用于电脑显示器的扁平线缆的制作方法

文档序号:10490297阅读:348来源:国知局
用于电脑显示器的扁平线缆的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于电脑显示器的扁平线缆,属于电脑连接线的技术领域。本发明所述的用于电脑显示器的扁平线缆,具有以规定间隔平行排列的多个导体、和覆盖在所述多个导体周围而形成的绝缘层,所述多个导体和绝缘层形成线缆主体,所述导体包括两个位于端部的接地导线,和多个位于所述接地导线之间的信号传输导线,所述线缆主体外设置有铜箔层,以及覆盖所述铜箔层的绝缘覆盖层,并且所述接地导线与所述铜箔层电性连接,所述铜箔层经过氧化处理。本发明的用于电脑显示器的扁平线缆不仅挠性好、而且提高了屏蔽性并有效防止电磁泄漏,从而能够满足显示器的小型化、薄型化甚至柔性化要求。
【专利说明】
用于电脑显示器的扁平线缆
技术领域
[0001] 本发明设及电脑连接线的技术领域,更具体地说,本发明设及一种用于电脑显示 器的扁平线缆及其制备工艺。
【背景技术】
[0002] 扁平柔性线缆,通常由绝缘材料和极薄的锻锡扁平铜线,通过压合而成的新型数 据线缆,具有柔软、易弯曲、厚度薄、体积小、连接简单、拆卸方便等优点。可W任意选择导线 数目及间距,使连线更方便,大大减少电子产品的体积,减少生产成本,提高生产效率,最适 合于电子设备或电路板之间的信号传输线缆之用,尤其是适合应用于复杂和/或空间狭小 且弯曲或折曲的地方。
[0003] 如CN101494096A所示,柔性线缆中通常根据实际需要可W布设有多个平行设置的 导线,而且导线之间的间距小;如此设置虽然可W使得连线方便,减少电子产品的体积,但 并行的导线之间噪声会相互叠加,从而可能干扰所述导线中进行的数据传输;另外当扁平 柔性线缆传输信号时,会产生相对高频的电磁波,对其它电子器件也会导致电磁干扰,为此 现有技术中如CN101494096A所示的那样,将导电织物通过导电压敏胶结合到导线周围的绝 缘材料上,运种结构不仅操作复杂。
[0004] 因此,针对上述缺陷,有必要对上述技术结构进行改良,W弥补现有技术的不足。

【发明内容】

[0005] 为了解决现有技术中存在的技术问题,本发明的目的在于提供一种用于电脑显示 器的扁平线缆。
[0006] 为了实现本发明的上述发明目的,本发明提供了 W下技术方案: 一种用于电脑显示器的扁平线缆,具有W规定间隔平行排列的多个导体、和覆盖在所 述多个导体周围而形成的绝缘层,所述多个导体和绝缘层形成线缆主体,所述导体包括两 个位于端部的接地导线,和多个位于所述接地导线之间的信号传输导线,其特征在于:所述 线缆主体外设置有铜锥层,W及覆盖所述铜锥层的绝缘覆盖层,并且所述接地导线与所述 铜锥层电性连接,所述铜锥层经过氧化处理。
[0007] 其中,所述接地导线的至少一个端面未覆盖所述绝缘层,并且该至少一个端面与 所述铜锥层电性连接。
[000引其中,所述铜锥层的厚度为10~50皿,优选为10~30皿,在本发明中当所述铜锥层 的厚度达到lOwnW上时即可达到满意的屏蔽效果,因而出于经济性的考虑将所述铜锥层的 厚度更优选为10~15皿。为了赋予与所述绝缘层优异的结合性,所述铜锥经过包含氧化步骤 的表面处理。
[0009]其中,在氧化性溶液中对处理后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由2-硫醇 基咪挫嘟、苯并=氮挫、四乙氧基硅烷、过氧化氨、碳酸盐和水组成。具体来说,在本发明中, 所述氧化性溶液由0.05~1. Owt%的2-硫醇基咪挫嘟、0 . Ol~0 . lOwt%的苯并S氮挫、0.50~ 1.50wt%的四乙氧基硅烷、1.0 ~20.Owt%的过氧化氨、1.0 ~10.Owt%的碳酸盐,和余量的水组 成。
[0010] 其中,所述铜锥层为所述线缆主体提供电磁屏蔽W防止外界电磁信号的干扰并且 抑制数据传输过程中由所述导体产生的电磁波的泄露。
[0011] 其中,所述绝缘层为聚对苯二甲酸下二醇醋(PBT)树脂绝缘层、聚苯硫酸(PPS)树 脂绝缘层、聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)树脂绝缘层或聚締控树脂绝缘层等。
[0012] 与现有技术相比,本发明具有W下有益效果: 本发明的用于电脑显示器的扁平线缆不仅晓性好、而且提高了屏蔽性并有效防止电磁 泄漏,从而能够满足显示器的小型化、薄型化甚至柔性化要求。
【附图说明】
[0013] 图1为本发明所述的用于电脑显示器的扁平线缆的平面示意图。
[0014] 图2为图1的扁平线缆沿着A-A方向横切的横截面示意图。
【具体实施方式】
[0015] 本发明所述的用于电脑显示器的扁平线缆,通常包括具有设置在绝缘材料内的多 个导体的线缆主体,所述绝缘材料覆盖在所述多个导体周围进而形成所述线缆主体的绝缘 层。所述导体包括两个位于端部的接地导线,和多个位于所述接地导线之间的信号传输导 线。在本发明中,铜锥结合到线缆主体的绝缘层上并通过压合使二者紧密结合,而无需使用 粘结胶等进行粘结,为此在本发明中所述铜锥经过了氧化和纯化处理。在本发明中,通过铜 锥层形成的金属屏蔽结构,不仅能够防止外界电磁信号对传输过程中的信号产生的电磁干 扰,而且还能够有效抑制在信号传输过程中由导体产生的电磁波泄露。
[0016] 如图1-2所示,为本发明的一个实施方式所提供的用于电脑显示器的扁平线缆的 结构示意图。在该实施方式中,所述柔性线缆主要包括由绝缘材料1和用于传输信号的导体 形成的线缆主体,所述导体W多根并列的形式排列,并且所述导体通常作为信号线和接地 线使用,所述导体例如可W采用软铜线或锻锡的软铜线,其可具有圆形、方形或长方形或基 本呈片状的截面形状。如图1所示,所述导体包括两个位于端部的接地导线2,和多个位于所 述接地导线2之间的信号传输导线3。所述绝缘材料覆盖在所述导体周围形成绝缘层2,并且 如图1所示所述接地导线2的一个端部表面未被所述绝缘材料所覆盖,当然作为选择的其两 个端部均可不被所述绝缘材料所覆盖,但所述信号传输导线3覆盖在所述绝缘材料内。作为 示例性地,所述绝缘材料例如可W为聚醋材料,聚对苯二甲酸下二醇醋(PBT)树脂绝缘层、 聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)树脂,此外也可W选择聚苯硫酸(PPS)树脂绝缘层。如图1所 示,所述导体的两端未被绝缘材料覆盖W方便电连接到装置,所述导体端部的暴露部分为 了防止氧化并进一步提高其插接的电气性能,其端部的表面可W锻覆金等兼有抗氧化和导 电性优异的薄层。如图1所示,尽管其中的导线为并排的多个,但根据具体应用或最终用 途,可包括更多或更少的导体,另外如果需要所述导体也可W设置成多排的形式。
[0017] 如图2所示,所述线缆主体的绝缘层1外通过压合连接有铜锥层4,并且更进一步地 所述铜锥层4,为了不使用粘结剂而还保持所述铜锥层4与绝缘层1之间的粘结性,所述铜锥 层经过了氧化和纯化处理;而所述铜锥层为所述线缆主体提供电磁屏蔽W防止外界电磁信 号的干扰并且抑制数据传输过程中由所述导体产生的电磁波的泄露。在本发明中当所述铜 锥纵包层的厚度达到10皿W上时即可达到屏蔽要求,因而出于经济性的考虑将所述铜锥层 的厚度优选为10~15 WH,当然其厚度当然也可W选择为15皿W上,并且其厚度可达到50 y m,当厚度达到SOwiiW上时不仅对屏蔽或抑制信号泄露的作用不显著,而且可能会导致线缆 的晓性降低因而不优选。由于所述接地导线的至少一个端部表面未被绝缘材料覆盖,因而 所述接地导线可W与所述铜锥形成良好的电性接触。在本发明中所述铜锥层4外围还设置 有覆盖层5,所述覆盖层5,例如可W为绝缘外部护套其可W形成加强结构,有助于将各部件 保持在装配状态下,并提供力学防护,此外也可W阻滞水蒸气W及氧化气体等内部屏蔽结 构的侵蚀。本发明的用于电脑显示器的扁平线缆不使用粘结剂提高了晓性、而且增强了屏 蔽性能,降低了线缆传输的损耗,而且提高了信号传输的安全性,具有良好的传输特性;而 且能够满足电脑显示器的小型化、薄型化甚至柔性化要求。
[0018]关于铜锥层 在本发明中,所述铜锥层使用的铜锥经过氧化处理,W提高其与绝缘层的粘结性,从而 无需再额外施加粘结胶或粘结剂。在进行氧化处理前,如果铜锥表面附着有油污、有机物W 及氧化膜等可首先进行脱脂处理,而且可选地还可W进行活化处理W将铜锥表面的氧化膜 去除的预处理;然后再将预处理后的铜锥进行氧化处理。关于脱脂的方法,例如可W通过有 机溶剂或者氨氧化钢等碱性水溶液进行。为了便于比较,作为示例性地,在本发明中使用表 面粗糖度为0.2皿的电解铜锥作为处理的对象,将该电解铜锥在氨氧化钢水溶液中进行碱 洗,随后进行水洗;然后在稀硫酸中进行活化处理。预处理后,在氧化性溶液中对处理后的 铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由2-硫醇基咪挫嘟、苯并=氮挫、四乙氧基硅烷、过氧 化氨、碳酸盐和水组成。具体来说,在本发明中,所述氧化性溶液由0.05~l.Owt%的2-硫醇基 咪挫嘟、0.0 l~0. lOwt%的苯并S氮挫、0.50~1.50wt%的四乙氧基硅烷、1.0~20.0 wt%的过氧 化氨、1.0~10.Owt%的碳酸盐,和余量的水组成。氧化处理的溫度优选为20~90°C,进一步地 优选为30~80°C,最优选为30~60°C ;处理时间为10~60分钟,时间优选为10~30分钟。
[0019]实施例1 在本实施例中,采用表面粗糖度为0.2 MK厚度为IOiim的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为10 W t %的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在浓度 5wt%的稀硫酸中进行活化处理,活化处理时间为10分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由0. 〇5wt%的2-硫醇基咪挫嘟、0.0 lwt%的苯并S 氮挫、1. Owt%的四乙氧基硅烷、5. Owt%的过氧化氨、5. Owt%的碳酸钢,和余量的水组成。氧化 处理的溫度为60°C,处理时间为15分钟。
[0020] 实施例2 在本实施例中,采用表面粗糖度为0.2 MK厚度为IOiim的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为10 W t %的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在浓度 5wt%的稀硫酸中进行活化处理,活化处理时间为10分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由l.Owt%的2-硫醇基咪挫嘟、0.05wt%的苯并S氮 挫、0.50wt%的四乙氧基硅烷、10.0 wt%的过氧化氨、5. Owt%的碳酸钢,和余量的水组成。氧化 处理的溫度为40°C,处理时间为10分钟。
[0021] 实施例3 在本实施例中,采用表面粗糖度为0.2 Ml、厚度为lOwii的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为10 W t %的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在浓度 5wt%的稀硫酸中进行活化处理,活化处理时间为10分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由O. lOwt%的2-硫醇基咪挫嘟、0.02wt%的苯并S 氮挫、0.50wt%的四乙氧基硅烷、1. Owt%的过氧化氨、10.0 wt%的碳酸钢,和余量的水组成。氧 化处理的溫度为50°C,处理时间为30分钟。
[0022] 实施例4 在本实施例中,采用表面粗糖度为0.2 MK厚度为IOiim的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为lOwt%的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在Iwt%的 氨氣酸水溶液中进行活化处理,活化处理时间为5分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由0. 〇5wt%的2-硫醇基咪挫嘟、0.0 lwt%的苯并S 氮挫、1. Owt%的四乙氧基硅烷、5. Owt%的过氧化氨、5. Owt%的碳酸钢,和余量的水组成。氧化 处理的溫度为60°C,处理时间为15分钟。
[0023] 实施例5 在本实施例中,采用表面粗糖度为0.2 MK厚度为IOiim的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为lOwt%的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在Iwt%的 氨氣酸水溶液中进行活化处理,活化处理时间为5分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由l.Owt%的2-硫醇基咪挫嘟、O.OSwt%的苯并S氮 挫、0.50wt%的四乙氧基硅烷、10.0 wt%的过氧化氨、5. Owt%的碳酸钢,和余量的水组成。氧化 处理的溫度为40°C,处理时间为10分钟。
[0024] 实施例6 在本实施例中,采用表面粗糖度为0.2 MK厚度为IOiim的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为lOwt%的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在Iwt%的 氨氣酸水溶液中进行活化处理,活化处理时间为5分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由0. lOwt%的2-硫醇基咪挫嘟、0.Olwt%的苯并S 氮挫、0.50wt%的四乙氧基硅烷、1. Owt%的过氧化氨、10.0 wt%的碳酸钢,和余量的水组成。氧 化处理的溫度为50°C,处理时间为30分钟。
[0025] 比较例1 在本比较例中,采用表面粗糖度为0.2皿、厚度为IOwii的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为10 W t %的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在浓度 5wt%的稀硫酸中进行活化处理,活化处理时间为10分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由0. lOwt%的2-硫醇基咪挫嘟、0.Olwt%的苯并S 氮挫、0.50wt%的四乙氧基硅烷、1. Owt%的过氧化氨,和余量的水组成。氧化处理的溫度为50 °C,处理时间为30分钟。
[00%]比较例2 在本比较例中,采用表面粗糖度为0.2皿、厚度为IOwii的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为10 W t %的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在浓度 5wt%的稀硫酸中进行活化处理,活化处理时间为10分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由0 . Olwt%的苯并S氮挫、0.50wt%的四乙氧基娃 烧、1.0 wt%的过氧化氨、IO. Owt%的碳酸钢,和余量的水组成。氧化处理的溫度为50 °C,处理 时间为30分钟。
[0027]比较例3 在本比较例中,采用表面粗糖度为0.2皿、厚度为IOwii的电解铜锥进行W下表面处理, 将该电解铜锥在浓度为10 W t %的氨氧化钢水溶液中进行碱洗,随后进行水洗;然后在浓度 5wt%的稀硫酸中进行活化处理,活化处理时间为10分钟。预处理后,在氧化性溶液中对处理 后的铜锥进行氧化处理,所述氧化性溶液由O.lOwt%的6-二硫代辛基氨基-1,3,5-S嗦-2, 4-二硫醇、0.0 lwt%的苯并S氮挫、0.50wt%的四乙氧基硅烷、1. Owt%的过氧化氨,和余量的 水组成。氧化处理的溫度为50°C,处理时间为30分钟。
[002引对实施例1-6W及比较例1-3处理的铜锥试样,在溫度为180°C、压力为1.5M化的条 件下与PBT树脂、PET树脂、PPS树脂进行压合,压合处理2个小时,然后测量铜锥与树脂之间 的粘附力(剥离强度),结果如表1所示。
[0029] 表1粘附力(单位N/mm)
WT伞'巧口或的肯化化不八巧TO旨,应a巧脾W W化个肌罔伞及明公化的化田WH,口J W采用等同替换或等效变换形式实施上述实施例。本发明的保护范围并不限于具体实施方 式部分的具体实施例,只要没有脱离发明实质的实施方式,均应理解为落在了本发明要求 的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种用于电脑显示器的扁平线缆,具有以规定间隔平行排列的多个导体、和覆盖在 所述多个导体周围而形成的绝缘层,所述多个导体和绝缘层形成线缆主体,所述导体包括 两个位于端部的接地导线,和多个位于所述接地导线之间的信号传输导线,其特征在于:所 述线缆主体外设置有铜箱层,以及覆盖所述铜箱层的绝缘覆盖层,并且所述接地导线与所 述铜箱层电性连接,所述铜箱层经过氧化处理。2. 根据权利要求1所述的用于电脑显示器的扁平线缆,其特征在于:所述接地导线的至 少一个端面未覆盖所述绝缘层,并且该至少一个端面与所述铜箱层电性连接。3. 根据权利要求1所述的用于电脑显示器的扁平线缆,其特征在于:所述铜箱层的厚度 为 10~50 μL?ο4. 根据权利要求3所述的用于电脑显示器的扁平线缆,其特征在于:在氧化性溶液中对 处理后的铜箱进行氧化处理,所述氧化性溶液由2-硫醇基咪唑啉、苯并三氮唑、四乙氧基硅 烧、过氧化氢、碳酸盐和水组成。5. 根据权利要求4所述的用于电脑显示器的扁平线缆,其特征在于:所述氧化性溶液由 0.05~1. Owt%的2-硫醇基咪唑啉、0.01~0.10wt%的苯并三氮唑、0.50~1.50wt%的四乙氧基硅 烷、1.0~20.0 wt%的过氧化氢、1. (MO. Owt%的碳酸盐,和余量的水组成。6. 根据权利要求5所述的用于电脑显示器的扁平线缆,其特征在于:氧化处理的温度为 20~90 °C,处理时间为10~60分钟。7. 根据权利要求1所述的用于电脑显示器的扁平线缆,其特征在于:所述铜箱层为所述 线缆主体提供电磁屏蔽以防止外界电磁信号的干扰并且抑制数据传输过程中由所述导体 产生的电磁波的泄露。8. 根据权利要求1所述的用于电脑显示器的扁平线缆,其特征在于:所述绝缘层为聚对 苯二甲酸丁二醇酯(PBT)树脂绝缘层、聚苯硫醚(PPS)树脂绝缘层、聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)树脂绝缘层或聚烯烃树脂绝缘层。
【文档编号】H01B7/08GK105845206SQ201610185530
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月29日
【发明人】朱悦
【申请人】朱悦
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