光刻版及晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法
【技术领域】
[0001] 本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种光刻版及晶圆或晶圆承载 台沾污的检测方法。
【背景技术】
[0002] 为了使芯片上的器件功能正常，避免娃片制造中的沾污、芯片制作中的沾污是绝 对必要的。随着器件关键尺寸缩小，对沾污的控制要求变得越来越严格。
[0003] 静电吸盘巧-chuck)等被应用在刻蚀、CVD、离子注入等半导体处理过程中作为承 载晶片的承载台，尤其是在应用到对裸晶化are wafer)的处理中时其承载裸晶的表面和裸 晶表面一定保持清洁。W刻蚀为例，如果有沾污存在的话，光刻区域很容易产生局部散焦缺 陷，从而导致曝光时局部区域的焦点偏移，出现局部散焦现象。
[0004] 目前检测晶圆或者其承载台是否存在被沾污、散焦现象的方法是在裸晶片上光刻 小圆点图案，如果某处被沾污，存在散焦现象，则该处图案容易剥离、權色，进而被人工肉眼 识别。
[0005] 但是上述方法对人眼的依赖程度太高，当沾污处于边缘或者很小时，不容易被人 眼识别。进入后续程序后如果该沾污太大，所形成的器件性能会受到严重影响，必须依靠返 工解决该问题，或者将该产品报废，造成很大的经济损失。
[0006] 此外，还有现有技术采用具有如图1所示的版图的光刻版来检测静电吸盘或晶圆 是否被沾污、存在散焦现象，其中，该版图的标记区域的宽度W1，且标记区域11'的间距与 其宽度相等，但是送种方法对晶片平整度不灵敏，仍然存在许多难W检测到的沾污。
【发明内容】
[0007] 本申请旨在提供一种光刻版及晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法，W解决现有技 术中晶圆或承载台沾污检测灵敏度低、对人眼依赖程度高的问题。
[0008] 为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种光刻版，该光刻版包括版 图，该版图具有等第一间距分布的多个标记区域，标记区域的宽度为W1，第一间距与宽度相 等，标记区域具有等第二间距分布的多个子标记，第二间距为W2。
[0009] 进一步地，上述光刻版版图中的子标记为矩形区域，该矩形区域的边缘平行于或 垂直于标记区域的边缘，该矩形区域的宽度为W3。
[0010] 进一步地，上述W3等于W2。进一步地，上述W3 ;W1 = 1:3~1:7。
[0011] 进一步地，上述 W3 ;W1 = 1:3 ~1:5。
[0012] 根据本申请的另一方面，提供了一种晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法，该检测 方法包括；步骤S1，将晶圆将放置在晶圆承载台上，并在晶圆远离晶圆承载台的表面上设 置光刻胶；步骤S2,利用上述光刻版作为光刻掩膜版对光刻胶进行曝光，形成光刻胶对准 标记；W及步骤S3,读取光刻胶对准标记处的标记残留值，判定光刻胶对准标记处是否被 沾污，若标记残留值的绝对值大于标准值A，则标记残留值对应的光刻胶对准标记处具有沾 污，否则无沾污。
[0013] 进一步地，上述标准值为9~15。
[0014] 进一步地，上述检测方法还包括；步骤S4, W标记残留值为横坐标，W焦点偏移值 为纵坐标，建立拟合曲线；步骤S5,通过拟合曲线得到对应步骤S3的标记残留值的焦点偏 移值；W及步骤S6,将焦点偏移值与晶圆的下一制程的焦深进行比较，若焦点偏移值大于 焦深，将晶圆返工，否则继续流片进入下一制程。
[0015] 进一步地，上述步骤S4中建立拟合曲线的方法包括：步骤A，设定焦点偏移值，检 测对应焦点偏移值的标记残留值，得到一组对应的焦点偏移值和标记残留值；步骤B，改变 焦点偏移值，重复所述步骤A，得到多组对应的焦点偏移值和标记残留值；W及步骤C，W上 述步骤A和上述步骤B得到的焦点偏移值为纵坐标，W标记残留值为横坐标建立拟合曲线。
[0016] 进一步地，上述步骤C对焦点偏移值和标记残留值进行走阶拟合得到走阶拟合曲 线。
[0017] 应用本申请的技术方案，版图的每一个子标记在干涉图形中均会出现一个干涉 峰，因此，当某处的标记出现异常时，对应的干涉峰也会出现偏移或振荡，能够读取到明显 的干涉信号变化，因此其对沾污的检测灵敏度较高；且该版图的设计大小可W根据晶圆设 计需要进行调整，因此可W覆盖到晶圆的边缘，且利用其具有的高检测灵敏度，能够及时地 检测到晶圆或晶圆承载台上的沾污，进而避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题， 提高了器件的产率及良率。
【附图说明】
[0018] 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示 意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0019] 图1示出了现有技术中一种光刻版的版图结构示意图；
[0020] 图2示出了本申请一种优选实施方式提供的光刻版的版图示意图；
[0021] 图3示出了本申请另一种优选实施方式提供的光刻版的版图示意图；
[0022] 图4示出了图1和图3所示版图在相同测试条件下得到的干涉图形；W及
[0023] 图5示出了本申请一种优选实施例提供的W焦点偏移值为纵坐标、W标记残留值 为横坐标的曲线。
【具体实施方式】
[0024] 应该指出，W下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另 有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常 理解的相同含义。
[0025] 需要注意的是，送里所使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】，而非意图限制根 据本申请的示例性实施方式。如在送里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式 也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于"包含"和/或"包 括"时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0026] 为了便于描述，在送里可W使用空间相对术语，如"在……之上"、"在……上方"、 "在……上表面"、"上面的"等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特 征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为"在其他器 件或构造上方"或"在其他器件或构造之上"的器件之后将被定位为"在其他器件或构造下 方"或"在其他器件或构造之下"。因而，示例性术语"在……上方"可W包括"在……上方" 和"在……下方"两种方位。该器件也可W其他不同方式定位（旋转90度或处于其他方 位），并且对送里所使用的空间相对描述作出相应解释。
[0027] 正如【背景技术】所介绍的，现有方法对晶圆或者其承载台沾污的检测不灵敏，对人 眼的依赖程度高，当沾污处于边缘或者很小时，不容易被人眼识别。进入后续程序后如果该 沾污太大，所形成的器件性能会受到严重影响，必须依靠返工来解决该问题或者将该产品 报废，造成很大的经济损失。为了解决如上沾污检测不灵敏及对人眼依赖程度高的问题，本 申请提出了提供了一种光刻版和一种晶圆或晶圆承载台沾污的检测方法。
[002引在本申请一种优选的实施方式中，提供了一种光刻版，该光刻版包括版图，图2和 图3示出了该光刻版的版图的两种结构示意图，该版图具有等第一间距分布的多个标记区 域11，标记区域11的宽度为W1，第一间距与标记区域11的宽度相等，其中，标记区域11具 有等第二间距分布的多个子标记111，且第二间距为W2。
[0029] 如图1所示的现有技术中的版图标记均匀、等间距分布，形成的干涉图线近似为 正弦曲线，因此即使标记出现异常对干涉曲线的影响也会较小，进而读取的干涉信号也不 会出现明显变化，导致其对沾污的检测灵敏度就会较低；而由于具有上述结构的版图的每 一个子标记111在干涉图形中均会出现一个干涉峰，因此，当某处的标记出现异常时，对应 的干涉峰也会出现偏移或振荡，能够读取到明显的干涉信号变化，因此其对沾污的检测灵 敏度较高；且该版图的设计大小可W根据晶圆设计需要进行调整，因此可W覆盖到晶圆的 边缘，且利用其具有的高检测灵敏度，能够及时地检测到晶圆或晶圆承载台上的沾污，进而 避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题，提高了器件的产率及良率。
[0030] 本申请为了更好地提高机台读取对准标记的干涉信号强度，如图2或图3所示，将 上述子标记111设置为矩形区域且该矩形区域的边缘平行于或垂直于标记区域11的边缘， 且矩形区域的宽度为W3。本申请为了进一步简化上述光刻版的制作过程，优选上述矩形区 域的宽度W3等于子标记111的第二间距W2。
[0031] 在满足提高检测灵敏度的基础上，一方面为了简化光刻版的制作，另一面为了配 合半导体制作中常规工艺的晶圆尺寸，优选上述矩形区域的宽度W3与标记区域11的宽度 W1之间的关系为；W3 ;W1 = 1:3~1:7进一步优选W3 ;W1 = 1:3~1:5。
[003引 W下W W3 ;W1 = 1:1和W3 ;W1 = 1:5为例结合附图1、附图3和附图4说明本申 请的技术效果：
[0033] 图1示出了 W3 ;W1 = 1:1的版图结构示意图，该版图为版图1 ;图3示出了 W3 ;W1 =1:5的版图结构示意图，该版图为版图2 ;图4示出了两种版图在相同条件下形成的干涉 图形，由图4可W看出，具有图1所示结构的版图的干涉曲线为正弦曲线，而具有图3所示 结构的版图的干涉曲线对应每一个子标记111都具有一个干涉峰，因此能够精确反映每一 个子标记111的精准程度，当其中一个子标记111出现偏移时，振荡所对应的干涉峰也会出 现偏移或振荡，进而机台能够读取到较强的偏移信号；而当图1所示的标记区域11出现偏 移时，对应的干涉峰虽然也会有所偏移，但是其整个干涉曲线相对较为平缓，因此，该偏移 很难被发现。
[0034] 在本申请又一种优选的实施方式中，提供了一种晶圆或晶圆承载台沾污的检测方 法，该检测方法包括；步骤S1，将晶圆放置在晶圆承载台上，并在晶圆的远离上述晶圆承