加热构件及具有该加热构件的基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及基板处理装置，尤其涉及具有加热构件的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]为了在制造半导体元件的沉积过程中改进沉积膜质的一致性(conformability)，而引入原子层沉积方式。原子层沉积方式是反复进行以原子层厚度沉积的单位反应循环(cycle)，来形成希望厚度的沉积层的过程，原子层沉积方式相对于化学气相沉积(CVD)或者溅射(sputter)方式，沉积速度非常慢，而且用于形成希望的厚度的膜所需要的时间长，导致生产率降低。
[0003]尤其，用于放置基板的基座的温度均匀度，是影响沉积在基板上的薄膜的厚度均匀度的最主要要素中的一个。但是，基座因基板数量增加和热损失，而产生边缘部温度降低的现象。此外，因处理气体侵入而产生加热器腐蚀，以及因氧化膜沉积而使加热器性能降低。
【发明内容】
[0004]技术问题
[0005]本发明的目的在于，提供一种加热构件及具有该加热构件的基板处理装置，所述加热构件能够提高温度均匀性。
[0006]此外，本发明的目的在于，提供一种加热构件及具有该加热构件的基板处理装置，所述加热构件能够防止因热线的热膨胀而产生的热线下垂和扭曲。
[0007]此外，本发明的目的在于，提供一种加热构件及具有该加热构件的基板处理装置，所述加热构件能够防止在进行处理时因处理气体而产生的热线的腐蚀。
[0008]本发明的目的不限于此，本领域技术人员可通过以下记载更加明确地理解没有提及的其他的目的。
[0009]用于解决技术问题的手段
[0010]根据本发明的一个侧面，提供一种基板处理装置，包括:处理室，基板基座，设置在所述处理室，在该基板基座的同一平面上放置有多个基板，该基板基座与旋转轴连接来旋转，加热构件，位于所述基板基座的底面，以及喷射构件，在与放置于所述基板基座的多个基板分别对应的位置，对基板的整个处理面喷射气体;所述加热构件具有内部空间，在所述内部空间，用于对所述基板基座进行加热的多个热线，以所述基板基座的旋转轴为中心，在同心圆上水平和垂直地配置有多列。
[0011]另外，为了防止因所述热线的热膨胀而产生的热线的下垂和扭曲，所述加热构件还包括用于支撑所述热线的多个热线支撑件。
[0012]另外，为了确保所述热线的热膨胀后的流动性，所述热线支撑件包括沿着与所述热线的长度方向正交的方向形成的凹陷的支撑面。
[0013]另外，所述热线支撑件包括:支承块;棒状的支撑棒，设置在所述支承块的上表面，而且为了使该支撑棒与所述热线之间的接触面实现最小化来防止热损失，并且防止因所述热线的高热而导致所述热线支撑件损坏，所述支撑棒与所述热线进行点接触。
[0014]另外，所述支撑棒的材料与所述热线的材料相同。
[0015]另外，所述支撑棒沿着与所述热线的长度方向正交的方向长长地设置。
[0016]另外，所述加热构件还包括由上部壁、下部壁及多个侧壁构成的外罩，该外罩使设置有所述热线的内部空间与所述处理室的内部隔开。
[0017]另外，所述加热构件还包括供给口，该供给口设置在所述下部壁，用于向所述内部空间供给吹扫气体，从而使处理气体不能侵入所述内部空间。
[0018]另外，所述加热构件还包括排气口，该排气口设置在所述下部壁，用于将通过所述供给口供给至所述内部空间的吹扫气体排出。
[0019]另外，所述加热构件包括多个侧孔，该侧孔形成在所述外罩的侧壁，用于将通过所述供给口供给至所述内部空间的吹扫气体排出。
[0020]另外，所述上部壁，由能够使从所述热线放出的辐射热通过的透明的石英材料形成。
[0021]另外，在所述基板基座与所述加热构件之间，形成有用于以辐射方式传递所述热线的热源的辐射热传递空间。
[0022]根据本发明的一个侧面，提供一种加热构件，包括:夕卜罩，以与外部环境隔开的方式，由上部壁、下部壁及多个侧壁构成内部空间；在所述内部空间，用于对所述基板基座进行加热的多个热线，以所述基板基座的旋转轴为中心，在同心圆上水平和垂直地配置有多列。
[0023]另外，还包括多个热线支撑件，为了防止因所述热线的热膨胀而产生的热线的下垂和扭曲，所述热线支撑件支撑所述热线;为了确保所述热线的热膨胀后的流动性，所述热线支撑件包括沿着与所述热线的长度方向正交的方向形成的凹陷的支撑面。
[0024]另外，还包括多个热线支撑件，为了防止因所述热线的热膨胀而产生的热线的下垂和扭曲，所述热线支撑件支撑所述热线;所述热线支撑件包括:支承块;棒状的支撑棒，设置在所述支承块的上表面，而且为了使该支撑棒与所述热线之间的接触面实现最小化来防止热损失，并且防止因所述热线的高热而导致所述热线支撑件损坏，所述支撑棒与所述热线进行点接触。
[0025]另外，所述加热构件还包括:供给口，用于向所述内部空间供给吹扫气体，从而使处理气体不能侵入所述内部空间；排气口，用于使通过所述供给口供给至所述内部空间的吹扫气体排出。
[0026]发明的效果
[0027]根据本发明的实施例，具有使基板的温度分布偏差实现最小化的特别效果。
[0028]此外，根据本发明，具有能够提高热效率的特别效果。
[0029]根据本发明的实施例，能够提高温度均匀性。
[0030]根据本发明的实施例，能够防止因热线的热膨胀而产生的热线下垂和扭曲。
[0031]根据本发明的实施例，能够防止因处理气体而使热线腐蚀。
【附图说明】
[0032]图1是用于说明本发明的原子层沉积装置的图。
[0033]图2a及图2b是图1所示的喷射构件的立体图和剖视图。
[0034]图3是图1所示的基板基座的立体图。
[0035]图4是用于说明加热构件的基板处理装置的主要部分的剖视图。
[0036]图5是示出由热线支撑件支撑的多个热线的图。
[0037]图6是示出热线在热膨胀前和热膨胀后的状态的图。
[0038]图7是示出热线支撑件的其他例的图。
【具体实施方式】
[0039]以下，参照附图详细说明本发明的优选实施例。可通过与附图关联的多个实施例，容易理解上述的本发明所要解决的技术问题、技术手段及效果。为了清楚地说明本发明，各附图的一部分被省略或者放大。在对各附图中的结构部件标注附图标记时，即便是不同的附图，对相同的结构部件，也尽可能地标注相同的附图标记。此外，在说明本发明时，如果判断为对相关公知结构或功能的具体说明妨碍对本发明实施例的理解时，则省略其详细说明。
[0040](实施例)
[0041 ]图1是用于说明本发明的原子层沉积装置的图。图2a及图2b是图1所示的喷射构件的立体图和剖视图。图3是图1所示的基板基座的立体图。
[0042]参照图1至图3，本发明实施例的原子层沉积装置1包括处理室(P r ο c e s schamber) 100、作为基板支撑构件(support member)的基板基座200、喷射构件300、供给构件400及加热构件800。
[0043]处理室100的一侧设置有出入口 112。在进行处理时，多个基板W通过出入口 112进出。此外，处理室100的下部边缘具有排气管道120和排气管114，所述排气管道120和排气管114用于排出向处理室供给的反应气体和吹扫气体(purge gas)及在进行原子层沉积处理中产生的反应分散物。排气管道120形成为位于基板基座200的外侧的环形。虽然没有图示，对于本领域技术人员而言，排气管114与真空栗连接，并且在排气管设置有压力控制阀、流量控制阀等是显而易见的。
[0044]如图1至图2b所示，喷射构件300向放置在基板基座200的4张基板分别喷射气体。喷射构件300从供给构件400接收第一反应气体、第二反应气体及吹扫气体的供给。喷射构件300包括:头部310，该头部310具有第一至第四导流板320a-320d，所述第一至第四导流板320a-320d在与各基板对应的位置上，对基板的整个处理面喷射来自供给构件400的气体；轴330，其贯通设置在处理室100的上部中央，并支撑头部310。头部310形成为圆板形状，其中，具有用于在内部收容各气体的独立空间的第一至第四导流板320a-320d，以头部310的中心为基准、且以90度间隔划分为扇形，而且在底面形成有多个气体喷出口 312。向第一至第四导流板320a-320d的各独立空间供给来自供给构件400的气体，这些气体通过多个气体喷出口 312喷射，并供给至基板。向第一导流板320a提供第一反应气体，向第三导流板320c提供第二反应气体，向位于第一导流板320a与第三导流板320c之间的第二导流板320b和第四导流板320d提供吹扫气体，该吹扫气体用于阻止第一反应气体与第二反应气体混合并吹扫未反应气体。
[0045]例如，在头部310中，第一至第四导流板320a_320d以90度间隔形成为扇形，但是本发明不限于此，可根据处理目的或特性，以45度间隔或者180度间隔构成，也可以使各导流板的大小不同。
[0046]参照图1，供给构件400包括第一气体供给构件410a、第二气体供给构件410b及吹扫气体供给构件420。第一气体供给构件410a将用于在基板w上形成规定的薄膜的第一反应气体供给至第一导流板320a，第二气体供给构件410b将第二反应气体供给至第三导流板320c，吹扫气体供给构件420将吹扫气体供给至第二及第四导流板320b、320d。吹扫气体供给构件420以规定流量持续供给吹扫气体，但是第一气体供给构件410a和第二气体供给构件410b利用多个高压填充罐(未图示)，将以高压填充的反应气体短时间内放出(快速供给方式)并扩散在基板上。
[0047]在本实施例中，为了供给两种彼此不同的反应气体，而使用两个气体供给构件，但是可