半导体装置以及半导体模块的制作方法
【技术领域】
本发明涉及一种半导体装置以及半导体模块，特别地，涉及具有高耐压半导体元件的半导体装置、和应用了该半导体装置的半导体模块。
【背景技术】
在以半导体晶圆或半导体芯片的状态对半导体装置(被测定物)评价电气特性时，首先，将半导体装置载置于半导体评价装置的卡盘台的表面。然后，通过真空吸附等，将半导体装置固定于卡盘台。然后，通过将接触探针与半导体装置的规定的表面电极接触，进行电气式的输入输出，从而对电气特性进行评价。
在对沿半导体装置的纵向(厚度方向)流过大电流的纵向型半导体装置的电气特性进行评价时，卡盘台的表面成为电极。另外，为了将上述的大电流或高电压施加于半导体装置，开展了接触探针的多针化。
在对电气特性进行评价时将大电流或高电压施加于半导体装置的要求日益提高，另一方面，为了削减制造成本，不断进行用于使各个半导体芯片小型化或者缩小化的开发，不断地增加每I片半导体晶圆的半导体芯片的数量。
为了避免形成功率半导体元件的元件形成区域(活性区域)变窄，并且实现半导体芯片的小型化，将包围元件形成区域的终端区域变窄是有效的。作为公开了将上述终端区域的占用面积缩小的半导体装置的专利文献的例子，存在专利文献I(日本特开2014 — 204038号公报)。
与半导体装置的小型化相伴，作为表面电极而形成的、例如栅极电极或发射极电极等也大多被缩小。特别地，关于栅极电极，有时与半导体装置的小型化无关地，以使元件形成区域(活性区域)扩大这一点为理由，使栅极电极的占用面积缩小。在将半导体装置作为半导体模块而进行组装时，导线与该栅极电极等连接。如果使栅极电极等的占用面积缩小，则在对该导线进行连接时会发生问题。说明该情况。
如上所述，在对半导体装置的电气特性进行评价时，接触探针与栅极电极等电极的表面接触。接触探针的前端部分形成为尖锐的针状。因此，通过接触探针的前端部与电极的表面接触，从而有时会使电极的表面受到损伤，导致电极的表面变粗糙，或者在电极的表面形成与接触探针的前端部相对应的凹凸。
如果与导线连接的电极的表面变粗糙、或者形成凹凸，则导线和电极的密接性下降。因此，即使是在对电气特性进行评价时判定为合格品的半导体装置，在作为半导体模块而被组装后，有时也会发生导线脱落等，产生不能进行通电等故障。
【发明内容】
本发明就是为了解决上述问题而提出的，其一个目的在于提供能够可靠地将导线与电极连接的半导体装置，另一个目的在于提供应用了上述半导体装置的半导体模块。
本发明所涉及的半导体装置具有半导体基板、元件形成区域、终端区域和第I主面侧电极。半导体基板具有彼此相对的第I主面及第2主面。元件形成区域规定于半导体基板的第I主面侧。终端区域规定于半导体基板的第I主面侧，以包围元件形成区域的方式而配置。第I主面侧电极形成于元件形成区域，包含第I电极，该第I电极配置有第I区域及第2区域。第I区域和第2区域由形成于第I电极的表面处的分隔部件进行了分隔。第I区域形成为具有长边和短边的矩形状。第2区域配置于第I区域的长边侧。
本发明所涉及的半导体模块是应用了上述半导体装置的半导体模块，在该半导体模块中，导线与第I电极的第2区域连接。
根据本发明所涉及的半导体装置，第I主面侧电极包含第I电极，该第I电极配置有接触探针所接触的第I区域以及与导线连接的第2区域，从而能够将导线可靠地与第I电极连接。
根据本发明所涉及的半导体模块，能够防止与第2区域连接的导线脱落等，作为半导体模块而不能进行通电等故障。
通过结合附图进行理解的、与本发明相关的以下的详细说明，使本发明的上述及其它目的、特征、方案以及优点变得明确。
【附图说明】
图1是表示本发明的实施方式所涉及的半导体装置的局部俯视图。
图2是在本实施方式中，表示图1所示的栅极电极及其周边的局部放大俯视图。
图3是在本实施方式中，表示图2所示的剖视线III 一 III处的局部放大剖视图。
图4是在本实施方式中，示意性地表示用于进行半导体装置的电气评价的半导体评价装置的结构的侧视图。
图5是在本实施方式中，示意性地表示探针基体的结构的侧视图。
图6是在本实施方式中，表示在半导体评价装置中接触探针与半导体装置接触的状态的侧视图。
图7是在本实施方式中，表示接触探针与半导体装置接触的状态的局部放大侧视图。
图8是在本实施方式中，表示对电气特性进行评价后的栅极电极及其周边的状态的局部放大俯视图。
图9是在本实施方式中，表示图8所示的剖视线IX — IX处的局部放大剖视图。
图10是在本实施方式中，表示对电气特性进行评价后的发射极电极及其周边的状态的局部俯视图。
图11是在本实施方式中，表示第I变形例所涉及的半导体装置的局部俯视图。
图12是在本实施方式中，表示第2变形例所涉及的半导体装置的局部俯视图。
图13是在本实施方式中，示意性地表示应用了半导体装置的半导体模块的概念的俯视图。
【具体实施方式】
(半导体装置)
首先，说明实施方式所涉及的半导体装置。关于半导体装置，特别地，以具有在电力变换装置等中使用的高耐压半导体元件的半导体装置作为对象。如图1所示，在半导体装置I中，在半导体基板3的表面(第I主面)侧的区域配置有元件形成区域5(活性区域)，该元件形成区域5(活性区域)形成有对电流进行控制的半导体元件。以包围该元件形成区域5的方式而配置有终端区域7。终端区域7是用于确保电气耐压的区域，例如采用保护环构造、RESURF构造或VLD(Variat1n of Lateral Doping)构造等。
在这里，作为在元件形成区域形成的高耐压半导体元件的一个例子，将IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作为例子举出。在元件形成区域5配置有栅极电极9和发射极电极U。栅极电极9以与终端区域7相邻的方式配置于终端区域7附近的区域。在IGBT的情况下，在半导体基板3的背面(第2主面)侧形成有集电极电极25(参照图3)。
如图2及图3所示，在栅极电极9配置有针抵接区域13和导线区域15。针抵接区域13和导线区域15由形成于栅极电极9的表面处的绝缘体17进行了分隔。针抵接区域13的表面和导线区域15的表面位于相同的高度。
如后所述，接触探针与针抵接区域13接触。另外，导线与导线区域15连接。在该导线区域15形成有识别标记19，该识别标记19成为在对导线进行连接时的记号。
针抵接区域13的平面形状为具有长边和短边的长方形(矩形)。在长方形的针抵接区域13的长边侧配置有导线区域15。导线区域15的面积设定得比针抵接区域13的面积大。这是为了在将半导体装置作为半导体模块而进行产品化时，使半导体装置(栅极电极)和导线的电连接长期地稳定。
另外，在接触探针与针抵接区域13接触时，接触探针的前端部在针抵接区域的表面滑动(滑行)。因此，长方形的针抵接区域13以长度方向沿接触探针的