用于腔室端口的气体设备、系统及方法
【专利说明】用于腔室端口的气体设备、系统及方法
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请主张审查中的美国专利申请序号第14/036,754号的优先权，其申请于2013 年9月化日，标题为'屯AS APPARATUS,SYSTEMS,AND MET册DS FOR CHAM肥R PORTS(用于腔室 端口的气体设备、系统及方法r(文件编号为第20873号），其内容在此W引用的方式针对所 有目的将其并入。
[000；3]领域
[0004] 本发明一般设及电子装置制造，且更具体地，设及腔室端口，通过该腔室端口来传 送基板。
[0005] 背景
[0006] 传统的电子装置制造系统可包括配置来执行任何数量的基板处理的一个或多个 处理腔室，所述基板处理包括例如除气、预清洁或清洁、沉积(例如，化学气相沉积(CVD)、物 理气相沉积(PVD)、及/或原子层沉积）、涂覆、氧化、氮化、蚀刻(例如，等离子体蚀刻）、与类 似者。基板可为半导体晶片、玻璃板或平板、及/或用于制造电子装置或电路部件的其他工 件。基板可通过腔室端口组件而传送于处理腔室与传送腔室之间，腔室端口组件可包括例 如狭缝阀。腔室端口组件提供处理腔室与传送腔室的腔室端口之间的接口。来自腔室硬件 的非所期望微粒状物质可能在基板传送通过腔室端口组件期间迁移至基板。非所期望微粒 状物质可能负面影响基板的处理，运会使得其上制造的任何电子装置及/或电路部件无法 使用。
[0007] 因此，所期望的是：用于传送基板通过腔室端口组件的改良装置、系统与方法。
[000引概述
[0009] 根据第一态样，提供电子装置制造系统的一种腔室端口组件。该腔室端口组件包 括:盖体，该盖体具有形成于其中的气体入口 W及延伸通过其中的第一气体通道，该第一气 体通道流体连通于该气体入口；气体导管构件，该气体导管构件具有延伸通过其中的第二 气体通道，该第二气体通道流体连通于该第一气体通道;框插件，该框插件具有第=气体通 道，该第=气体通道流体连通于该第二气体通道；W及一或更多个气体喷嘴，该一或更多个 气体喷嘴禪接于该框插件并且流体连通于该第=气体通道，该一或更多个气体喷嘴配置来 导引在该气体入口处所接收的气流至基板传送区域中，当基板从第一腔室传送通过该腔室 端口组件至第二腔室时，该基板传送区域配置来接收该基板。
[0010] 根据第二态样，提供一种电子装置制造系统。该电子装置制造系统包括：第一腔 室，该第一腔室配置来接收基板于其中；第二腔室，该第二腔室配置来接收基板于其中；腔 室端口组件，该腔室端口组件接合该第一腔室与该第二腔室，该腔室端口组件具有在该第 一腔室与该第二腔室之间的基板传送区域，当基板传送通过该第一腔室与该第二腔室之间 的该腔室端口组件时，该基板传送区域配置来接收该基板;气体入口；气体导管构件，该气 体导管构件具有通过其中的气体通道，该气体通道流体连通于该气体入口； W及一或更多 个气体喷嘴，该一或更多个气体喷嘴配置来导引在该气体入口处所接收的气流至该基板传 送区域中。
[0011] 根据第=态样，提供一种组装腔室端口组件的方法，该腔室端口组件用于电子装 置制造系统。该方法包括:提供盖体，该盖体具有形成于其中的气体入口 W及延伸通过其中 的第一气体通道，该第一气体通道流体连通于该气体入口；提供气体导管构件，该气体导管 构件具有延伸通过其中的第二气体通道;提供框插件，该框插件具有延伸通过其中的第= 气体通道，该框插件配置来接收一或更多个气体喷嘴，使得该第=气体通道流体连通于该 一或更多个气体喷嘴;禪接该盖体、气体导管构件、与框插件，使得该第一、第二、与第=气 体通道流体连通于彼此；W及附接该一或更多个气体喷嘴于该框插件，使得该一或更多个 气体喷嘴配置来导引在该气体入口处所接收的气流至该腔室端口组件的基板传送区域中。
[0012] 从下面的详细说明中可轻易得知本发明的实施方式的又其他态样、特征、与优点， 其中例示与叙述数个范例实施方式与实施，包括设想来施行本发明的最佳模式。本发明也 包括其他或不同的实施方式，且其多个细节可在多个方面修改，都未偏离本发明的范围。因 此，附图与说明视为本质上为例示性，而非限制性。本发明涵盖所有落入本发明的范围内的 修改物、等同物、与替代物。
[0013] 附图简要说明
[0014] 下面叙述的附图仅为了例示的目的，且未依照尺寸绘制。所述附图并不打算W任 何方式限制本公开内容的范围。
[0015] 图1根据实施方式，例示电子装置制造系统的示意顶部视图。
[0016] 图2根据实施方式，例示禪接于处理腔室(其中移除了盖体）的腔室端口组件的透 视图。
[0017] 图3A与图3B根据实施方式，分别例示图2的腔室端口组件的第一腔室侧部的透视 与垂直视图。
[0018] 图3C与图3D根据实施方式，分别例示图2的腔室端口组件的第二腔室侧部的透视 与垂直视图。
[0019] 图4A与图4B根据实施方式，分别例示图2的腔室端口组件的子组件的第一腔室侧 部的透视与垂直视图。
[0020] 图4C与图4D根据实施方式，分别例示图4A与图4B的子组件的第二腔室侧部的透视 与垂直视图。
[0021] 图4E根据实施方式，例示图4A至图4D的子组件的侧部垂直视图。
[0022] 图5A根据实施方式，例示图2的腔室端口组件的盖体的顶部透视图。
[0023] 图5B根据实施方式，例示图5A的盖体(其中移除了顶表面）的顶部透视图，盖体附 接至图2的腔室端口组件的框体。
[0024] 图5C根据实施方式，例示图5A的盖体的底部透视图。
[0025] 图6A与图6B根据实施方式，分别例示图2的腔室端口组件的气体导管构件的透视 与侧部垂直视图。
[00%]图7A与图7B根据实施方式，分别例示图2的腔室端口组件的框插件的第一腔室侧 部的垂直视图与透视图。
[0027]图7C与图7D例示沿着图7B的截面线7C-7C所取的图7A与图7B的框插件的部分的替 代实施方式的示意横截面视图。
[00%]图7E与图7F根据实施方式，分别例示图7A与图7B的框插件的第二腔室侧部的垂直 视图与透视图。
[0029] 图7G根据实施方式，例示图7A至图7F的框插件的侧部垂直视图。
[0030] 图8根据实施方式，例示图2的腔室端口组件的气体喷嘴的透视图。
[0031] 图9根据实施方式，例示设置于两腔室之间的腔室端口组件的示意切除视图。
[0032] 图10根据实施方式，例示组装用于电子装置制造系统的腔室端口组件的方法的流 程图。
[0033] 具体描述
[0034] 现在将详细参照本公开呢荣的范例实施方式，范例实施方式例示在所附附图中。 尽可能的，相同标号将在所有附图中用W表示相同或相似的元件。
[0035] 在一态样中，腔室端口组件(该腔室端口组件提供电子装置制造系统的两腔室(像 是例如，处理腔室与传送腔室）之间的接口）可包括气体装置，该气体装置配置来导引气流 至腔室端口组件的基板传送区域中。此种气流可为净化气体，像是例如氮，此种气流可减少 腔室端口组件部件与密封接口的氧化及/或腐蚀，及/或可减少基板传送区域中产生的微粒 状物质，及/或可净化基板传送区域，W减少及/或防止来自腔室硬件的微粒状物质迁移至 正传送通过腔室端口组件的基板上。在某些实施方式中，可修改传统的腔室端口组件的一 或更多个部件，W包括例如定位在基板传送区域旁边的一或更多个气体喷嘴、一或更多个 气体通道、与气体入口。在某些实施方式中，可增加一或更多个额外的部件至传统的腔室端 口组件，W提供例如一或更多个气体通道流体连通于气体入口及/或一或更多个气体喷嘴。
[0036] 在另一态样中，禪接于腔室端口组件的相对侧的任一或两腔室可包括气体装置， 该气体装置配置来导引气流至腔室端口组件的基板传送区域中。任一或两腔室可包括气体 入口与禪接于气体入口的气体导管构件。气体导管构件可配置来接收一或更多个气体喷 嘴，一或更多个气体喷嘴定位成足够靠近基板传送区域，W导引气流至基板传送区域中。例 如，在某些实施方式中，气体入口可形成于腔室的盖体（即，顶壁)或侧壁中，及/或气体导管 构件可定位及/或安装于腔室端口组件可禪接的盖体或侧壁上。
[0037] 在其他态样中，提供组装用于电子装置制造系统的腔室端口组件的方法，如同下 面将结合图1至图10更详细说明的。
[0038] 图1根据一或更多个实施方式，例示电子装置制造系统100。电子装置制造系统100 可配置来同时处理多个基板。基板可为半导体晶片、玻璃板或平板、及/或用于制造电子装 置或电路部件的其他工件。电子装置制造系统100可包括传送腔室102、多个处理腔室104、 与一或更多个负载锁定腔室106,每个腔室可操作在真空压力。传送腔室102可具有机器人 (未图标），所述机器人配置来传送基板至与自每个处理腔室104与每个负载锁定腔室106。
[0039] 处理腔室104可各自执行相同或不同的基板处理，包括例如沉积（例如，化学气相 沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、及/或原子层沉积）、氧化、氮化、涂覆、蚀刻(例如，等离子 体蚀刻）、研磨、清洁、光刻、除气、或类似者。通过处理腔室104,可额外或替代地执行其他的 基板处理。在每个处理腔室104内，可处理一或更多个基板。
[0040] 负载锁定腔室106可各自为批次型或单一基板型的负载锁定腔室。负载锁定腔室 106可禪接于工厂接口 108并且可提供第一真空接口于工厂接口 108与传送腔室102之间。
[0041] 工厂接口 108可禪接于一或更多个前开式标准舱(F0UP,front opening unified podsHlO。每个FOUP 11