一种红斑响应探测器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明专利涉及半导体光电子器件技术领域，具体是指用于太阳紫外线指数监测 的红斑响应探测器。
【背景技术】
[0002] 太阳紫外辐射是寻常辐射的主要来源，适量强度及谱段的辐射对人类是有利的， 地球的臭氧(03)层是抵制过量有害紫外辐射的天然屏障。然而地球大气层的臭氧量正在减 少，过量紫外线辐射特别是UV-B波段的辐射对人类构成极大的威胁，皮肤晒伤及皮肤癌的 发病率增加。研究表明：太阳的紫外辐射对农作物、森林、草原以及江河湖海中的植物都有 很大的影响，这些影响对于全球生态环境、人类生存可能会带来严重后果。因此对太阳紫外 辐射的监测十分重要，最常见的就是大气环境的紫外线指数的监测。
[0003] 紫外线指数（Ultraviolet Index,简写为UV Index或UVI)是由世界卫生组织 (WHO)根据紫外线对人类皮肤的损害所确定的标准，显示地球表面太阳紫外线辐射伤害人 类皮肤的程度。紫外线指数越高，表示紫外线强度越强，对皮肤造成的伤害越高。传统用于 紫外线指数监测的紅斑响应探测器使用滤波片来匹配红斑响应曲线会带来一系列问题，如 匹配的准确性难以控制，使用复杂滤光片体积增大、价格昂贵，一些干扰光谱段难以滤除， 响应灵敏度降低，导致测量的准确性降低。而采用高铝组分的AlGaN材料作为吸收层的红斑 响应探测器，由于生长高质量外延材料的困难，以及材料本身在UVB波段的吸收限制，导致 光谱响应与红斑曲线在UVB段匹配性不好，同时带来漏电流过高等问题。
【发明内容】
[0004] 针对上述现有技术中存在的缺陷和不足，本发明解决的技术问题是提供一种体积 小、量子效率高、无需外加滤波装置、高精度的能够监测太阳紫外线指数的红斑响应探测 器。
[0005] 本发明是通过以下技术方案来实现上述技术目的：
[0006] -种红斑响应探测器，包括衬底;在所述衬底上横向集成有第一探测单元和第二 探测单元;所述第一探测单元和第二探测单元自所述衬底向上分别依次包括下列外延层：
[0007] -缓冲层;所述缓冲层外延在所述衬底上；
[0008] - N型层;所述N型层制作在所述缓冲层上；
[0009] - I型吸收层;所述吸收层制作在所述N型层之上；
[0010] - P型层;所述P型层制作在所述I型吸收层上；
[0011] 在所述第一探测单元的P型层上还制作有一势皇层;在所述势皇层上还制作有一 短波滤波层。
[0012] 优选的，所述第一探测单元还包括上欧姆接触电极和下欧姆接触电极;所述上欧 姆接触电极制作在所述第探测单元的P型层上;所述下欧姆接触电极制作在所述第一探测 单元的N型层上。
[0013] 优选的，所述第二探测单元还包括上欧姆接触电极和下欧姆接触电极;所述上欧 姆接触电极制作在所述第二探测单元的P型层上;所述下欧姆接触电极制作在所述第二探 测单元的N型层上。
[0014] 优选的，所述上欧姆接触电极和上欧姆接触电极的尺寸与形状相同；所述下欧姆 接触电极和下欧姆接触电极的尺寸与形状相同。
[0015] 优选的，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、砷化镓的任一材料制成。
[0016] 优选的，所述缓冲层的厚度为100纳米~300纳米，所述N型层的厚度为1~2微米， 所述I型吸收层的厚度为300纳米~500纳米，所述P型层的厚度为100纳米，所述势皇层的厚 度为100纳米~200纳米，所述短波滤波层厚度为300纳米~500纳米。
[0017]优选的，所述缓冲层为低温外延的AlN材料制成；
[0018] 所述N型层为N型GaN材料制成;所述N型GaN材料的掺杂浓度大于I X IO18Cnf3;
[0019] 所述I型吸收层为弱N型GaN材料制成；所述弱N型GaN材料的掺杂浓度约为I X 1016cm-3;
[0020] 所述P型层为P型GaN材料制成;所述P型GaN材料的掺杂浓度大于I X IO17Cnf3;
[0021] 所述势皇层为P型AlxGa1-XN材料制成，其中0.35 < 1;所述P型AlxGapxN的掺杂浓 度大于 IX l〇17cm-3;
[0022] 所述短波滤波层为P型Alth33Gao. 67N材料制；所述P型Alth33Gao. 67N材料的掺杂浓度 大于 IX 1017cm-3。
[0023]优选的，所述第一探测单元和第二探测单元的感光面积相同。
[0024] 优选的，光线从所述第一探测单元和第二探测单元的前端入射。
[0025] 本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
[0026] 巧妙地采用双二极管集成芯片获得精确的红斑响应探测器，可以避免采用昂贵复 杂的滤波装置以及滤波装置对器件响应率的影响，避免采用高铝组分作为吸收层所面临的 材料生长困难和高暗电流问题。同时可以通过调节短波滤波层的厚度和组分调节第一探测 单元的短波响应边线型，间接获得精确匹配红斑响应曲线的探测器；
[0027]采用双探测单元集成芯片模式，优势表现在（I)能获得与世界卫生组织所确定的 红斑光谱曲线十分接近的光谱响应；（II)通过双探测器单元匹配，吸收层全部采用容易外 延的GaN材料，避免高铝组分作为吸收层所面临的材料生长困难和高暗电流问题。（III)短 波滤波层采用高铝组分材料，仅仅用于对短波紫外线的吸收，信号电流不通过该层材料，所 以对该层材料的晶体质量要求不高；（IV)不需要采用复杂的滤波片。
【附图说明】
[0028] 图1是本发明一种红斑响应探测器的整体结构示意图；
[0029] 图2是本发明一种红斑响应探测器中第一探测单元和第二探测单元的光谱响应曲 线图；
[0030] 图3是本发明一种红斑响应探测器的合成光谱响应同红斑曲线的比较曲线图。
【具体实施方式】
[0031] 为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的 实施例及附图配合详细的说明，说明如下：
[0032]如图1所示，在本具体实施例中，本发明一种红斑响应探测器外延结构包括一衬底 1。在衬底1上横向集成有第一探测单元100和第二探测单元200。
[0033]第一探测单元100和第二探测单元200自衬底1向上分别依次包括下列外延层： [0034] 一缓冲层2、一N型层3, 一I型吸收层4, 一P型层5。缓冲层2外延在衬底1上，N型层3 制作在缓冲层2上，I型吸收层4制作在N型层3之上，P型层5制作在I型吸收层4上。
[0035]其中第一探测单元100还包括一势皇层6和一短波滤波层7。势皇层6制作在P型层5 之上;短波滤波层7制作在势皇层6之上。
[0036] 第一探测单元100还包括上欧姆接触电极8和下欧姆接触电极9;上欧姆接触电极8 制作在第一探测单元100的P型层5上；下欧姆接触电极9制作在第一探测单元100的N型层3 上。
[0037] 第二探测单元(200)还包括上欧姆接触电极10和下欧姆接触电极11;上欧姆接触 电极10制作在第二探测单元（200)的P型层5上；下欧姆接触电极11制作在第二探测单元 (200)的N型层3上。
[0038] 上述的第一探测单元100和第二探测单元200上的电极均完全覆盖刻蚀区域且足 够厚，能够完全阻挡照射在刻蚀区域的紫外线。且上欧姆接触电极10和上欧姆接触电极8的 尺寸与形状相同，下欧姆接触电极11和上欧姆接触电极9的尺寸与形状相同