保 护胶不腐蚀产品的发光区，对产品的亮度影响较小。
[0062] 具体地，在晶元的第二表面上涂上激光切割保护胶，可W包括：
[0063] 采用涂胶机在晶元的第二表面上涂上激光切割保护胶，W提高生产效率。
[0064] 可选地，采用涂胶机在晶元的第二表面上涂上激光切割保护胶，可W包括：
[0065] 载台W80化pm的速度旋转，采用喷雾涂覆的方式在晶元的第二表面上涂上激光切 割保护胶；
[0066] 静置20s后，载台W 2000巧m的速度旋转。
[0067] 可W理解地，载台WS(K)巧m的速度旋转，有利于晶元第二表面被保护液涂覆均匀。 载台W2000rpm的速度旋转，可W将多余的保护液甩掉。
[0068] 相应地，在该步骤102之后，该切割方法还包括：
[0069] 去除激光切割保护胶。
[0070] 可选地，去除激光切割保护胶，可W包括：
[0071 ]载台W2000rpm的速度旋转，同时采用高压水柱清洗激光切割保护胶；
[0072] 吹干产品。
[0073] 可选地，激光切割保护胶的厚度可W为1~化m，W实现降低激光划切对产品性能 的影响、保护产品表面无激光烧结物的污染、不腐蚀产品的发光区，同时有利于激光加工清 洗干净。
[0074] 步骤103:去除第一胶膜，将晶元的第二表面粘附在第二胶膜上。
[0075] 可选地，第二胶膜可W包括PVC基材和亚克力系粘着剂，光照时的透明度较高，易 于观察。
[0076] 可选地，第二胶膜的厚度可W为60~80WI1，W利于劈裂良率的稳定性。
[0077] 具体地，该步骤103可W包括：
[0078] 采用全自动粘片机将晶元的第二表面粘附在第二胶膜上，W提高生产效率。
[0079] 可选地，将晶元的第二表面粘附在第二胶膜上的溫度可W为50°C，时间为10s，实 现晶元的第二表面与胶膜之间无气泡产生，粘合效果好。
[0080] 在本实施例的另一种实现方式中，在去除第一胶膜之后，且在将晶元的第二表面 粘附在第二胶膜上之前，该切割方法还可W包括：
[0081] 对晶元中Si衬底还未分离的各个L邸忍片进行光电参数测试。
[0082] 需要说明的是，在对晶元的第二表面进行激光切割之后，各个Lm)忍片的多量子阱 层等已经分离，相互之间通过Si衬底连接在一起，此时可W对各个L邸忍片进行光电参数测 试。同时由于Lm)忍片的P型电极和N型电极分别位于忍片的两侧，即垂直结构，因此若在各 个Lm)忍片相互独立之后进行光电参数测试将会十分不便，此时进行光电性能测试，实现简 单方便。
[0083] 步骤104:对晶元的第一表面进行激光切割。
[0084] 可W理解地，通过执行步骤104,在晶元的第一表面形成切割道。
[0085] 可选地，对晶元的第一表面进行激光切割的深度可W为晶元的厚度的40 %~ 50%。
[0086] 具体地，该步骤104可W包括：
[0087] 采用带有电荷禪合元件(化arge-coupled Device,简称CCD)的激光划片机对晶元 的第一表面进行激光切割。
[0088] 晶元的第一表面不透明，采用带有CCD的激光划片机可W在激光切割的过程中通 过CCD获取的图像确定和调整激光切割的位置。
[0089] 可选地，激光切割的功率可W为2w。与晶元的第二表面的划切参数不同，通过增加 功率增加激光切深。
[0090] 可选地，激光切割的速度可W大于200mm/s，有利于划深的稳定性。
[0091] 在本实施例的又一种实现方式中，在该步骤105之后，该切割方法还可W包括：
[0092] 在晶元的第一表面覆盖聚对苯二甲酸乙二醋（polyethylene tere地thalate，简 称PET)薄膜。
[0093] 需要说明的是，在晶元的第一表面覆盖PET薄膜，可W避免对晶元的第一表面进行 劈裂时(详见步骤106)，劈裂机与晶元之间粘连，影响劈裂的效率，同时有效保护P型电极不 被划伤和污染。
[0094] 可选地，PET薄膜与晶元的第一表面相贴的表面可W涂有硅油，W进一步有效避免 粘连，避免P电极沾污，提高劈裂效率。
[00M]可选地，PET薄膜的厚度可W为20~40皿，W利于劈裂良率的稳定性。
[0096] 优选地，PET薄膜的厚度可W为25皿。
[0097] 步骤105:对晶元的第一表面进行劈裂，得到若干独立的发光二极管忍片。
[0098] 可W理解地，步骤106中利用激光切割形成的切割道进行劈裂位置校准，进而将忍 片彻底分离。
[0099] 具体地，该步骤106可W包括：
[0100] 采用劈裂机对晶元的第一表面进行劈裂。
[0101] 在实际应用中，先沿晶元的一个方向依次进行劈裂，再沿晶元的另一个方向依次 进行劈裂，两个方向相互垂直。另外，对晶元的中屯、和周围进行劈裂的难易程度不同（晶元 的中屯、比晶元的周围难劈裂），因此对晶元的不同区域作用不同的力进行劈裂(晶元中屯、的 力大于晶元周围的力）。
[0102] 表一为激光切割与刀片切割得到的L邸忍片的性能：
[0103] 表一
[0105] 从表一可W看出，本发明实施例提供的切割方法对漏电、崩裂、效率=个方面的改 善和提高效果相当明显。
[0106] 本发明实施例通过分别对晶元两个相对的表面进行激光切割，并对晶元进行劈 裂，得到若干独立的发光二极管忍片，由于激光切割的过程中没有碎屑产生，因此有效避免 L邸忍片由于粘附有碎屑而漏电，提高发光二极管的良率。而且激光切割也不会造成晶元表 面崩裂，切割效率大大提高。另外，激光切割的宽度精度较高，可W最大限度地降低由于切 割损失的发光面积(多量子阱层的横截面积），提高发光二极管忍片的亮度。
[0107] W上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用W限制本发明，凡在本发明的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种发光二极管的切割方法，其特征在于，所述切割方法包括： 将晶元的第一表面粘附在第一胶膜上，所述晶元包括Si衬底、设置在所述Si衬底的第 一表面的P型电极、以及依次层叠在所述Si衬底的第二表面的键合层、电流扩展层、P型限制 层、多量子阱层、N型限制层、N型电极，所述Si衬底的第二表面为与所述Si衬底的第一表面 相反的表面，所述晶元的第一表面为设置有所述P型电极的表面； 对所述晶元的第二表面进行激光切割，所述晶元的第二表面为与所述晶元的第一表面 相反的表面； 去除所述第一胶膜，将所述晶元的第二表面粘附在第二胶膜上； 对所述晶元的第一表面进行激光切割； 对所述晶元的第一表面进行劈裂，得到若干独立的发光二极管芯片。2. 根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述对所述晶元的第二表面进行激光 切割，包括： 对所述晶元的第二表面进行两次激光切割。3. 根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，对所述晶元的第二表面进行激光 切割的深度为所述晶元的厚度的15%~20%。4. 根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，对所述晶元的第一表面进行激光 切割的深度为所述晶元的厚度的40%~50%。5. 根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，所述第一胶膜包括聚氯乙烯PVC基 材和亚克力系粘着剂。6. 根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，所述第二胶膜包括聚氯乙烯PVC基 材和亚克力系粘着剂。7. 根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，在所述对所述晶元的第二表面进 行激光切割之前，所述切割方法还包括： 在所述晶元的第二表面上涂上激光切割保护胶。8. 根据权利要求7所述的切割方法，其特征在于，所述激光切割保护胶包括聚乙烯醇。9. 根据权利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，在所述对所述晶元的第一表面进 行劈裂之前，所述切割方法还包括： 在所述晶元的第一表面覆盖聚对苯二甲酸乙二酯PET薄膜。10. 根据权利要求9所述的切割方法，其特征在于，所述PET薄膜与所述晶元的第一表面 相贴的表面涂有硅油。
【专利摘要】本发明公开了一种发光二极管的切割方法，属于半导体技术领域。所述切割方法包括：将晶元的第一表面粘附在第一胶膜上，晶元包括Si衬底、设置在Si衬底的第一表面的P型电极、以及依次层叠在Si衬底的第二表面的键合层、电流扩展层、P型限制层、多量子阱层、N型限制层、N型电极，Si衬底的第二表面为与Si衬底的第一表面相反的表面，晶元的第一表面为设置有P型电极的表面；对晶元的第二表面进行激光切割，晶元的第二表面为与晶元的第一表面相反的表面；去除第一胶膜，将晶元的第二表面粘附在第二胶膜上；对晶元的第一表面进行激光切割；对晶元的第一表面进行劈裂。本发明有效避免LED芯片漏电。
【IPC分类】H01L33/00, B23K26/38, H01L21/78
【公开号】CN105575898
【申请号】CN201610063880
【发明人】林晓文, 高百卉
【申请人】华灿光电(苏州）有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2016年1月29日