一种低电磁吸收比的天线的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及天线，尤其涉及一种低电磁吸收比的天线。
【背景技术】
[0002]在2G与3G无限通信系统中，所支持的频率范围为824 — 960MHz，1710 — 2170MHz。
[0003]随着第四代行动通信的普及，TDD-LTE与n)D-LTE的使用，在国内支持TDD-LTE频段38/39/40/41，其频率范围从2300 — 2400MHz与2496 — 2790MHz，同时北美支持!7DD-LTE频段13与17，其频率范围为704 — 787MHz。
[0004]在受限于移动式装置的有效空间，需要设计支持多模的天线。在移动通信市场上，除强调通信品质的质量，也同时注重低电磁吸收比的天线设计，因此，如何设计一种低电磁吸收比的天线是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种低电磁吸收比的天线。
[0006]本发明提供了一种低电磁吸收比的天线，包括接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元的一端与所述第一福射单元连接，所述接地单元的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。
[0007]作为本发明的进一步改进，所述馈电单元为T型，所述馈电单元包括馈电部和自所述馈电部的顶端往相反方向延伸的第一激发单元、第二激发单元，所述馈电部垂直于所述第一激发单元、第二激发单元，所述第一激发单元与所述第一辐射单元形成耦合，所述第二激发单元与所述第二辐射单元形成耦合，第一激发单元、第二激发单元形成平衡式馈入。
[0008]作为本发明的进一步改进，所述馈电部的底端设有馈电点。
[0009]作为本发明的进一步改进，所述接地单元为直线状，所述接地单元的中点设有短路点，所述接地单元分别与所述第一激发单元、第二激发单元相平行。
[0010]作为本发明的进一步改进，所述第一辐射单元包括与所述接地单元连接的第一连接体和与所述第一连接体连接的第一辐射单体，所述第一连接体垂直于所述接地单元，所述第一辐射单体平行于所述接地单元。
[0011]作为本发明的进一步改进，所述第二辐射单元包括与所述接地单元连接的第二连接体和与所述第二连接体连接的第二辐射单体，所述第二连接体垂直于所述接地单元，所述第二辐射单体平行于所述接地单元。
[0012]作为本发明的进一步改进，所述第一辐射单体在所述接地单元上的投影与所述第一激发单元在所述接地单元上的投影至少有部分相重合，所述第二辐射单体在所述接地单元上的投影与所述第二激发单元在所述接地单元上的投影至少有部分相重合。
[0013]作为本发明的进一步改进，所述第一连接体、第一辐射单体的总长为Xl，X1为低频800Hz的四分之一波长，所述第二连接体、第二辐射单体的总长为X2，X2为低频900Hz的四分之一波长。
[0014]作为本发明的进一步改进，所述馈电部、第一激发单元的总长为Yl，Yl略低于或者低于低频800Hz的四分之一波长，所述馈电部、第二激发单元的总长为Y2，Y2略低于或者低于低频900Hz的四分之一波长。
[0015]作为本发明的进一步改进，所述第一辐射单体远离所述第一连接体的一端设有第一开路，所述第二辐射单体远离所述第二连接体的一端设有第二开路。
[0016]本发明的有益效果是:通过上述方案，可通过馈电单元分别与所述第一辐射单元、第二辐射单元形成耦合，实现辐射能量的平均分布，达到低电磁吸收比的目的。
【附图说明】
[0017]图1是本发明一种低电磁吸收比的天线的示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合【附图说明】及【具体实施方式】对本发明进一步说明。
[0019]图1中的附图标号为:短路点I;馈电点2;接地单元3;第一辐射单体4;第一连接体5;第一开路6;第二辐射单体7;第二开路8;第二连接体9;馈电部10;第一激发单元11;第二激发单元12。
[0020]如图1所示，一种低电磁吸收比的天线，包括接地单元3、第一辐射单元、第二辐射单元和馈电单元，其中，所述接地单元3的一端与所述第一福射单元连接，所述接地单元3的另一端与所述第二辐射单元连接，所述接地单元、第一辐射单元、第二辐射单元围合成具有开口的框形，所述馈电单元位于所述框形之内，所述开口位于所述第一辐射单元、第二辐射单元之间。
[0021 ] 如图1所示，所述馈电单元为T型，所述馈电单元包括馈电部1和自所述馈电部1的顶端往相反方向延伸的第一激发单元11、第二激发单元12，所述馈电部10垂直于所述第一激发单元11、第二激发单元12，所述第一激发单元11与所述第一辐射单元形成耦合，所述第二激发单元12与所述第二辐射单元形成耦合，第一激发单元11、第二激发单元12形成平衡式馈入，通过平衡式馈入将辐射能量平均分布在所述第一激发单元11、第二激发单元12上，以达到低电磁吸收比的作用。
[0022]如图1所示，所述馈电部10的底端设有馈电点2。
[0023]如图1所示，所述接地单元3为直线状，所述接地单元3的中点设有短路点I，所述接地单元3分别与所述第一激发单元11、第二激发单元12相平行。
[0024]如图1所示，所述第一福射单元包括与所述接地单元3连接的第一连接体5和与所述第一连接体5连接的第一辐射单体4，所述第一连接体5垂直于所述接地单元3，所述第一福射单体4平行于所述接地单元3。
[0025]如图1所示，所述第二辐射单元包括与所述接地单元3连接的第二连接体9和与所述第二连接体9连接的第二辐射单体7，所述第二连接体9垂直于所述接地单元3，所述第二福射单体7平行于所述接地单元3。
[0026]如图1所示，所述第一辐射单体4在