光电子器件设备，用于制造光电子器件设备的方法和用于运行光电子器件设备的方法

光电子器件设备，用于制造光电子器件设备的方法和用于运行光电子器件设备的方法
【专利摘要】在不同的实施例中提供一种光电子器件设备(100)，所述光电子器件设备(100)具有：第一光学有源结构(106)，所述光学有源结构构建用于提供电磁辐射；测量结构，所述测量结构构建用于确定电磁辐射的光密度分布；其中测量结构构建用于确定在第一光学有源结构(106)中的光密度分布，并且其中测量结构(116)具有多个第二光学有源结构(116i)，其中多个第二光学有源结构(116i)构建为接收所提供的电磁辐射的光电器件(116i)和/或光电子器件(116i)。
【专利说明】
光电子器件设备，用于制造光电子器件设备的方法和用于运 行光电子器件设备的方法
技术领域
[0001] 在不同的实施方式中提供一种光电子器件设备，一种用于制造光电子器件设备的 方法和一种用于运行光电子器件设备的方法。
【背景技术】
[0002] 基于有机的光电子器件、例如有机发光二极管(0巧anic Ii曲t emitting diode-OLED)越来越多地广泛应用在常规照明中。
[0003 ] OL抓具有阳极和阴极连同设置在阳极和阴极之间的有机功能层结构。有机功能层 结构能够具有产生电磁福射的一个或多个发射体层，分别由用于载流子对生成的两个或更 多个载流子对生成层（"charge generating laye;r"-CGL)构成的一个或多个载流子对生成 层结构，一个或多个空穴注入层，一个或多个电子注入层W及一个或多个电子阻挡层、也称 作空穴传输层（"hole transport layer"，HTL)和一个或多个空穴阻挡层、也称作电子传输 层（"electron transport layerW-El'D，W 便将电流定向。
[0004] OLED的光密度还通过能够流过二极管的最大电流密度限制。为了提高OL抓的光密 度，已知一个或多个OL邸彼此间串联的组合一一所谓的堆叠的/层堆的OL邸或串联式0LED。
[0005] 化抓能够借助于有害的环境影响和/或有机组成部分的扩散而老化。由此能够改 变OL抓在运行过程中的光电子特性。在OL抓的老化期间例如能够在OL抓上进行逐步的光密 度降低和压降的增加。换言之:常规的OL邸的效率在常规运行期间变小，运在图IOa和图IOb 中示出。
[0006] 在图IOa中示出测量出的压降1002和测量出的、归一化的光密度1006作为常规的 化抓的归一化的运行时长1004的函数。光密度1006W未被利用的化抓的光密度来归一化， 即在0%运行时长的情况归一化。运行时长1004W光密度1006下降至原始光密度(0%运行 时长）的70%的时间来归一化。此外，OLED的寿命能够通过改变在化抓上的压降、改变发光 面的均匀度或一致性和/或移动色度坐标来限制。
[0007] 在图IOb中示出常规的OL抓的发光场1010、1020、1030。常规的化抓的（在图IOa和 1化中示出的）初始均匀的发光图像在逐渐老化期间由于在运行中的略微的电流和溫度不 均匀度而仅是略微不均匀的。
[000引然而，在制造化抓时能够将颗粒1008封入OL抓的层中。由于所述颗粒封入1008能 够实现化抓在运行中的表现为短路(shod)的失效。经由封入的颗粒1008几乎所有的电流 都能够流出，运在图IOb中在1020中W深色的斑点1008示出。OL邸能够由此局部地围绕短路 部强烈地变热，由此能够造成组件的折断（破裂）、烙化和/或进一步退化。由此能够造成 化抓的突然的失效，由此运行电压降至零，运在图IOa和b中在1030中示出。如在图Ila中在 1020中示出，在压降1002和光密度1006中不能识别出对产生的短路的明确指示。相反，在发 光图像中清楚地围绕颗粒1008构成深色的斑点，所述斑点能够进一步扩大并且最后能够造 成OLED的突然的失效1030。
[0009] 至今为止没有提供对于克服颗粒封入的充分的措施，所述措施能够通过自主失效 来限制常规的OL抓的寿命。然而在OL抓的预测试，例如用于颗粒寻找(Partikel screening 颗粒筛选)的直接或间接的方法，例如光学显微镜检查或热学测量之后，能够继续存在关于 颗粒封入的残余不确定性。
[0010] 此外，在常规的方法中用简单的驱动器电路运行化抓，所述驱动器电路实现特定 的亮度的设定。所述电路提供用于运行OLED所需的电功率而不用考虑改变OLED的光电子特 性。在常规的方法中，测量化邸的光密度或溫度并且为了反馈将其传送到驱动器电路上，W 便补偿逐渐的灯老化。在另一常规的方法中，借助于外部的光电检测器测量光密度的逐渐 的降低。

【发明内容】

[0011] 在不同的实施方式中提供一种光电子器件设备、一种用于制造光电子器件设备的 方法和一种用于运行光电子器件设备的方法，借助于其可行的是，将光电子器件在颗粒引 起的光电子器件失效之前关断和/或将颗粒引起的短路的位置定位并且消除所述短路。
[0012] 在本说明书的范围中，能够不考虑相应的聚集态将有机材料理解成W化学一致的 形式存在的、特征在于特征性的物理和化学特性的碳化合物。此外，在本说明书的范围中， 能够不考虑相应的聚集态将无机材料理解成W化学一致的形式存在的、特征在于特征性的 物理和化学特性的不具有碳的化合物或单碳化合物。在本说明书的范围中，能够不考虑相 应的聚集态将有机-无机材料(杂化材料)理解成W化学一致的形式存在的、特征在于特征 性的物理和化学特性的具有包含碳的化合物部分和不具有碳的化合物部分的化合物。在本 说明书的范围中，术语"材料"包括全部上述材料，例如有机材料、无机材料和/或杂化材料。 此外，在本说明书的范围中，能够如下理解材料混合物:组成部分由两种或更多种不同材料 构成，其组成部分例如非常精细地分布。将由一种或多种有机材料、一种或多种无机材料或 一种或多种杂化材料组成的材料混合物或材料理解成材料类。术语"物质"能够与术语"材 料"同义地应用。
[OOU]在不同的实施例中，术语"半透邸'或"半透明居'或"半透明材料"能够理解为:层 对于光是可穿透的，例如对于由发光器件所产生的例如一个或多个波长范围的光是可穿透 的，例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的（例如至少在38化m至780nm的波长范围 的子范围中）。例如，在不同的实施例中，术语"半透明层"理解为:全部的禪合输入到结构 (例如层）中的光量基本上也从该结构(例如层）中禪合输出，其中光的一部分在此能够被散 射。例如能够借助于载体中的散射中屯、引起光散射，所述散射中屯、例如是空气封入物、具有 大于IOOnm的直径d50和至少比载体折射率大或小0.05的折射率的颗粒。
[0014] 在不同的实施例中，术语"透明"或"透明层"或"透明材料"能够理解为:层对于光 是可穿透的（例如至少在38化m至78化m的波长范围的子范围中），其中禪合输入到结构（例 如层）中的光基本上在没有散射或光转换地也从该结构(例如层）中禪合输出。因此，"透明" 在不同的实施例中能够视作为"半透明"的特殊情况。
[0015] 在本文的范围中，光电子器件能够理解为电子器件的一个实施方案，其中光电子 器件具有光学有源区域。光学有源区域能够吸收电磁福射并且由此构成光电流或者借助于 施加到光学有源区域上的电压发射福射。
[0016] 具有两个面状的光学有源侧的面状的光电子器件能够在光学有源侧的连接方向 上例如透明地或半透明地构成，例如构成为透明的或半透明的有机发光二极管。
[0017] 然而，光学有源区域也能够具有面状的光学有源侧和面状的光学无源侧，例如构 建顶部发射体或底部发射体的有机发光二极管。光学无源侧对此还能够设有镜结构和/或 不透明材料或材料混合物，由此能够将光电子器件的光路定向。
[0018] 在不同的设计方案中，发射电磁福射的器件能够是发射电磁福射的半导体器件 和/或构成为发射电磁福射的二极管，构成为发射电磁福射的有机二极管，构成为发射电磁 福射的晶体管或构成为发射电磁福射的有机晶体管。福射例如能够是(在可见的范围中的） 光，UV福射和/或红外福射。在此，发射电磁福射的器件例如能够构成为发光二极管（light emitting diode,L抓），构成为有机发光二极管(organic light emitting diode，0LED)， 构成为发光晶体管或构成为有机发光晶体管。在不同的设计方案中，发光器件能够是集成 电路的一部分。此外，能够设有例如安装在共同的壳体中的多个发光器件。
[0019] 在本文的范围中，在不同的设计方案中，有机光电子器件能够构成为有机发光二 极管（0巧anic Ii曲t emitting diode-化抓），有机光伏设备，例如有机太阳能电池，有机 光学传感器，有机场效应晶体管（organic field effect transistor 0阳T)和/或有机光 电二极管。有机场效应晶体管能够是全0FET，其中所有层是有机的。有机光电子器件能够具 有有机功能层结构。有机功能层结构能够具有有机材料或有机材料混合物或由其形成，所 述有机材料/有机材料混合物例如构建用于从所提供的电流中提供电磁福射或者用于从所 提供的电磁福射中提供电流。
[0020] 在不同的设计方案中，接收电磁福射并且由其产生光电流的光电子器件称作光电 检测器。在不同的设计方案中，光电检测器例如能够构建布线的光电二极管、上覆的光电二 极管（surface mounted device-SMD)或板上忍片光电二极管(Die,裸片）。此外，光电检测 器能够构成为在作用为光电二极管时不通电的发光二极管，例如有机发光二极管。此外，光 电检测器能够构成为光电导体，其电导率或其电阻随着所接收的电磁福射的光通量改变。 光电导体能够是光电器件并且在本文的范围中能够理解为光电子器件的特殊情况。
[0021] 在本文的范围中，能够接收电磁福射的半导体忍片理解为光电二极管忍片。
[0022] 在不同的设计方案中，光电子器件例如能够具有接收电磁福射的半导体忍片(布 线的光电二极管，SMD光电二极管）或构建接收电磁福射的半导体忍片，例如构建板上忍片 光电二极管。
[0023] 在不同的设计方案中，在半导体忍片上或上方能够施加和/或构成有封装部 (Package)。封装部例如能够构成为封装件、光学透镜、镜结构和/或构成为转换元件。
[0024] 在不同的设计方案中，镜结构能够具有光栅、金属镜或镜、光子晶体和/或全反射 边界面或构成为上述结构。
[0025] 在不同的设计方案中，布线的发光二极管能够是能够提供电磁福射的半导体忍 片，例如作为L邸忍片或OLm)忍片。半导体忍片例如能够用塑料盖封装。塑料盖能够对Lm)忍 片或OL邸忍片在制造期间和在运行中进行保护免受外部的、有害的影响，例如氧气和/或水 的影响。
[0026] 在不同的设计方案中，上覆的发光二极管（SMD)能够是在壳体中的L抓忍片。壳体 能够与衬底实体地连接。
[0027] 在不同的设计方案中，板上忍片光电二极管能够具有光电二极管忍片，所述光电 二极管忍片固定在衬底上，其中光电二极管忍片既不能够具有壳体也不能够具有接触焊 盘。各个光电二极管忍片例如能够施加或构成在衬底上，例如印刷电路板上。光电二极管忍 片能够借助于接触焊盘与印刷电路板进行布线(wire bonding,引线键合）。例如能够借助 于金线进行布线。
[0028] 在不同的实施方式中，提供光电子器件设备，所述光电器件设备具有:第一光学有 源结构，所述第一光学有源结构构建用于提供电磁福射;测量结构，所述测量结构构建用于 确定电磁福射的光密度分布;其中测量结构构建用于确定在第一光学有源结构中的光密度 分布，并且其中测量结构具有多个第二光学有源结构，其中多个第二光学有源结构构建为 接收所提供的电磁福射的光电器件和/或光电子器件。
[0029] 在一个设计方案中，第一光学有源结构能够构成为一个第一光电子器件或构成为 多个第一光电子器件或具有一个第一光电子器件或多个第一光电子器件。
[0030] 在一个设计方案中，第一光电子器件能够构成为有机光电子器件。
[0031] 在一个设计方案中，第一光电子器件能够构成为面照明元件。
[0032] 在一个设计方案中，光电子器件设备还能够具有波导体，所述波导体构建用于引 导所提供的电磁福射，即例如是波导体。波导体例如能够由下述材料形成，所述材料使得波 导体对于所提供的电磁福射是半透明的或透明的，并且使得波导体具有用于引导电磁福射 的、进行反射的边界面。
[0033] 在一个设计方案中，第一光学有源结构能够与波导体光学禪合，使得所提供的电 磁福射至少部分地提供到波导体中。
[0034] 在一个设计方案中，测量结构与波导体光学禪合，使得将所提供的电磁福射由测 量结构至少部分地从波导体中接收。
[0035] 在一个设计方案中，测量结构构成为，使得测量结构具有第一运行模式和第二运 行模式，其中测量结构在第一运行模式中提供从施加到测量结构上的电压或电流中提供另 外的电磁福射;并且在第二运行模式中从由第一光学有源结构提供的并且由第二光学有源 结构接收的电磁福射中产生电流或电压。由此在不同的设计方案中在第一光电子器件运行 中在两个运行模式之间切换，使得第二光电子器件在第一运行模式中有助于光电子器件设 备的发光面并且在第二运行模式中能够测量至少一个第一光电子器件的光密度。
[0036] 在一个设计方案中，第一光学有源结构和测量结构能够分别具有至少一个光学有 源侧。
[0037] 在一个设计方案中，测量结构能够具有相同的或不同的第二光学有源结构。
[0038] 在一个设计方案中，第二光学有源结构具有光电导体、发光二极管，例如有机发光 二极管、光电二极管，例如有机光电二极管或太阳能电池，例如有机太阳能电池或构成为上 述。
[0039] 在一个设计方案中，光电导体能够构建为第二光电子器件或用于电连接第一光电 子器件的光电子器件，即构建第一光电子器件的电流路径。
[0040] 在一个设计方案中，至少一个第二光学有源结构具有与第一光学有源结构基本上 相同的层横截面。
[0041] 在一个设计方案中，测量结构能够至少部分地在电磁福射的光路中具有镜结构， 使得电磁福射转向，所述电磁福射直接射入测量结构中。
[0042] 在一个设计方案中，测量结构除了与波导体的光学连接之外是光学绝缘的，例如 由镜结构包围。
[0043] 在一个设计方案中，波导体能够透明地或半透明地构成。
[0044] 在一个设计方案中，光电子器件设备还能够具有在波导体和第一光学有源结构之 间的和/或在波导体和测量结构之间的光学禪合结构。禪合结构例如能够具有处于借助于 禪合结构光学连接的层的折射率之间的折射率，或具有大约与借助于禪合结构光学连接的 层的折射率相同的折射率，所述禪合结构例如作为根据不同的设计方案的粘结剂。在一个 设计方案中，第一光学有源结构和测量结构能够构成在共同的衬底上，其中光学禪合结构 例如能够构成为粘结剂层、阻挡薄层、散射层或其他的在波导体和第一光学有源结构和/或 测量结构之间的层。
[0045] 在一个设计方案中，光电子器件设备还能够具有载体，其中第一光学有源结构和 测量结构构成在载体上。
[0046] 在一个设计方案中，载体能够透明地或半透明地构成。
[0047] 在一个设计方案中，载体能够构建波导体。
[0048] 在一个设计方案中，测量结构能够至少部分地，例如横向地、同屯、地和/或W不对 称的配置的方式包围第一光学有源结构，例如在第一光电子器件的光学有源侧中构成。在 一个设计方案中，多个第二光电子器件例如能够至少部分地由第一光电子器件的发光面面 状地包围。
[0049] 在一个设计方案中，至少一个第一光电子器件能够具有至少一个光学无源区域， 其中测量结构至少部分地在光学无源区域中构成，例如在至少一个第一光电子器件的几何 边缘区域中构成。
[0050] 在一个设计方案中，第二测量结构能够具有比第一光学有源结构的几何对称数更 多数量的第二光学有源结构。
[0051] 在一个设计方案中，多个第二光学有源结构的配置能够具有与第一光学有源结构 的几何对称数不同的几何对称数，例如更大的几何对称数。
[0052] 在一个设计方案中，光电子器件设备还能够具有驱动器电路，其中驱动器电路与 第一电有源区域和第二电有源区域电连接。
[0053] 在一个设计方案中，驱动器电路构建用于控制第一光学有源结构和测量结构，例 如用于在多个第二光电子器件的运行模式之间切换和/或用于为至少一个第一光电子器件 通电。
[0054] 在一个设计方案中，驱动器电路能够构建，使得能单独地和/或成组地控制光学有 源结构。
[0055] 在一个设计方案中，驱动器电路能够与能读取和/或能写入的存储器电连接。
[0056] 在一个设计方案中，驱动器电路能够构建用于为第一光学有源结构通电。
[0057] 在一个设计方案中，第一光学有源结构能够与测量结构电绝缘。
[0058] 在一个设计方案中，驱动器电路能够构成为，使得第一光学有源区域的运行参数 借助于测量结构的至少一个测量参数设定。
[0059] 在不同的实施方式中，提供一种用于制造光电子器件设备的方法，所述方法具有： 构成用于提供电磁福射的第一光学有源结构;构成用于确定电磁福射的光密度分布的测量 结构，其中测量结构构成为，使得确定在第一光学有源结构中的光密度分布，并且其中测量 结构构成为具有多个第二光学有源结构，其中多个第二光学有源结构构成为接收所提供的 电磁福射的光电器件和/或光电子器件。
[0060] 在方法的一个设计方案中，第一光学有源结构能够构成为一个第一光电子器件或 构成为多个第一光电子器件或具有一个第一光电子器件或多个第一光电子器件。
[0061] 在方法的一个设计方案中，第一光电子器件能够构成为有机光电子器件。
[0062] 在方法的一个设计方案中，第一光电子器件能够构成为面照明元件。
[0063] 在方法的一个设计方案中，方法还能够包括提供波导体，所述波导体构建用于引 导所提供的电磁福射。波导体例如能够是用于第一光学有源结构和测量结构的共同的衬 底，其中衬底构建为波导体。
[0064] 在方法的一个设计方案中，第一光学有源结构能够与波导体光学禪合，使得所提 供的电磁福射至少部分地提供到波导体中。
[0065] 在方法的一个设计方案中，测量结构与波导体光学禪合，使得将所提供的电磁福 射由测量结构至少部分地从波导体中接收。
[0066] 在方法的一个设计方案中，测量结构构成为，使得测量结构具有第一运行模式和 第二运行模式，其中测量结构在第一运行模式中从施加到测量结构上的电压或电流中提供 另外的电磁福射;并且在第二运行模式中从由第一光学有源结构提供的并且由第二光学有 源结构接收的电磁福射中产生电流或电压。
[0067] 在方法的一个设计方案中，第一光学有源结构和测量结构构成为，使得其分别具 有至少一个光学有源侧。
[0068] 在方法的一个设计方案中，测量结构的构成能够具有相同的或不同的第二光学有 源结构的构成。
[0069] 在方法的一个设计方案中，至少一个第二光学有源结构能够构成为光电导体、发 光二极管，例如有机发光二极管，光电二极管，例如有机光电二极管或太阳能电池，例如有 机太阳能电池。
[0070] 在方法的一个设计方案中，至少一个第二光学有源结构能够构成为具有与第一光 学有源结构基本上相同的层横截面。
[0071] 在方法的一个设计方案中，测量结构的构成能够具有将镜结构构成在电磁福射的 光路中，使得电磁福射转向，所述电磁福射直接射入到测量结构上。
[0072] 在方法的一个设计方案中，测量结构能够构成为，使得测量结构除了到波导体的 光学连接之外是光学绝缘的，例如由镜结构包围。
[0073] 在方法的一个设计方案中，波导体能够透明地或半透明地构成。
[0074] 在方法的一个设计方案中，方法还能够包括在波导体和第一光学有源区域之间 和/或在波导体和测量结构之间构成光学禪合结构。光学禪合结构例如能够具有透明的或 半透明的材料或由其形成。禪合结构能够具有处于光电子器件的折射率和波导体的折射率 之间的折射率。禪合结构例如能够作为粘结剂具有浸没液体或浸没凝胶。
[0075] 在方法的一个设计方案中，方法还能够包括提供载体，其中第一光学有源结构和 测量结构构成在载体上。
[0076] 在方法的一个设计方案中，载体能够透明地或半透明地构成。
[0077] 在方法的一个设计方案中，载体能够构建波导体。
[0078] 在方法的一个设计方案中，测量结构能够构成为，使得测量结构至少部分地，例如 横向地、同屯、地和/或W不对称的配置的方式包围第一光学有源结构。
[0079] 在方法的一个设计方案中，至少一个第一光电子器件的构成能够具有至少一个光 学无源区域的构成，其中测量结构至少部分地在光学无源区域中构成。
[0080] 在方法的一个设计方案中，测量结构能够构成为，使得测量结构具有比第一光学 有源结构的几何对称数更多数量的第二光学有源结构。
[0081] 在方法的一个设计方案中，测量结构能够构成为，使得多个第二光学有源结构的 配置具有不同于第一光学有源结构的几何对称数的几何对称数，例如更大的几何对称数。
[0082] 在方法的一个设计方案中，方法还能够包括第一光学有源结构和测量结构与驱动 器电路的连接。
[0083] 在方法的一个设计方案中，驱动器电路能够构建用于控制第一光学有源结构和测 量结构。
[0084] 在方法的一个设计方案中，驱动器电路能够构建为，使得能单独地和/或成组地控 制多个第二光学有源结构。
[0085] 在方法的一个设计方案中，驱动器电路能够与能读取和/或能写入的存储器电连 接。
[0086] 在方法的一个设计方案中，驱动器电路能够构建用于为第一光学有源结构通电。
[0087] 在方法的一个设计方案中，第一光学有源结构能够构成为与测量结构电绝缘。
[0088] 在方法的一个设计方案中，驱动器电路能够构成为，使得借助于测量结构的至少 一个测量参数设定第一光学有源结构的运行参数。
[0089] 在不同的实施方式中，提供用于运行上文所描述的光电子器件设备的方法，所述 方法包括:在第一光学有源结构为光学无源的期间，测量测量结构的测量参数;在第一光学 有源结构为光学有源的期间，测量测量结构的测量参数;确定测量结构的多个第二光学有 源结构在光学有源的第一光学有源结构中的测量参数与在光学无源的第一光学有源结构 中的测量参数的相应的差;根据多个第二光学有源结构相互间的测量参数的差设定光学有 源结构的至少一个运行参数。
[0090] 在测量多个第二光电子器件的信号期间，运行所述第二光电子器件W接收至少一 个第一光电子器件的电磁福射。
[0091] 在方法的一个设计方案中，当多个第二光电子器件在信号差中具有大于第一触发 数值的差时，至少一个运行参数的设定能够将该至少一个运行参数从第一运行参数组改变 到第二运行参数组。
[0092] 在方法的一个设计方案中，当多个第二光电子器件平均具有小于第二触发数值的 信号差时，至少一个运行参数的设定能够包括将该至少一个运行参数从第一运行参数组改 变到第=运行参数组。
[0093] 在方法的一个设计方案中，运行参数组能够具有第一光学有源结构的运行电流、 运行电压和/或光密度。
[0094] 在方法的一个设计方案中，第二运行参数组能够将第一光学有源结构过调，使得 提高运行电流、运行电压和/或光密度。
[00%]在方法的一个设计方案中，过调能够具有一个或多个电流和/或电压脉冲。
[0096] 在方法的一个设计方案中，第=运行参数组能够光学无源地接通至少一个光电子 器件。
[0097] 在方法的一个设计方案中，测量参数的测量能够构建为测量结构的测量参数的连 续的测量、不连续的测量和/或构建为直通(durchschaltend)的测量(复用Multiplexer!)。
[0098] 在连续的测量中，测量结构能够无时间间断地测量测量参数。在不连续的测量中， 能够周期性地或根据外部的控制信号进行测量参数的测量。例如能够脉冲地或时钟控制地 进行周期性的不连续的测量。在直通的测量中，在具有多个第二光学有源结构的测量结构 中能够部分同时地和/或相继地测量第二光学有源结构的测量参数。
[0099] 在一个设计方案中，在具有直通的测量的运行模式中，不测量测量参数的第二光 学有源结构是光学无源的或者为了提供电磁福射而运行。换言之:能够关断不运行用于测 量的第二光学有源结构或者如第一光学有源结构那样运行。
[0100] 在一个设计方案中，驱动器电路能够构成为，使得借助于第二电有源区域的运行 参数设定第一电有源区域的运行参数。
[0101] 在方法的一个设计方案中，能够可变地设定第一触发数值和/或第二触发数值。由 此例如能够借助于第一触发数值和/或第二触发数值的调整来设定第一光学有源结构的光 电子特性的老化补偿。
[0102] 在方法的一个设计方案中，在时间参数的不连续的测量和/或直通的测量中，即在 第二光学有源结构的测量参数的各个测量之间的时间间隔构建为，使得例如在第一光学有 源结构的面不同的老化中，能够防止第一光学有源结构的光电子特性的错误检测。
【附图说明】
[0103] 在附图中示出并且在下文中详细阐述本发明的实施例。
[0104] 附图示出：
[0105] 图1示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意图；
[0106] 图2a-c示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意图；
[0107] 图3a-c示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意图；
[0108] 图4a-d示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意图；
[0109] 图5a、b示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意横截面视图；
[0110] 图6示出根据不同的实施例的、用于运行光电子器件设备的方法的示意图；
[0111] 图7a-c示出根据不同的实施例的、用于运行光电子器件设备的方法的示意图；
[0112] 图8a、b示出在过调期间和在过调之后的光电子器件设备的实施例；
[0113] 图9a-d示出根据不同的实施例的、用于运行光电子器件设备的不同的示图；W及
[0114] 图10a、b示出常规的OL邸的老化的示图。
【具体实施方式】
[0115] 在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附 图中示出能够实施本发明的具体的实施方式W用于说明。在此方面，相关于所描述的一个 (多个)附图的定向而使用方向术语例如"上"、"下"、"前"、"后"、"前部"、"后部"等等。因为 实施方式的组成部分能够W多个不同的定向来定位，所W方向术语仅用于说明并且不W任 何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施方式并且能够进行结构上的或逻辑上 的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在 此描述的不同的示例性的实施方式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为 受限制的意义，并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
[0116] 在本说明书的范围内，术语"连接"、"联接"W及"禪联"用于描述直接的和间接的 连接、直接的或间接的联接W及直接的或间接的禪联。在附图中，只要是适当的，相同的或 相似的元件就设有相同的附图标记。
[0117] 图1示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意图。
[0118] 示意示出的是具有第一光学有源结构106、测量结构116和驱动器电路104的光电 子器件设备100。
[0119] 测量结构116能够具有多个第二光学有源结构116i，其中i是显示光学有源结构并 且具有连续的字母的索引，例如116曰、116b、116c、……、116z、116aa、……、116zz、116aaa 等。
[0120] 在图1-10中，在实施例中根据第一光电子器件106的实例、例如有机发光二极管 106说明第一光学有源结构106进而对于常规的实施方式而言理解为与第一光学有源结构 106同义。
[0121] 在图1-10中，在实施例中根据具有多个第二光学有源结构116i的实例、例如第二 光电子器件116i、例如光电检测器116i说明测量结构116进而对于常规的实施方式而言理 解为与具有多个第二光学有源结构116i的测量结构116同义。第二光学有源结构116i例如 能够构成为光电导体116i、光电二极管116i、光电晶体管116i和/或光电晶闽管116i。光电 导体例如能够具有借助于吸收的电磁福射改变至少一种电特性的材料或由其形成。
[0122] 在图1中示出的示意的实施例中，光电子器件设备100具有正方形的第一光电子器 件106,例如有机发光二极管106和定位在有机发光二极管106的角部中的光电检测器形式 的测量结构116。
[0123] 此外，示出的是将化抓106与驱动器电路104电连接的电端子108、110和电连接 112、114"0LED 106能够借助于驱动器电路104通电并且提供电磁福射。电磁福射，例如光发 射到光导体中。光导体例如能够构成为玻璃衬底，在玻璃衬底上构成OLED 106。
[0124] 测量结构116的光电检测器116i能够具有至少一个光学有源侧并且能够构建用于 从吸收的电磁福射中产生电流。在下文中，由光电检测器116i产生的电流也能够称作光电 流、测量参数或信号。
[0125] 此外示出的是，测量结构116的光电检测器116i如何借助于电信号线路118与驱动 器电路104电连接。光电检测器116i由此能够将信号化提供到驱动器电路104的输入端上。 [0 1%] 光电检测器116i能够关于化抓106定位为，使得测量结构116的光电检测器116i 能够从由化抓106发射的光中产生电流。在此，光电检测器能够由于在玻璃衬底中引导的 光模式也还检测W光电检测器与OLED 106区域的若干厘米的间距发射的光。
[0127] 在未老化的化抓106中，光电检测器116i提供相同的信号(01 = 01、02、03、04)。未 老化的化邸106例如是在制造之后短暂没有在先运行的化抓106(运行时长10040 %-- 参见图10a)。
[012引在OLED 106的区域中的短路能够造成在化抓106的光学有源面中的较深色的区 域，因为OLED 106在短路周围的区域不能够再发射光(参见在图IOb中的1020)。因此，短路 能够造成光电检测器116i的信号化的降低，其中短路处于所述光电检测器的检测区域中。 短路能够缓慢地增大，直至由驱动器电路104提供给化邸106的电流的大部分流经短路。运 能够造成OLED 106的烙化和突然的失效(参见在图1 Oa、b中的1030)。
[0129] 因此，光电检测器116i的信号Di的降低提供放大的短路的清晰的指示。对于允许 的测量(短路识别)而言，光电检测器116i关于0LED106横向地分布或配置为，使得所述光电 检测器在化抓106的发光面的几何边缘上构成，例如在光学无源区域中构成，W至于化抓 106的发光面积的数值不被降低。此外，光电检测器116i能够关于化抓106横向地分布，使 得光电检测器116i设置在几何的点上，在所述点上由于横向的电流和热量分布存在类似的 光密度关系。光电检测器116i应构成且设置为，使得所述光电检测器不会不利地影响到 OLED 106的电流馈送。
[0130] 有机发光二极管106能够称作第一光电子器件106,其中在有机发光二极管106的 光学有源侧中/上能够构成用于有机发光二极管106的有机功能层结构(参见图5)的面通电 的电连接。由此，有机发光二极管106也能够理解为多个或大量第一光电子器件106。
[0131] 在本文的范围中，至少一个第一光电子器件106的光学有源侧能够称作至少一个 第一光电子器件106的发光面。
[0132] 测量结构116能够具有多个第二光电子器件116i或多个第二光学有源结构116i。 光电检测器116i及其配置的可行的设计方案的选择在图3至图5的实施例中示出。
[0133] 图2a-c示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意图。
[0134] 示出的是根据图1的光电检测器116i的设置的设计方案，例如用于避免在化抓 106的发光面中的颗粒引起的深色的斑点(短路)的错误推断。
[01巧]图2a示出化抓106的颗粒引起的深色的斑点202。光电检测器116曰、116b、116c、 116d中的一些与另一些相比更靠近深色的斑点202。由此，（四个示出的）光电检测器116a、 1166、116。、116(1示出不同的信号值化化1、02、03、04)。信号化的显示例如能够理解为光电流 化的构成，其中光电流化施加在、即表现在驱动器电路104上。
[0136] 从光电子检测器116曰、1166、116(：、116(1的信号01、02、03、04中能够得到存在短路 的结论，例如能够确定短路的位置。短路例如能够在其他的方法步骤中借助于激光和/或过 调来修复。
[0137] 在短路例如借助于=角测量定位之后，能够烧去短路。为此，借助于能量输送来提 高溫度，使得有机物质降解并且变为电绝缘。能量输送能够电学地借助于过调或光学地借 助于激光进行。
[013引在OLED 106(在图化中示出）的对称中屯、中构成的深色的斑点202能够造成，光电 检测器116a、116b、116c、116d显不相同的信号Di。然而信号的数值比在运行时长1004为0 % 时更小(参见图10a)。
[0139] 在不同的设计方案中，光电检测器116曰、1166、116。、116(1应关于化抓106定位或 构成为，使得在化抓106的发光面的每个部位上，可能的颗粒202不能够用作对称中屯、，例 如不同时用于所有的光电检测器116a、116b、116c、116d。对此，光电子器件设备例如能够具 有更大数量的第二光电子器件和/或多个第二光电子器件具有与OLED 106的几何对称不同 的几何对称。在光电子器件设备的一个设计方案中，其他的光电检测器116e例如能够设置 为在OL邸的对称中屯、中的深色区域202方面的控制检测器，运在图2c中示出。在所述设计方 案中，光电子器件设备具有五个第二光电子器件116并且OLED 106具有四重几何对称性。
[0140] 在光电子器件设备的一个设计方案中，光电检测器116i中的一个或多个，例如其 他的光电检测器116e能够具有两个运行模式。在一个运行模式中（发射功能)其他的光电检 测器116e能够用作发光二极管116e(参见图5)。换言之:其他的光电检测器116e能够有助于 提高发光面积。在另一运行模式中（检测器功能)其他的光电检测器116e提供信号D5。由此， 能够确定在化邸106的对称中屯、中的深色的区域202。在一个设计方案中，能够在其他的光 电检测器116e的第一运行模式和第二运行模式之间切换，例如动态地、例如自动化地、例如 借助于驱动器电路104切换。
[0141] 图3a-c示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意图。
[0142] 示出的是根据图1至2的描述中的光电子器件设备的示意图。
[0143] 在一个设计方案中，光电子器件设备能够与图l、2a、b的设计方案相似地具有四个 光电检测器116曰、1166、116。、116(1，其中光电检测器116曰、11613、116。、116(1具有第一运行模 式和第二运行模式，与图2c的描述中的设计方案的其他的光电检测器116e相似。在一个设 计方案中，能够借助于在光电检测器116曰、1166、116〇、116(1的运行模式之间的切换可行性 (参见图2c的描述)实现不同的切换情景。
[0144] 在一个设计方案中（在图3a中示出）光电检测器116曰、1166、116。、116(1能够切换到 检测器功能中。
[0145] 在一个设计方案中（在图3b中示出），光电检测器116c能够切换到检测器功能中， 而其他的光电检测器116a、116b、116d切换到发射器功能中或者是光学无源的。光学无源状 态能够理解为检测器功能的特殊情况，其中不读取或处理信号。
[0146] 借助于光电检测器116曰、1166、116〇、116(1的不同的切换可行性能够提高发光面积 的数值并且光电检测器116曰、1166、116〇、116(1相互用作控制检测器。
[0147] 控制检测例如能够通过如下方式切换到检测器功能中，即将不是光电检测器116c 的其他光电检测器(示出：在图3c中的光电检测器116d)，而其他的光电检测器116a、116b、 116c切换到发射体功能中。
[0148] 此外，能够借助于多个光电检测器116i的运行模式的直通防止光电子器件设备的 发光面的闪烁。
[0149] 图4a-d示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意图。
[0150] 在图4a-d中示出的是，根据图1至3的描述中的光电子器件设备的不同的几何实施 例。
[0151] 在一个设计方案中，OLED 106能够具有圆形的光学有源侧(发光面）（在图4a中示 出）。光电检测器116i和电端子108、110能够包围OLm)的光学有源侧。在不同的设计方案中， 电端子108、110能够是光学无源的。在不同的设计方案中，光电检测器116能够在两个电端 子108、110之间构成。
[0152] 在不同的设计方案中，OLED 106能够具有正方形的形状(在图4b中示出）、矩形的 形状(在图4c中示出）、圆的形状、四边形的形状或几何的混合形状，例如可缩放的形状。
[0153] 在不同的设计方案中，光电检测器116i的至少一部分能够在OLED 106的光学无源 区域中构成，例如在电端子108、110的区域中构成或构成为电端子108、110的部分。在不同 的设计方案中，光电检测器116i的一部分能够具有作为用于发射的Lm)的运行模式和用于 检测化抓106的光密度的运行模式。在不同的设计方案中，光电检测器116i的至少一部分 能够构成为电端子108、110的区域，例如构成为光电导体116或由各2个电端子108、110包 围，其中两个电端子108、110能够具有相同的或不同的极性(在图4d中示出）。
[0154] 换言之:集成在光电子器件设备中的光电检测器116i能够设置、构成在选择的测 量点上和/或校准到一定值上，使得所述光电检测器在OLED 106不老化时测量类似的信号， 即产生相似的光电流化，并且在发光面的尽可能大的区域中检测OLED 106的光密度。
[0155] 图5a、b示出根据不同的实施例的光电子器件设备的示意横截面视图。
[0156] 示出的是根据图1至4的描述中的光电子器件设备的示意横截面视图。
[0157] 在不同的实施例中，光电子器件设备能够具有第一光电子器件106和第二光电子 器件116。第一光电子器件106能够构建用于提供电磁福射并且第二光电子器件116能够构 建用于接收和/或提供电磁福射。
[0158] 在一个实施例中，第一光电子器件106能够构成为例如呈有机发光二极管106形式 的发光器件106。在一个实施例中，第二光电子器件116能够构成为吸收光的器件116,例如 呈光电检测器116、光电二极管116、太阳能电池116、光电导体或不通电的发光二极管116的 形式。
[0159] 在第二光电子器件116构成为不通电的发光二极管的一个实施例中，光电检测器 116能够具有与第一光电子器件106基本上相同的层横截面，然而与所述第一光电子电绝缘 的并且附加地除了与载体502的光学连接W外与载体502光学绝缘。
[0160] 在不同的实施例中，第一光电子器件106和第二光电子器件116在共同的载体502 上或上方构成。
[0161 ]在一个实施例中，载体502能够构成为第一光电子器件106的和第二光电子器件 116的电磁福射的波导体，例如关于第一光电子器件106的和第二光电子器件116的所提供 的电磁福射是透明的或半透明的。
[0162] 在不同的实施例中，第一光电子器件106和第二光电子器件116能够具有光学有源 区域506。
[0163] 在不同的实施例中，有机发光二极管106(或根据在上文或在下文中描述的实施例 的发光器件)能够构建为所谓的顶部和底部发射体。顶部和/或底部发射体也能够称作光学 透明的或半透明的器件，例如透明的或半透明的有机发光二极管106。
[0164] 在OLED 106的范围中还示出：构成在载体502上或上方的第一电极510。在第一电 极510上或上方示出有机功能层结构512。在有机功能层结构512上或上方示出第二电极 514。第二电极514借助于电绝缘部504与第一电极510电绝缘。第二电极514能够与电端子 108、110实体连接并且电连接。在不同的设计方案中，电端子108、110也能够称作接触路径 108、110。
[0165] 第一电极510能够与电连接层522实体连接并且电连接。电连接层522能够在化抓 106的光学有源区域506的几何的边缘区域中构成在载体50 2的上或上方，例如侧向地构成 在第一电极510旁。电连接层522借助于其他的电绝缘部504与第二电极514电绝缘。电连接 层522能够将第一电极510的电连接移动到光电子器件设备的几何的边缘区域中（未示出）。
[0166] 在第二电极514上或上方能够设置有阻挡薄层508,使得第二电极514、电绝缘部 504和有机功能层结构512由阻挡薄层508包围，封入在阻挡薄层508与载体502的连接中。
[0167] "阻挡薄层"108或"阻挡薄膜"108能够在本文的范围中例如理解为层或层结构，所 述层或层结构适合于形成相对于化学污染或大气材料，尤其相对于水(湿气）和氧气的阻 挡。换言之，阻挡薄层108构成为，使得其不能由损害化抓的材料，如水、氧气或溶剂穿过或 最多仅非常少量的上述物质穿过。
[0168] 在阻挡薄层508上或上方能够设置有粘结剂层524,使得粘结剂层524将阻挡薄层 508面状地并且关于有害的环境影响气密地密封。在粘结剂层524上或上方设置有覆盖部 526。覆盖部526例如能够借助于粘结剂524粘结到、例如层压到阻挡薄层508上。覆盖部526 例如能够构成为玻璃覆盖部、金属覆盖部和/或塑料覆盖部。覆盖部526例如能够被结构化， 例如结构化为腔玻璃。
[0169] 阻挡薄层508和/或覆盖部526能够构成为，使得封住的层是关于有害的环境影响， 例如关于水和/或氧气气密地密封的。
[0170] 大约在载体502上或上方的具有有机功能层结构512的光电子器件500的区域能够 称作光学有源区域506。大约在载体502上或上方的不具有有机功能层结构506的光电子器 件500的区域能够称作光学无源区域。光学无源区域例如能够面状地设置在光学有源区域 512旁边。光学无源区域例如能够具有接触垫108、110或绝缘器层W电接触有机功能层结构 512。换言之:在几何的边缘区域中，光电子器件106能够构成为，使得接触垫108、110构成为 用于电接触光电子器件106,例如通过将导电层，例如电连接层522、电极510、514等在接触 垫108、110的区域中至少部分地露出的方式构成。
[0171 ]在不同的实施例中，在载体502上或上方可选地能够设置有阻挡层530，例如设置 在有机功能层结构512的侧上和/或设置在背离有机功能层结构512的侧上(示出）。
[0172] 在不同的实施例中，能够在阻挡层530上或上方设有其他的覆盖部(未示出）和/或 阻挡层530构成为其他的覆盖部，例如构成为腔玻璃封装部。
[0173] 在载体502上或上方能够设置有发光器件106的电有源区域的一部分。电有源区域 能够理解为发光器件106的如下区域，在所述区域中用于运行发光器件106的电流流过。在 不同的实施例中，电有源区域能够具有第一电极510、第二电极514和有机功能层结构512， 如其在下文中再详细阐述。
[0174] 载体502例如能够用作用于电子元件或层的，例如发光元件的载体元件。例如，载 体502能够具有玻璃、石英，和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由其形成。此外，载 体502能够具有塑料薄膜或具有一个或具有多个塑料薄膜的叠层或由其形成。塑料能够具 有一种或多种聚締控(例如具有高密度或低密度的聚乙締(PE)或聚丙締(PP))或由其形成。 此外，塑料能够具有聚氯乙締(PVC)、聚苯乙締(PS)、聚醋和/或聚碳酸醋(PC)、聚对苯二甲 酸乙二醇醋(PET)、聚酸讽(PES)和/或聚糞二甲酸乙二醇醋(PEN)或由其形成。载体502能够 具有一种或多种上文所述的材料。
[0175] 载体502能够具有金属或者由金属形成，例如铜、银、金、销、铁，例如金属化合物， 例如钢。
[0176] 具有金属或金属化合物的载体502也能够构成为金属薄膜或金属覆层的薄膜。
[0177] 载体502能够半透明地或甚至透明地构成。在具有金属的载体502中，金属例如能 够构成为薄层，透明的或半透明的层和/或金属是镜结构的一部分。
[0178] 载体502能够具有机械刚性的区域和/或机械柔性的区域或者运样构成为运种区 域。具有机械刚性的区域和机械柔性的区域的载体502例如能够被结构化，例如通过使刚性 的区域和柔性的区域具有不同厚度的方式来结构化。
[0179] 机械柔性的载体502或机械柔性的区域例如能够构成为薄膜，例如塑料薄膜、金属 薄膜或薄的玻璃。
[0180] 阻挡层530能够具有下述材料中的一种或多种或由其构成:氧化侣、氧化锋、氧化 错、氧化铁、氧化给、氧化粗、氧化铜、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、铜锡氧化物、铜锋氧化物、 侣渗杂的氧化锋、聚对苯二甲酯对苯二胺、尼龙66及其混合物和合金。在不同的设计方案 中，阻挡层能够借助于原子层沉积方法(atomic layer deposition--ALD)和/或分子层 沉积方法(molecular layer d邱osition--MLD)来构成。在不同的设计方案中，阻挡层能 够具有两个或更多个相同的和/或不同的覆层或层，例如彼此并排的和/或彼此叠加的层或 覆层，例如结构化为例如阻挡层结构或阻挡层堆。此外，在不同的实施例中，阻挡层能够具 有在大约0.1 nm(-个原子层）至大约SOOOnm的范围中的层厚度，例如在大约IOnm至大约 200nm的范围中的层厚度、例如大约40nm的层厚度。
[0181] 在不同的实施例中，能够在阻挡层530上或上方(或者，当不存在阻挡层时(示出）， 在载体502上或上方)施加第一电极510(例如呈第一电极层510的形式）。第一电极510(在下 文中也称作下部电极510)能够由导电材料形成或是导电材料，例如由金属或透明导电氧化 物（transparent conductive oxide,TC0)或者相同的金属或不同的金属和/或相同的TCO 或不同的TCO的多个层的层堆形成。透明导电氧化物是透明的导电的材料，例如金属氧化 物，例如氧化锋、氧化锡、氧化儒、氧化铁、氧化铜或铜锡氧化物(IT0)。除了二元的金属氧化 物、例如ZnO、Sn〇2或 Iri2〇3 W 外，S元的金属氧化物、例如Al ZnO、ZmSnCk、CdSn〇3、ZnSn〇3、 MgIn2〇4、GaIn〇3、Zn2ln2〇日或IruSmOu或不同的透明的导电氧化物的混合物也属于TCO族并 且能够使用在不同的实施例中。此外，TCO不强制性对应于化学计量的成分并且还能够是P 型渗杂的或n型渗杂的。
[0182] 在不同的实施例中，第一电极510能够具有金属;例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Cr、 Mo、化、Sm或Li W及运些材料的化合物、组合物或合金。
[0183] 在不同的实施例中，第一电极510能够由金属的层在TCO的层上的，或者颠倒的组 合的层堆形成。一个实例是，在铜锡氧化物层（ITO)上施加的银层(在口 0上的Ag)或口 O-Ag-ITO多层。
[0184] 在不同的实施例中，第一电极510能够对于上述的材料替选或附加地具有一种或 多种下述材料：由例如由Ag构成的金属的纳米线和纳米微粒构成的网络；由碳纳米管构成 的网络;石墨締微粒和层；由半导体纳米线构成的网络。
[0185] 此外，第一电极510能够具有导电聚合物或过渡金属氧化物或透明导电氧化物。
[0186] 在不同的实施例中，第一电极510和载体502能够半透明地或透明地构成。在第一 电极510具有金属或由金属形成的情况下，第一电极510例如能够具有小于或等于大约25nm 的层厚度，例如小于或等于大约20nm的层厚度，例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外， 第一电极510例如能够具有大于或等于大约IOnm的层厚度，例如大于或等于大约15nm的层 厚度。在不同的实施例中，第一电极510能够具有在大约IOnm至大约25nm的范围中的层厚 度，例如在大约IOnm至大约1加 m的范围中的层厚度，例如在大约15nm至1 Snm的范围中的层 厚度。
[0187]此外，对于第一电极510具有透明导电氧化物(TCO)或由其形成的情况，第一电极 510例如能够具有在大约50nm至大约500nm的范围中的层厚度，例如在大约75nm至大约 250nm的范围中的层厚度，例如在大约IOOnm至大约150nm的范围中的层厚度。
[018引此外，对于第一电极510由能够与导电聚合物组合的、例如由Ag构成的金属的纳米 线构成的网络;能够与导电聚合物组合的、由碳纳米管构成的网络;或者由石墨締层和组合 物形成的情况，第一电极510例如能够具有在大约Inm至大约500nm的范围中的层厚度，例如 在大约IOnm至大约400nm的范围中的层厚度，例如在大约40nm至大约250nm的范围中的层厚 度。
[0189] 第一电极510能够构成为阳极，即构成为空穴注入的电极或构成为阴极，即构成为 电子注入的电极。
[0190] 第一电极510能够具有第一电接触垫108、110,在所述电接触垫上能够施加第一电 势（由能量源(未示出），例如电流源或电压源提供）。替选地，第一电势能够施加到载体502 上或者是施加在载体502删的，并且在其上然后间接地施加到第一电极510上或是施加到第 一电极510上的。第一电势例如能够是接地电势或其他预设的参考电势。
[0191] 有机功能层结构512能够具有一个或多个发射体层(未示出），例如具有发巧光的 和/或发憐光的发射体，W及一个或多个空穴传导层(也称作空穴传输层）（未示出）。替选地 或附加地，在不同的实施例中，能够设有一个或多个电子传导层(也称作电子传输层）。
[0192] 在根据不同的实施例的发光器件106中能够用于发射体层的发射体材料的实例包 括:有机的或有机金属的化合物，如聚巧、聚嚷吩和聚亚苯基的衍生物（例如2-或2,5-取代 的聚-对-亚苯基乙締撑）；W及金属络合物，例如银络合物，如发蓝色憐光的FbPic(双(3， 5-二氣-2-(2-化晚基）苯基-(2-簇基化晚基)-银III)、发绿色憐光的Ir(ppy)3(S(2-苯基 化晚)银III)、发红色憐光的Ru(化6-697)3*2。。6))(立[4,4'-二-叔-下基-(2,2'）-联化晚] 钉（III)络合物）、W及发蓝色巧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙締基]联 苯）、发绿色巧光的TTPA(9，10-双阳，N-二-(对-甲苯基)-氨基]蔥）和发红色巧光的DCM2(4-二氯基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-締基-4H-化喃）作为非聚合物发射体。运种非聚 合物发射体例如能够借助于热蒸锻来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射 体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)来沉积。
[0193] 发射体材料能够W适当的方式嵌入基体材料。
[0194] 要指出的是，在其他的实施例中同样设有其他适合的发射体材料。
[01%]发光器件106的发射体层的发射体材料例如能够选择为，使得发光器件106发射白 光。发射体层能够具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或蓝色、绿色和红色）的发射体 材料，替选地发射体层也能够由多个子层构成，如发蓝色巧光的发射体层或发蓝色憐光的 发射体层，发绿色憐光的发射体层和发红色憐光的发射体层。通过混合不同颜色，能够得出 具有白色的色觉的光发射。替选地也能够提出，在通过所述层产生的初级福射的光路中设 置有转换材料，使得至少部分地吸收初级福射并且发射不同波长的次级福射，使得由（还不 是白色的)初级福射通过初级福射与次级福射的组合得出白色的色觉。
[0196] 有机功能层结构512通常能够具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光 层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的非聚合物的小的分子（"small molecules")或运些材料的组合。例如，有机功能层512能够具有一个或多个电致发光层，所 述电致发光层构成为空穴传输层，使得例如在化抓的情况下，能够实现到电致发光的层或 电致发光的区域中的有效的空穴注入。替选地，在不同的实施例中，有机功能层结构512能 够具有构成为电子传输层的一个或多个功能层，使得例如在OLED中实现到电致发光的层或 电致发光的区域中的有效的电子注入。作为用于空穴传输层的材料例如能够使用=元的胺 类，巧挫衍生物、传导的聚苯胺或聚乙締基二氧嚷吩。在不同的实施例中，一个或多个电致 发光层能够构成为电致发光的层。
[0197] 在不同的实施例中，空穴传输层能够施加，例如沉积在第一电极510上或上方，并 且发射体层能够施加，例如沉积在空穴传输层上或上方。在不同的实施例中，电子传输层能 够施加，例如沉积在发射体层上或上方。
[0198] 在不同的实施例中，有机功能层结构512(即例如空穴传输层和发射体层和电子传 输层的总和)能够具有最大大约1.5WI1的层厚度，例如最大大约1.2WI1的层厚度，例如最大大 约Iym的层厚度，例如最大大约80化m的层厚度，例如最大大约500nm的层厚度，例如最大大 约400nm的层厚度，例如最大大约300nm的层厚度。
[0199] 在不同的实施例中，有机功能层结构504例如能够具有多个直接彼此叠加设置的 有机发光二极管(OLED)的堆，其中每个OLED例如能够具有最大大约1.5皿的层厚度，例如最 大大约1.2WI1的层厚度，例如最大大约Iiim的层厚度，例如最大大约8(K)nm的层厚度，例如最 大大约500nm的层厚度，例如最大大约40化m的层厚度，例如最大大约30化m的层厚度。在不 同的实施例中，有机功能层结构512例如能够具有两个、=个或四个直接彼此叠加设置的 OL邸的堆，在此情况下有机功能层结构512例如能够具有最大大约3WI1的层厚度。
[0200] 发光器件106通常可选地能够具有例如设置在一个或多个发射体层上或上方的或 设置在一个或多个电子传输层上或上方的有机功能层结构，所述有机功能层结构用于进一 步改进发光器件106的功能进而改进效率。其他的有机功能层结构例如能够借助于载流子 对产生层结构（cha;rge generating layer CGL)彼此分离。
[0201] 在有机功能层结构512上或上方或必要时在一个或多个其他的有机功能层结构上 或上方能够施加(例如呈第二电子层514的形式的)第二电极514。
[0202] 在不同的实施例中，第二电极514能够具有与第一电极510相同的材料或由其形 成，其中在不同的实施例中金属是特别适合的。
[0203] 在不同的实施例中，第二电极514(例如对于金属的第二电极514的情况)例如能够 具有小于或等于大约200nm的层厚度，例如小于或等于大约150nm的层厚度，例如小于或等 于大约IOOnm的层厚度，例如小于或等于大约50nm的层厚度，例如小于或等于大约45nm的层 厚度，例如小于或等于大约40nm的层厚度，例如小于或等于大约35nm的层厚度，例如小于或 等于大约30皿的层厚度，例如小于或等于大约25皿的层厚度，例如小于或等于大约20nm的 层厚度，例如小于或等于大约15nm的层厚度，例如小于或等于大约IOnm的层厚度。
[0204] 第二电极514通常能够W与第一电极510类似方式或W与其不同的方式构成或是 运样构成的。在不同的实施例中，第二电极514能够由一种或多种材料并且W相应的层厚度 构成或是运样构成的，如上文结合第一电极510所描述。在不同的实施例中，第一电极510和 第二电极514都半透明地或透明地构成。
[0205] 第二电极514能够构成为阳极，即构成为空穴注入的电极或构成为阴极，即构成为 电子注入的电极。
[0206] 第二电极514能够具有第二电端子，在所述第二电端子上施加由能量源提供的第 二电势（与第一电势不同）。第二电势例如能够具有下述值，所述值使得与第一电势的差具 有在大约1.5V至大约20V的范围中的值，例如在大约2.5V至大约15V的范围中的值，例如在 大约3V至大约12V的范围中的值。
[0207] 接触垫108、110能够与电极510、514电连接和/或实体连接。然而，接触垫108、110 也能够构建电极510、514的或连接层504的区域。
[0208] 接触垫108、110能够具有与第一电极510和/或第二电极514类似的材料或材料混 合物作为材料或材料混合物或由其形成，例如作为具有至少一个铭层和至少一个侣层，例 如铭侣铭(化-A^Cr)的金属层结构;或者钢侣钢(Mo-Al-Mo)的金属层结构、银儀(Ag-Mg)的 金属层结构、侣的金属层结构。
[0209] 接触垫108、110例如能够具有接触面、引脚、柔性的印刷电路板、夹具、夹子或其他 电连接机构或构成为上述。
[0210] 在一个实施例中，电绝缘部504能够是可选的，例如在W适合的掩模工艺中构成有 机电子器件106时。
[0211] 在一个实施例中，电连接层510、522和/或接触垫516、518能够光学透明地、半透明 地或不透明地构成。
[0212] 电连接层522能够作为材料或材料混合物具有类似于电极510、514的材料或材料 混合物或由其形成。
[0213] 电绝缘部504能够构建使得防止在两个导电区域之间的、例如在第一电极510和第 二电极514之间的电流。电绝缘部的材料或材料混合物例如能够是覆盖部或覆层剂，例如聚 合物和/或漆。漆例如能够具有能W液态或粉末状形式施加的覆层物质，例如具有聚酷亚胺 或由其形成。电绝缘部504例如能够W光刻的方式或借助于印刷法施加或构成，例如结构 化。印刷法例如能够包括喷墨印刷（Inkjet-Printing)、丝网印刷和/或移印法（Pad-Printing)O
[0214] 根据一个设计方案，阻挡薄层508能够构成为单个层(换言之，构成为单层）。根据 一个替选的设计方案，阻挡薄层508能够具有多个彼此叠加构成的子层。换言之，根据一个 设计方案，阻挡薄层508能够构成为层堆(Stack)。阻挡薄层508或阻挡薄层508的一个或多 个子层例如能够借助于适合的沉积法形成，例如借助于分子层沉积方法(MLD)，根据一个设 计方案的原子层沉积方法(ALD)，例如等离子增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer D邱osition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposition(PLALD))来形成，或根据另一设计方案借助于化学气相沉积方法 (Qiemical化por Deposition(CVD)),例如等离子增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced 化emical Vapor Deposition(PECVD))或无等离子的气相沉积方法（Plasma-less 化emical Vapor D邱osition(PLCVD))来形成，或者替选地借助于其他适合的沉积方法来 形成。
[0215] 通过使用原子层沉积方法(ALD)和/或分子层沉积方法(MLD)能够沉积非常薄的 层。尤其，能够沉积层厚度处于原子层范围中的层。
[0216] 根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层508中，所有子层能够借助于原子 层沉积方法和/或分子层沉积方法(MLD)形成。仅具有ALD层和/或MLD层的层序列也能够称 作"纳米叠层结构"。
[0217] 根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层508中，阻挡薄层508的一 个或多个子层能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法沉积，例如借助于气相沉积方 法沉积。
[0218] 根据一个设计方案，阻挡薄层508能够具有大约0.1 nm(-个原子层)至大约1000 nm 的层厚度，例如根据一个设计方案具有大约IOnm至大约IOOnm的层厚度，例如根据一个设计 方案具有大约40nm的层厚度。
[0219] 此外要指出的是，在不同的实施例中，也能够完全弃用阻挡薄层508。在运种设计 方案中，光电子器件设备例如能够具有其他的封装结构，由此阻挡薄层508能够变为是可选 的，例如具有覆盖部，例如腔玻璃封装部或金属封装部。
[0220] 根据阻挡薄层508具有多个子层的设计方案，所有子层能够具有相同的层厚度。根 据另一设计方案，阻挡薄层508的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，子层中的至少 一个子层能够具有不同于一个或多个其他子层的层厚度。
[0221] 根据一个设计方案，阻挡薄层508或阻挡薄层508的各个子层能够构成为半透明的 或透明的层。换言之，阻挡薄层508(或阻挡薄层508的单个的子层)能够由半透明的或透明 的材料(或半透明的或透明的材料混合物)构成。
[0222] 根据一个设计方案，阻挡薄层508或(在具有多个子层的层堆的情况下）阻挡薄层 508的子层中的一个或多个能够具有下述材料中的一种或由其形成:氧化侣、氧化锋、氧化 错、氧化铁、氧化给、氧化粗、氧化铜、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、铜锡氧化物、铜锋氧化物、 侣渗杂的氧化锋及其混合物和合金。在不同的实施例中，阻挡薄层508或(在具有多个子层 的层堆的情况下)阻挡薄层508的一个或多个子层具有一种或多种高折射率的材料，换言之 具有高折射率的、例如具有至少为2的折射率的一种或多种材料。
[0223] 在电有源区域上或上方，例如在阻挡薄层508上或上方设置有粘结剂层524或附着 层524,使得附着层524将电有源区域面状地且关于有害的环境影响气密地密封，例如降低 水和/或氧气的朝向阻挡薄层508的扩散速率。
[0224] 在附着层524上或上方至少部分地设置有覆盖部526,例如玻璃覆盖部526、金属膜 覆盖部526、密封的塑料薄膜覆盖部526。覆盖部526例如能够借助于附着层124粘结、例如层 压到阻挡薄层508上或上方。
[0225] 在一个设计方案中，能够将例如由玻璃构成的覆盖部526借助于玻璃焊料连接(英 文为glass frit bonding玻璃焊料接合/glass soldering玻璃焊接/seal glass bonding 密封玻璃接合)借助于常规的玻璃焊剂施加在具有阻挡薄层108的有机电子器件500的几何 边缘区域中。
[0226] 在不同的实施例中，附着层能够半透明地和/或透明地构成并且能够具有大于大 约Iwn的层厚度，例如若干WIi的层厚度。在不同的实施例中，附着层能够具有层压粘结剂或 是运种层压粘结剂。
[0227] 在不同的实施例中，还能够将散射光的颗粒嵌入附着层524中，所述颗粒还能够引 起进一步改进色角崎变和禪合输出效率。在不同的实施例中，作为散射光的颗粒例如能够 设有介电的散射颗粒，例如金属氧化物，例如氧化娃间〇2)、氧化锋向0)、氧化错怔〇2)、铜 锡氧化物（ITO)或铜锋氧化物（IZO)、氧化嫁(Ga20x)、氧化侣或氧化铁。其他颗粒也能够是 适合的，只要其具有与半透明的层结构的基体的有效的折射率不同的折射率，例如气泡、丙 締酸盐或玻璃空屯、球。此外，例如金属纳米颗粒，金属如金、银、铁纳米颗粒等能够设为散射 光的颗粒。
[0228] 在不同的实施例中，在第二电极514和附着层524之间还能够施加有电绝缘层或是 施加有电绝缘层的（未示出），例如SiN、Si0x、SiN0x，所述电绝缘层例如具有在大约300nm至 大约1.5皿的范围中的层厚度，例如具有在大约500nm至大约1皿的范围中的层厚度，W便例 如在湿法化学工艺期间保护电学上不稳定的材料。
[0229] 在不同的实施例中，附着层524能够构建使得附着层524具有小于覆盖部526的折 射率的折射率。运种附着层524例如能够具有低折射率的粘结剂，例如具有大约1.3折射率 的丙締酸盐。在一个设计方案中，附着层524例如能够具有高折射率的粘结剂，所述粘结剂 例如具有高折射率的、不散射的颗粒并且具有大约对应于有机功能层结构的平均折射率 的、例如在大约1.7至大约2.0范围中的或更大的平均折射率。此外，在附着层524中能够设 有多个不同的粘结剂，所述粘结剂形成粘结剂层序列，例如构成第二附着层110。
[0230] 在电有源区域上或上方，例如至少部分地在光学有源区域506上或上方和/或至少 部分地在光学无源区域上或上方能够设置有吸气剂层，使得吸气剂层将电有源区域关于有 害的环境影响气密地密封，例如降低水和/或氧气朝向阻挡薄层508和/或电有源区域的扩 散速率。在吸气剂层上或上方至少部分地设置有覆盖部526。
[0231] 在不同的实施例中，吸气剂能够至少部分地由至少一个附着层524、110包围，例如 使得吸气剂层不具有与空气的表面。
[0232] 在不同的实施例中，吸气剂层能够具有基体和其中分布地具有吸气剂。
[0233] 在不同的实施例中，吸气剂层能够半透明地、透明地或不透明地构成并且能够具 有大于大约Iwn的层厚度，例如具有几 WIi的层厚度。在不同的实施例中，吸气剂层的基体能 够具有层压粘接剂。
[0234] 在不同的实施例中，散射光的颗粒还能够嵌入吸气剂层中，所述散射光的颗粒能 够引起进一步改进色角崎变和禪合输出效率。在不同的实施例中，作为散射光的颗粒例如 能够设有介电的散射颗粒，例如金属氧化物，例如氧化娃（Si〇2)、氧化锋（ZnO)、氧化错 (Zr化）、铜锡氧化物（ITO)或铜锋氧化物（IZO)、氧化嫁(GasOx)、氧化侣或氧化铁。其他的颗 粒也能够是适合的，只要其具有与吸气剂层的半透明的层结构的基体的有效折射率不同的 折射率，例如气泡、丙締酸盐或玻璃空屯、球。此外，例如金属纳米颗粒，金属如金、银、铁纳米 颗粒等能够设为散射光的颗粒。
[0235] 在不同的实施例中，在第二电极514和吸气剂层之间还能够施加有电绝缘层(未示 出）或是施加有电绝缘层的，例如SiN,所述电绝缘层例如具有在大约300nm至大约1.5WI1的 范围中的层厚度，例如具有在大约SOOnm至大约1皿的范围中的层厚度，W便例如在湿法化 学工艺期间保护电学上不稳定的材料。
[0236] 在不同的实施例中，吸气剂层能够构建使得吸气剂层具有小于覆盖部526的折射 率的折射率。运种吸气剂层例如能够具有低折射率的粘结剂，例如具有大约1.3折射率的丙 締酸盐。在一个设计方案中，吸气剂层例如能够具有高折射率的粘结剂，所述粘结剂例如具 有高折射率的、不散射的颗粒并且具有大约对应于有机功能层结构的平均折射率的、例如 在大约1.7至大约2.0范围中的或更大的平均折射率。此外，在吸气剂层中能够设有多种不 同的粘结剂，所述粘结剂形成粘结剂层序列，例如构成第二附着层110。
[0237] 在不同的实施例中，例如当吸气剂层不透明地构成并且光学有源区域506透明地 和/或半透明地构成时，光学有源区域506能够至少部分地不具有吸气剂层。此外，光学有源 区域506能够至少部分地不具有吸气剂层W便节省吸气剂层。
[0238] 在不同的实施例中，覆盖部526和/或粘结剂124能够具有为1.55的折射率(例如在 633nm的波长的情况下）。
[0239] 此外，在不同的实施例中，附加地在有机光电子器件500中还构成有一个或多个禪 合输入/禪合输出层，例如在载体502(未示出）上或上方的外部的禪合输出薄膜或在有机光 电子器件106的层横截面中的内部的禪合输出层(未示出）。禪合输入/禪合输出层能够具有 基体和其中分布地具有散射中屯、，其中禪合输入/禪合输出层的平均折射率比提供电磁福 射的层的平均折射率更大。
[0240] 对于应提供例如单色发光的或在发射光谱中受限的光电子器件的情况，足够的 是，光学半透明的层结构至少在期望的单色的波长范围的子范围中对于光或受限的发射光 谱是半透明的。
[0241] 至少部分透射、例如透明或半透明地构成的光电子器件106,例如透射的载体502， 透射的电极510、514,透射的有机功能层结构512,透射的阻挡薄层508,透射的粘结剂层524 和透射的覆盖部526能够具有两个面状的光学有源侧一一在示意的横截面视图中为光电子 器件106的上侧和下侧。
[0242] 然而，光电子器件106的光学有源区域512也能够具有仅一个光学有源侧和光学无 源侧，例如在构建为顶部发射体或底部发射体的光电子器件106中，例如通过将第二电极 500或阻挡薄层508构成为对于所提供的电磁福射反射的方式实现。
[0243] 在不同的实施例中，除了化抓106W外能够构成光电检测器116(在图5a、b中示 出）。光电检测器116能够具有光学有源区域506和例如构成为光电二极管116或光电导体 116。
[0244] 在不同的实施例中，光电检测器116i为了抑制直接的环境光用不透光的层覆盖， 例如用不透明的层，例如绝缘体层、金属层、阻挡薄层和/或玻璃覆盖部来覆盖。在不同的实 施例中，OLED 106的光经由载体502禪合输入到光电检测器116的光学有源区域506中。在 此，载体502用作波导体并且应至少部分地透射地构成。
[0245] 在不同的实施例中，OLED 116能够与光电检测器116电绝缘。
[0246] 在不同的实施例中，光电检测器116能够具有大约0.5mm2至大约250mm 2的范围中的 面积，例如大于大约Imm2的面积。
[0247] 在不同的实施例中，OLED 106和光电检测器116能够与波导体光学连接，即OLED 106和光电检测器116能够提供到波导体中的电磁福射和/或接收来自波导体中的电磁福 射。在不同的设计方案中，波导体能够构成为覆盖部526和/或载体502。在不同的设计方案 中，0LED106和/或光电检测器116能够借助于光学禪合结构与波导体，例如阻挡层、阻挡薄 层508或粘结剂层524光学连接。
[0248] 图5a示出具有OL邸单元和光电二极管单元的光电子器件。
[0249] 在一个实施例中，光电检测器116能够构成为有机光电二极管116,例如与有机发 光二极管106类似。根据化抓106的有机功能层结构512的描述(参见上文），有机光电二极 管116例如能够具有至少一个空穴传输层、电子传输层、载流子对产生层结构（charge generating layer)、空穴注入层、电子注入层。
[0250] 在一个实施例中，光电检测器116能够具有：构成在载体502上或上方的第=电极 516。在第=电极516上或上方构成有机功能层结构518。在第二有机功能层结构518上或上 方构成第四电极520。第四电极520借助于电绝缘部504与第=电极516电绝缘。第=电极516 能够与电端子528实体连接并且电连接。在不同的设计方案中，电端子528也能够称作接触 垫528。第四电极518能够与电连接层522实体连接并且电连接。电连接层522能够在光电检 测器116的光学有源区域506的几何边缘区域中构成在载体502上或上方，例如侧向地构成 在第=电极516旁边。电连接层522能够借助于其他的电绝缘部504与第=电极516电绝缘。 在不同的实施例中，OLED 116能够与光电检测器116电绝缘。
[0251 ]在一个实施例中，在第四电极520上或上方能够设置有阻挡薄层508，使得第四电 极520、电绝缘部504和有机功能层结构518由阻挡薄层508包围，即接合阻挡薄层508与载体 502而围住。发射体层508能够将围住的层关于有害的环境影响气密地密封。
[0252] 在该实施例中，第二有机功能层结构518能够通过如下方式被保护防止环境光影 响，即使第四电极520、阻挡薄层508、粘结剂层524和/或覆盖部526具有小的透射性，例如不 透明地或乳白色地构成和/或镜结构至少部分地包围第二有机功能层结构518。
[0253] 在有机光电二极管116与有机发光二极管106类似地构成的实施例中，由有机光电 二极管116接收的电磁福射能够在电极516、520上产生电压。所述电压能够作为信号Di传 送、例如放大到驱动器电路上作为信号。有机发光二极管能够通过如下方式作为有机光电 二极管116运行，即将空穴传导的电极或电子传导的电极与驱动器电路连接。
[0254] 图化示出具有OL邸单元和光电导体单元的光电子器件。
[0255] 在一个实施例中，光电检测器116能够作为光电导体116构成在有机发光二极管 106旁边。
[0256] 在一个设计方案中，光电结构116、例如光电导体116能够具有下述材料或由其形 成，所述材料的电阻或电导率随着射入的电磁福射的光密度变化。
[0257] 在一个设计方案中，光电导体116能够与有机发光二极管106电绝缘，例如通过光 电导体116具有与有机发光二极管106例如借助于电绝缘部504电绝缘的电连接528、522的 方式实现。
[0258] 在一个设计方案中，光电导体116能够构成为有机发光二极管并且与有机发光二 极管106电绝缘。
[0259] 图6示出根据不同的实施例的、用于运行光电子器件设备的方法的示意图。
[0260] 示出的是用于运行根据图1至5的描述中的一个的设计方案的光电子器件设备的 方法的示意概览图。
[0261] 在光电子器件设备的静止状态602中，OLED 106是光学无源的，即是关断的。光电 检测器116i能够在此状态中测量暗电流"Di关断"，所述暗电流能够在方法的进一步过程中 考虑作为背景信号。
[0262] 在光电子器件设备的接通的状态604中，OLED 106是光学有源的，即是接通的，并 且提供电磁福射，例如发射光。光电检测器116i能够借助于波导体测量化抓106的光密度 "D浪通"。
[0263] 在不同的实施例中，随在化邸106接通的状态中测量光密度之后能够评估光密度 606。为此，能够对测量出的光密度"Di接通"清除暗电流和/或环境光份额"Di关断"。运也能 够称作在背景信号修正D'l之后产牛信号。然后，对于在背景信号修巿D'l之后的各个信号能 够确定平均信号强度的偏差
其中V'说明在光电 子器件设备中的光电检测器116i的数量并且"i"说明光电检测器116i中的一个的整数。
[0264]
[0265] 在一个实施例中，如果光电检测器的信号在背景信号修正D'l之后小于第一阔值 D'min，那么OLED 106能够经由到驱动器电路104上的反馈608强制性切断610。当OLED 106的 发光面的大的区域例如借助于对称的短路或因为OLED 106退化而变为光学无源时，例如能 够出现运种偏差。偏差能够是必需的，因为在OLED 106上的压降能够随着老化而增加(参见 图 10)。
[0266] 在不同的实施例中，OLED 106在所提供的光密度方面(参见图10)的逐渐的老化能 够例如借助于提高运行电流来补偿。
[0267] 在一个实施例中，在信号D'i与平均信号
9偏差A化小于第二阔值D'max 时，OLED 106能够经由到驱动器电路104上的反馈614强制巧切断612。当光电检测器116i中 的一个比其他光电检测器更靠近深色的斑点时，例如能够借助于颗粒引起的短路引起运种 偏差。运种偏差A化例如能够具有在平均信号的大约20%至大约100%的范围中的数值。在 另一实施例中，在运种偏差的情况下，能够改变OLED 106的运行参数组(参见图7)。
[0268] 在不同的实施例中，能够各个相继地、同时地或成组地测量或确定光电检测器 116i的信号化。
[0269] 在不同的实施例中，所描述的方法600能够在接通OLED 106时，在OLED 106运行期 间，例如周期性地;手动地或根据预设的运行时长来执行。
[0270] 在逐渐的老化和颗粒引起的短路之间的差别是可能的，因为在老化时光密度基本 上均匀地在发光面上减少并且光密度的短路产生的降低引起检测器信号的不均匀的改变。
[0271] 图7a、b示出根据不同的实施例的、用于运行光电子器件设备的方法的示意图。
[0272] 图7a示出根据图1至6的描述的设计方案的光电子器件设备，所述光电子器件设备 在OLED 106的发光面中具有颗粒引起的短路202。在图7b和7c中描述，如何能够在完全失效 之前电学上修理在发光面中具有短路的OLED 106。
[0273] 在确定在化抓106的发光面中的颗粒之后（参见图6的描述），在不同的实施例中 能够将OLED 106短暂地借助于驱动器电路104过调。借助于驱动器电路104例如能够将电压 脉冲和/或电流脉冲的程序借助于电连接112、114施加到化邸106上，例如W标准的运行电 流的双倍至十倍的数值施加。由此能够去除短路，例如烧除短路，由此OLED 106还保持是功 能有效的并且能够继续正常运行。通过短暂的过调，在发光面中根据取决于短路的颗粒的 特性构成深色的斑点。在移除颗粒引起的短路之后的信号化能够对于具有深色的斑点的发 光面显示关于OLED 106的老化的新的初始值或参照值。新的检测其初始值(在移除最后的 颗粒引起的短路之后的光密度方面，运行时长= 〇%，）和新的运行参数(OLED 106的电压和 电流）能够在不同的实施例中在驱动器电路104中W能调用的方式存储。在不同的实施例 中，驱动器电路对此能够具有能读取的电子存储器或者与运种电子存储器连接。在不同的 实施例中，驱动器电路能够构建为，使得驱动器电路能够自动地设定OL邸的运行参数。
[0274] 图7b示出化抓106的光密度704作为由光电检测器116曰、116b、116c、116d测量的 时间函数712。
[0275] 图7c相对于在图7b中示出的光密度变化示出OLED 106的运行电流强度716和运行 电压714。
[0276] 示出的是，具有光密度的缓慢的退化的OLED 106的正常运行718(参见图10)。在出 现颗粒引起的短路720时，能够造成电压714的下降和电流强度716的增加。然而，也能够造 成在电流强度恒定时的电压的下降或在电路具有恒定的电压时的电流强度增加。在光电检 测器116曰、1166、116〇、116(1上能够测量不同强度的信号降低(参见图化）。
[0277] 在低于电压阔值、超过电流阔值和/或超过检测器信号的差值（A D'i)(参见图7b) 时，驱动器电路104能够提高运行电流。由此能够"烧除'缺陷，例如颗粒引起的短路202。在 此期间能够造成光电检测器116曰、1166、116〇、116(1的测量出的光密度704的和电压714的过 度升高722。过度升高722能够在时间上受限，能够是脉冲式的或能够脉冲式地具有多个脉 冲的序列，能够稳定电压。驱动器电路104应限制流过OL抓106的最大电流716，使得OL抓在 过度升高722期间不在热学上被损坏。于是，在OLED 106上的压降能够略微提高或大约保持 恒定，运在724中示出。由此能够"烧除"颗粒引起的缺陷202。检测器信号116曰、116b、116c、 116d的光密度704能够在此期间保持大致恒定或略微升高。在不同的设计方案中，在"烧除" 颗粒引起的缺陷202或短路202期间的光密度的变化能够考虑作为在驱动器电路104的运行 中的"烧除条件"。
[0的引在"烧除"颗粒引起的缺陷202之后，驱动器电路能够将电流强度716向下调节到在 烧除之前的运行电流，即向下调节到初始的运行电流，运在726中示出。接着，驱动器电路 104能够使OLED 106再次在正常运行中继续运行。由于借助于烧除降低的发光面积，在具有 恒定的电流的电路中，在OL邸上的略微改变的电压能够降低。光电检测器116a、116b、116c、 116d能够在烧除之后由于在发光面中的深色的斑点测量出不同的光密度704。因此，在不同 的设计方案中，驱动器电路104能够执行用于确定光密度偏差AD'i的新的补偿606,即在运 行时长为0%(参见图10)时重新确定光电检测器116曰、1166、116。、116(1的光密度分布。
[0279] 在不同的实施例中，驱动器电路104能够构建用于W恒定的运行电流或恒定的运 行电压来运行OLED 106。
[0280] 在不同的实施例中，驱动器电路104能够构建用于在光学有源面中的短路方面检 查化抓106，例如通过在光电检测器116a、116b、116c、116d测量不同的光密度704之后，例 如通过在化抓106上短暂地施加相对于化抓106的导通方向在截至方向上的电流的方式 实现。在光电检测器116曰、1166、116〇、116(1的不同的信号下能测量的沿介质方向的电流能 够给出存在短路的结论。
[0281] 在不同的实施例中，驱动器电路104能够具有用于修理或修复颗粒引起的短路202 的不同的运行模式，例如沿关于OLED 106的导通方向在正向方向或截至方向上"烧除"，例 如具有沿正向方向和截至方向的电流强度的不同的变化轮廓。电流强度的变化轮廓例如能 够在恒定电流的数值，电流方向，脉冲的存在，脉冲的数量、种类和顺序(相同的脉冲或不同 的脉冲），脉冲高度，脉冲形状，脉冲宽度和/或脉冲跨度，即在两个相继的脉冲之间的间距 方面区分。
[0282] 在不同的实施例中，代替补偿化抓106的老化或对于补偿化抓106的老化可选 地，能够构建驱动器电路1〇4(参见图10)。
[0283] 在不同的实施例中，驱动器电路104能够构建为，使得光电检测器116a、116b、 116c、116d的信号在修复短路之后重新对于光密度偏差AD'I归一化，例如通过在修复之后 将光电检测器116a、116b、116c、116d的信号用作运行时长0%的参照信号。
[0284] 在不同的实施例中，光电子器件设备能够构建为，使得在短路202的修复中考虑光 电检测器116曰、1166、116〇、116(1的数量、位置和/或关于短路202的分布，例如通过在^一定 模式进行修复期间读取光电检测器116a、116b、116c、116d(参见图3)和/或用于OLED 106的 通电（参见图1-5的说明）的方式实现。换言之:在不同的实施例中，光电检测器116a、116b、 116c、116d能够在怀疑电短路时用作检测器和/或用于OLED 106的通电。
[0285] 图8a、b示出光电子器件设备在过调期间和过调之后的实施例。
[0286] 示出的是，根据图1至5的描述中的一个的光电子器件设备的一个实施例，其中手 动地用过压控制OLED 106,运在图8a中在过调期间示出。
[0287] OLED 106能够在过调之后W标准电压继续运行，运在图8b中示出。
[0288] 在过调时，OLm)能够短暂地W具有高于OLED 106在正常运行中的运行电流的数值 的、例如在大约100 %至大约1000 %的范围中的电流运行。OLED 106的一些区域、例如具有 颗粒引起的短路的区域能够在过调时降解。在过调之后，降解的区域能够在正常运行中，即 W标准的运行电流来运行中是光学无源的，例如被识别为在本身光学有源的面上的深色的 斑点802。在过调期间，有机材料能够变为电绝缘的和/或电消散的。不降解的区域能够如在 过调之前是光学有源的并且发射光。由此，还能够使用光电子器件。
[0289] 在用电子装置、例如驱动器电路104自动地过调化邸106时，与在手动过调时相比 电子装置明显更快地做出反应是可行的进而得出比在图8b中示出的、显得小非常多的深色 的斑点802。
[0290] 此外，能够将借助于驱动器电路104限定的电流变化和/或电压变化，例如具有限 定的宽度、幅值和重复速率的电压脉冲在过调时施加到OLED 106上。
[0291] 图9a-c示出根据不同的实施例的、用于运行光电子器件设备的不同的示图。
[0292] 图9a示出在25mm棱边长度的测试忍片上的具有发射体/检测器器件的不同组合的 光电子器件设备的示意图，发射体/检测器器件能够作为光电检测器904a、904b、904c、904d 运行或者作为发光二极管9023、9026、902(3、902(1(二极管)运行。发射体/检测器器件发射或 吸收来自共同的波导体的光。
[0293] 图9b示出根据图9a的光电子器件设备的光电子特性的表格。
[0294] 在示图中，有机发光二极管902曰、9026、902(3、902(1在光学有源的状态中^大约8￥ 的运行电压运行。光学有源的发光二极管用"r表示(发光二极管是接通的并且发射光)并 且光学无源的发光二极管用"0"表示(发光二极管是关断的或不发射光）。此外示出对于光 学有源的发光二极管902曰、9026、902(3、902(1的相应的组合在各个光电检测器904曰、90仙、 904c、904d上测量的W伏特(V)为单位的检测器电压。
[0295] 示出的是，检测器信号不仅与二极管的距离而且与二极管的数量和/或发光面的 大小相关。
[0296] 图9c示出类似于图9A的具有发射体/检测器器件的另一组合的光电子器件设备的 示意图。
[0297] 图9d示出类似于图9b的用于图9c中的光电子器件设备的实施例的表格。
[0298] 示出的是，检测器信号随着二极管904a、904b、904c与发光二极管902a的距离减 少。
[0299] 图10a、b示出用于常规的OL邸的老化的示图。
[0300] 在图IOa中示出测量出的压降1002和测量出的、归一化的光密度1006作为常规的 OL抓的归一化的运行时长1004的函数。将光密度1006 W未被使用的OLED、即在0 %的运行时 长1004下的光密度来归一化。运行时长1004W光密度1006降低到70%的初始的光密度(在 0%的运行时长的情况下）的时间来归一化。
[0301] 在图IOb中示出常规的OL抓的发光场1010、1020、1030。常规的化抓的（W在图IOa 和IOb中的1010示出）开始时均匀的发光图像在逐渐老化期间由于在运行中的略微的电流 和溫度不均匀度而仅是略微不均匀的。
[0302] 在制造 OLm)时能够将颗粒1008封入OLm)的层中。由于所述颗粒封入1008能够实现 化抓在运行中的表现为短路（shod)的失效。经由封入的颗粒1008几乎能够使所有的电流 流出运在图IOb中在1020中示出。
[0303] OLm)能够由此局部地强烈地变热，由此能够造成组件的折断(破裂）、烙化和/或进 一步退化。由此能够造成OLm)的突然的失效，由此运行电压降至零，运在图IOa和b中在1030 中示出。如在图IOa中在1020中示出，在压降1002和光密度1006中不能识别出对产生的短路 的明确指示。相反，在发光图像中，清楚地围绕颗粒1008构成深色的斑点，所述斑点最后能 够造成OL邸的突然的失效1030。
[0304] 在不同的实施方式中，提供光电子器件设备、用于制造光电子器件设备的方法和 用于运行光电子器件设备的方法，借助其可行的是，将光电子器件在光电子器件的颗粒引 起的失效之前关断和/或定位颗粒引起的短路的位置并且将其去除。借助于将光电检测器、 例如有机光电检测器集成在有机发光二极管的载体上，能够有规则地控制光密度或光通量 和/或其均匀性。由此，有机发光二极管的运行参数，例如运行电压和/或运行电流能够根据 有机发光二极管的老化来W器件个体的方式再调整。借助于光电检测器的信号还能够确 定，由有机发光二极管发射的光的光密度和/或均匀性是否偏离所存储的标准值、阔值或初 始值的组，由此必要时能够切断或修复有机发光二极管。标准值、阔值或初始值的组例如能 够存储在光电子器件设备的驱动器电路中或在与驱动器电路连接的能读取的存储器中。此 夕h能够借助于光电检测器确定有机发光二极管的失效。此外，能够借助于光电检测器及早 地识别短路并且经由例如集成在驱动器电路中的安全防护电路在烙化或折断之前关断有 机发光二极管。由此能够降低光电子器件设备的火灾危险进而提高在运行光电子器件设备 时的安全性。此外借助于光电检测器能够确定在有机发光二极管的光学有源面中的颗粒引 起的短路和/或计算颗粒引起的短路的位置。然后，能够借助于过压或借助于激光器烧除颗 粒引起的短路。由此，例如能够在安全性重要的器件中提高有机发光二极管的运行时长。
【主权项】
1. 一种光电子器件设备（100)，所述光电子器件设备具有： -第一光学有源结构（106)，所述光学有源结构构建用于提供电磁福射，其中所述第一 光学有源结构（106)构成为一个第一有机光电子器件（106)或构成为多个第一有机光电子 器件(106)或者具有一个第一有机光电子器件或多个第一有机光电子器件； -测量结构，所述测量结构构建用于确定所述电磁辐射的光密度分布;和 -波导体，所述波导体构建用于引导所提供的所述电磁辐射； -其中所述第一光学有源结构（106)与所述波导体光学耦合，使得将所提供的所述电磁 辐射至少部分地提供到所述波导体中，并且其中所述测量结构（116)与所述波导体光学耦 合，使得所提供的所述电磁辐射由所述测量结构（116)至少部分地从所述波导体中接收； -其中所述测量结构构建用于确定在所述第一光学有源结构（106)中的光密度分布，并 且 -其中所述测量结构（116)具有多个第二光学有源结构（116i)，其中多个所述第二光学 有源结构（116i)构建为接收所提供的所述电磁福射的光电器件（116 i)和/或光电子器件 (116i)〇2. 根据权利要求1所述的光电子器件设备（100)， 其中所述第一光电子器件（106)构成为面照明器件（106)。3. 根据权利要求1或2所述的光电子器件设备（100)， 其中所述测量结构（116)构成为，使得所述测量结构（116)具有第一运行模式和第二运 行模式，其中所述测量结构（116)在所述第一运行模式中从施加到所述测量结构（116)上的 电压或电流中提供另外的电磁辐射;并且在所述第二运行模式中从由所述第一光学有源结 构（106)中提供的并且由所述第二光学有源结构（116)接收的所述电磁辐射中产生电流或 电压。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件设备（100)， 其中至少一个第二光学有源结构（116i)具有光电导体、发光二极管、有机发光二极管、 光电二极管、有机光电二极管、太阳能电池和/或有机太阳能电池或构成为上述结构。5. 根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件设备（100)， 其中所述波导体透明地或半透明地构成。6. 根据权利要求1至5中任一项所述的光电子器件设备（100)， 所述光电子器件设备在所述波导体和所述第一光学有源结构（106)之间和/或在所述 波导体和所述测量结构（116)之间还具有光学耦合结构。7. -种用于制造光电子器件设备的方法，所述方法包括： -构成用于提供电磁福射的第一光学有源结构，其中所述第一光学有源结构（1 〇 6)构成 为一个第一有机光电子器件（106)或构成为多个第一有机光电子器件（106)或者具有一个 第一有机光电子器件或多个第一有机光电子器件； -构成用于确定所述电磁辐射的光密度分布的测量结构； -提供波导体，所述波导体构建用于引导所提供的所述电磁辐射； -其中所述第一光学有源结构（106)与所述波导体光学耦合，使得将所提供的所述电磁 辐射至少部分地提供到所述波导体中，并且其中所述测量结构（116)与所述波导体光学耦 合，使得所提供的所述电磁辐射由所述测量结构（116)至少部分地从所述波导体中接收； -其中所述测量结构构成为，使得能确定在所述第一光学有源结构（106)中的光密度分 布，并且 -其中所述测量结构（116)构成有多个第二光学有源结构（116i)，其中多个所述第二光 学有源结构（116i)构成为接收所提供的所述电磁福射的光电器件（116i)和/或光电子器件 (116i)〇8. -种用于运行根据权利要求1至6中任一项所述的光电子器件设备的方法，所述方法 具有： -当所述第一光学有源结构（106)是光学无源的时，测量所述测量结构（116)的测量参 数； -当所述第一光学有源结构（106)是光学有源的时，测量所述测量结构（116)的测量参 数； -确定所述测量结构的多个所述第二光学有源结构（116 i)在第一光学有源结构（10 6) 为光学有源时的测量参数与在第一光学有源结构（106)为光学无源时的测量参数的相应的 差;和 -根据多个所述第二光学有源结构（116i)彼此间的测量参数差来设定所述光学有源结 构（106)的至少一个运行参数。9. 根据权利要求8所述的方法， 其中当多个所述第二光电子器件在信号差中具有大于第一触发数值的差时，设定至少 一个所述运行参数包括将至少一个所述运行参数从第一运行参数组改变到第二运行参数 组。10. 根据权利要求9所述的方法， 其中当多个所述第二光电子器件平均具有小于第二触发数值的信号差时，设定至少一 个所述运行参数包括将至少一个所述运行参数从第一运行参数组改变到第三运行参数组。11. 根据权利要求8至10中任一项所述的方法， 其中运行参数组具有所述第一光学有源结构（106)的运行电流(716)、运行电压(714) 和/或光密度(704)。12. 根据权利要求11所述的方法， 其中所述第二运行参数组将所述第一光学有源结构（106)过调，使得提高所述运行电 流(716)、所述运行电压(714)和/或所述光密度(704)。
【文档编号】H01L51/52GK105830244SQ201480042122
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2014年6月26日
【发明人】阿恩特·耶格, 迈克尔·波普
【申请人】欧司朗Oled股份有限公司