功率半导体器件的水冷散热器的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及散热技术领域，尤其是一种功率半导体器件的水冷散热器。
【背景技术】
[0002]大功率半导体器件的散热效果直接影响其工作性能，传统的水冷散热器通常由盖板、基座和进、出水口组成，基座内部设置一定数量的呈圆柱体的立柱，基座与立柱之间形成冷却水流动的腔体，如图1所示。此类水冷散热器的冷却水流通通道较短，冷却效果不佳；立柱之间只有少量的水流动，容易造成流动死角，散热不均匀。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种功率半导体器件的水冷散热器，解决现有水冷散热器冷却效果不佳，散热不均匀的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本发明的技术方案为:
一种功率半导体器件的水冷散热器，包括盖板、基座和进、出水口，基座内设有一块纵向隔板，进、出水口关于该纵向隔板轴对称，纵向隔板将基座腔体分割成尾部相连的两个分腔体，每个分腔体左右交错地设置有多块横向隔板，基座腔体在横向、纵向隔板的分隔下形成流线型的冷却水流通通道。
[0005]进一步的，所述的纵向隔板在腔体中间部位有一个隔断，与分腔体的横向隔板之间形成一个分流区域。
[0006]进一步的，在横向、纵向隔板分隔而成的各个区域内设有呈圆柱体的金属立柱。
[0007]本发明使用垂直交叉的横向、纵向隔板在基座腔体内形成流线型的冷却水流通通道，延长冷却水的流通路径，提高冷却效率;在基座腔体中间部位设置分流区域，提高功率半导体器件中间部位的散热效率，同时使得水路更加顺畅;在各个分隔区域内设置金属立柱，增大散热面积，提高散热效率。
【附图说明】
[0008]图1为现有水冷散热器的结构示意图。
[0009]101-盖板；102-基座；103-进水口； 104-出水口； 105-立柱。
[0010]图2本发明第一种实施例的结构示意图。
[0011]图3本发明第二种实施例的结构示意图。
[0012]图4本发明第三种实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明。
[0014]一种功率半导体器件的水冷散热器，如图2所示，包括盖板201、基座202和进水口203、出水口 204，基座202内设有一块纵向隔板205，进、出水口关于该纵向隔板205轴对称，纵向隔板205将基座腔体分割成尾部相连的两个分腔体，每个分腔体左右交错地设置有多块横向隔板206，基座腔体在横向、纵向隔板的分隔下形成流线型的冷却水流通通道。冷却水从进水口 203进入基座腔体，在横向、纵向隔板的隔档下曲线型流淌，冷却水流通路径明显延长，基座腔体的各个区域都经冷却水流经，且流速均匀。
[0015]作为本发明进一步优化的第二种实施例，所述的纵向隔板在腔体中间部位有一个隔断，与分腔体的横向隔板之间形成一个分流区域207，如图3所示。功率半导体器件的主要发热部位普遍集中在中间区域，基座腔体中间部位设置分流区域207，增强了中间部位冷却水的流动性，提高了散热效率。
[0016]作为本发明进一步优化的第三种实施例，如图4所示，在横向、纵向隔板分隔而成的各个区域内设有呈圆柱体的金属立柱208。金属立柱通过热传导吸收热量，增大了基座腔体与水的接触面积，即增大了散热面积，从而达到提高散热效率的目的。
[0017]以上所述，仅为本发明的具体实施例，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种功率半导体器件的水冷散热器，包括盖板、基座和进、出水口，其特征在于:基座内设有一块纵向隔板，进、出水口关于该纵向隔板轴对称，纵向隔板将基座腔体分割成尾部相连的两个分腔体，每个分腔体左右交错地设置有多块横向隔板，基座腔体在横向、纵向隔板的分隔下形成流线型的冷却水流通通道。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的水冷散热器，其特征在于:所述的纵向隔板在腔体中间部位有一个隔断，与分腔体的横向隔板之间形成一个分流区域。3.根据权利要求1或2所述的功率半导体器件的水冷散热器，其特征在于:在横向、纵向隔板分隔而成的各个区域内设有呈圆柱体的金属立柱。
【专利摘要】本发明涉及散热技术领域，尤其是一种功率半导体器件的水冷散热器，包括盖板、基座和进、出水口，基座内设有一块纵向隔板，进、出水口关于该纵向隔板轴对称，纵向隔板将基座腔体分割成尾部相连的两个分腔体，每个分腔体左右交错地设置有多块横向隔板，基座腔体在横向、纵向隔板的分隔下形成流线型的冷却水流通通道。本发明使用垂直交叉的横向、纵向隔板在基座腔体内形成流线型的冷却水流通通道，延长冷却水的流通路径，提高冷却效率。
【IPC分类】H01L23/473
【公开号】CN105489574
【申请号】CN201610032170
【发明人】舒双武
【申请人】池州容尔电气科技有限责任公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2016年1月18日