一种微波功率管用氮化铝基板及其制造方法

文档序号:9728797
一种微波功率管用氮化铝基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是一种微波功率管用氮化铝基板及其制造方法,乃是针对SiC功率管或GaN功率管的高功率密度微波基板制造方法,属于微波功率管技术领域。
【背景技术】
[0002]随着SiC功率管或GaN功率管的迅速发展,器件的发热量迅速增加,会造成器件温度迅速升高,从而影响芯片的工作状态。因此,对互联基板散热性提出了更高的要求。而目前普遍使用较广的以高分子为基材以及氧化铝陶瓷为基材的两类基板,而随着器件功率的不断增大,两类基板已经很难满足使用要求。
[0003]对于高分子类基板,其由于成本低,便于成型,在封装互联领域应用最为广泛。但是其热导率低也非常的低,一般该类型热导率都低于lW/mK。一些高分子基板会通过在树脂中添加氮化铝粉体等进行改性,但是热导率都低于10W/mK。因此,对于SiC功率管或GaN功率管而言,越来越难以满足其使用要求。
[0004]对于氧化铝陶瓷基板,也是比较成