封装结构、封装方法及光模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本申请属于光通信技术领域，具体涉及一种封装结构、封装方法及光模块。
【背景技术】
[0002]随着4G通信的飞速发展和云计算需求的日益旺盛，市场对高速光模块的需求与日倶增。由于光模块兼容多源协议(MSA)对光模块整体封装的限制，光模块基板尺寸受限，并且高速线采用微带设计，占用基板表面贴装空间，再加上随着电路复杂度的上升，单基板的贴装面积已成为瓶颈，多层基板成为解决这一问题的关键。
[0003]多层基板通常采用子母板、或者软硬结合板。由于软硬结合板通常为非对称结构，会有较大翘曲影响贴装，并且成本较高。而常规子母板的子板和母板之间通常采用排针等连接器固定，连接器本身尺寸较大，为通孔设计，收效有限，而且对于高速信号没有阻抗控制，不能用于高速信号的传输。
[0004]因此针对上述问题，有必要提供一种封装结构、封装方法及光模块。
【发明内容】
[0005]本申请一实施例提供一种封装结构，所述封装结构包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和/或第二基板上设有若干电子器件，所述封装结构还包括连接基板，所述连接基板包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面上分别设置有第一焊接层和第二焊接层，所述第一焊接层和第焊接层电性连接，所述第一基板和连接基板通过第一焊接层电性连接，所述第二基板和连接基板通过第二焊接层电性连接。
[0006]—实施例中，所述第一焊接层包括若干第一焊接球，第二焊接层包括若干第二焊接球，所述第一焊接球和所述第二焊接球至少部分相互电性连接。
[0007]—实施例中，所述第一基板位于所述第二基板的正投影中。
[0008]一实施例中，所述第一焊接层的熔点高于第二焊接层的熔点。
[0009]—实施例中，所述连接基板的第一焊接层和第二焊接层之间通过导电过孔电性连接。
[0010]—实施例中，所述第一基板上表面与下表面和第二基板的上表面与下表面均设有若干电子器件。
[0011 ] 一实施例中，所述封装结构还包括第三基板，所述第三基板与第一基板或第二基板通过另一连接基板电性连接。
[0012]一实施例中，所述封装结构还包括多个第三基板，所述第三基板与第一基板和/或第二基板、以及相邻第三基板之间通过若干连接基板电性连接。
[0013]本申请另一实施例提供一种封装方法，所述封装方法包括:
提供连接基板，在连接基板的第一表面上形成第一焊接层，第一焊接层的熔点为第一熔点；
提供第一基板，在第一焊接温度下，将连接基板上的第一焊接层与第一基板进行焊接，所述第一焊接温度大于或等于第一熔点；
在连接基板的第二表面上形成第二焊接层，第二焊接层的熔点为第二熔点，所述第二熔点小于第一熔点；
提供第二基板，在第二焊接温度下，将连接基板上的第二焊接层与第二基板进行焊接，所述第二焊接温度大于或等于第二熔点且小于第一熔点。
[0014]一实施例中，所述封装方法还包括:
提供另一连接基板，在该连接基板的第一表面上形成第三焊接层，第三焊接层的熔点为第三熔点；
提供第三基板，在第三焊接温度下，将连接基板上的第三焊接层与第三基板进行焊接，所述第三焊接温度大于或等于第三熔点；
在连接基板的第二表面上形成第四焊接层，第四焊接层的熔点为第四熔点，所述第四熔点小于第三熔点；
在第四焊接温度下，将连接基板上的第四焊接层与第一基板或第二基板进行焊接，所述第四接温度大于或等于第四熔点且小于第三熔点。
[0015]本申请再一实施例中提供一种光模块，所述光模块包括外壳及与外壳固定安装的封装结构，所述封装结构为上述的封装结构，所述封装结构的第一基板和第二基板设置于所述外壳内。
[0016]与现有技术相比，本申请具有以下有益效果:
连接基板采用双面焊接层分别与独立电路基板电性连接，能够有效实现独立电路基板之间的电性互联；
阵列排布的焊接球能够保证较小的面积上实现大容量的连接，连接基板在连接时可以进行阻抗控制，从而实现基板间高速信号的传输；
连接基板的两面采用不同熔点的焊接层，在后续回流焊接中不会损害之前的焊接层，封装结构稳定性高；
连接基板的厚度可调，第一基板或第二基板的长度可调，使得光模块中光学器件或电子器件的设计更加自由。
【附图说明】
[0017]图1是本申请第一实施方式中封装结构的剖面结构示意图；
图2是本申请第一实施方式中连接基板的结构示意图；
图3是本申请第二实施方式中封装结构的剖面结构示意图；
图4是本申请第三实施方式中光模块的平面结构示意图；
图5是本申请第三实施方式中光模块的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]以下将结合附图所示的【具体实施方式】对本申请进行详细描述。但这些实施方式并不限制本申请，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本申请的保护范围内。
[0019]在本申请的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分扩大，因此，仅用于图示本申请的主题的基本结构。
[0020]本文使用的例如“左”、“右”、“左侧”、“右侧”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“右侧”的单元将位于其他单元或特征“左侧”。因此，示例性术语“右侧”可以囊括左侧和右侧这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。
[0021]当元件或层被称为与另一部件或层“连接”时，其可以直接在该另一部件或层上、连接到该另一部件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当部件被称为“直接连接在另一部件或层上”时，不能存在中间部件或层。
[0022]参图1所示，介绍本申请封装结构100的第一实施方式。该封装结构100包括相对设置的第一基板110和第二基板120，第一基板110和第二基板120均为硬质基板，第一基板110上贴装有若干第一电子器件111，第二基板120上贴装有若干第二电子器件121。第一基板110和第二基板120之间设有连接基板130，连接基板130用于电性连接第一基板110和第二基板120以形成互联结构。
[0023]具体地，本实施方式中第一基板110为子基板，第二基板120为母基板，连接基板130用于电性连接第一基板110和第二基板120。其中，第一基板110的上表面和第二基板120的下表面分别预留有用于封装连接基板130的区域。
[0024]参图2所示封装结构中连接基板130的结构示意图。连接基板130包括相对设置的第一表面1301和第二表面1302。第一表面1301和第二表面1302上分别设置有第一焊接层131和第二焊接层132。第一焊接层131和第二焊接层132之间通过导电过孔133电性连接，导电过孔133的设计可以控制过孔的阻抗，适用于高速信号传输。
[0025]本实施方式中第一基板110的大小略小于第二基板120的大小，且第一基板110位于第二基板120的正投影内。在其他优选实施方式中，第一基板110还可以与第二基板120的大小相同，第一基板110与第二基板120的正投影完全重合，如此可以充分利用封装结构的空间，在一定的安装空间内使第一基板最大化，能够收容更多的第一电子器件111。
[0026]优选地，本实施方式中第一焊接层131包括