有机发光二极管显示器及其制造方法和电子装置的制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求于2014年11月17日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0160168 号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用完全包含于此。
技术领域
[0002] 所描述的技术大体上涉及一种有机发光二极管（OLED)显示器、一种包括该OLED 显示器的电子装置以及一种制造该OLED显示器的方法。
【背景技术】
[0003] OLED显示器是自发射式的，并且包括均具有空穴注入电极、电子注入电极以及置 于空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层的多个0LED。当从空穴注入电极注入 的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层彼此复合并消失时，从OLED发光。OLED 显示器作为下一代显示器由于其优异的特性（诸如低功耗、高亮度和高响应速度）而备受 关注。
【发明内容】
[0004] -个发明方面在于一种包括具有低水蒸汽透过率（WVTR)和高粘合力的柔性基底 的OLED显示器、一种包括该OLED显示器的电子装置以及一种制造该OLED显示器的方法。
[0005] 另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述，部分地将通过描述变得明显，或者 可通过给出的实施例的实施而被获知。
[0006] 另一方面在于一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：第一塑料层；第一阻挡 层，形成在第一塑料层上；第一中间层，形成在第一阻挡层上；第二塑料层，形成在第一中 间层上；第二中间层，形成在第二塑料层上；第二阻挡层，形成在第二中间层上；OLED层，形 成在第二阻挡层上；薄膜包封层，包封OLED层。
[0007] 第一中间层可包括非晶硅（a-硅）。
[0008] 第二中间层可包括a-硅。
[0009] 第一中间层可包括金属薄膜。
[0010] 第二中间层可包括金属薄膜。
[0011] 第一中间层的紫外线（UV)透射率可等于或大于10%。
[0012] 第一塑料层和第二塑料层中的每个可包括以下材料中的至少一种：聚酰亚胺、聚 萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜和聚醚酰亚胺 (PEI) 〇
[0013] 第二塑料层的厚度可大于第一塑料层的厚度。
[0014] 第二塑料层的粘度可小于第一塑料层的粘度。
[0015] 第一阻挡层可包括第一氮化硅层，第二阻挡层可包括第二氮化硅层，第二氮化硅 层的密度可大于第一氮化硅层的密度。
[0016] 第一阻挡层还可包括金属氧化物膜或氧化硅膜。
[0017] 第二阻挡层还可包括金属氧化物膜或氧化硅膜。
[0018] 第一氮化娃层的密度可等于或大于约2. 2g/cm3并且等于或小于约2. 4g/cm 3。
[0019] 薄膜包封层可包括以下材料中的至少一种：无机层和有机层。
[0020] 另一方面在于一种包括所述OLED显示器的电子装置。
[0021] 另一方面在于一种制造 OLED显示器的方法，所述方法包括下述步骤：准备载体基 底；在载体基底上形成包括顺序地堆叠的第一塑料层、第一阻挡层、第一中间层、第二塑料 层、第二中间层和第二阻挡层的母柔性基底；在母柔性基底上形成多个OLED层；形成包封 多个OLED层的薄膜包封层；使母柔性基底与载体基底分离；将形成在母柔性基底上的多个 OLED层划分为多个显示单元。
[0022] 使母柔性基底与载体基底分离的步骤可包括通过朝向载体基底的表面（载体基 底的该表面与载体基底的其上形成有母柔性基底的表面相对）发射激光束来使母柔性基 底与载体基底分尚。
[0023] 激光束的发射可包括发射紫外线（UV)光。
[0024] 载体基底可为玻璃基底。
[0025] 第一阻挡层可至少包括第一氮化硅层，第二阻挡层可包括第二氮化硅层，第二氮 化硅层的氮化硅密度可大于第一氮化硅层的氮化硅密度。
[0026] 另一方面在于一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：第一塑料层；第一阻挡 层，形成在第一塑料层上方；第一中间层，形成在第一阻挡层上方；第二塑料层，形成在第 一中间层上方；第二中间层，形成在第二塑料层上方；第二阻挡层，形成在第二中间层上 方；OLED层，形成在第二阻挡层上方；薄膜包封层，包封OLED层。
[0027] 在示例性实施例中，第一中间层包括非晶硅。第二中间层可包括非晶硅。第一中 间层可包括金属薄膜。第二中间层可包括金属薄膜。第一中间层的紫外线（UV)透射率可 等于或大于约10%。第一塑料层和第二塑料层中的每个可包括以下材料中的至少一种：聚 酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚砜和 聚醚酰亚胺（PEI)。
[0028] 在示例性实施例中，第二塑料层具有比第一塑料层的厚度大的厚度。第二塑料层 可具有比第一塑料层的粘度小的粘度。第一阻挡层可包括第一氮化硅层，第二阻挡层可包 括第二氮化硅层，第二氮化硅层的氮化硅密度可大于第一氮化硅层的氮化硅密度。第一阻 挡层还可包括金属氧化物膜或氧化硅膜。
[0029] 在示例性实施例中，第二阻挡层还包括金属氧化物膜或氧化硅膜。第一氮化硅层 的氮化硅密度可大于或等于约2. 2g/cm3并且可小于或等于约2. 4g/cm3。薄膜包封层可包 括无机层和有机层中的至少一种。
[0030] 另一方面在于一种包括有机发光二极管（OLED)显示器的电子装置，所述有机发 光二极管（OLED)显示器包括：第一塑料层；第一阻挡层，形成在第一塑料层上方；第一中间 层，形成在第一阻挡层上方；第二塑料层，形成在第一中间层上方；第二中间层，形成在第 二塑料层上方；第二阻挡层，形成在第二中间层上方；OLED层，形成在第二阻挡层上方；薄 膜包封层，包封OLED层。
[0031] 另一方面在于一种制造 OLED显示器的方法，所述方法包括下述步骤：准备载体 基底；在载体基底上形成母柔性基底，其中，母柔性基底包括顺序地堆叠的第一塑料层、第 一阻挡层、第一中间层、第二塑料层、第二中间层和第二阻挡层；在母柔性基底上形成多个 OLED层；形成薄膜包封层以包封OLED层；使母柔性基底与载体基底分离；将形成在母柔性 基底上的OLED层划分为多个显示单元。
[0032] 在示例性实施例中，使母柔性基底与载体基底分离的步骤包括朝向载体基底的表 面（载体基底的该表面与载体基底的其上形成有母柔性基底的表面相对）发射激光。激光 可为紫外线（UV)光。载体基底可为玻璃基底。第一阻挡层可至少包括第一氮化硅层，第二 阻挡层可包括第二氮化硅层，第二氮化硅层的氮化硅密度可大于第一氮化硅层的氮化硅密 度。
【附图说明】
[0033] 通过下面结合附图对示例性实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显和更 容易理解，在附图中：
[0034] 图1是示出根据示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
[0035] 图2是图1的部分II的放大图，示出OLED显示器的薄膜晶体管（TFT)层和OLED 层。
[0036] 图3是示出根据第一对比例的OLED显示器的剖视图。
[0037] 图4是示出根据第二对比例的OLED显示器的剖视图。
[0038] 图5A是用于解释在玻璃基底上形成母柔性基底的操作的平面图。
[0039] 图5B是沿图5A的线VB-VB截取的剖视图。
[0040] 图6A是用于解释在母柔性基底上形成多个OLED显示器的工艺的平面图。
[0041] 图6B是沿图6A的线VIB-VIB截取的剖视图。
[0042] 图7是用于解释在母柔性基底上形成包封多个OLED层的薄膜包封层的工艺的剖 视图。
[0043] 图8和图9是用于解释使母柔性基底与玻璃基底分离的工艺的剖视图。
[0044] 图10是用于解释将形成在母柔性基底上的OLED层划分成多个OLED显示器的工 艺的剖视图。
[0045] 图11是不出图1的OLED显不器的根据另一不例性实施例的柔性基底的视图。
[0046] 图12是示出OLED的栅极电压和漏电流之间的关系的曲线图。
[0047] 图13是示出初始氮化硅密度和氢⑶含量之间的关系的曲线图。
【具体实施方式】
[0048] 所描述的技术可以包括各种实施例和修改，其示例性实施例将在附图中示出并将 在此详细地描述。所描述的技