空间电源用的高压大功率半导体元器件结构的制作方法

文档序号:9868247阅读:394来源:国知局
空间电源用的高压大功率半导体元器件结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及空间电源技术领域,特别是涉及一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构。
【背景技术】
[0002]高压大功率半导体元器件是功率调节电路的重要组成部分,在电源控制器内部被大量使用。
[0003]目前,在电源控制器内部使用的大功率半导体元器件的工艺焊接都是采用分离元器件单独焊接装配,这样的装配方式工艺复杂实现难度较大、占用空间大、走线距离长、安全性可靠性差,不利于电源控制器的工程化和产品化。很难满足空间电源的高标准要求。

【发明内容】

[0004]本发明要解决的技术问题是:提供一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构。该空间电源用的高压大功率半导体元器件结构具有体积小、重量轻、可靠性安全性高的特点。
[0005]本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:
[0006]—种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,包括:用于承担固定和散热作用的矩形底板(I),在所述底板(I)的四个角上分别开设有固定用的结构连接孔(5);在所述底板(I)上焊接有用于承载功率元器件(3)的基板(2),在所述基板(2)包括Al2O3陶瓷基板和位于Al2O3陶瓷基板外层的铜层,所述铜层的厚度范围是200?600μπι;在上述基板(2)上焊接有走线端子(4);所述底板(I)由铝碳化硅材料制成;所述功率元器件(3)包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;所述功率元器件(3)焊接于基板(2)上。
[0007]本发明具有的优点和积极效果是:
[0008]通过采用上述技术方案,在本专利中,上述结构中的基板和铝碳化硅材料制成的底板具有比较接近的热膨胀系数,因此具有使得该专利具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异性能,由于所述功率元器件包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;因此能够很好地保证功率元器件的电性能;进而通过合理的位置布局减少了功率源器件的占用空间、简化了工艺设计,减小了产品体积重量,提高了产品的安全性可靠性,对产品的工程化和产品化生产起到了积极的作用。
【附图说明】
:
[0009]图1是本发明优选实施例的结构图。
[0010]其中:1、底板;2、基板;3、功率元器件;4、走线端子;5、结构连接孔。
【具体实施方式】
[0011]为能进一步了解本发明的
【发明内容】
、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下:
[0012]请参阅图1,一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,包括:底板1、基板
2、以及功率元器件3;其中:底板I为矩形结构,底板I主要用于承担固定和散热两大作用;在所述底板I的四个角上分别开设有固定用的结构连接孔5,这样在使用的过程中,利用金属紧固件将底板I与电源控制器的铝质结构连接;基板2焊接于底板I上,基板2包括Al2O3陶瓷基板和位于Al2O3陶瓷基板外层的铜层,所述铜层的厚度范围是200?600μπι;陶瓷绝缘体提供电气隔离,在上述基板2上焊接有走线端子4;所述底板I由铝碳化硅材料制成;所述功率元器件3包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;所述功率元器件3焊接于基板2上。
[0013]以上对本发明的实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
【主权项】
1.一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,其特征在于:包括:用于承担固定和散热作用的矩形底板(I),在所述底板(I)的四个角上分别开设有固定用的结构连接孔(5);在所述底板(I)上焊接有用于承载功率元器件(3)的基板(2),在所述基板(2)包括Al2O3陶瓷基板和位于Al2O3陶瓷基板外层的铜层,所述铜层的厚度范围是200?600μπι;在上述基板(2)上焊接有走线端子(4);所述底板(I)由铝碳化硅材料制成;所述功率元器件(3)包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;所述功率元器件(3)焊接于基板(2)上。
【专利摘要】本发明公开了一种空间电源用的高压大功率半导体元器件结构,其特征在于:包括:用于承担固定和散热作用的矩形底板,在所述底板的四个角上分别开设有固定用的结构连接孔;在所述底板上焊接有用于承载功率元器件的基板,在所述基板包括Al203陶瓷基板和位于Al203陶瓷基板外层的铜层,所述铜层的厚度范围是200~600μm;在上述基板上焊接有走线端子;所述底板由铝碳化硅材料制成;所述功率元器件包括表面贴装半导体器件和表面贴装电阻元件;所述功率元器件焊接于基板上。通过采用上述技术方案,该空间电源用的高压大功率半导体元器件结构具有体积小、重量轻、可靠性安全性高的特点。
【IPC分类】H01L23/373
【公开号】CN105633036
【申请号】CN201511030791
【发明人】刘莉, 陈洪涛
【申请人】中国电子科技集团公司第十八研究所
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月30日
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