芯片深沟腐蚀装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体功率器件硅片上湿法刻蚀深沟工艺设备领域，特别涉及一种芯片深沟腐蚀装置。
【背景技术】
[0002]在芯片生产过程中，其中需要对芯片进行深沟腐蚀工艺，目前主要采用以下三种工艺方法:
[0003]1、将需要腐蚀的芯片放置在芯片容纳盒中，在酸槽底部安装有与芯片容纳盒连接的旋转轴，旋转轴带动芯片容纳盒转动，使得芯片不停地在酸槽内循环腐蚀；
[0004]2、将需要腐蚀的芯片放置在芯片容纳盒中，在酸槽内安装有旋转笼，将芯片容纳盒放置在旋转笼中，且芯片容纳盒自转，使得芯片不停地在酸槽内循环腐蚀；
[0005]3、在酸槽内安装氮气鼓泡装置，将装有需要腐蚀芯片的芯片容纳盒与一升降提升机构连接，使得芯片不停地上下运动以使其在酸槽内循环腐蚀。
[0006]但是上述的工艺方法均存在如下缺点:
[0007]1、在深沟腐蚀的过程中，酸槽内会产生大量微小气泡，影响腐蚀质量和腐蚀速率；
[0008]2、在深沟腐蚀的过程中，酸槽内酸液的液面会产生波浪或漩涡，使得芯片容易露出液面，影响腐蚀质量；
[0009]3、在深沟腐蚀的过程中，酸槽内酸液的液面会产生波浪或漩涡，使得酸液容易外溅，不仅浪费酸液，而且容易造成安全事故。
【发明内容】
[0010]本发明的目的在于针对现有技术的上述不足和缺陷，提供一种芯片深沟腐蚀装置，以解决上述问题。
[0011]本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0012]芯片深沟腐蚀装置，包括:
[0013]酸槽；
[0014]其特征在于，还包括:
[0015]设置在所述酸槽内的芯片容纳盒，所述芯片容纳盒放置在固定架内，所述芯片容纳盒用于固定芯片的侧壁上设置有若干过流槽；
[0016]设置在所述酸槽侧部的直线往复驱动机构，所述直线往复驱动机构的运动输出端与所述固定架连接，所述直线往复驱动机构带动所述固定架在所述酸槽内沿所述芯片的径向往复运动。
[0017]在本发明的一个优选实施例中，所述直线往复驱动机构为曲柄连杆机构。
[0018]在本发明的一个优选实施例中，所述曲柄连杆机构包括:
[0019]连杆，所述连杆的第一端与所述固定架连接，所述连杆的第二端设置有滑槽，所述滑槽内配置有轴承；
[0020]曲柄，所述曲柄的第一端可旋转地连接在所述轴承上，所述曲柄的第二端与一电机输出端连接；
[0021]沿所述连杆长度方向间隔套设在所述连杆上的若干导向座，所述导向座限制所述连杆径向活动。
[0022]在本发明的一个优选实施例中，所述连杆的第一端与所述固定架通过快速接头连接。
[0023]由于采用了如上的技术方案，本发明的有益效果在于:
[0024]1、在深沟腐蚀的过程中，酸槽内不会产生大量微小气泡，保证腐蚀质量和腐蚀速率；
[0025]2、在深沟腐蚀的过程中，由于芯片容纳盒的侧壁上设置有若干过流槽，使得酸槽内酸液的液面不会产生波浪或漩涡，防止芯片露出液面，保证腐蚀质量；
[0026]3、在深沟腐蚀的过程中，由于酸槽内酸液的液面不会产生波浪或漩涡，有效防止酸液外派，防止安全事故发生，还能够节约酸液成本，环保节能。
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本发明一种实施例的主视图。
[0029]图2是图1的俯视图。
【具体实施方式】
[0030]为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面进一步阐述本发明。
[0031 ]参见图1和图2所示的芯片深沟腐蚀装置，包括酸槽100，在酸槽100内浸泡有酸液，酸槽100内壁周向由上至下间隔设置有若干高度调节孔110，酸槽100的底部设置有高度调节板120，高度调节板120的两侧通过与高度调节孔110配合的紧固件安装固定。
[0032]酸槽100为敞口式结构，酸槽100内悬挂有固定架200，芯片容纳盒300放置在固定架200内，在芯片容纳盒300用于固定芯片310的侧壁320上设置有若干过流槽321。
[0033]在酸槽100侧部设置有直线往复驱动机构400，直线往复驱动机构400的运动输出端与固定架200连接，使得固定架200悬挂在酸槽100内，直线往复驱动机构400带动固定架200在酸槽100内沿芯片310的径向往复运动。优选地，本实施例中的直线往复驱动机构400为曲柄连杆机构，包括连杆410、曲柄420和电机430，连杆410的第一端与固定架200连接，为了方便装配，两者通过快速接头210连接。连杆410的第二端设置有径向滑槽411，径向滑槽411内配置有轴承412。电机430竖直向下地设置在连杆410的第二端上方，曲柄420水平设置，曲柄420的第一端可旋转地连接在轴承412上，曲柄420的第二端与一电机430的输出端431垂直连接。连杆410上套设有若干导向座440，若干导向座440沿连杆410长度方向间隔套设，以限制连杆410径向活动。
[0034]本发明的工作过程如下:
[0035]将需要进行深沟腐蚀的芯片310竖直固定在芯片容纳盒300中，将芯片容纳盒300固定在固定架200内，而固定架200与连杆410的第一端，此时的芯片310所在平面的法线方向与连杆410的轴线方向垂直。启动电机430，带动曲柄420转动，进而带动连杆410沿轴向作往复匀速运动，使得固定架200在浸泡有酸液的酸槽100中不停循环摆动，对芯片310进行腐蚀。在深沟腐蚀的过程中，可以通过电机430的工作频率带保证腐蚀速率，而且由于芯片容纳盒300的侧壁320上设置有若干过流槽321，而连杆410是沿轴向运动，所以芯片容纳盒300在移动过程中酸液会从过流槽321流过，使得酸槽100内酸液的液面不会产生波浪或漩涡，防止芯片310露出液面，保证腐蚀质量，也使酸槽100内不会产生大量微小气泡，同时还能有效防止酸液外派，防止安全事故发生，还能够节约酸液成本，环保节能。
[0036]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.芯片深沟腐蚀装置，包括: 酸槽； 其特征在于，还包括: 设置在所述酸槽内的芯片容纳盒，所述芯片容纳盒放置在固定架内，所述芯片容纳盒用于固定芯片的侧壁上设置有若干过流槽； 设置在所述酸槽侧部的直线往复驱动机构，所述直线往复驱动机构的运动输出端与所述固定架连接，所述直线往复驱动机构带动所述固定架在所述酸槽内沿所述芯片的径向往复运动。2.如权利要求1所述的芯片深沟腐蚀装置，其特征在于，所述直线往复驱动机构为曲柄连杆机构。3.如权利要求2所述的芯片深沟腐蚀装置，其特征在于，所述曲柄连杆机构包括: 连杆，所述连杆的第一端与所述固定架连接，所述连杆的第二端设置有滑槽，所述滑槽内配置有轴承； 曲柄，所述曲柄的第一端可旋转地连接在所述轴承上，所述曲柄的第二端与一电机输出端连接； 沿所述连杆长度方向间隔套设在所述连杆上的若干导向座，所述导向座限制所述连杆径向活动。4.如权利要求3所述的芯片深沟腐蚀装置，其特征在于，所述连杆的第一端与所述固定架通过快速接头连接。
【专利摘要】本发明公开了一种芯片深沟腐蚀装置，包括：酸槽；设置在酸槽内的芯片容纳盒，芯片容纳盒放置在固定架内，芯片容纳盒用于固定芯片的侧壁上设置有若干过流槽；设置在酸槽侧部的直线往复驱动机构，直线往复驱动机构的运动输出端与固定架连接，直线往复驱动机构带动固定架在酸槽内沿芯片的径向往复运动。本发明的有益效果在于：1、酸槽内不会产生大量微小气泡，保证腐蚀质量和腐蚀速率；2、使得酸槽内酸液的液面不会产生波浪或漩涡，防止芯片露出液面，保证腐蚀质量；3、有效防止酸液外溅，防止安全事故发生，还能够节约酸液成本，环保节能。
【IPC分类】H01L21/306
【公开号】CN105551952
【申请号】CN201510970093
【发明人】葛林五
【申请人】上海提牛机电设备有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月21日