晶圆级led器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及L邸封装技术领域，尤其设及一种晶圆级L邸器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] Lm)灯由于具有体积小、省电W及寿命长等特点已经越来越多地被应用于照明、背 光等领域。
[0003] 然而，由于LED灯成本较高，阻碍其进一步的推广。晶圆级LED封装是降低成本的有 效方法。晶圆级忍片封装技术是通过对整片晶圆进行封装测试后再进行切割得到单个成品 忍片的技术。晶圆级忍片尺寸封装技术改变传统封装如陶瓷无引线忍片载具、有机无引线 忍片载具和数码相机模块式的模式，顺应了市场对微电子产品日益轻、薄、短、小和低价化 的要求，是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。
[0004] 但是传统的Lm)器件的封装工艺难W进行高密度封装，也不适用于晶圆级封装。基 于此，人们希望能采用无模点胶的工艺来对晶圆级L邸忍片进行透镜的封装，最简单直观的 无模点胶方法就是直接在Lm)忍片上点胶，利用塑封胶的表面张力形成透镜的形状。但运种 方法的缺点在于透镜的形状完全取决于塑封胶的表面张力，因而无法对透镜形状进行直接 的控制，而且透镜的高宽比一般较低（即透镜较"扁平"），光效较低。
【发明内容】
[0005] 本发明提供一种晶圆级L邸器件及其制备方法，可有效解决上述问题。
[0006] -种晶圆级L邸器件的制备方法，包括W下步骤：
[0007] SI,提供一 L邸预制件，包括基板、安装在所述基板上的L邸忍片；
[000引S2,在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述Lm)忍片，且所述限位槽的深 度沿远离所述L邸忍片的方向逐步加深；
[0009] S3,在所述Lm)忍片上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述Lm)忍片并延伸到所述限 位槽，然后将其冷却到室溫使其固化形成封装透镜层。
[0010] 进一步的，定义所述限位槽远离所述Lm)忍片的表面距离所述Lm)忍片中屯、点的距 离为D，定义所述L邸忍片的半宽为d，其中，X < D < \尽X 。
[0011 ]进一步的，定义所述限位槽的最大深度h，其中，0.1 d含h含0.2d。
[0012] 进一步的，所述封装透镜层包括基体W及分散于所述基体中的扩散颗粒。
[0013] 进一步的，所述扩散颗粒占所述封装透镜层的总重量的1.5%~3%。
[0014] 进一步的，所述限位槽靠近所述L邸忍片的表面为圆弧面或平面。
[0015] -种晶圆级Lm)器件，包括:基板、安装在所述基板上的Lm)忍片W及封装透镜层， 所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述Lm)忍片，且所述限位槽的深度沿远离所述 L邸忍片的方向逐步加深;所述封装透镜层覆盖所述L邸忍片并延伸到所述限位槽。
[0016] 进一步的，所述封装透镜层与所述限位槽远离所述L邸忍片的表面相切。
[0017] 进一步的，所述限位槽靠近所述L邸忍片的表面为圆弧面或平面。
[0018] 进一步的，所述圆弧面向所述基板的外侧凸出。
[0019] 本发明提供的所述晶圆级Lm)器件及其制备方法，具有W下优点：其一，由于限位 槽的设置，可W对封装透镜层的形状进行直接的控制，形成高/宽比值较大的封装透镜层， 从而提高光效;其二，由于本案中的限位槽具有良好的限位作用，因此，通过单次点胶就可 W获得高/宽比值大于0.5的封装透镜层，而无需重复点胶;其四，在无需模具的情况下，可 W实现L邸的晶圆级封装;不仅技术操作性强，工艺简单，还可降低L邸的生产成本。
【附图说明】
[0020] 图1为本发明实施例提供的晶圆级L邸器件的制备方法的工艺流程图。
[0021] 图2为本发明实施例提供的晶圆级L邸器件的制备方法中基板的结构示意图。
[0022] 图3为本发明另一实施例提供的晶圆级L邸器件的制备方法中基板的结构示意图。
[0023] 图4为本发明另一实施例提供的晶圆级L邸器件的制备方法中基板的结构示意图。
[0024] 图5为现有的晶圆级L邸器件中基板的结构示意图。
[0025] 图6为图1中部分结构的放大图。
[0026] 图7为本发明实施例提供的晶圆级L邸器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可W理解的是，此处所描 述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于 描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
[00%]请参照图1，一种晶圆级L邸器件的制备方法，包括W下步骤：
[00巧]SI,提供一 L邸预制件，包括基板10、安装在所述基板10上的L邸忍片11;
[0030] S2,在所述基板10上形成限位槽102,所述限位槽102环绕所述Lm)忍片11，且所述 限位槽102的深度沿远离所述L邸忍片11的方向逐步加深；
[0031] S3,在所述Lm)忍片11上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述Lm)忍片11并延伸到所 述限位槽102,然后将其冷却到室溫使其固化形成封装透镜层12。
[0032] 在步骤S2中，所述限位槽102的实际结构可W根据实际需要设置，只要使所述限位 槽102的深度沿远离所述LED忍片11的方向逐步加深即可。请参照图2-4,在图帥，所述限位 槽102靠近所述Lm)忍片11的表面为向外凸出的圆弧面。在图3中，所述限位槽102靠近所述 Lm)忍片11的表面为倾斜的平面。在图4中，所述限位槽102靠近所述Lm)忍片11的表面为向 内凹陷的圆弧面。请一并参照图5,图5为现有的L邸中基板20的限位槽202的结构示意图，由 于所述限位槽202为矩形结构仅仅利用点胶的表面张力来阻止点胶流动，当点胶体积较大 或张力过小时，所述限位槽202会难W有效实现限位的作用。实验表面，所述限位槽202通过 一次点胶仅可W获得高/宽比值约为0.4的封装透镜层，因此需要重复点胶，才可W获得高/ 宽比值大于0.5的封装透镜层。请一并参照图6,图6为图1中部分结构的放大图，从图中可W 看出所述封装透镜层12与所述限位槽102远离所述Lm)忍片11的表面相切。由此，所述限位 槽102不仅仅可W利用点胶自身的表面张力来阻止点胶流动，所述限位槽102远离所述LED 忍片11的表面还可W起到阻挡作用，从而真正实现限位的功能。所述限位槽102可