一种窄条脊形GaAs 基激光器的制备方法及GaAs 基激光器的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法及GaAs基激光器，属于半导体 的技术领域。
【背景技术】
[0002]半导体激光器自问世W来，作为一种新型的光源，由于其体积小、功率高、寿命长、 使用方便等优点，在光存储、光通信W及国防、医疗等领域备受青睐。在半导体激光器的制 备过程中，对于激光器脊条的宽度要求越来越小，其对于光刻技术的要求就越高，光刻工艺 是利用光刻胶通过曝光、显影等，将掩膜版上的图形转移到外延片上面，使外延片上面具有 想要制作的器件的光刻胶图形形貌，再通过化学或者物理方法，将图形结构转移到外延片 上面。同时微光刻尺寸控制要求完整图形必须W高准度和高精度完整的在外延片表面表现 出来。但是，在光刻过程中，尤其是小尺寸图形的制备过程，怎么样将小尺寸图形精确的复 制到外延片表面的光刻胶上面，目前主要依赖光刻机的分别率、光刻胶W及刻蚀的技术，图 形尺寸越小，对光刻机的分别率要求越高，相应的对光刻机的要求也就越高，需要的设备比 较昂贵。在实际的操作过程中由于光学衍射效应等原因很难形成形貌比较好、线条宽度比 较窄的图形光刻胶。
[0003]中国专利CN101042536A提供了一种在半导体器件的光刻过程中缩小用于形成接 触孔的光刻胶图案的临界尺寸，从而得到临界尺寸在90nmW下的接触孔图案的方法，该专 利的主要技术是在曝光后的图形光刻胶上涂布光酸抑制剂，通过二次曝光、烘烤、显影得到 临界尺寸缩小的接触孔图案。其需要在第一次曝光未显影之前进行，无法首先在衬底上面 形成与掩膜版图形尺寸一致的图形。中国专利CN1531018A公开了在具有第一线宽的图形光 刻胶上面旋涂一化学扩散层，扩散层内的化学物质与图形光刻胶进行化学反应，在光刻胶 的表层形成一反应层，然后将该化学反应层移除W修正图形光刻胶得到第二线宽，实现缩 小图形尺寸的效果。上述方法都是通过对第一次曝光后的图形光刻胶旋涂化学物质后二次 曝光、显影达到缩小光刻胶尺寸的目的。
[0004] 中国专利CN101471534公开一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法，包 括:在外延片P面上淀积介质保护材料，采用标准的光刻工艺进行第一次光刻;去胶清洗，采 用标准的光刻工艺进行二次光刻;刻蚀或腐蚀制作脊形模式控制区台面；用介质保护材料 作掩膜制作锥形增益区台面;腐蚀剩余介质材料，清洗后重新淀积介质保护材料;采用标准 光刻工艺形成掩膜，腐蚀模式控制区和锥形区上的介质保护材料，开出电流注入窗口；然后 经过P面电极蒸锻、减薄、N面电极蒸锻、合金和封装等工步，通过2次光刻对忍片的不同位置 进行保护，然后通过腐蚀实现忍片表面不同位置处图形的的高度不同，达到同一个忍片表 面图形腐蚀深度的阶梯要求。
[0005] 在半导体工艺中，有些工艺步骤中需要光刻胶作为掩模进行一些湿法腐蚀W后， 在衬底外延片上面得到与掩膜版图形尺寸一致的图形W后，再缩小掩膜光刻胶的尺寸进行 后面的工艺。如果在去除不需要的材料层形成所需要图形的外延片上面再旋涂其它的化学 物质，会对没有光刻胶保护处的材料形成一定的损伤。运就需要在原来的掩膜光刻胶上面 进行一些不会对材料层形成损坏的处理W达到缩小光刻胶尺寸的目的。
【发明内容】
[0006] 针对现有技术的不足，本发明提供了 一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法。
[0007] 本发明还提供一种利用上述方法制备的GaAs基激光器。
[000引发明概述：
[0009] -种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，包括:首先在外延片的表面使用第一块 光刻掩膜版光刻出一定宽度的图形光刻胶，其中在外延片表面的特定区域上面光刻出一定 的图形刻度，然后使用另一块光刻掩膜版，利用光刻掩膜版特定区域上面的图形刻度和外 延片表面一次光刻制备出图形刻度相对应，光刻出符合尺寸要求的图形，最后经过腐蚀、生 长电极、减薄、合金、封装等工步形成激光器。
[0010] 发明的技术方案如下：
[0011] -种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，包括步骤如下：
[0012] (1)旋涂光刻胶
[0013] 在外延片表面旋涂正性光刻胶形成光刻胶层;烘烤去除光刻胶中的溶剂，在烘箱 内 90 °C -110 °C 下烘烤 15-30min 或者热板 90 °C -110 °C 烘烤 1 -4min;
[0014] (2)-次光刻图形
[0015] 利用第一块光刻掩模版对光刻胶层进行曝光；
[0016] 所述第一光刻掩膜版上设置有多条相互平行、且一端对齐的第一图形刻度；
[0017] 然后通过显影移除曝光部分的光刻胶在所述外延片上光刻出所需要的图形光刻 胶W及第一图形刻度；
[0018] (3)二次光刻图形
[0019] 利用第二块光刻掩模版对光刻胶层进行曝光；
[0020] 所述第二光刻掩膜版上设置有多条相互平行、且一端对齐的第二图形刻度;该第 二图形刻度与第一图形刻度呈对称设置；
[0021] 根据需要光刻出窄条脊形的线宽尺寸，在外延片上面找到第一次光刻制备的第一 图形刻度，在所述第二块光刻掩模版上找到第二图形刻度，然后将第二块光刻掩模版上面 所选尺寸的图形与外延片上面第一次光刻出的相对应的尺寸图形重合对齐，然后曝光通过 显影移除曝光部分的光刻胶，然后将外延片在烘箱内90°c-ll(rc下烘烤15-30min或者热板 90°C-110°C 烘烤 l-4min;
[0022] (4)湿法腐蚀
[0023] 采用湿法腐蚀方法将没有光刻胶掩蔽的外延层表面腐蚀到目标深度后予W移除， W在所述外延片上得到所述线宽尺寸的窄条脊形结构；
[0024] (5)生长电流阻挡层
[00巧]在所述外延片表面上利用阳CVD生长电流阻挡层，厚度为1:日0触-巧孤A;
[0026] (6)剥离光刻胶
[0027] 剥离掉有光刻胶位置处的电流阻挡层，形成电流注入窗口，并使电流阻挡层均匀 地覆盖在窄条脊形结构的两侧面。
[0028] 根据本发明优选的，所述第一图形刻度按照长短顺序依次排列、所述第二图形刻 度按照长短顺序依次排列。
[0029] 根据本发明优选的，在上述步骤(6)后，还包括步骤(7):将剥离电流阻挡层W后的 外延片进行W下工步处理，包括:P面电极蒸锻、减薄、N面电极蒸锻、合金和封装。
[0030] 根据本发明优选的，所述步骤(1)中所述光刻胶层的厚度为10000A-13000A。
[0031] 根据本发明优选的，所述的第一块光刻掩膜版中的图形宽度为：15-100wii;所述的 第二块光刻掩膜版中的图形宽度为:15-100wii。
[0032] 根据本发明优选的，所述的第一块光刻掩膜版上第一图形刻度的范围：l-lOwn;所 述的第二块光刻掩膜版上第二图形刻度的范围：l-l〇Wii。本发明可W实现宽度小于IOwii刻 蚀，超过IOwii可W直接进行光刻。所述的第一图形刻度、第二图形刻度分布在外延片中屯、点 W及上下左右等位置。
[0033] 根据本发明优选的，所述步骤(4)中所述湿法腐蚀方法，是利用分析纯的憐酸、双 氧水、去离子水的混合液，W及饱和漠水分别将没有光刻胶掩蔽的外延片腐蚀目标深度。
[0034] 根据本发明优选的，所述分析纯的憐酸、双氧水、去离子水的混合液中，所有组分 的体积比为，分析纯的憐酸:双氧水:去离子水=1:1: (3~4)。
[0035] 根据本发明优选的，将没有光刻胶掩蔽的外延片腐蚀目标深度为7000-9000埃。
[0036] 根据本发明优选的，步骤(5)中所述的电流阻挡层为Si化。
[0037] 一种利用上述方法制备的GaAs基激光器，包括生长有外延材料层的外延片，在外 延片表面腐蚀出窄条脊形结构，电流阻挡层覆盖所述窄条脊形结构的两侧面，在所述窄条 脊形结构的顶部设置有电流注入窗口，所述窄条脊形结构的宽度范围：1-10WI1。
[0038] 本发明的有益效果：
[0039] 本发明采用第一次光刻出尺寸相对比较大的图形光刻胶W及外延片特定位置处 的图形刻度，然后进行第二次光刻，通过第二块光刻掩膜版上面特定区域的图形刻度与外 延片上面一次光刻形成的图形刻度相对应，光刻出需要尺寸的图形光刻胶。本发明可W不 使用分辨率比较高，比较昂贵的光刻机，就可W光刻出尺寸比较小的光刻胶图形。
[0040] 采用本发明的方法，一方面可W不使用昂贵的设备就可W实现小尺寸图形的光 亥IJ，同时掩模光刻胶还可W作为掩蔽膜进行外延片图形的腐蚀;另外，可W不采用套刻的方 式使电流阻挡层覆盖到脊条图形的侧面，有利于发光效率和输出光功率的改善，可有效的 提高了激光器的性能;采用本发明的方法不会对外延片上面的外延材料形成损伤，操作方 便，简化了工艺步骤。
【附图说明】
[0041 ]图1为本发明所述制备方法的工艺流程图。
[0042] 图2为第一块光刻掩膜版上面的第一图形刻度。
[0043] 图3为第二块光刻掩膜版上面的第二图形刻度。
[0044] 图4为两次光刻过程的示意图。
[0045] 图5为剥离电流阻挡层W后窄条脊形结构两边的剖面图。
[0046] 图5中，OOl为衬底和部分外延层，002为腐蚀时光刻胶保护未被腐蚀的外延层，003 为电流阻挡层，004为窄条脊形结构的宽度。
【具体实施方式】
[0047]下面结合具体实例对本发明做进一步说明，除了运些详细描述外，本发明还可W 广泛地应用在其他的实施例中。
[004引实施例1、
[0049] -种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，包括步