用于辅助金属绕线的方法及设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路(IC)内的高效能单元的互连绕线。本发明特别可应用于超越10纳米(nm)技术节点的互连设计及绕线。
【背景技术】
[0002]所欲设备尺寸及间距已减少到传统单一图案化微影技术(例如，193纳米波长微影技术)无法形成具有最终目标图案的所有特征的单一带图案掩模层的地步。因此，设备设计者及制造商已开始利用各种双重图案化技术，例如自对准双重图案化(SADP) ο不过，因为内顶点(或内转角)圆化，所以SADP的阻挡遮蔽(block masking)对于金属绕线有不利影响。特别是，阻挡遮蔽对于线端需要强制实施最小距离。
[0003]因此，亟须一种方法及对应设备使受到内转角圆化的不利影响的绕线配置合法化。
【发明内容】
[0004]本发明的一态样为一种基于辅助金属绕线来使绕线配置合乎规则的方法。
[0005]本发明的另一态样为一种配置成可基于辅助金属绕线来使绕线配置合乎规则的设备。
[0006]本发明的其他态样及特征会在以下说明中提出以及部份在本技艺一般技术人员审查以下内容或学习本发明的实施后会明白。按照随附权利要求书所特别提示，可实现及得到本发明的优点。
[0007]根据本发明，一些技术效果的达成部份可通过一种方法，其包含下列步骤:判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模(initial block mask)用以形成IC的金属绕线层；于该金属绕线层内添加辅助金属部份；以及判定基于该辅助金属部份的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。
[0008]本发明的数个态样包括:判定与该初始阻挡掩模的该第一内顶点关连的绕线违规(routing v1lat1n)，其中，该辅助金属部份的该添加基于该绕线违规。其他态样包括:该绕线违规基于一个或多个以下项目:禁入规则、垂直互连存取(VIA)围封规则、以及阻挡遮蔽的最小特征尺寸。附加态样包括:判定该金属绕线层的第一线端，其中，该初始阻挡掩模的该第一内顶点对应至形成该第一线端的步骤。其他态样包括:判定第一 VIA连接在该第一线端处接至该金属绕线层，其中，该修正阻挡掩模满足该金属绕线层对于该第一 VIA连接的绕线违规。附加态样包括:判定该金属绕线层的第二线端与该第一线端在同一个轨迹内；以及判定第二 VIA连接在该第二线端处接至该金属绕线层，其中，该修正阻挡掩模满足该金属绕线层在该第一 VIA连接与该第二 VIA连接之间的绕线违规。其他态样包括:该辅助金属部份添加至邻近该第一线端的金属轨迹。附加态样包括:修正该金属绕线层以使该辅助金属部份连接至该金属绕线层的数条走线(routing line)。
[0009]本发明的另一态样为一种设备，其包含:至少一个处理器以及包含一或多个程式的电脑程式码的至少一个存储器，该至少一个存储器与该电脑程式码配置成用该至少一个处理器造成该设备进行下列动作:判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模以形成IC的金属绕线层；于该金属绕线层内添加辅助金属部份；以及判定基于该辅助金属部份的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。
[0010]数个态样包括:进一步造成该设备:判定与该初始阻挡掩模的该第一内顶点关连的绕线违规，其中，该辅助金属部份的该添加基于该绕线违规。其他态样包括:该绕线违规基于一个或多个以下项目:禁入规则、VIA环路围封规则、以及阻挡遮蔽的最小特征尺寸。附加态样包括:进一步造成该设备:判定该金属绕线层的第一线端，其中，该初始阻挡掩模的该第一内顶点对应至形成该第一线端的步骤。其他态样包括:进一步造成该设备:判定第一 VIA连接在该第一线端处接至该金属绕线层，其中，该修正阻挡掩模满足该金属绕线层对于该第一 VIA连接的绕线违规。附加态样包括:进一步造成该设备:判定该金属绕线层的第二线端与该第一线端在同一个轨迹内；以及判定第二 VIA连接在该第二线端处接至该金属绕线层，其中，该修正阻挡掩模满足该金属绕线层在该第一 VIA连接与该第二 VIA连接之间的绕线违规。另一态样包括:该辅助金属部份添加至邻近该第一线端的金属轨迹。另一态样包括:进一步造成该设备:修正该金属绕线层以使该辅助金属部份连接至该金属绕线层的数条走线。
[0011]本发明的另一态样为一种金属绕线的方法，该方法包括:判定IC的金属绕线层会造成绕线违规的配置；添加辅助金属部份至该金属绕线层；以及判定基于该辅助金属部份的阻挡掩模用以形成满足该绕线违规的该金属绕线层。附加态样包括:该绕线违规在包含VIA连接的该金属绕线层的线端处与阻挡掩模内顶点关连。其他态样包括:该绕线违规基于一个或多个以下项目:禁入规则、VIA围封规则、以及阻挡遮蔽的最小特征尺寸。附加态样包括:修正该金属绕线层以使该辅助金属部份连接至该金属绕线层的数条走线。
[0012]熟谙此技术领域者由以下详细说明可明白本发明的其他方面及技术效果，其中，仅以预期可实现本发明的最佳模式举例描述本发明的具体实施例。应了解，本发明能够做出其他及不同的具体实施例，以及在各种明显的方面，能够修改数个细节而不脱离本发明。因此，附图及说明内容本质上应被视为图解说明用而不是用来限定。
【附图说明】
[0013]在此用附图举例说明而不是限定本发明，图中类似的元件用相同的元件符号表示，且其中:
[0014]图1A至图1E示意图示一现有SADP制造方法；
[0015]图2A至图2C图示现有SADP制造方法的阻挡遮蔽规则；
[0016]图3图示用于现有SADP制造方法的线端禁入规则的操作；
[0017]图4A及图4B图示在现有SADP制造方法规则下的非法配置；
[0018]图5根据本发明的一示范具体实施例图示一辅助绕线；
[0019]图6根据本发明的一示范具体实施例图示有辅助金属部份的延伸部份的配置；
[0020]图7根据本发明的一示范具体实施例图示辅助金属绕线的方法流程；以及
[0021]图8根据本发明的一示范具体实施例图示实作辅助绕线的电脑系统。
[0022]附图标记说明:
[0023]101基板103硬掩模
[0024]105心轴105P间距
[0025]105W最小宽度107心轴轨迹
[0026]109间隔体109W宽度
[0027]111非心轴区113非心轴轨迹
[0028]115阻挡掩模117心轴金属布线
[0029]119非心轴金属布线121垂直间隔
[0030]201、207 阻挡掩模203外形
[0031]205a、205b、205c、205d、211a、211b、411、413、607 VIA
[0032]209外形213内顶点
[0033]221、241、421 长度
[0034]223、243、301、303、417、419、503、505 线端
[0035]305禁入区307最小分离距离
[0036]400非法绕线配置401、403、409、429金属布线
[0037]405、407 金属布线区段415、425分离距离
[0038]427金属间距431间隙
[0039]450、600 配置451阻挡掩模
[0040]453、455内顶点500辅助配置
[0041]501,601 辅助金属部份507矩形阻挡掩模
[0042]509间隙511分离距离
[0043]603附加金属布线605金属布线
[0044]700方法流程701至707步骤
[0045]800电脑系统801处理器
[0046]803存储器805储存器
[0047]807显示器809输入装置
[0048]811应用程式813布局资料(或资讯)
[0049]815设计规则
[0050]817形状及/或单元资料库(或储存库)。
【具体实施方式】
[0051]为了解释，在以下的说明中，提出各种特定的细节供彻底了解示范具体实施例。不过，显然没有所述特定细节或用等价配置仍可实施示范具体实施例。在其他情况下，众所周知的结构及装置用方块图图示以免不必要地混淆示范具体实施例。此外，除非明示，在本专利说明书及权利要求书中表示成分、反应状态等等的数量、比例及数值性质的所有数字应被理解为在所有情况下可用措辞“约”来修饰。
[0052]本发明针对及解决目前与SADP制造方法的金属绕线有关的绕线限制。根据本发明具体实施例，金属绕线配置通过布置辅助金属部份来合法化。
[0053]根据本发明具体实施例的方法包括:判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模用以形成