阵列基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的发展，显示面板的PPI(像素密度)逐渐提升，TFT(薄膜晶体管）的 尺寸越来越小，对应Via ho 1 e (过孔)尺寸也随之变小。
[0003] 现有阵列基板的制作工艺中，通常采用PVD(F*hysical Vapor Deposition,物理气 相沉积)方式在绝缘层的过孔处沉积导电层，W实现导电层与位于绝缘层下的导电图形的 连接，但是该种方式要求过孔的尺寸不能太小，如果过孔的尺寸太小，则在过孔处形成的导 电层与导电图形之间容易出现接触不良，导致阵列基板的生产良率因此而降低。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够优 化阵列基板过孔处的电连接状况，提高阵列基板的生产良率。
[000引为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
[0006] -方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：
[0007] 在基板上形成第一导电图形；
[0008] 在形成有所述第一导电图形的基板上形成包括有过孔的绝缘层，所述过孔处暴露 出至少部分所述第一导电图形；
[0009] 将形成有所述绝缘层的基板沉浸在金属盐溶液中；
[0010] 向所述第一导电图形输入电信号，使得过孔处的金属盐溶液在接触到所述第一导 电图形后，金属盐溶液中的金属离子被还原而沉积在所述过孔处形成导电连接部。
[0011] 进一步地，所述阵列基板上形成有与所述第一导电图形连接的信号输入端，所述 向所述第一导电图形输入电信号包括：
[0012] 向所述信号输入端输入电信号。
[0013] 进一步地，所述向所述信号输入端输入电信号包括：
[0014] 将供电结构的探针与所述信号输入端连接，向所述信号输入端输入电流，其中，所 述探针未与所述信号输入端接触的部分包裹有隔离层，所述隔离层用于隔绝所述探针与所 述金属盐溶液的接触。
[0015] 进一步地，向所述信号输入端输入电流包括：
[0016] 向所述信号输入端输入大小可调节的电流，进而控制所述过孔处金属离子的沉积 速率。
[0017] 进一步地，形成所述导电连接部之后，所述方法还包括：
[0018] 在所述绝缘层上形成第二导电图形，所述第二导电图形与过孔处的所述导电连接 部连接。
[0019] 进一步地，所述阵列基板上形成有多个薄膜晶体管，所述第一导电图形为薄膜晶 体管的漏极，所述第二导电图形为像素电极。
[0020]进一步地，所述第一导电图形为公共电极线，所述第二导电图形为公共电极。
[0021 ]进一步地，所述金属盐溶液包括银离子溶液。
[0022] 进一步地，所述银盐溶液为银氨溶液或银离子的馨合物溶液。
[0023] 进一步地，所述银盐溶液中，银离子的浓度为0.05mol/L~Imol/L。
[0024] 本发明实施例还提供了一种阵列基板，为采用上述的制作方法制作得到，所述阵 列基板上形成有包括有过孔的绝缘层，所述过孔处形成有与第一导电图形连接的导电连接 部。
[0025] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
[0026] 本发明的实施例具有W下有益效果：
[0027] 上述方案中，将形成有绝缘层的阵列基板沉浸在金属盐溶液中，对绝缘层的过孔 处暴露的第一导电图形输入电信号，过孔处的金属盐溶液在接触到第一导电图形后，能够 使得金属盐溶液中的金属离子被还原而沉积在过孔处，在过孔处形成与第一导电图形连接 的导电连接部。本发明的技术方案不存在第一导电图形与导电连接部接触不良的问题，能 够提高阵列基板的生产良率;并且本发明的技术方案对过孔的尺寸没有要求，能够在很小 尺寸的过孔处形成导电连接部，进而可W将过孔的尺寸设置的比较小，从而提高阵列基板 的开口率。
【附图说明】
[0028] 图1为阵列基板的平面示意图；
[0029] 图2为本发明实施例通过供电结构向信号输入端输入电流的示意图；
[0030] 图3为本发明实施例在过孔处形成导电连接部后的示意图；
[0031 ]图4为本发明实施例形成公共电极后的示意图。
[0032] 附图标记
[0033] 1基板 11信号输入端 13探针 14隔离层
[0034] 2栅绝缘层 3纯化层 4栅极 5像素电极
[0035] 6公共电极线 7源漏金属层 8导电连接部 9公共电极
【具体实施方式】
[0036] 为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。
[0037] 本发明的实施例针对现有技术中采用PVD方式在绝缘层的过孔处沉积导电层，容 易出现接触不良，导致阵列基板的生产良率因此而降低的问题，提供一种阵列基板及其制 作方法、显示装置，能够优化阵列基板过孔处的电连接状况，提高阵列基板的生产良率。
[003引实施例一
[0039] 本实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：
[0040] 在基板上形成第一导电图形；
[0041] 在形成有所述第一导电图形的基板上形成包括有过孔的绝缘层，所述过孔处暴露 出至少部分所述第一导电图形；
[0042] 将形成有所述绝缘层的基板沉浸在金属盐溶液中；
[0043] 向所述第一导电图形输入电信号，使得过孔处的金属盐溶液在接触到所述第一导 电图形后，金属盐溶液中的金属离子被还原而沉积在所述过孔处形成导电连接部。
[0044] 本实施例中，将形成有绝缘层的阵列基板沉浸在金属盐溶液中，对绝缘层的过孔 处暴露的第一导电图形输入电信号，过孔处的金属盐溶液在接触到第一导电图形后，能够 使得金属盐溶液中的金属离子被还原而沉积在过孔处，在过孔处形成与第一导电图形连接 的导电连接部。本发明的技术方案不存在第一导电图形与导电连接部接触不良的问题，能 够提高阵列基板的生产良率;并且本发明的技术方案对过孔的尺寸没有要求，能够在很小 尺寸的过孔处形成导电连接部，进而可W将过孔的尺寸设置的比较小，从而提高阵列基板 的开口率。
[004引进一步地，所述阵列基板上形成有与所述第一导电图形连接的信号输入端，所述 向所述第一导电图形输入电信号包括：
[0046] 向所述信号输入端输入电信号。
[0047] 具体实施例中，所述向所述信号输入端输入电信号包括：
[0048] 将供电结构的探针与所述信号输入端连接，向所述信号输入端输入电流，其中，所 述探针未与所述信号输入端接触的部分包裹有隔离层，所述隔离层用于隔绝所述探针与所 述金属盐溶液的接触，避免对过孔处的金属沉积造成影响。
[0049] 进一步地，向所述信号输入端输入电流包括：
[0050] 向所述信号输入端输入大小可调节的电流，进而控制所述过孔处金属离子的沉积 速率。运样可W通过调节电流的大小，调节过孔处金属离子的沉积速率。
[0051] 进一步地，形成所述导电连接部之后，所述方法还包括：
[0052] 在所述绝缘层上形成第二导电图形，所述第二导电图形与过孔处的所述导电连接 部连接，进而通过导电连接部实现与第一导电图形的电连接。
[0053] 具体实施例中，所述阵列基板上形成有多个薄膜晶体管，所述第一导电图形为薄 膜晶体管的漏极，所述第二导电图形为像素电极。
[0054] 另一具体实施例中，所述第一导电图形为公共电极线，所述第二导电图形为公共 电极。
[0055] 进一步地，所述金属盐溶液包括银离子溶液。
[0056] 具体实施例中，金属盐溶液为包括有银离子的银盐溶液。运样能够在过孔处形成 银制成的导电连接部，具有良好的导电性能。
[0057] 具体实施例中，银盐溶液为银氨溶液或银离子的馨合物溶液。
[0058] 优选实施例中，银盐溶液中，银离子的浓度为0.05mol/L~Imol/L。
[0059] 实施例二
[0060] 本实施例提供了一种阵列基板，为采用上述的制作方法制作得到，所述阵列基板 上形成有包括有过孔的绝缘层，所述过孔处形成有与第一导电图形连接的导电连接部。
[0061] 本实施例的技术方案不存在第一导电图形与导电连接部接触不良的问题，能够提 高阵列基板的生产良率;并且本实施例的技术方案对过孔的尺寸没有要求，能够在很小尺 寸的过孔处形成导电连接部，进而可W将过孔的尺寸设置的比较小，从而提高阵列基板的 开口率。
[0062] 实施例S
[0063] 本实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。所述显示装置可W为： 液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其 中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
[0064] 实施例四
[0065] 下面W第一导电图形为公共电极线、第二导电图形为公共电极为例，对本发明的 技术方案进行进一步介绍。
[0066] 本实施例的阵列基板的制作方法具体包括W下步骤：
[0067] 步骤1:提供一衬底基板1，在衬底基板1上形成栅极4和公共电极线6的图形；
[0068] 提供一衬底基板