一种厚膜光刻加工方法

文档序号:9868110阅读:603来源:国知局
一种厚膜光刻加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种LTCC模块表面线条精细化加工的方法。
【背景技术】
[0002]随着通信电子产品逐渐向小型化、高频化等方向发展,模块的尺寸也越来越小。LTCC (低温共烧陶瓷)电路模块由于具有较低的功耗、低的烧成温度、高集成度、可内置无源元件等特点,已经成为制造高集成度电子系统的有利手段之一,在微组装中发挥了重要作用。由于LTCC模块表面线条的精细加工可以提升整体性能,也已经成为LTCC加工中的一项研究热点。

【发明内容】

[0003]本发明旨在提出用于LTCC模块表面线条精细化的一种厚膜光刻加工方法。
[0004]本发明的技术方案在于:
一种厚膜光刻加工方法,包括以下步骤:
步骤1:Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工;
步骤2:将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干,并进行烧结;
步骤3:对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影,制作出特定形状的掩膜;
步骤4:将上述掩膜进行刻蚀;
步骤5:刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除;
步骤6:在750-850°C下重新烧结后获得所需的图形。
[0005]优选地,所述的丝网印刷时采用传统的D33 um网版。
[0006]优选地,所述的烧结温度为750-850°C。
[0007]或者优选地,所述的刻蚀溶液为Au导体层的刻蚀溶液12/KI。
[0008]或者优选地,所述的配套去胶液为丙酮。
[0009]本发明的技术效果在于:
本发明采用可刻蚀的厚膜浆料,该种材料具有电导率高、精度高、键合性好等特点,采用本方法加工的线条一般可达25um,衬底状态良好,最细线条可做到10um,通过本加工方法加工的线宽为50um,本方法简单易行,易于操作。
【具体实施方式】
[0010]一种厚膜光刻加工方法,包括以下步骤:
步骤1:Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工;
步骤2:将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干,并进行烧结;
步骤3:对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影,制作出特定形状的掩膜;
步骤4:将上述掩膜进行刻蚀; 步骤5:刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除;
步骤6:在750-850°C下重新烧结后获得所需的图形。
[0011]其中,丝网印刷时采用传统的D33 um网版。烧结温度为750_850°C。刻蚀溶液为Au导体层的刻蚀溶液12/KI。配套去胶液为丙酮。
[0012]在本加工过程中用到的典型设备包括印刷机、匀胶机、UV曝光机、显影机、去胶台、刻蚀台、烧结炉等。采用本方法加工的线条一般可达25 um,衬底状态良好,最细线条可做到10um,通过本加工方法加工的线宽为50um。
【主权项】
1.一种厚膜光刻加工方法,其特征在于:包括以下步骤: 步骤1:Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工; 步骤2:将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干,并进行烧结; 步骤3:对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影,制作出特定形状的掩膜; 步骤4:将上述掩膜进行刻蚀; 步骤5:刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除; 步骤6:在750-850°C下重新烧结后获得所需的图形。2.如权利要求1一种厚膜光刻加工方法,其特征在于:所述的丝网印刷时采用传统的D33 um网版。3.如权利要求1一种厚膜光刻加工方法,其特征在于:所述的烧结温度为750-850°C。4.如权利要求1一种厚膜光刻加工方法,其特征在于:所述的刻蚀溶液为Au导体层的刻蚀溶液12/KI。5.如权利要求1一种厚膜光刻加工方法,其特征在于:所述的配套去胶液为丙酮。
【专利摘要】本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种LTCC模块表面线条精细化加工的方法。一种厚膜光刻加工方法,包括以下步骤:步骤1:Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工;步骤2:将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干,并进行烧结;步骤3:对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影,制作出特定形状的掩膜;步骤4:将上述掩膜进行刻蚀;步骤5:刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除;步骤6:在750-850℃下重新烧结后获得所需的图形。本发明采用可刻蚀的厚膜浆料,该种材料具有电导率高、精度高、键合性好等特点,采用本方法加工的线条一般可达25um,衬底状态良好,最细线条可做到10um,通过本加工方法加工的线宽为50um,本方法简单易行,易于操作。
【IPC分类】G03F7/00, H01L21/027
【公开号】CN105632898
【申请号】CN201410595896
【发明人】王耀斌
【申请人】陕西盛迈石油有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月30日
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