元件的转移方法

文档序号:9868197
元件的转移方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种元件的转移方法。
【背景技术】
[0002]整合与封装为射频微机电系统微动开关(Rad1 frequencymicroelectromechanical system microswitches, RF MEMS microswitches)、发光二极体显示系统、微机电震荡器与石英震荡器等微元件在量产时所遭遇的主要困难。
[0003]传统转移微元件的方法为借由基板接合(Wafer Bonding)将微元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移,也就是直接将微元件阵列自转移基板接合至接收基板,之后再将转移基板移除。另一种实施方法为间接转移。此方法包含两次接合/剥离的步骤,首先,转移基板自施体基板提取微元件阵列,接着转移基板再将微元件阵列接合至接收基板,最后再把转移基板移除。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于提供一种元件的转移方法,借由第一粘着层的应用,增加元件对位的能力与降低元件损坏的机率。
[0005]根据本发明一实施方式,一种元件的转移方法包含以下步骤。首先,于第一承载基板上涂布第一粘着层。接着,放置元件于第一粘着层上,因而使元件暂时粘附于第一粘着层上。然后,降低第一粘着层对于元件的粘着力,但同时维持元件于第一粘着层的控制位置,其中第一粘着层的杨氏系数小于或等于30GPa。最后,在第一粘着层的粘着力降低后,将元件自第一粘着层转移至接收基板。
[0006]本发明上述实施方式借由第一粘着层的粘着力与缓冲能力,让暂时粘附于第一粘着层上的元件的位置,在进行工艺时将会维持在可控制的范围内,因此转置头可轻易地与元件对位。此外,在转置头接触元件时,转置头施加于元件上的冲击力将会被粘着层所吸收,因此元件将不会因为转置头的撞击而损坏。于是,工艺良率将得以提升。
【附图说明】
[0007]图1至图6绘示依照本发明一实施方式的元件转移方法的中间步骤的剖面示意图。
[0008]图7与图8绘示依照本发明另一实施方式的元件转移方法的中间步骤的剖面示意图。
[0009]图9A绘示依照本发明一实施方式的转置头将要接触元件时的剖面示意图。
[0010]图9B绘示依照本发明一实施方式的转置头接触元件时的剖面示意图。
[0011]图10A绘示依照本发明一实施方式的转置头将要接触元件时的剖面示意图。
[0012]图10B绘示依照本发明一实施方式的转置头接触元件时的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0013]以下将以图式公开本发明的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。
[0014]图1至图6绘示依照本发明一实施方式的元件转移方法的中间步骤的剖面示意图。本发明将提供一种元件400的转移方法。具体而言,上述的元件400可为发光二极体。更具体地说,元件400可为薄型发光二极体(Thin Light-emitting D1de)。元件400的厚度可为约0.5微米至约100微米。元件400的形状可为圆柱体,且圆柱体的半径可为约0.5微米至约500微米,但并不限于此。在其他实施方式中,元件400可为三角柱体、立方体、长方体、六角柱体、八角柱体或者其他多角柱体,且元件400可为晶片。
[0015]如图1所绘示,制造者可于成长基板510上形成元件400。
[0016]接着,如图2所绘示,制造者可于承载基板110上涂布粘着层120。然后,将元件400与成长基板510翻转180°,并将元件400与成长基板510放置于粘着层120上,因而使元件400暂时粘附于粘着层120上。
[0017]具体而目,承载基板110可为刚性基板。更具体地说,承载基板110的材质可为玻璃、娃、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、丙稀腈-丁二稀-苯乙稀(AcrylonitrileButadiene Styrene,ABS)或其任意组合。应了解到,以上所举的承载基板110的【具体实施方式】仅为例示,并非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,应视实际需要,弹性选择承载基板110的【具体实施方式】。
[0018]具体而目,粘着层120的材质可为具粘性的有机材质(Adhes1n CapableOrganic)。更具体地说,粘着层120的材质可为环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)、聚娃氧烧、娃胶或其任意组合。应了解到,以上所举的粘着层120的【具体实施方式】仅为例示,并非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,应视实际需要,弹性选择粘着层120的【具体实施方式】。
[0019]粘着层120的厚度为约I微米至约100微米。粘着层120对于每个元件400的粘着力为约0.01Nt/25mm至约100Nt/25mm。粘着层120的涂布可借由旋转涂布机、狭缝涂布机或其任意组合达成。应了解到,以上所举的粘着层120的【具体实施方式】仅为例示,并非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,应视实际需要,弹性选择粘着层120的【具体实施方式】。
[0020]如图2与图3所绘示,制造者可自暂时粘附于粘着层120的元件400上移除成长基板510。具体而言,成长基板510可借由激光剥离工艺、化学剥离工艺或其任意组合移除,但并不限于此。在其他实施方式中,制造者也可以选择其他方法移除成长基板510。
[0021]然后,制造者可降低粘着层120对于元件400的粘着力,但仍维持元件400于粘着层120上的位置在可控制的范围内。具体而言,粘着层120在粘着力降低后的粘着力仍可大于每个元件400的重量的十倍,所以元件400仍然会被粘着层120维持在可控制的范围内。
[0022]具体而言,粘着层120的粘着力可借由电场、电磁波、热、超音波、机械力、压力或其任意组合降低。应了解到,以上所举的降低粘着层120的粘着力的方法仅为例示,并非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,应视实际需要,弹性选择降低粘着层120的粘着力的方法。
[0023]在本实施方式中,粘着层120对于每个元件400的粘着力为20Nt/25mm,粘着层120对于每个元件400降低后的粘着力为0.5Nt/25mm。
[0024]在粘着层120的粘着力降低之前或降低之后,粘着层120的杨氏系数均小于或等于30GPa。应了解到,以上所举的粘着层120的【具体实施方式】仅为例示,并非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,应视实际需要,弹性选择粘着层120的【具体实施方式】。
[0025]具体而言,元件400为已经进行过晶片切割工艺的元件,但不限于此。在其他实施方式中,元件400可为尚未进行晶片切割工艺的元件。制造者可以选择在将元件400放置于粘着层120上之后,但在粘着层120的粘着力降低之前对于元件400进行晶片切割工艺。
[0026]在进行晶片切割工艺时,若线性地切割元件400,将使元件400的形状成为立方体或长方体。晶片切割工艺可利用激光或其他方法进行。或者,在进行晶片切割工艺时,制造者可非线性地切割元件400,使得元件400的形状成为五角柱体、六角柱体、八角柱体、多角柱体或圆柱体。
[0027]晶片切割工艺也可借由使用感应親合电楽(Inductively Coupled Plasma,ICP)、湿蚀刻或其他方法进行。当元件400的形状不为长方体时,将可避免元件400的漏电流产生,于是元件400的发光效率得以增加。
[0028]在粘着层120的粘着力降低前,制造者可对暂时粘附于粘着层120的元件400进行至少一个工艺(例如激光剥离工艺或晶片切割工艺)。由于粘着层120对元件400仍具有粘着力,因此在进行工艺时,元件400将仍会被粘着层120维持在可控制的区域内,或者说元件400之间的相对位置仍会被粘着层120维持在可控制的范围内。此外,粘着层120也可作为用来吸收外力(例如机械力)的缓冲层。
[0029]如图4所绘示,制造者可将转置头200放在元件400上,且让转置头200接触元件400。在此同时,粘着层120将产生形变,借此在转置头200接触元件400时吸收转置头200施加于元件400上的冲击力。
[0030]如图5所绘示,制造者可致动转置头200进而对至少部分的元件400 (即元件400a)产生吸力。接着,借由转置头200自粘着层120提取元件400a。在本实施方式中,元件400a将转置至接收基板上,但并不限于此。在其他实施方式中,元件400a可能是受损元件,因此元件400a在被提取后将被丢弃。
[0031]然后,如图6所绘示,制造者可将元件400a释放于接收基板310上。具体而言,元件400a将分别释放于接收基板310的特定位置上。
[0032]转置头200的吸力可为静电力、空气压差所形成的力、粘着力、机械力或其任意组合。应了解到,以上所举的转置头200的【具体实施方式】仅为例示,并非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,应视实际需要,弹性选择转置头200的【具体实施方式】。
[0033]在本实施方式中,接收基板310可为主动元件阵列基板,因此接收基板310与元件400a将形成显示面板,但并不限于此。在其他实施方式中,接收基板310与元件400a也可以形成发光装置。
[0034]另外,仅有元件400a (部分的元件400)为转置于接收基板310上,但并不限于此。在其他实施方式中,所有的元件400皆转置于接收基板310上。
[0035]因为粘着层120的粘着力与缓冲能力,每个暂时粘附于粘着层120上的元件400,在进行工艺时将会被维持在可控制的范围内,因此转置头200轻易地
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