布线图案的制造方法和晶体管的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及布线图案的制造方法和晶体管的制造方法。
[0002]本申请要求基于2013年11月21日申请的日本专利申请2013-240613号的优先权，并将其内容援用于此。
【背景技术】
[0003]以往，已知有化学镀覆(无电解镀覆)，其是利用了基于材料表面的接触作用产生的还原的镀覆法。在无电解镀覆中不使用电能，因此对于树脂材料、玻璃等非导体也可以实施镀覆。
[0004]但是，树脂材料、玻璃等难镀覆材料与所形成的镀覆皮膜之间的密合力弱，镀覆层容易因镀覆皮膜的内部应力而产生剥落、膨胀等剥离。
[0005]因此，使用铬酸溶液等在基板的表面实施蚀刻处理，使表面发生化学粗化。由此，所形成的镀覆皮膜以嵌入经粗化的树脂材料的凹凸，因此能够得到密合力(锚定效果)。
[0006]除此之外，还公开有下述方法:在难镀覆基板的表面上设置S0G(Spin-onGlass，旋涂玻璃)、多孔SOG的基底膜，在该基底膜上进行无电解镀覆(参照专利文献I);在基板表面上设置由微粉末二氧化硅等填料成分与树脂组成成分构成的基底膜，在该基底膜上进行无电解镀覆(参照专利文献2)。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本特开2006-2201号公报
[0010]专利文献2:日本特开2008-208389号公报
【发明内容】
[0011]发明要解决的课题
[0012]对于这样的无电解镀覆的技术，通过在基底膜的表面形成光致抗蚀剂层(以下称为抗蚀剂层)，并将抗蚀剂层曝光、显影为规定图案，能够用作形成布线图案的技术。
[0013]但是，根据制造条件，抗蚀剂层的显影时，有时产生显影液溶解基底膜的现象。产生这样的现象时，在基底膜与抗蚀剂层的界面，抗蚀剂层在宽度方向上被去除的比曝光的规定图案多，从而所形成的布线图案也比对抗蚀剂层进行曝光的设计上的图案宽。
[0014]本发明方式的目的在于提供一种布线图案的制造方法，其可以以高尺寸精度形成所需的图案。此外，本发明方式的目的在于提供一种晶体管的制造方法，其可以使用无电解镀覆法，制造高性能的晶体管。
[0015]用于解决课题的手段
[0016]本发明的一个方式的布线图案的制造方法具有下述步骤:在基板上的至少一部分涂布含有第I形成材料的液体物，形成镀覆基底膜;在所述镀覆基底膜的表面的至少一部分涂布含有第2形成材料的液体物，形成所述镀覆基底膜的保护层;在所述保护层的表面形成由光致抗蚀剂材料构成的光致抗蚀剂层，并以所需图案光对所述光致抗蚀剂层进行曝光；使经曝光的所述光致抗蚀剂层接触显影液，去除所述光致抗蚀剂层与所述保护层直至所述镀覆基底膜与所述图案光对应地露出；使作为无电解镀覆用催化剂的金属在露出的所述镀覆基底膜的表面析出后，使无电解镀覆液接触所述镀覆基底膜的表面，进行无电解镀覆。
[0017]此外，本发明的一个方式的晶体管的制造方法具有下述步骤:使用上述的布线图案的制造方法，在基板上形成栅极、源极和漏极的至少一种。
[0018]发明效果
[0019]根据本发明的方式，能够提供一种布线图案的制造方法，其可以以高尺寸精度形成所需图案。此外，根据本发明的方式，能够提供一种晶体管的制造方法，其使用无电解镀覆法，制造高性能的晶体管。
【附图说明】
[0020]图1为以本实施方式的布线图案的制造方法制造的布线图案的示意截面图。
[0021]图2为示出布线图案的制造方法的工序图。
[0022]图3为示出布线图案的制造方法的工序图。
[0023]图4为对本实施方式的布线图案的制造方法的效果进行说明的说明图。
[0024]图5为以本实施方式的晶体管的制造方法制造的晶体管的示意截面图。
[0025]图6为示出晶体管的制造方法的工序图。
[0026]图7为示出晶体管的制造方法的工序图。
[0027]图8为示出晶体管的制造方法的工序图。
[0028]图9A为示出利用本实施方式的晶体管的制造方法制造的晶体管的变形例的示意截面图。
[0029 ]图9B为示出利用本实施方式的晶体管的制造方法制造的晶体管的变形例的示意截面图。
[0030]图10为示出实施例的结果的照片。
[0031]图11为示出实施例的结果的照片。
[0032]图12为示出实施例的结果的照片。
[0033]图13为示出实施例的结果的照片。
【具体实施方式】
[0034][布线图案的制造方法]
[0035]以下，参照图1?4对本实施方式的布线图案的制造方法进行说明。需要说明的是，为了容易观察附图，在以下所有的附图中，各构成要素的尺寸、比例等适当进行了变化。
[0036]图1为以本实施方式的布线图案的制造方法制造的布线图案的示意截面图。层积体I具有基板2、基底膜(镀覆基底膜)3、无电解镀覆用的催化剂5、布线图案6a和保护层9。
[0037]基板2支撑形成于表面的布线图案，根据所形成的布线的规格用途、包含布线的结构物的目的，可以使用具有透光性的基板和不具有透光性的基板的任一种。可以使用例如石英玻璃等玻璃、氮化硅等无机物、丙烯酸类树脂、聚碳酸酯树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PBT(聚对苯二甲酸丁二酯)等聚酯树脂等有机高分子(树脂)等。
[0038]这些基板2的材料不与无电解镀覆最终形成的金属制的镀覆皮膜形成金属键。因此，在本实施方式中，将这些基板2的材料视为难以直接形成镀覆皮膜且所形成的镀覆皮膜容易剥离的难镀覆性的材料。此外，例如上述材料的复合材料等也可以同样地用作基板2的形成材料。
[0039]对于本实施方式的层积体I中使用以PET树脂为形成材料的树脂基板作为基板2的方式进行说明。
[0040]所形成的基底膜3覆盖基板2的一个主面的整个面。此外，在基底膜3的表面的一部分选择性设置有催化剂(无电解镀覆用催化剂)5。
[0041]催化剂5为对无电解镀覆用的镀覆液中所含的金属离子进行还原的催化剂，可以举出银、金属钯等金属。其中，优选使用金属钯。
[0042]基底膜3为可以与作为上述催化剂5的金属形成键的膜，以具有可以与该金属键合的基团的硅烷偶联剂为形成材料。基底膜3是将含有这样的硅烷偶联剂的液态物涂布在基板2的一个主面上而形成的。基底膜3的形成材料相当于“第I形成材料”。
[0043]作为基底膜3的形成材料的“硅烷偶联剂”为硅原子上键合有可以与作为催化剂5的金属键合的基团和可以与基板2键合的基团的化合物。上述基板2的材料不与无电解镀覆最终形成的金属制的镀覆皮膜形成金属键，但通过形成这样的基底膜3，能够经由基底膜3，在基板2的表面形成金属制的镀覆覆膜。
[0044]此处，“可以与金属键合的基团”是指，可以与作为催化剂5的金属或该金属的离子形成例如离子键或配位键的基团。作为这样的基团，可以举出例如具有氮原子或硫原子的基团。作为具有氮原子的基团，可以示例氨基、脲基、含有氮原子的杂环化合物去除一个以上其上键合的氢原子而得到的基团等。此外，作为具有硫原子的基团，可以示例硫醇基(或巯基)、硫代羰基、硫脲基、含有硫原子的杂环化合物去除一个以上其上键合的氢原子而得到的基团等。作为含有氮原子或硫原子的杂环化合物，可以举出吡咯、咪唑、吡啶、嘧啶、噻吩那样的单环式的杂环芳香族化合物;吲哚、苯并噻吩那样的多环式的杂环芳香族化合物；这些芳香族化合物具有的芳香环上的2个以上的碳原子被氢化而不具有芳香属性的杂环化合物。
[0045]此外，作为“可以与基板2键合的基团”，可以举出羟基、碳原子数为I至6的烷氧基。
[0046]作为可以用作这样的基底膜3的形成材料的化合物，具体地可以示例N-环己基氨基丙基三甲氧基硅烷、双(3_(三甲氧基硅烷基)丙基)乙二胺、1-(3-(三甲氧基硅烷基丙基))脲、双(3-(三甲氧基硅烷基丙基))脲、2，2-二甲氧基-1，6-二氮杂-2-硅杂环辛烷4-(3-(三甲氧基硅烷基丙基))-4，5-二氢咪唑、双(3-(三甲氧基硅烷基)丙基)硫脲、3-三甲氧基硅烷基丙硫醇、经三甲氧基硅烷基丙基修饰的聚乙亚胺等。
[0047]其中，作为娃烧偶联剂，优选具有氣基的娃烧偶联剂，更优选具有以-NH2表不的基团的伯胺或具有以-NH-表示的基团的仲胺。在以下说明中，对于使用作为伯胺的硅烷偶联剂形成基底膜3的方式进行说明。
[0048]需要说明的是，图中为在基板2的整个上表面形成基底膜3的方式，但也可以仅在设置有催化剂5的位置选择性形成基底膜3。该情况下，使用通常已知的方法，在基板2的上表面选择性涂布作为基底膜3的形成材料的硅烷偶联剂，由此能够选择性形成基底膜3。此夕卜，也可以先在基板2的上表面上比形成基底膜3的区域宽的区域涂布硅烷偶联剂，接着，对在从形成基底膜3的区域探出的部分形成的膜照射紫外线，由此硅烷偶联剂发生分解而被去除，从而选择性形成基底膜3。
[0049]布线图案6a为形成于催化剂5的表面上的金属电极，如后