具有防涡流腔室的基板处理装置及基板处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种具有防涡流腔室的基板处理装置及基板处理方法，尤其涉及一种可防止为了处理基板而流入到腔室内部的气体因基板出入的门扇而生成涡流的具有防涡流腔室的基板处理装置及基板处理方法。
【背景技术】
[0002]通常，基板处理装置是在将基板装载于工艺腔室内部的状态下关闭门扇而密封内部之后，在安置于载放座的基板上利用工艺气体执行预定的处理工艺。
[0003]半导体工艺中包括化学气相沉积工艺、等离子干式蚀刻工艺等，其中化学气相沉积工艺通过高频放电而分解气体状态的化合物，然后引发化学反应而在基板上形成薄膜，等离子干式蚀刻工艺则借助于等离子体状态的离子而蚀刻基板材料。在这些工艺中，如果注入到腔室内部的气体中产生涡流，则沉积和蚀刻的均匀度可能下降。
[0004]而且，在用于执行作为半导体后处理工序的回流焊的设备中，在将气体注入到腔室内部而执行基板的处理的情况下，如果注入的气体中产生涡流，则基板的均匀度(Uniformity)也可能下降。
[0005]图1为表不现有的基板处理装置的图。
[0006]基板处理装置包括:圆筒形状的腔室主体10 ;门扇20，用于开闭形成在所述腔室主体10的一侧的开口部11 ;门扇开闭驱动部30，提供驱动力以使所述门扇20可以开闭所述开口部11 ;载放座40，用于安置基板W ;升降销45，为了将基板W安置于所述载放座40上而进行升降；喷洒头50，喷洒气体以处理安置于所述载放座40上的基板W ;排气口 60，用于将腔室主体10内部的气体排出到外部。
[0007]在由于所述开口部11和门扇20的存在而形成的空间(A部分)中，气体的流动并不完全，因此将会产生涡流。这样的涡流对基板处理后的均匀度产生消极影响。
[0008]之所以如此形成A部分的空间，是因为门扇20以平板形状构成，为了将平板形状的门扇20紧贴于圆筒形状的腔室主体10而维持气密性，需要形成突出部12，该突出部12向形成有开口部11的腔室主体10的外侧突出。
[0009]与所述突出部12接触的门扇20上具有用于维持气密性的密封件(未图示)。
[0010]并且，由于需要在腔室主体10形成开口部11和突出部12，因此存在腔室主体10的制造工艺变得复杂的问题。
[0011]为了防止如上所述的由气体的涡流引起的问题，韩国公开专利第10-2006-0021136号公开了一种等离子真空设备。
[0012]在所述韩国公开专利第10-2006-0021136号中，为了防止由基板投入口的空余空间引起的气体涡流现象，配备有与门扇阀连接的腔室内部的板。
[0013]然而，根据这样的结构，配备于腔室内部的板需要在接触于腔室的内壁面的状态下上下移动，因此可能发生磨损引起的碎肩。另外，如果在与腔室的壁面接触的位置处配备有密封件，则存在密封件的磨损速率显著加快的问题。
【发明内容】
[0014]本发明是为了解决如上所述的诸多问题而提出的，其目的在于提供一种如下的基板处理装置及基板处理方法:使覆盖腔室主体的上部的盖体升降，从而通过腔室主体的上部而实现基板的投入和搬出，据此可以防止腔室主体的内侧产生工艺气体的涡流。
[0015]用于实现如上所述的目的之本发明的一种基板处理装置，包括:腔室主体100，内部具有用于安置基板W的载放座400，且上部开放；盖体200，用于开闭所述腔室主体100的开放的上部；盖体开闭驱动部300，提供驱动力，该驱动力使所述盖体200沿上下方向移动以开闭所述腔室主体100的上部。
[0016]所述盖体200的边缘底面与所述腔室主体100的上端之间可夹设有密封件。
[0017]所述盖体开闭驱动部300 (310、320)可沿所述盖体200的边缘周围配备有多个，以能够使所述盖体200沿上下方向移动。
[0018]所述盖体开闭驱动部300可由空压气缸或油压气缸构成，并结合于所述盖体200而使盖体200升降。
[0019]所述腔室主体100的上端可具有法兰130，并在所述法兰130的上表面与所述盖体200的底面之间夹设有密封件220。
[0020]所述盖体200的底面可结合有喷洒头500，该喷洒头500均匀地喷洒用于处理所述基板W的工艺气体。
[0021]本发明的一种基板处理方法，在基板处理装置实现基板处理，该基板处理装置包括:腔室主体100，内部具有用于安置基板W的载放座400，且上部开放；盖体200，用于开闭所述腔室主体100的开放的上部；盖体开闭驱动部300，提供驱动力，该驱动力使所述盖体200沿上下方向移动以开闭所述腔室主体100的上部，其中，所述基板处理方法由如下步骤构成:步骤a，借助于所述盖体开闭驱动部300而使所述盖体200上升，从而开放所述腔室主体100的上部；步骤b，通过所述腔室主体100的开放的上部而将基板W安置于所述载放座400 ;步骤C，借助于所述盖体开闭驱动部300而使所述盖体200下降，从而覆盖所述腔室主体100的上部；步骤d，工艺气体流入到所述腔室主体100的内部空间，从而实现基板W的处理；步骤e，在所述基板W的处理完毕之后，借助于所述盖体开闭驱动部300而使所述盖体200上升，从而开放所述腔室主体100的上部，然后将所述基板W搬出到外部。
[0022]所述步骤b可由如下步骤构成:步骤b-Ι，借助于机械手臂700而使所述基板W通过所述腔室主体100的开放的上部而被置于所述载放座400的上部；步骤b-2，升降销450上升而承接所述基板W，并在所述机械手臂700移动到所述腔室主体100的外部之后，所述升降销450下降而将所述基板W安置于所述载放座400上。
[0023]所述步骤b可由如下步骤构成:步骤b-Ι，借助于机械手臂700而使所述基板W通过所述腔室主体100的开放的上部而被置于所述载放座400的上部；步骤b-2，升降销450上升的同时所述机械手臂700下降而使所述基板W被中转到所述升降销450上，并在所述机械手臂700移动到所述腔室主体100的外部之后，所述升降销450下降而将所述基板W安置于所述载放座400上。
[0024]根据本发明，可以防止用于执行基板处理的腔室主体的内部发生气体涡流，从而可以提高工艺均匀度。
[0025]并且，无需在腔室主体的内壁形成用于实现基板的投入和搬出的开口部，且没有必要在所述开口部形成用于使门扇紧贴的突出部，因此可以简化腔室主体的制造工艺，从而可以减少制造成本。
【附图说明】
[0026]图1的(a)、(b)为表示现有的基板处理装置的水平剖视图和正面剖视图。
[0027]图2为表示根据本发明的基板处理装置的正面剖视图。
[0028]图3为表示根据本发明的基板处理装置的水平剖视图。
[0029]图4为表示根据本发明的基板处理装置中盖体与腔室主体之间夹设有密封件的状态的剖视图。
[0030]图5为表示根据本发明的基板处理装置中盖体开启的状态的正面剖视图。
[0031]符号说明
[0032]10、100:腔室主体11:开口部
[0033]20:门扇200:盖体
[0034]220:密封件
[0035]30:门扇开闭驱动部300:盖体开闭驱动部
[0036]310:第一驱动部320:第二驱动部
[0037]40、400:载放座45、450:升降销
[0038]50、500:喷洒头60、600:排气口
【具体实施方式】
[0039]以下，参考附图而对关于本发明的优选实施例的构造和作用进行详细说明。
[0040]图2为表示根据本发明的基板处理装置的正面剖视图，图3为表示根据本发明的基板处理装置的水平剖视图。
[0041]本发明的具有防涡流腔室的基板处理装置包括:腔室主体100，以圆筒形状构成，且上部开放；盖体200，用于开闭所述腔室主体100的开放的上部；盖体开闭驱动部300，用于提供驱动力，该驱动力使所述盖体200沿着上下方向移动以开闭所述腔室主体100的上部。
[0042]虽然图示了所述腔室主体100以截面为圆形的圆筒形状构成的示例，然而本发明并不局限于此，腔室主体100的截面也可以构成为包括四边形的多边形。
[0043]所述腔室主体100的上部以开放的形状构成，于是机械手臂700可通过开放的上部而进入到腔室主体100的内部空间，从而将基板W安置于载放座400上或者将处理完毕的基板W搬出到外部。
[0044]对于现有技术而言，腔室主体10的内壁形成有开口部11，因此为了利用门扇20开闭所述开口部11而需要设置突出部12之类的构造，所以用于制造腔室主体10的制造工艺复杂，并存在制造成本上升的问题，然而对于本申请的发明而言，腔室主体100中没有开口部11以及突出部12所对应的构造，因此制造工艺得到简化，从而可以节省制造成本。
[0045]所述腔室主体100的内部具有用于安置基板W的载放座400。所述载放座400可具有:下部加热器(未图示)，用于在基板W被加热的状态下执行工艺。
[0046]为了使安置于所述载放座400上的基板W上升，或者为了将投入到腔室主体100内部的基板W安置于载放座400上，配备升降销450。所述升降销450配备为贯通所述载放座400，并在此状态下借助于驱动部(未图示)而沿着上下方向上升或下降，从而使基板W上升或下降。
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