一种ptcr热敏电阻的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电子元件的制备领域，尤其涉及一种PTCR热敏电阻的制备方法。
【背景技术】
[0002]随着科技的不断进步，对于新技术材料的使用越来越多，在通信行业对于过电流保护用正温度系数热敏电阻器的研究也未间断。这些标准的颁布使PTCR热敏电阻器在通信行业的应用得到规范，同时也推动了 PTCR热敏电阻器在通信行业的发展。虽然高分子PTCR热敏电阻器有自热少，可自由成型、灵敏度高等优点，但也存在电流噪声大、耐电流冲击后性能劣化、阻值长期稳定性差、失效时容易引起明火等问题。
【发明内容】
[0003]本发明旨在解决上述问题，提供一种陶瓷型PTCR热敏电阻的制备方法。
[0004]—种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于包括如下步骤:(I)将Bau x y z)SrxPbyCazTi03+aY203+bG+cMn(N03)2+dLi2C03按配比混合，其中:x=2%~ll% ；y=0.5%~4% ；z=0.5%~5% ；a=0.2%~0.3% ；b=l%~2% ；c=0.04%~0.08% ；d=0.01%~0.08% ；G 为 AST 玻璃相，制成备料；(2)将备料混合均匀后搅拌研磨，出料烘干后造粒，干压成型后排胶；(3)在1100~1180°C温度下进行烧成，保温后继续升温在1300~1350°C温度下烧成后保温20min ;(4)进行平面打磨、老炼后镀镍，再老炼后被表面电极；经过磨外圆温循后制得热敏电阻。
[0005]本发明所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的成型规格为5.5_X2mm。
[0006]本发明所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的排胶时间为2ho
[0007]本发明所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中的升温速度为 100~150°C /1min0
[0008]本发明所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中所述老炼的温度为300°C，时间为2h。
[0009]本发明所述的PTCR热敏电阻的制备方法，通过对其工艺的改进，采用Y2O3掺杂的钛酸钡基配方，工艺稳定性好，适合生产小型化PTCR热敏电阻器，使得所制备的热敏电阻器反应灵敏，耐电流强度大、阻值稳定性好，操作简单可以大规模推广使用。
【具体实施方式】
[0010]一种PTCR热敏电阻的制备方法，包括如下步骤:(I)将Ba(1 x y z) SrxPbyCazTi03+aY203+bG+cMn (NO3)2+dLi2C03按配比混合，其中:x=2%~ll% ；y=0.5%~4% ；z=0.5%~5% ；a=0.2%~0.3% ；b=l%~2% ；c=0.04%~0.08% ；d=0.01%~0.08% ；G 为 AST 玻璃相，制成备料；(2)将备料混合均匀后搅拌研磨，出料烘干后造粒，干压成型后排胶；(3)在1100~1180°C温度下进行烧成，保温后继续升温在1300~1350°C温度下烧成后保温20min ;(4)进行平面打磨、老炼后镀镍，再老炼后被表面电极；经过磨外圆温循后制得热敏电阻。
[0011]本发明所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，所述步骤(2)中的成型规格为5.5mmX2mm。所述步骤(2)中的排胶时间为2h。所述步骤(3)中的升温速度为100-1500C /1min0从室温开始慢速升温，预设的第一保温点为1100~1180°C，在600°C以下主要是让坯片中的水分和粘合剂挥发，而这种自内往外的挥发不能进行过快，否则会造成坯片出现较大的气孔。到达第一保温点时要进行保温，使低熔点的杂质充分挥发，各温区坯片温度达成一致。第二保温点设在1300~1350°C，在第一保温点升温到第二保温点时要进行快速升温，升温速度为100~150°C /1min0实验证明，由于8&1103陶瓷在晶粒开始长大的温度范围(1240~1260°C)内，容易产生二次结晶，使瓷片的性能大大降低。在1300~1350°C下进行保温时，起半导化作用的氧化物中的离子置换主晶相中的钡离子或钛离子，从而完成半导化。在降温过程中，降温冷却的速度对室温电阻率影响很大，降温速度越快，室温电阻率越低。因此，通过调整降温速度来调整瓷片的室温电阻。因为在1150°C时，晶粒与晶界在整体结构上基本被冻结，所以在降温到1150°C以后，PTCR片的性能已基本稳定。所述步骤(4)中所述老炼的温度为300°C，时间为2h。
【主权项】
1.一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于包括如下步骤:(I)将Ba (1 x y z)SrxPbyCazTi03+aY203+bG+cMn(N03)2+dLi2C03按配比混合，其中:x=2%~ll% ；y=0.5%~4% ；z=0.5%~5% ；a=0.2%~0.3% ；b=l%~2% ；c=0.04%~0.08% ；d=0.01%~0.08% ；G 为 AST 玻璃相，制成备料；(2)将备料混合均匀后搅拌研磨，出料烘干后造粒，干压成型后排胶；(3)在1100~1180°C温度下进行烧成，保温后继续升温在1300~1350°C温度下烧成后保温20min ;(4)进行平面打磨、老炼后镀镍，再老炼后被表面电极；经过磨外圆温循后制得热敏电阻。2.如权利要求1所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的成型规格为？?5.5mmX2mm。3.如权利要求1所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的排胶时间为2h。4.如权利要求1所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中的升温速度为 100~150°C /1min05.如权利要求1所述的一种PTCR热敏电阻的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中所述老炼的温度为300°C，时间为2h。
【专利摘要】一种PTCR热敏电阻的制备方法，属于电子元件的制备领域。将BaTiO3、Y2O3、Mn(NO3)2、Li2CO3等按配比混合，制成备料；将备料混合均匀后搅拌研磨，出料烘干后造粒，干压成型后排胶；在1100~1180℃温度下进行烧成，保温后继续升温在1300~1350℃温度下烧成后保温20min；进行平面打磨、老炼后镀镍，再老炼后被表面电极；经过磨外圆温循后制得热敏电阻。通过对其工艺的改进，采用Y2O3？掺杂的钛酸钡基配方，工艺稳定性好，适合生产小型化PTCR？热敏电阻器，使得所制备的热敏电阻器反应灵敏，耐电流强度大、阻值稳定性好，操作简单可以大规模推广使用。
【IPC分类】C04B35/622, H01C7/02, C04B35/468
【公开号】CN105632663
【申请号】CN201410603095
【发明人】王耀斌
【申请人】陕西盛迈石油有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月31日