Led芯片及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光二极管技术领域，更为具体的说，涉及一种LED芯片及其制作方法。
【背景技术】
[0002]LEDCLight Emitting D1de，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。近年来，随着对LED芯片研究的不断深入，LED芯片的发光效率得到的极大的提高，目前已经被广泛应用于显示等各个领域。现有在制作LED芯片过程中，经常在采用等离子刻蚀工艺刻蚀更大的切割坑道的过程中，出现刻蚀不均和柔性基底弯曲的情况，降低了广品的良率。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，提高了刻蚀过程中的散热效率，将等离子刻蚀工艺产生的大量热量迅速导出，提高了刻蚀的均匀度，避免了柔性基底弯曲的情况，提尚了广品的良率。
[0004]为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下:
一种LED芯片的制作方法，包括:
提供一基材，所述基材包括:衬底;位于衬底任意一表面的外延层，所述外延层被多个切割坑道分割为多个发光微结构，且所述切割坑道内填充有隔离材料；以及，位于所述外延层背离所述衬底一侧的导电反射层；
在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底；
在所述柔性基底背离所述衬底一侧形成磁性层；
将所述衬底自所述外延层表面剥离形成LED晶圆；
将所述LED晶圆放置在非磁性背板上，再将磁铁放置在所述非磁性背板背离LED晶圆一侧；
采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀，以去除所述隔离材料并将所述切割坑道扩大至预设宽度，且同时对磁铁进行冷却处理；
移除所述磁铁，使所述非磁性背板自行与所述LED晶圆分离；
在所述发LED晶圆对应的外延层背离所述磁铁一侧形成连接电极；
沿所述切割坑道对所述LED晶圆进行切割，以得到多个LED芯片。
[0005]优选的，所述隔离材料为光敏材料。
[0006]优选的，在所述外延层背离所述衬底一侧的导电反射层包括:采用电子束蒸镀在所述外延层背离所述衬底一侧形成导电反射层。
[0007]优选的，在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底包括:采用电镀工艺在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底。
[0008]优选的，所述柔性基底的材质为铜、镍、金、银中的一种或多种。
[0009]优选的，在所述柔性基底背离所述衬底一侧形成磁性层包括:采用电镀工艺在所述柔性基底背离所述衬底一侧形成磁性层。
[0010]优选的，所述磁性层的材质为铁、钴、镍中的一种或多种。
[0011 ]优选的，在所述磁性层背离所述衬底一侧形成抗磨损层。
[0012]优选的，在所述磁性层背离所述衬底一侧的抗磨损层包括;采用电镀工艺在所述磁性层背离所述衬底一侧形成抗磨损层。
[0013]优选的，所述抗磨损层为金属材料，为络、镍、金、铀中的一种或多种。
[0014]优选的，所述非磁性背板的材质为陶瓷、木材、玻璃、塑料中的一种。
[0015]优选的，将所述衬底自所述外延层表面剥离包括:采用激光剥离技术将所述衬底自所述外延层表面剥离。
[0016]优选的，对磁铁进行冷却处理包括:采用液氦循环冷却方式对磁铁进行冷却处理。
[0017]相应的，本发明还提供了一种LED芯片，所述LED芯片采用上述制作方法制作而成。
[0018]相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点:
本发明提供的一种LED芯片及其制作方法，包括:提供一基材，所述基材包括:衬底;位于衬底任意一表面的外延层，所述外延层被多个切割坑道分割为多个发光微结构，且所述切割坑道内填充有隔离材料；以及，位于所述外延层背离所述衬底一侧的导电反射层;在所述导电反射层背离所述衬底一侧形成柔性基底;在所述柔性基底背离所述衬底一侧形成磁性层;将所述衬底自所述外延层表面剥离形成LED晶圆；将所述LED晶圆放置在非磁性背板上，再将磁铁放置在所述非磁性背板背离LED晶圆一侧;采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀，以去除所述隔离材料并将所述切割坑道扩大至预设宽度，且同时对磁铁进行冷却处理;移除所述磁铁，使所述非磁性背板自行与所述LED晶圆分离;在所述发LED晶圆对应的外延层背离所述磁铁一侧形成连接电极;沿所述切割坑道对所述LED晶圆进行切割，以得到多个LED芯片。
[0019]由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在柔性基底上形成磁性层，利用磁性层与磁铁间互相吸引的特性使LED晶圆平整贴合于非磁性背板上，使整个LED晶圆与磁铁形成紧密结合的散热整理，在采用等离子刻蚀工艺对所述外延层的切割坑道进行刻蚀的过程中，对磁铁进行冷却处理，使冷气与整个LED晶圆产生良好的接触，迅速将等离子刻蚀工艺产生的大量热量通过磁铁导出，提高了散热效率，进而提高了刻蚀的均匀度，避免了柔性基底弯曲、刻蚀速率不均等情况，提尚了广品的良率；后续将磁铁移除即可使非磁性背板与LED晶圆自行分离，工艺简单，有效提升生产效率。同时，通过在柔性基底一侧形成磁性层并固定于磁铁上，利用磁性层与磁铁间互相吸引的特性使LED晶圆平整贴合于非磁性背板上，进一步避免了柔性基底弯曲的情况。
【附图说明】
[0020]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。[0021 ]图1为本申请实施例提供的一种LED芯片的制作方法流程图；
图2a至图2i为图1制作方法流程图对应的结构流程图。
【具体实施方式】
[0022]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0023]正如【背景技术】所述，现有在制作LED芯片过程中，经常在采用等离子刻蚀工艺刻蚀更大的切割坑道的过程中，出现刻蚀不均和柔性基底弯曲的情况，降低了产品的良率。
[0024]基于此，本申请实施例提供了一种LED芯片的制作方法，提高了刻蚀过程中的散热效率，将等离子刻蚀工艺产生的大量热量迅速导出，提高了刻蚀的均匀度，避免了柔性基底弯曲的情况，提尚了广品的良率。具体参考图1至图2 i所不，对本申请实施例提供的LED芯片的制作方法进行详细的描述。
[0025]图1为本申请实施例提供的一种LED芯片的制作方法的流程图，图2a至图2i为图1制作方法流程图对应的结构流程图；其中，制作方法包括:
S1、提供一基材。
[0026]参考图2a所示，提供一基材100，基材包括:
衬底101 ；
其中，本申请实施例提供的衬底为蓝宝石衬底;除上述材质衬底外，在本申请其他实施例中衬底还可以为其他材质，对此本申请不做具体限制。
[0027]位于衬底101任意一表面的外延层102，外延层102被多个切割坑道103分割为多个发光微结构，且切割坑道103内填充有隔离材料;其中，外延层包括位于衬底表面的第一半导体层、位于第一半导体层背离衬底一侧的有源层和位于有源层背离衬底一侧的第二半导体层。第一半导体层可以为N型半导体层，则第二半导体层为P型半导体层;或者，第一半导体层为P型半导体层，而第二半导体层为N型半导体层。第一半导体层、有源层和第二半导体层的材质可以为氮化镓。
[0028]需要说明的是，本申请实施例对提供的第一半导体层、第二半导体层和有源层的材质不做具体限制，需要根据实际应用进行设计;另外，本申请实施例对于第一半导体层和第二半导体层的导电类型，同样不做具体限制，需要根据实际应用进行设计。
[0029]此外，本申请实施例提供的隔离材料为光敏材料，具体的，光敏材料为正性光刻胶或负性光刻胶，主要防止后续在外延层表面形成导电反射层时，导电反射层的材质进入切割坑道，进而导致结构上产生的电性问题。
[0030]以及，位于外延层102背离衬底一侧的导电反射层104，其中，导电反射层可以为金属反射层。
[0031 ] S2、在导电反射层背离衬底一侧形成柔性基底。
[0032]参考图2b所示，形成柔性基底200于导电反射层104背离衬底101—侧。具体的，在导电反射层背离衬底一侧形成柔性基底包括:
采用电镀工艺在导电反射层背离衬底一侧形成柔性基底，其中，柔性基底的材质为铜、镍、金、银中的一种或多种。
[0033]本申请实施例提供的LED芯片为垂直结构发光的芯片，采用散热能力高的柔性基底制作LED芯片，可以使LED芯片发光过程中产生的热量，通过柔性基底更迅速的传递到与其电连接的基板上，改善LED芯片发光时的散热环境，满足大功率LED芯片的散热要求。
[0034]S3、在柔性基底