表面安装技术器件及相关方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求于2014年10月15日提交的、题为"SMT DEVICES"的美国临时申请第62/ 064435号的优先权，其公开在此通过引用被明确地整体并入本文。
技术领域
[0003] 本公开设及表面安装技术(SMT)器件。
【背景技术】
[0004] 在很多电子应用中，诸如射频(RF)电路之类的电子电路被实现为使得组件安装在 诸如封装基板或电路板之类的基板的表面上。此类组件通常被称为表面安装技术(SMT)器 件，或者被称为表面安装器件(SMD)。
【发明内容】
[0005] 根据一些教导，本公开设及包括电气元件和连接到该电气元件的多个端子的表面 安装技术(SMT)器件。该SMT器件还包括被配置为支撑该电气元件和多个端子的主体。该主 体含有具有长度、宽度W及比该宽度大的高度的长方体形状。该主体包括被配置为允许SMT 器件的表面安装的基准平面。
[0006] 在一些实施例中，主体可包括多个层。在一些实施例中，电气元件可包括电容元 件，使得SMT器件为电容器。电容元件可包括在各个层上形成的第一组导电板和第二组导电 板。第一组和第二组导电板可被布置成交错结构，并且该第一组导电板可电连接到第一端 子，第二组导电板可电连接至第二端子。
[0007] 在一些实施例中，第一组和第二组导电板可大致与基准平面平行。主体的高度大 于宽度可W允许实现W下的至少一个:导电板之间更厚的介电层、更多数量的导电板、更厚 的导电板。更厚的介电层可致使电容的击穿电压增加。更多数量的导电板可致使电容器的 电容增加。更厚的导电板可致使品质因数值如曽大。
[000引在一些实施例中，第一组和第二组导电板可大致与基准平面垂直。主体的高度大 于宽度可W允许实现具有更大面积的导电板。导电板的更大面积可致使电容器的电容增 加。导电板的更大面积可致使导电板的制造产量增加。
[0009] 在一些实施例中，多个端子可包括第一和第二L形端子，每个L形端子均具有在基 准平面上的导电垫，W及在电连接到该导电垫的端壁上的导电壁，从而形成L形。第一L形端 子的导电壁可电连接到第一组导电板，第二L形端子导电壁可电连接到第二组导电板。
[0010] 在一些实施例中，电气元件可包括电感元件，使得SMT器件为具有绕组的电感。电 感元件可包括形成在各层上的多个导电迹线，使得绕组的第一端电连接到第一端子、绕组 的第二端电连接到第二端子。
[0011] 在一些实施例中，导电迹线可大致与基准平面平行。主体的高度大于宽度可W允 许实现W下中的至少一个:导电迹线的增加的应数、导电迹线的增加的厚度、W及绕组与基 准平面之间增加的间隔。导电迹线的增加的应数可致使电感器更大的电感。导电迹线的增 加的厚度可致使更强的电流处理能力或更高的品质因数值Q或者兼而有之。绕组与基准平 面之间增加的间隔可致使更高的品质因数值Q。
[0012] 在一些实施例中，导电迹线可大致与基准平面垂直。主体的高度大于宽度可使得 导电迹线的应具有更大的直径。导电迹线的应的更大直径可致使更大的品质因数值Q。
[0013] 在一些实施例中，多个端子可包括第一和第二L形端子，每个L形端子均具有在基 准平面上的导电垫，W及在电连接到该导电垫的端壁上的导电壁，从而形成L形。第一L形端 子的导电壁可电连接到该绕组的第一端，第二L形端子导电壁可电连接到该绕组的第二端。 L形端子可致使绕组的寄生电容降低。
[0014] 在一些实施例中，电气元件可包括电阻元件，使得SMT器件为电阻。电阻元件可在 主体的一个表面来实现。电阻元件可在主体的安装侧上实现。主体的高度大于宽度可允许 在作为面板处理时电阻W更高的产率制造。
[001引在一些实施例中，电气元件可包括无源电路，使得SMT器件为无源组件。主体的高 度大于宽度可允许无源电路W距离基准平面的更远距离来放置。
[0016] 在一些实施例中，长度可具有大约250WI1的值。宽度可具有大约125皿的值。高度可 具有大于 125]im、130]im、1 SOum 或 200]im的值。
[0017] 在一些实施方式中，本公开设及电子模块，该电子模块包括被配置为容纳多个组 件的封装基板，W及被安装在封装基板上的半导体裸忍。该半导体裸忍包括集成电路。电子 模块还包括在封装基板上安装的一个或多个表面安装技术(SMT)器件。每个SMT器件包括电 气元件和连接到该电气元件的多个端子。SMT器件还包括被配置为支撑该电气元件和多个 端子的主体。该主体具有长度、宽度W及比该宽度大的高度的长方体形状。
[0018] 在一些实施例中，集成电路可被配置为提供射频(RF)功能。
[0019] 根据一些实施方式，本公开设及一种无线装置，其包括被配置为产生射频(RF)信 号的收发机、与该收发机进行通信并配置为处理RF信号的RF模块。该RF模块包括被配置为 容纳多个组件的封装基板W及在封装基板上安装的半导体裸忍。该半导体裸忍包括集成电 路。RF模块还包括在封装基板上安装的一个或多个表面安装技术(SMT)器件，每个SMT器件 包括电气元件和连接到该电气元件的多个端子。SMT器件还包括被配置为支撑该电气元件 和多个端子的主体。该主体为具有长度、宽度W及比该宽度大的高度的长方体形状。该无线 装置还包括与该RF模块通信的天线。该天线被配置为促进已处理RF信号的传送。
[0020] 为了概括本公开，已在本文中描述了本发明的某些方面、优点和新颖性特征。但是 应该理解，所有运些优点并不一定依据本发明的任何特定的实施例来实现。因此，可W实现 或实施本文所教导的一个优点或一组优点、而不必实践如本文所教导或建议的其它优点的 方式来体现或实现本发明。
【附图说明】
[0021 ]图1示出了在封装基板上安装的示例表面安装技术(SMT)器件的平面图。
[0022] 图2示出图1中示例的侧视图，其中减少尺寸的SMT器件的高度T与大型SMT器件的 高度TO保持大致相同。
[0023] 图3示出了具有减小的占位面积的SMT器件可具有增加的高度T的示例配置。
[0024] 图4示出了在一些实施例中，图3中SMT器件的增加的高度T可W允许实现更多的特 征层，其中该特征层可大致与水平面平行。
[0025] 图5示出了在一些实施例中，与SMT器件相关联的一个或多个电气元件可被定向为 与水平面大致垂直。
[00%]图6示出了在一些实施例中，SMT器件的增加的高度T可W在SMT器件内放置一个或 多个电气元件时提供更大的灵活性。
[0027]图7A-7C示出了作为SMT器件实现的电容器的各种视图，其中多个平行板被布置为 与水平面大致平行。
[00%]图8A-8E示出了作为SMT器件实现的电容器的各种视图，其中多个平行板被布置为 与水平面大致垂直。
[0029] 图9示出了作为SMT器件实现的电感器的一个示例，其中在其各自平面上形成的多 个导电特征可进行电连接从而形成绕组。
[0030] 图10示出了作为SMT器件实现的电阻器的一个示例。
[0031] 图11描述了可由射频(RF)模块实现的横向尺寸的减少，该射频(RF)模块具有包含 如本文所述的一个或多个特征的多个减少尺寸的SMT器件。
[0032] 图12示意性地描绘了具有本文所述的一个或多个有利特征的示例无线装置。
【具体实施方式】
[0033] 本文所提供的标题，如果有的话也仅是为了方便，并不必然影响所要求保护的发 明的范围或含义。
[0034] 由于诸如智能手机之类的无线装置在保持一定的器件尺寸的同时变得更为复杂 且功能更强，因此希望使得给定无线装置的组件变得更小。例如，期望在保持一定性能水平 的同时，使得诸如功率放大器(PA)模块、PA-双工器(PAD)模块、前端(FE)模块、开关模块、低 噪声放大器(LNA)模块、分集接收(DRx)模块之类的射频(RF)模块更小。在运种模块中，可有 促进与该模块相关的各种功能的多达70个表面安装技术(SMT)器件。因此，减小部分或全部 运种SMT器件的占位面积可减小模块的总面积。
[0035] 图1示出了在封装基板16上安装的示例SMT器件10的平面图。运种封装基板可被配 置为容纳多个组件，包括SMT器件10和具有RF集成电路的半导体裸忍HdSMT器件10被示出 为具有横向尺寸LO (长度)和WO (宽度）。
[0036] 在图1的示例中，减少尺寸的SMT器件12可替代SMT器件10。减少尺寸的SMT器件12 被示出为具有横向尺寸L(长度)和W(宽度）。因此，通过使用示例SMT器件12可实现占位面积 减少大约L0XW0-LXW。并且，运种占位面积减少的部分或全部可有助于在给定的封装基板 上实施多个SMT时所需的面积的整体减少。
[0037] 图2示出了图1中示例的侧视图，其中减少尺寸的SMT器件12的高度T可与SMT器件 10的高度TO保持大致相同。在运种减少配置中，可能会牺牲性能和/或增加成本。例如，被实 施为运种减少尺寸的SMT器件的电容器和电感器会遭受品质因数(Q)的降低。
[0038] 在图2的示例中，注意到半导体裸忍14或其它一些组件具有明显大于SMT器件10、 12的高度的高度T1。在一些实施例中，SMT器件可被配置为包括减少的占位W减小横向尺 寸，W及增加的高度W解决诸如那些与Q值相关的性能问题（例如，Q降低）。在一些实施例 中，不需要增加模块的总高度即可实现运种增加的高度。例如，该SMT器件的增加的高度可 W小于或等于在封装基板上实现的各种组件的最高高度。如果具有最高高度的运一组件是 示例半导体裸忍14,则SMT器件的增加的高度则可W小于或等于半导体裸忍14的高度(T1)。
[0039] 图3示出了一种示例性配置，其中具有减小的占位尺寸(例如，LXW)的SMT器件100 也具有增加的高度T。在图3中，SMT器件10和半导体裸忍14与图2的示例大致相同。在一