施例的转置微元件方法的剖面示意图。请参照图2A，在本实施例中，可先提供承载单元100。承载单元100包括承载基板110、配置于承载基板110上的多个电极120A、120B以及覆盖多个电极120A、120B的介电层130。在本实施例中，承载基板110例如是蓝宝石基板(Sapphire base)或娃基板(Silicon base)，但本发明不以此为限，在其它实施例中，承载基板110也可以是其它种类的基板。多个电极120A、120B彼此隔开。电极120A、120B的材质可为金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、金属材料与其它导电材料的堆栈层或其它适当种类的导体。介电层130的材质可为无机材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、或上述至少二种材料的堆桟层)、有机材料或上述组合。
[0043]请参照图2A，接着，提供多个微元件200A、200B，并使所述多个微元件200A、200B配置于承载单元110的介电层130上。每一个微元件200A(或200B)与一个电极120A(或120B)对应设置。在本实施例中，每一个微元件200A(或200B)可位于对应的一个电极120A(或120B)的正上方，但本发明不以此为限，在其它实施例中，微元件200A(或200B)也可略微偏离对应的电极120A(或120B)。所述多个微元件200A、200B包括第一微元件200A与第二微元件200B。第一微元件200A是指不欲提取的微元件，而第二微元件200B是指欲提取的微元件。
[0044]图3为本发明一实施例的微元件的放大示意图。请参照图3，微元件200A、200B具有电极210。在本实施例中，微元件200A、200B例如为微发光二极管(micro-LED)。图3的微元件200A、200B的二电极210位于同一表面上。换言之，本实施例的微元件200A、200B是水平式发光二极管。但本发明不限于此，在其它实施例中，微元件200A、200B也可以是其它适当型式的发光二极管。此外，本发明的微元件也不限于微发光二极管，在其它实施例中，微元件也可是其它类型的电子元件，例如:微芯片等。
[0045]请参照图2A，接着，提供弹性转置头(transfer stamp)300。弹性转置头300具有平坦转置面300a。整个平坦转置面300a实质上位于同一平面上。在本实施例中，弹性转置头300可为聚二甲基娃氧烧转置头(poly dimethyl siloxane stamp；PDMS stamp)。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，弹性转置头300的材料也可采用其它杨氏模量(Young’smodulus)低的弹性体(Elastomer)。
[0046]请参照图2B，接着，令弹性转置头300的平坦转置面300a与第一微元件200A及第二微元件200B接触。图4为图2B的承载单元100、配置于承载单元100上的所有微元件200A、200B以及弹性转置头300的平坦转置面300a的上视示意图。请参照图2B及图4，当平坦转置面300a与第一微元件200A以及第二微元件200B接触时，平坦转置面300a的面积Rl超过多个微元件200A、200B的分布范围R2。换言之，平坦转置面300a为单一且连续的平面，当平坦转置面300a与第一微元件200A以及第二微元件200B接触时，平坦转置面300a可同时与承载单元100上的所有的微元件200A、200B接触。
[0047]请参照图2C，接着，施加电压V至与第一微元件200A对应的电极120A，以使承载单元100对第一微元件200A的静电吸引力Fl大于承载单元100对第二微元件200B的静电吸引力F2 ο在本实施例中，在施加电压V至与第一微元件200A对应的电极120A时，可以选择性地不施加电压至与第二微元件200B对应的电极120B。此时，电极120A正上方的部份介电层130会被极化，而电极120B正上方的另一部份的介电层130则不易被极化。当电极120A上方的部份介电层130被极化时，所述部份介电层130的表面会产生极化电荷，而极化电荷会对第一微元件200A的电极210(绘示于图3)产生静电吸引力F1。同时间，电极120B正上方的部份介电层130的表面则不易有极化电荷，而不易吸引第二微元件200B的电极210。更进一步地说，在本实施例中，电极120B正上方的部份介电层130对第二微元件200B的静电吸引力F2可趋近于零。
[0048]虽然，上段以趋近于零的F2为例说明，但本发明并不限定承载单元100对第二微元件200B的静电吸引力F2—定要是零。换言之，本发明并不限定不能施加电压至与第二微元件200B对应的电极120B，在其它实施例中，也可选择性地同时施加电压至电极120A、120B，惟施加至电极120B的电压需小于施加至电极120A的电压，以使承载单元100对第二微元件200B的静电吸引力F2小于承载单元100对第一微元件200A的静电吸引力F1。
[0049]请参照图2C及2D，接着，在弹性转置头300与第一微元件200A及第二微元件200B接触且F1>F2的情况下，移动弹性转置头300，以使弹性转置头300提取(pick-up)第二微元件200B而将第一微元件200A留在承载单元100上。详言之，如图2C所示，在弹性转置头300的平坦转置面300a与第一微元件200A及第二微元件200B接触之后，弹性转置头300开始朝着远离承载单元100的方向y移动。此时，弹性转置头300的平坦转置面300a会对第一微元件200A及第二微元件200B施加相同的作用力F3。作用力F3的方向与静电吸引力Fl、F2的方向相反。当F2〈F3时，弹性转置头300可提取第二微元件200B ；另一方面，当F3〈F1时，弹性转置头300则无法提取第一微元件200A，而使第一微元件200A留在承载单元100上。在本实施例中，可通过将弹性转置头300的移动速度设定在适当范围，以使弹性转置头300对微元件200A、200B施加的作用力F3介于承载单元100对第二微元件200B的静电吸引力F2与承载单元100对第一微元件200A的静电吸引力Fl之间，进而使弹性转置头300提取第二微元件200B而不提取第一微元件200A。
[0050]值得一提的是，如图2C及图2D所示，通过『施加电压V至与第一微元件200A对应的电极120A，以使承载单元100对第一微元件200A的静电吸引力Fl大于承载单元100对第二微元件200B的静电吸引力F2』的技术手段，弹性转置头300的平坦转置面300a可同时接触所有微元件200A、200B，进而提取所需的微元件200B。换言之，不需像现有技术般，令弹性转置头的多个凸起部与欲取的多个微元件对位，也就是一个凸起部需要对应一个微元件的方式，方可提取所需的微元件。因此，本实施例的转置微元件的方法至少可减少一次对位步骤，从而提高转置微元件的速度。
[0051]请参照图2E至图2G，在弹性转置头300提取所需的第二微元件200B后，接着，可利用弹性转置头300将第二微元件200B置于接收单元400上。接收单元400包括接收基底410以及配置于接收基板410上的接收层420。详言之，如图2E及图2F所示，在本实施例中，可先令弹性转置头300将第二微元件200B携带至接收单元400的接收层420上，以接合第二微元件200B与接收单元400的接收层420。第二微元件200B与接收层420之间的接合力为F4。请参照图2F及图2G，接着，在第二微元件200B与接收单元400的接收层420接合后，令弹性转置头300朝着远离接收单元400的方向y’移动，此时，弹性转置头300会对第二微元件200B施加作用力F5，其中F4>F5，且接合力F4的方向与作用力F5的方向相反。由于F4>F5，因此弹性转置头300会与第二微元件200B分离，而将第二微元件200B留在接收单元400上。
[0052]在本实施例中，接收单元400的接收基底410例如为玻璃基板，而接收单元400的接收层420例如为光刻胶层。如图2F所示，在光刻胶层(即接收层420)未固化前，可先令第二微元件200B与光刻胶层(即接收层420)接触。然后，在第二微元件200B与光刻胶层(即接收层420)接触的情况下，固化光刻胶层(即接收层420)，以接合第二微元件200B与接收单元400。如图2F及图2G所示，接着，在光刻胶层(即接收层420)固化后，令弹性转置头300朝着远离接收单元400的方向y’移动，以将第二微元件200B留在接收单元400上。需说明的是，虽然，上述是以玻璃基板及光刻胶层分别做为接收基底410及接收层420所示例，但本发明并不限制接收基底410必须为玻璃基板及/或接收层420必须为光刻胶层，接收基底410及/或接收层420的材