发光二极管元件的制作方法

文档序号:9845531阅读:492来源:国知局
发光二极管元件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种发光元件,特别是涉及一种具有改善亮度的发光元件。
【背景技术】
[0002] 固态发光兀件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、耐摔、体 积小、反应速度快以及良好光电特性,例如具有稳定的发光波长等特性,故已被广泛的应用 于家用装置、指示灯及光电产品等。随着光电技术的发展,固态发光元件在发光效率、操作 寿命以及亮度方面有相当大的进步,发光二极管被预期成为未来照明装置的主流。
[0003] 现有的发光二极管包含一基板、η型半导体层、活性层及p型半导体层形成于基板 上、以及分别形成于P型/n型半导体层上的ρ/η电极。当通过电极对发光二极管输入一特 定值的顺向偏压时,来自P型半导体层的空穴及来自η型半导体层的电子在活性层内结合 以放出光。然而,这些电极会遮蔽活性层所发出的光,且电流易集聚壅塞在电极附近的半导 体层内。因此,对于改善发光二极管的亮度、光场均匀性及降低操作电压,一优化的电极结 构乃是必要的。
[0004] 此外,现有的发光二极管为方形,其基板的侧壁形成四个九十度的内角。由于这种 发光二极管的形状,会容易在这种方形的发光二极管中产生内部全反射,以致于光不易从 发光二极管中导出,导致光萃取及亮度都恶化。

【发明内容】

[0005] 为解决上述问题,本发明提供一种发光元件,包含:一基板;一第一发光叠层位于 基板上,包含:一三角形上表面,与基板平行且具有三个边及三个顶点;一第一电极位于第 一发光叠层上,且位于邻近三角形上表面三个边中的一第一边;以及一第二电极位于第一 发光叠层上,包含:一第二电极打线垫位于邻近三个顶点中的一第一顶点;以及一第二电 极延伸部,自第二电极打线垫往两方向延伸,沿三角形上表面的另两个边设置以围绕第一 电极,并停在第一边上以形成一开口部。
[0006] 本发明提供另一种发光元件,包含:一基板;一发光叠层位于基板上,包含:一三 角形上表面,与基板平行且具有三个边及三个顶点;一第一电极位于发光叠层上,且位于三 角形上表面的一内切圆内;以及一第二电极位于发光叠层上,包含:一第二电极打线垫位 于邻近三个顶点中的一第一顶点;以及一第二电极延伸部,自第二电极打线垫延伸且沿三 角形上表面的三个边设置,以形成一封闭回圈围绕第一电极。
【附图说明】
[0007] 图IA为本发明的一实施例的发光元件上视图;
[0008] 图IB为图IA中发光元件的截面图;
[0009] 图IC为本发明的另一实施例的发光元件上视图;
[0010] 图ID为本发明的另一实施例的发光元件上视图;
[0011] 图2A~图2C分别为本发明的另一实施例的发光元件上视图;
[0012] 图3A~图3C分别为本发明的另一实施例的发光元件上视图;
[0013] 图4A~图4B分别为本发明的另一实施例的发光元件上视图;
[0014] 图5A~图5C分别为本发明的另一实施例的发光元件上视图;
[0015] 图6为现有发光元件上视图;
[0016] 图7A为本发明的另一实施例的发光元件上视图;
[0017] 图7B为图7A中发光元件的截面图;
[0018] 图7C为本发明的另一实施例的发光元件上视图。
[0019] 符号说明
[0020] 1、1'、1"、2、2'、2"、3、3'、3"、4、4'、5、5'、5"、7、7' :发光元件
[0021] 10:发光叠层
[0022] 10a、10b、10a'、10b' :发光单元
[0023] 11 :反射层
[0024] 12 :第一型半导体层
[0025] 14 :活性层
[0026] 16 :第二型半导体层
[0027] 18:透明导电层
[0028] 20、20'、20":第一电极
[0029] 201、201'、201":第一打线垫
[0030] 202、202":第一延伸电极
[0031] 203' :Y字型分支
[0032] 204":分支
[0033] 28 :沟槽
[0034] 30、30'、30":第二电极
[0035] 301、301'、301"、301a、301b、301c :第二打线垫
[0036] 302、302'、302":第二延伸电极
[0037] 303、303'、303" :第一分支
[0038] 304、304' :第二分支
[0039] 305' :第三延伸电极
[0040] 50 :电流阻障层
[0041] 501 :第一区
[0042] 502 :第二区
[0043] 52 :保护层
[0044] 60a、60b、60c :顶点
[0045] 80a :第一边
[0046] 80b :第二边
[0047] 80c :第三边
【具体实施方式】
[0048] 本发明的实施例会被详细地描述,并且绘制于附图中,相同或类似的部分会以相 同的符号在各附图以及说明出现。
[0049] 图IA为依据本发明的一实施例发光元件1的上视图。图IB为图IA中发光元件1 沿A-A'线的截面图。如图IA及图IB所示,发光元件1包含一基板101以及一发光叠层10 设置于基板101上。发光叠层10包含一第一导电型半导体层12 (例如为η型半导体层)、 一活性层14以及一第二导电型半导体层16 (例如为ρ型半导体层)依序形成于基板101 的一表面。一透明导电层18形成于ρ型半导体层16上,一第一电极20形成于η型半导体 12上,以及一包含第二打线垫301及第二延伸电极302的第二电极302形成于ρ型半导体 层16上。一电流阻障层50包含一第一区501以及一第二区502分别形成于第二打线垫 301及第二延伸电极302之下,且电流阻障层50与第二电极30具有相似的形状。一用以保 护发光叠层10的保护层52覆盖发光元件1的上表面与第二延伸电极302,且暴露第一电 极20及第二打线垫301。一反射层11设置于基板101相对于发光叠层10的一面,用以反 射发光叠层10所发出的光。反射层11可以是金属,也可以是布拉格反射镜(distributed Bragg reflector, DBR),包含至少两种以上折射率不同的材料交互堆叠形成。布拉格反射 镜可为绝缘材料或导电材料。反射层11也可以是由介电层与金属层所组成的全方向反射 镜(omnidirectional reflector, 0DR)。介电层可为绝缘材料或导电材料,绝缘材料包含但 不限于聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、氧化镁(MgO)、SU8、环氧树脂 (Epoxy)、丙稀酸树脂(Acrylic Resin)、环稀经聚合物(COC)、聚甲基丙稀酸甲酯(PMMA)、 聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物 (Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化错(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氧化娃(SiO x)、氧 化
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