一种低成本发光二极管及其制作方法

文档序号:10472609阅读:441来源:国知局
一种低成本发光二极管及其制作方法
【专利摘要】一种低成本发光二极管及其制作方法,涉及发光二极管的生产技术领域。在生长处延层的P型欧姆接触层时,以InxGa(1?x)As或GaP为材料,掺杂Mg或C;采用电子束或磁控溅射的方式,将金属镍镀在P型欧姆接触外延层的表面,再在300~550℃的条件下进行退火,然后再在金属镍层表面采用Ti、Al、Cr或Ni中的任意一种再依次制作1~2层金属层。本发明不仅达到了上电极与P型欧姆接触层的良好欧姆接触,而且无须采用金属Au,利于大大降低材料成本,利于推广使用。
【专利说明】
一种低成本发光二极管及其制作方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及半导体元器件一一发光二极管的生产技术领域。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light Emitting D1de,简称LED)属半导体元器件之一,由于LED具有寿命长、功耗小、体积小、坚固耐用、多色显示、响应时间快、冷光发射、工作温度稳定性好、电压低和有利于环保,已经广泛应用于建筑物外观照明、景观照明、标识与指示性照明、室内空间展示照明、娱乐场所及舞台照明和视频屏幕,随着显示屏采用LED当背光源后,LED将打开了新的应用领域。
[0003]传统四元系AlGaInPLED中,上电极通常有五至七层金属层制成,其中与P型欧姆接触层连接的金属层采用金(Au),在其它的金属层中也还需要采用金(Au)或金铍(AuBe),因此,大大增加了 LED的制造成本,降低了 LED商业化进程和竞争力。

【发明内容】

[0004]鉴于上述传统LED的缺点,本发明提出一种用金属镍做欧姆接触的发光二极管。
[0005]本发明包括在基板一侧设置下电极,在基板另一侧依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、P型欧姆接触层和上电极,其特征在于:所述P型欧姆接触层是掺杂Mg或C的InxGa(Ii)As或GaP材料层;所述上电极为2?3层金属层,连接在P型欧姆接触层上的金属层为金属镍层。
[0006]采用该结构以后,用金属镍取代了传统结构中的AuBe,成本得到了显著的降低,而且达到了上电极与P型欧姆接触层的良好欧姆接触。
[0007]进一步地,本发明所述Mg或C在P型欧姆接触层中的掺杂浓度为lel9?le21。通过该设计,外延欧姆接触层的势皇比传统结构的势皇低了一个数量级,可以与镍金属形成欧姆接触。可以不需要Be原子的扩散,达到金属与半导体的欧姆接触。
[0008]本发明另一目的是提出以上产品的制作方法。
[0009]本发明方法包括在基板一侧依次生长形成DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层和P型欧姆接触层,在P型欧姆接触层上生长2?3层金,经刻蚀形成上电极,在基板另一侧生长形成下电极。特点是:在生长P型欧姆接触层时,以InxGa(Ii)As或GaP为材料,掺杂Mg或C;在制作上电极时,采用电子束或磁控溅射的方式,将金属镍镀在P型欧姆接触外延层的表面,再在300?550 0C的条件下进行退火,然后再在金属镍层表面采用T1、A1、Cr或Ni中的任意一种再依次制作I?2层金属层。
[0010]本工艺简单,与常规工艺条件相差无几,仅是在制作P型欧姆接触层时,在材料中使用Mg或C进行掺杂,并且,在制作上电极时,采用低价的金属镍,并采用特殊的退火温度,达到了上电极与P型欧姆接触层的完好的欧姆接触,而在其它上电极层的金属中采用T1、Al、Cr或Ni中的任意一种。因此,本发明不仅达到了上电极与P型欧姆接触层的良好欧姆接触,而且无须采用金属Au,利于大大降低材料成本,利于推广使用。
[0011]当然,还可根据客户对产品的外观需要,在上电极表面生产形成Au装饰层。以提高产品的感观性。
[0012]进一步地,本发明:所述Mg或C在P型欧姆接触层中的掺杂浓度为lel9?le21。在高浓度下,降低半导体的势皇,与金属更容易形成欧姆接触。
[0013]退火时,可以采用管式炉或者快速退火炉。
【附图说明】
[0014]图1为本发明产品的一种结构示意图。
[0015]图2为本发明广品的另一种结构不意图。
【具体实施方式】
[0016]实施例一:
1、生产工艺:
如图1所示,在材料为GaAs的生长基板108上通过有机金属气相外延法在基板108同一侧依序生长DBR层107(选用的材料为:GaAs/AlGaAs);N限制层106(选用的材料为:(AlxGa91-x))Q.5InQ.5P,其中,X为O至1,并以Si或Te进行掺杂,掺杂浓度为lel7?lel9);有源层105(选用的材料为:AlxGa(1-x)InP);P限制层104(选用的材料为:AlInP);电流扩展层103(选用的材料为:GaP或(AlxGau-x))Q.5InQ.5P);欧姆接触层202(选用的材料为:InxGa(1—x)As,其中以Mg或C进行掺杂,掺杂浓度为:lel9?le21),形成完整的发光二极管外延结构。
[0017]芯片工艺制作:选用215和511溶液清洗,涂覆光刻胶,光刻尺寸为60至100微米,曝光5?15s,120°C烘烤30min,显影Imin后吹干。利用电子束蒸发的方式在欧姆接触层202表面蒸镀电极层。
[0018]电极层中的欧姆接触金属选用Ni,采用电子束或磁控溅射的方式,将金属镍镀在P型欧姆接触外延层的表面,再在300?550°C的条件下进行退火,然后再在金属镍层表面依次制作Ti层和Al层。用蓝膜粘掉金属层,再浸入去胶液,去除多余的光刻胶,上电极201制作完成。
[0019]焊线电极选用金属Au或Al,阻挡层选用金属Ti。
[0020]经研磨,将GaAs的生长基板108减薄至160?190微米内,选用215溶液清洗后,利用热蒸发的方式,在GaAs的生长基板108表面蒸镀下电极109,金属选用AuGe,厚度500至2000埃。
[0021]以上的201电极制作工艺是利用光刻胶剥离的方式。
[0022]2、产品结构:
如图1所示,在基板108—侧设置下电极109,在基板108另一侧依次设置DBR层107、N限制层106、有源层105、P限制层104、电流扩展层103、P型欧姆接触层202和上电极201。在上电极201中,金属镍层201-1连接在P型欧姆接触层202上,在金属镍层201上依次设有Ti层201-2 和 Al层 201-3。
[0023]实施例二:
如图2所示,在材料为GaAs的生长基板108上通过有机金属气相外延法在基板108同一侧依序生长DBR层107(选用的材料为:GaAs/AlGaAs);N限制层106(选用的材料为:(AlxGa91-x))Q.5InQ.5P,其中,X为O至1,并以Si或Te进行掺杂,掺杂浓度为lel7?lel9);有源层105(选用的材料为:AlxGa(1-x)InP);P限制层104(选用的材料为:AlInP);电流扩展层103(选用的材料为:GaP或(AlxGau-x))Q.5InQ.5P);欧姆接触层202(选用的材料为:GaP,其中以Mg或C进行掺杂,掺杂浓度为:lel9?le21),形成完整的发光二极管外延结构。
[0024]芯片工艺制作:选用215和511溶液清洗,涂覆光刻胶,光刻尺寸为60至100微米,曝光5?15s,120°C烘烤30min,显影Imin后吹干。利用电子束蒸发的方式在欧姆接触层202表面蒸镀电极层。
[0025]电极层中的欧姆接触金属选用Ni,采用电子束或磁控溅射的方式,将金属镍镀在P型欧姆接触外延层的表面,再在400?500°C的条件下进行退火,然后再在金属镍层表面依次制作Al层和Cr层(或Ni层)。用蓝膜粘掉金属层,再浸入去胶液,去除多余的光刻胶,上电极201制作完成。还可在上电极201外蒸镀Au装饰层。
[0026]焊线电极选用金属Au或Al,阻挡层选用金属Ti。
[0027]经研磨,将GaAs的生长基板108减薄至160?190微米内,选用215溶液清洗后,利用热蒸发的方式,在GaAs的生长基板108表面蒸镀下电极109,金属选用AuGe,厚度500至2000埃。
[0028]以上的201电极制作工艺是利用湿法蚀刻的方式。
[0029]2、产品结构:
如图1所示,在基板108—侧设置下电极109,在基板108另一侧依次设置DBR层107、N限制层106、有源层105、P限制层104、电流扩展层103、P型欧姆接触层202和上电极201。在上电极201中,金属镍层201-1连接在P型欧姆接触层202上,在金属镍层201上依次设有Al层201-2和Cr层(或Ni层)201-3,以及Au装饰层201-4。
【主权项】
1.一种低成本发光二极管,包括在基板一侧设置下电极,在基板另一侧依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、P型欧姆接触层和上电极,其特征在于:所述P型欧姆接触层是掺杂Mg或C的InxGa(H)As或GaP材料层;所述上电极为2?3层金属层,连接在P型欧姆接触层上的金属层为金属镍层。2.根据权利要求1所述低成本发光二极管,其特征在于:所述Mg或C在P型欧姆接触层中的掺杂浓度为lel9?le21。3.如权利要求1所述低成本发光二极管的制作方法,包括在基板一侧依次生长形成DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层和P型欧姆接触层,在P型欧姆接触层上生长2?3层金,经刻蚀形成上电极,在基板另一侧生长形成下电极;其特征在于:在生长P型欧姆接触层时,以InxGa(1—x)As或GaP为材料,掺杂Mg或C;采用电子束或磁控溅射的方式,将金属镍镀在P型欧姆接触外延层的表面,再在300?550 V的条件下进行退火,然后再在金属镍层表面采用T1、Al、Cr或Ni中的任意一种再依次制作I?2层金属层。4.根据权利要求3所述低成本发光二极管的制作方法,其特征在于:所述Mg或C在P型欧姆接触层中的掺杂浓度为I e 19?I e21。5.根据权利要求3或4所述低成本发光二极管的制作方法,其特征在于:所述退火时采用管式炉或者快速退火炉。6.根据权利要求3所述低成本发光二极管的制作方法,其特征在于:在上电极表面生产形成Au装饰层。
【文档编号】H01L33/36GK105826437SQ201610350423
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年5月25日
【发明人】杨凯, 徐洲, 何胜, 李波, 李俊承, 李洪雨, 赵宇, 张双翔, 张永
【申请人】扬州乾照光电有限公司
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