧化物半导体层及所述透明栅极绝缘层上，以暴露出一源极预定位置及一漏极预定位置； 覆盖一金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上;及移除所述光阻图案层及位于所述光阻图案层上的金属层，以使位于所述源极预定位置及所述漏极预定位置上的所述金属层分别形成一源极及一漏极。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述透明基板是透明玻璃基板。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述透明基板是透明柔性基板。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述光阻图案层是正光阻或负光阻。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述非透明栅极图案层的材质包含铝、钼或铜。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述非透明栅极图案层是通过一光刻掩膜法形成。7.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:在所述覆盖所述透明栅极绝缘层于所述非透明栅极图案层及所述透明基板上的步骤中，以一物理气相沉积法形成所述透明栅极绝缘层。8.—种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述薄膜晶体管结构的制造方法包含步骤: 提供一透明基板； 形成一非透明栅极图案层于所述透明基板上； 覆盖一透明栅极绝缘层于所述非透明栅极图案层及所述透明基板上； 形成一负光阻层于所述透明栅极绝缘层上； 以所述非透明栅极图案层为一掩膜，提供从所述透明基板朝向所述负光阻层的一方向发射的一曝光光线，以自对准图案化所述负光阻层； 形成一氧化物半导体层于图案化后的所述负光阻层及所述透明栅极绝缘层上； 移除所述负光阻层，以同时移除位于所述负光阻层上的所述氧化物半导体层； 形成一光阻图案层于所述氧化物半导体层及所述透明栅极绝缘层上，以暴露出一源极预定位置及一漏极预定位置； 覆盖一金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上； 移除所述光阻图案层及位于所述光阻图案层上的金属层，以使位于所述源极预定位置及所述漏极预定位置上的所述金属层分别形成一源极及一漏极;及 覆盖一钝化层于所述源极、所述漏极、所述氧化物半导体层及所述透明栅极绝缘层上。9.如权利要求8所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述透明基板是透明玻璃基板。10.如权利要求8所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于:所述透明基板是透明柔性基板。
【专利摘要】本发明公开一种薄膜晶体管结构的制造方法，其通过自对准及一掀离工艺来制作氧化物半导体层，并且通过另一掀离工艺来制作源极及漏极，以解决现有技术进行蚀刻时所产生的损伤半导体沟道的问题，及增加工序繁复从而提升工艺成本的问题。
【IPC分类】H01L21/336, H01L21/28
【公开号】CN105489502
【申请号】CN201610035727
【发明人】史文
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2016年1月19日