薄膜晶体管基板及包含其的显示设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种薄膜晶体管基板及包含其的显示设备，尤指一种能够降低源极电极与栅极电极至载子通道区间串联阻抗的薄膜晶体管基板及包含其的显示设备。
【背景技术】
[0002]随着显示器技术不断进步，用户对于电子产品的要求越来越高，所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成液晶显示设备(IXD)或有机发光二极管装置(OLED)。
[0003]常见的薄膜晶体管分为上栅极结构与下栅极结构两种，上栅极式氧化物半导体薄膜晶体管(Top Gate Oxide Semiconductor TFT)与下栅极式氧化物半导体薄膜晶体管(Bottom Gate Oxide Semiconductor TFT)相比，上栅极结构的优点在于:能够减少薄膜晶体管组件尺寸，以增加显示器的分辨率；以及能够减少栅极电极金属与源极电极、漏极电极金属间的寄生电容，以减少显示器操作时发生信号失真的现象。
[0004]然而，于上栅极结构中，源极电极与门极电极至载子通道区(Channel)间的串联阻抗过高，将会造成薄膜晶体管组件的开通电流(On Current)下降，进而导致面板电容充电不足、功耗过高等问题。
[0005]有鉴于此，目前亟需发展一种改善上述问题的薄膜晶体管基板，使包含其的显示设备可具备更稳定的使用质量以及较长的使用寿命。
【发明内容】
[0006]本发明的主要目的是在提供一种薄膜晶体管基板，能降低源极电极与栅极电极至载子通道区间串联阻抗。
[0007]本发明的另一目的是在提供一种显示设备，能解决面板电容充电不足、功耗过高等问题。
[0008]为达成上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管基板及包含其的显示设备，该薄膜晶体管基板包括:一基层；一半导体层，设置于该基层上；一源极电极与一漏极电极，设置于该半导体层上；以及一栅极电极，设置于该基层上并对应该半导体层；其中，该半导体层包含一第一区、一第二区及一第三区，该第一区是对应该栅极电极，该第二区是对应该源极电极，以及该第三区是对应该漏极电极，其中，该第一区具有一第一厚度，该第二区具有一第二厚度，该第三区具有一第三厚度，且该第一厚度大于该第二厚度或该第三厚度。
[0009]于本发明的薄膜晶体管基板中，该第二厚度或该第三厚度可为该第一厚度的1%至 50%。
[0010]于本发明的薄膜晶体管基板中，该半导体层可还包括一第四区，位于该第一区及该第二区之间，该第四区具有一第四厚度，且该第四厚度是介于该第一厚度及该第二厚度之间。该第二厚度可为该第四厚度的1%至50%。
[0011]于本发明的薄膜晶体管基板中，该半导体层可还包括一第五区，位于该第一区及该第三区之间，该第五区具有一第五厚度，且该第五厚度是介于该第一厚度及该第三厚度之间。该第三厚度可为该第五厚度的1%至50%。
[0012]于本发明的薄膜晶体管基板中，该第二区具有一第一侧及相对的一第二侧，该第一侧邻近该第一区；以及该半导体层可还包括一第六区，其邻近该第二区的该第二侧，该第六区具有一第六厚度，且该第六厚度介于该第一厚度及该第二厚度之间。
[0013]于本发明的薄膜晶体管基板中，该第三区具有一第一侧及相对的一第二侧，该第一侧邻近该第一区；以及该半导体层还包括一第七区，其邻近该第三区的该第二侧，该第七区具有一第七厚度，且该第七厚度介于该第一厚度及该第三厚度之间。
[0014]于本发明中，该薄膜晶体管基板可为一上栅极式(top gate)薄膜晶体管基板。
[0015]此外，本发明另提供一种显示设备，包括:上述薄膜晶体管基板；一对侧基板，设置于该薄膜晶体管基板上；以及一显示单元，设置于该薄膜晶体管基板与该对侧基板之间。该显示设备可为一有机发光二极管装置(OLED)或一液晶显示设备(LCD)。
[0016]据此，本发明利用半导体层的特定结构，使半导体层中各区域具有不同的阻抗分布，进而达到降低源极电极与门极电极至载子通道区间的串联阻抗，避免薄膜晶体管基板的开通电流下降，进而解决面板电容充电不足、功耗过高等问题。
【附图说明】
[0017]为进一步说明本发明的具体技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中:
[0018]图1是本发明一较佳实施例的薄膜晶体管基板示意图。
[0019]图2是图1的薄膜晶体管基板中的半导体层放大图。
[0020]图3是本发明另一较佳实施例的半导体层放大图。
[0021]图4是本发明再一较佳实施例的半导体层放大图。
[0022]图5是本发明另一较佳实施例的薄膜晶体管基板示意图。
[0023]图6是本发明一较佳实施例的显示设备示意图。
[0024]图7是本发明另一较佳实施例的显示设备示意图。
【具体实施方式】
[0025]以下是通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟习此技术的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明亦可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用，在不悖离本创作的精神下进行各种修饰与变更。
[0026]实施例1
[0027]请参照图1，本发明提供一种薄膜晶体管基板10，包括:一基层I ;一半导体层2，设置于该基层I上；一第一绝缘层3、一第二绝缘层4、一源极电极5与一漏极电极6皆设置于该半导体层2上；以及一栅极电极7，设置于该基层I上并对应该半导体层2。其中，该半导体层2包含一第一区21、一第二区22及一第三区23，该第一区21是对应该栅极电极7，该第二区22是对应该源极电极5，以及该第三区23是对应该漏极电极6，其中，图2所示为该半导体层2的放大图，该第一区21具有一第一厚度D1，该第二区22具有一第二厚度D2，该第三区具有一第三厚度D3，且该第一厚度Dl大于该第二厚度D2或该第三厚度D3。在本发明中，该第一厚度D1、该第二厚度D2及该第三厚度并无特别限制，例如:该第二厚度D2及该第三厚度D3中其中一者可为该第一厚度Dl的1%至90%，较佳为1%至70%，更佳为I %至50%。在此实施例中，该第一平均厚度Dl为0.056 μ m,该第二平均厚度D2与该第三厚度D3皆为0.023 μ m ;然而，该第二厚度D2与该第三厚度D3可为相同亦可为相异，可依实际需求而调整。
[0028]于此实施例中，请参照图2，该半导体层2还包括一第四区24及一第五区25，该第四区24位于该第一区21及该第二区22之间，该第五区25位于该第一区21及该第三区23之间；该第四区24具有一第四厚度D4，该第五区25具有一第五厚度D5，该第四厚度D4是介于该第一厚度Dl及该第二厚度D2之间，且该第五厚度D5是介于该第一厚度Dl及该第三厚度D3之间。在本发明中，该第四厚度D4及该第五厚度D5无特别限制，例如:该第二厚度D2可为该第四厚度D4的I %至50%，该第三厚度D3为该第五厚度D5的1%至50%。在此实施例中，该第四厚度D4及该第五厚度D5皆为0.046 μ m ;然而，该第四厚度D4与该第五厚度D5可为相同亦可为相异，可依实际需求而调整。
[0029]据此，在此实施例中，由于第二厚度D2与第三厚度D3大致相同，第四厚度D4与第五厚度D5大致相同，而使该半导体层2的剖视图大致呈现以该第一区21的厚度方向为基准的对称性结构；然而，本发明中的半导体层并未受限于此。
[0030]如图2所示，该第一区21的顶面为一水平面，该第二区22及该第三区23的顶面为一斜面；或者，该半导体层2的结构可如图3所示，该第一区21及该第三区23的顶面为一水平面，该第二区22的顶面为一斜面。于此，请一并参照图1，“水平面”的定义为一与半导体层2下方基层I平行的表面，而“斜面”的定义为一与半导体层2下方基层I呈锐角Θ的表面(0° < Θ <90° );本技术领域的人可根据后续工艺需求而简单调整该半导体层2的图案化方式，仅须符合该第一厚度Dl大于该第二厚度D2或该第三厚度D3即可。
[0031 ] 或者，如图4所示，该半导体层2可还包括一第六区26及一第七区27，其中，该第二区22具有一第一侧221及相对的一第二侧222，该第一侧221邻近该第一区21与该第四区24，该第二侧222邻近该第六区26 ;该第三区23具有一第一侧231及相对的一第二侧232，该第一侧231邻近该第一区21与该第五区25，该第二侧232邻近该第七区27。该第六区26具有一第六厚度D6，该第七区27具有一第七厚度D7，该第六厚度D6介于该第一厚度Dl及该第二厚度D2之间，该第七厚度D7介于该第一厚度Dl及该第三厚度D3之间。于此实施例中，