平坦化层去残留的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种平坦化层去残留的方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用，如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
[0003]现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(Backlight Module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0004]目前，液晶显示器中薄膜晶体管阵列基板使用的薄膜晶体管主要有三种:低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、及非晶硅薄膜晶体管。其中利用低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-Si I icon，LTPS)制作的液晶显示面板具有结构简单、稳定性高、电子迀移速率高、电路面积小、及显示分辨率高等特点，逐渐成为液晶显示器中的主流产品O
[0005]请参阅图1，在阵列基板的制作过程中，已经形成的低温多晶硅薄膜晶体管中的中间绝缘层10’及最外层的金属层20’上需要覆盖一层有机光阻(Photo Resist，PR)作为平坦化层(planarizat1n，PLN)30’，以保证后续制程的可靠性及稳定性，之后，需要在平坦层30’上沉积氧化铟锡(ITO)薄膜50’以用作于电极，其中，金属层20’包括由下至上依次叠加的底部钛层21，、铝层22，、及顶部钛层23，，平坦化层30，在顶部钛层23，上方设有过孔40，，氧化铟锡薄膜50，通过过孔40，与顶部钛层23，搭接。
[0006]由于平坦化层30’为感旋光的有机光阻，在平坦化层30’上的过孔40’经由光刻制程制作，然而在光刻制程结束后，会有少量的有机光阻肩残留在过孔40’之中，因此需要对PLN层30，进彳丁去残留(Descum)制程。现有的去残留制程米用干法去残留(DRY Descum)的方法，利用纯氧气(O2)作为制程气体，通过氧气等离子(O2 Plasma)与残留的有机光阻肩进行反应产生容易去除的碳氧化物气体与水，达到清除过孔40’中有机肩物的效果，其反应公式为:
[0007]CxHy0z+02—C0x+H20。
[0008]请参考图2，其为图1所示的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板在经过平坦化层去残留制程后过孔处的结构示意图，在平坦化层去残留过程中，氧气等离子与有机光阻肩进行反应的同时，会与顶部钛层23 ’发生氧化反应，从而使顶部钛层23 ’的上方覆盖一层钛氧化物层24’，钛氧化物层24’使顶部钛层23’与外层金属层50’进行搭接时产生过高的接触阻抗，进而形成暗点等不良现象，影响液晶显示面板品质。
【发明内容】
[0009]本发明的目的在于提供一种平坦化层去残留的方法，在完成对平坦化层过孔内残留的有机光阻肩去除的前提下，避免过孔下的金属层表面氧化，降低金属层搭接后接触点的阻抗，避免产生暗点等不良现象，提升液晶显示面板品质。
[0010]为实现上述目的，本发明提供一种平坦化层去残留的方法，包括以下步骤:
[0011]步骤1、提供一待平坦化层去残留的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括:基板、形成于基板上的低温多晶硅薄膜晶体管、及覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦层；
[0012]所述低温多晶硅薄膜晶体管包括中间绝缘层、及设置在中间绝缘层上的金属层；
[0013]所述金属层包括:底部钛层、设置在所述底部钛层上的铝层、及设置在所述铝层上的顶部钛层；
[0014]所述平坦化层设置在所述中间绝缘层和金属层上；
[0015]所述平坦化层为有机光阻材料，其上设有过孔；
[0016]所述过孔中残留有待去除的有机光阻肩；
[0017]步骤2、以氧气和六氟化硫作为制程气体，利用氧气等离子和六氟化硫等离子对平坦化层的表面进行干法刻蚀去残留处理；
[0018]具体的，在干法刻蚀去残留处理过程中，氧气在等离子状态下与过孔内残留的有机光阻肩发生反应，使过孔内残留的有机光阻肩被完全反应掉；
[0019]所述氧气在与过孔内的有机光阻肩反应的同时与顶部钛层发生氧化反应，产生钛氧化物；
[0020]所述六氟化硫在等离子状态下与顶部钛层上的钛氧化物发生反应，使钛氧化物被完全反应掉，其中钛氧化物作为中间产物，在干法刻蚀去残留处理后，所述金属层上不存在钛氧化物层；
[0021]步骤3、将步骤2中形成的反应产物从所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板上去除。
[0022]所述步骤I中提供的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板上，所述平坦化层经过光刻制程形成过孔。
[0023]所述步骤2中，所述氧气与过孔内残留的有机光阻肩反应产生碳氧化物气体和水。
[0024]所述步骤2中，六氟化硫与钛氧化物反应产生硫氧化物气体和四氟化钛气体。
[0025]所述步骤3中，所述步骤2中形成的反应产物硫氧化物气体和四氟化钛气体使用气栗进行抽取。
[0026]所述步骤2中，通过控制制程气体中氧气和六氟化硫的气体比例、以及干法刻蚀去残留处理的反应时间，使过孔中残留的有机光阻肩被完全反应掉、及由氧化反应所形成的钛氧化物被完全反应掉。
[0027]所述步骤2中，制程气体中的氧气和六氟化硫的气体体积比范围为15:1-25:1，所述干法刻蚀去残留处理的反应时间为10s-15s。
[0028]所述步骤2中，制程气体中的氧气和六氟化硫的气体体积比为20:1，干法刻蚀去残留处理的反应时间范围为10s。
[0029]所述过孔用于使位于所述平坦层上的电极层通过过孔与金属层搭接。
[0030]所述电极层的材料为ITO。
[0031]本发明的有益效果:本发明提供的平坦化层去残留的方法，利用氧气和六氟化硫的混合气体作为制程气体对平坦化层进行干法刻蚀去残留处理，其中，氧气在等离子状态下与平坦化层过孔内残留的有机光阻肩反应使其消除，六氟化硫在等离子状态下与金属层上由氧化反应而产生的钛氧化物发生反应使其消除，从而使干法刻蚀去残留处理后，金属层上不存在钛氧化物层，与现有技术相比，制程气体中加入六氟化硫，不仅能够提升去残留制程的反应速率，并且还能够去除顶部钛层表面经氧化形成的钛氧化物，从而在清除了残留的有机光阻肩的同时，使后续形成的电极层与顶部钛层通过过孔搭接后不产生过高的阻抗，避免产生暗点等不良现象，提升液晶显示面板的品质。
【附图说明】
[0032]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0033]附图中，
[0034]图1为一低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；
[0035]图2为图1中低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板在经过现有的平坦化层去残留制程后过孔处的结构示意图；
[0036]图3为本发明的平坦化层去残留的方法的流程图；
[0037]图4为本发明的平坦化层去残留的方法的步骤I的示意图；
[0038]图5为本发明的平坦化层去残留的方法的步骤2的示意图；
[0039]图6为本发明的平坦化层去残留的方法的步骤3中所得到阵列基板上在平坦层的过孔处形成电极层的示意图。
【具体实施方式】
[0040]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0041]请参阅图3，本发明提供一种平坦化层去残留的方法，包括以下步骤:
[0042]步骤1、如图4所示，提供一待平坦化层去残留的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括:基板、形成于基板上的低温多晶硅薄膜晶体管、覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦化层30。