一种阵列基板、其制备方法及显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、其制备方法及显示面板。
【背景技术】
[0002]在薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)生产工艺中，由于有机绝缘膜层容易形成较厚的膜层而具有可以减小阵列基板中的信号干扰、减小寄生电容、降低基板负载从而降低功耗等优点，因此有机绝缘膜层被广泛应用。通常，有机绝缘膜层设置于两个导电膜层之间，例如设置于源漏电极层和像素电极层之间。为了使像素电极与薄膜晶体管的漏极电性连接，需要在有机绝缘膜层上形成过孔(Via Hole)。
[0003]如图1a所示为现有技术中有机绝缘膜层的应用结构示意图，衬底基板10上设置有由有源层11、栅极(图中未示出)、源极(图中未示出)和漏极12组成的薄膜晶体管，数据线13、栅线14和像素电极15，像素电极15与漏极12之间设置有有机绝缘膜层16，像素电极15通过贯穿有机绝缘膜层16的过孔V与漏极12电性连接，数据线13、源极以及漏极12同层设置；如图1b所示(为图1a沿A-A’方向的剖面结构示意图)，由于有机绝缘膜层16较厚，数据线13和像素电极15之间的寄生电容较小，因此画面品质好，如图1c所示(为图1a沿B-B’方向的剖面结构示意图)，由于有机绝缘膜层16较厚，导致过孔V较深(可达2μπι)，从而容易发生使过孔V侧面搭接的像素电极15发生断裂、以及由于有机绝缘膜层16的段差大导致的后续取向膜摩擦取向不均匀等不良问题。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制备方法及显示面板，用于改善由于现有阵列基板中绝缘层的过孔深所产生的不良问题。
[0005]因此，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板，依次位于所述衬底基板上的第一导电层、绝缘层和第二导电层，所述绝缘层具有过孔区域、位于所述过孔区域外侧的半保留区域、以及包围所述半保留区域和所述过孔区域所在的区域的完全保留区域;其中，
[0006]所述过孔区域为贯穿所述绝缘层的过孔，且所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层电性连接；
[0007]所述绝缘层的所述半保留区域的上表面与所述第一导电层的上表面之间的垂直距离小于所述绝缘层的所述完全保留区域的上表面与所述第一导电层的上表面之间的垂直距离。
[0008]较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述半保留区域完全包围所述过孔区域。
[0009]较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘层的材料为有机材料。
[0010]较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘层的材料为感光性有机材料。
[0011]较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述半保留区域的宽度为Ιμπι?6μπι0
[0012]较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘层的所述半保留区域的上表面与所述第一导电层的上表面之间的垂直距离小于或等于所述绝缘层的所述完全保留区域的上表面与所述第一导电层的上表面之间的垂直距离的一半。
[0013]较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘层在所述完全保留区域的厚度为2μηι?3μηι。
[0014]较佳地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一导电层为所述阵列基板上的薄膜晶体管的漏极，所述第二导电层为像素电极。
[0015]相应地，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述任一种阵列基板。
[0016]相应地，本发明实施例还提供了一种上述任一种阵列基板的制备方法，包括:
[0017]在所述衬底基板上形成所述第一导电层的图形；
[0018]在形成有所述第一导电层的衬底基板上形成所述绝缘层的图形；其中，所述绝缘层具有过孔区域、位于所述过孔区域外侧的半保留区域、以及包围所述半保留区域和所述过孔区域所在的区域的完全保留区域;所述过孔区域为贯穿所述绝缘层的过孔，所述绝缘层的所述半保留区域的上表面与所述第一导电层的上表面之间的垂直距离小于所述绝缘层的所述完全保留区域的上表面与所述第一导电层的上表面之间的垂直距离；
[0019]在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成所述第二导电层的图形;其中所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层电性连接。
[0020]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在形成有所述第一导电层的衬底基板上形成所述绝缘层的图形，具体为:
[0021]通过一次构图工艺在形成有所述第一导电层的衬底基板上形成所述绝缘层的图形。
[0022]较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，当所述绝缘层的材料为感光性有机材料时，通过一次构图工艺在形成有所述第一导电层的衬底基板上形成所述绝缘层的图形，具体为:
[0023]在形成有所述第一导电层的衬底基板上形成绝缘层膜层，且所述绝缘层膜层的材料为感光性有机材料；
[0024]利用一为半色调掩模板或灰色调掩模板的第一掩膜板对所述绝缘层膜层进行曝光显影，在与所述第一掩模板的第一区域对应的所述绝缘层膜层的区域处形成所述绝缘层的所述完全保留区域的图形，在与所述第一掩模板的第二区域对应的所述绝缘层膜层的区域处形成所述绝缘层的所述半保留区域的图形;在与所述第一掩模板的第三区域对应的所述绝缘层膜层的区域处形成所述绝缘层的所述过孔区域的图形;其中，
[0025]当所述感光性有机材料为正性感光材料时，所述第一掩模板的第一区域为遮光区域，第二区域为部分透光区域，第三区域为完全透光区域；
[0026]当所述感光性有机材料为负性感光材料时，所述第一掩模板的第一区域为完全透光区域，第二区域为部分透光区域，第三区域为遮光区域。
[0027]本发明实施例提供的上述阵列基板、其制备方法及显示面板，包括衬底基板，依次位于所述衬底基板上的第一导电层、绝缘层和第二导电层，绝缘层具有过孔区域、位于过孔区域外侧的半保留区域、以及包围半保留区域和过孔区域所在的区域的完全保留区域。由于过孔区域外侧的半保留区域可以降低过孔周围绝缘层的厚度，因此可以不仅可以降低第二导电层在过孔边缘发生断裂的概率，并且可以避免过孔边缘残留绝缘层材料。另外，由于半保留区域的上表面与第一导电层的上表面之间的垂直距离小于完全保留区域的上表面与第一导电层的上表面之间的垂直距离，因此使得绝缘层的高度段差分为两段，从而可以降低绝缘层整体厚度造成的段差影响。并且，由于半保留区域仅是设置在绝缘层的过孔区域外侧，其它区域仍为完全保留区域，因此不会增加其它区域第一导电层与第二导电层之间寄生电容。
【附图说明】
[0028]图1a为现有的有机绝缘膜层的应用结构示意图；
[0029]图1b为图1a沿A-A’方向的剖面结构示意图；
[0030]图1c为图1a沿B-B’方向的剖面结构示意图；
[0031]图2a和图2b分别为本发明实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图；
[0032]图3a为图2a所示阵列基板沿A-A’方向的剖面结构示意图；
[0033]图3b为图2b所示阵列基板沿A-A’方向的剖面结构示意图；
[0034]图4a为本发明实施例提供的阵列基板的具体结构示意图；
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