半导体装置的制造方法
【专利摘要】本发明的一个目的在于，解决配置于半导体芯片及基板的散热板因伴随热膨胀或热收缩的应力而发生的散热板与基板的粘结部剥落的问题。本发明的半导体装置具有：表面为绝缘材料的基板；倒装芯片连接在上述基板上的半导体芯片；以及散热板，经由热界面材料而粘结于上述半导体芯片，在上述半导体芯片的外侧固定于上述基板，其中，上述散热板在粘结于上述半导体芯片的部分与固定于上述基板的部分之间具有向上述基板突出并由导电性树脂粘结于上述基板的突起部，上述散热板具有应力吸收部。根据本发明，可防止配置于半导体芯片及基板的散热板因伴随热膨胀或热收缩的应力而发生的散热板与基板的粘结部的剥落。
【专利说明】
半导体装置
技术领域
[0001] 本发明设及半导体装置，尤其设及具有低应力散热板的倒装忍片键合(FCB)封装 件的技术。
【背景技术】
[0002] 随着半导体器件的高速化或输入/输出（I/O)数的增大，来自半导体器件的发热量 也在增大。由此，已知有在半导体忍片上粘结散热板的半导体封装件。另外，已知的是，W高 速器件的低噪声化为目的，将散热板与封装基板的地线相连接，使地线稳定。
[0003] 例如，公开有为了提高散热性，在掩埋半导体忍片的密封部件的内部埋入散热部 件的半导体装置(例如，参照专利文献1)。根据在专利文献1中公开的半导体装置，若将散热 部件的表面积进行适当的设定，可提高半导体装置的散热性，并实现热阻值的降低。
[0004] (现有技术文献）
[000引（专利文献）
[0006] 专利文献1:日本特开平2012-33559号公报
[0007] 然而，有可能发生为了提高散热性而设置的散热板因热膨胀或热收缩所伴随的应 力而剥离的问题。
【发明内容】
[000引本发明的目的之一在于，解决散热板因热膨胀或热收缩所伴随的应力而剥离的问 题。
[0009] 根据本发明一个实施方式的半导体装置具有:表面为绝缘材料的基板;倒装忍片 连接在上述基板上的半导体忍片；W及散热板，经由热界面材料而粘结于上述半导体忍片， 并在上述半导体忍片的外侧固定于上述基板，其中，上述散热板在粘结于上述半导体忍片 的部分与固定于上述基板的部分之间具有向上述基板突出并由导电性树脂粘结于上述基 板的突起部，上述散热板具有应力吸收部。
[0010] 上述应力吸收部的刚性可低于上述散热板的除上述应力吸收部之外的部分的刚 性。
[0011] 上述应力吸收部可利用设置于上述散热板的上述基板一侧的面上的槽而薄壁化。
[0012] 另外，上述槽可设置有两个W上。
[0013] 另外，上述散热板可设置为上述突起部向上述半导体忍片的周围突出，上述应力 吸收部可配置于上述突起部的内侧或外侧。
[0014] 上述应力吸收部可与上述突起物相邻地配置。
[0015] 另外，上述应力吸收部可包括设置于上述散热板的上述基板一侧的面上的有底孔 或贯通孔。
[0016] 另外，上述散热板可由化、A1或侣娃铜(AlSi化)陶瓷形成。
【附图说明】
[0017] 图1为本发明的第一实施方式的半导体装置的简图。
[0018] 图2为本发明的第一实施方式的半导体装置的剖视图。
[0019] 图3A为本发明的第一实施方式的半导体装置的散热板的俯视图。
[0020] 图3B为本发明的第一实施方式的半导体装置的散热板的剖视图。
[0021] 图4A为本发明的第二实施方式的半导体装置的散热板的俯视图。
[0022] 图4B为本发明的第二实施方式的半导体装置的散热板的剖视图。
[0023] 图5A为本发明的第Ξ实施方式的半导体装置的散热板的俯视图。
[0024] 图5B为本发明的第Ξ实施方式的半导体装置的散热板的剖视图。
[0025] 图6A为本发明的第四实施方式的半导体装置的散热板的俯视图。
[0026] 图6B为本发明的第四实施方式的半导体装置的散热板的剖视图。
[0027] 图7A为本发明的第五实施方式的半导体装置的散热板的俯视图。
[0028] 图7B为本发明的第五实施方式的半导体装置的散热板的剖视图。
[0029] 图8为比较例的半导体装置的剖视图。
[0030] 图9为比较例的半导体装置的剖视图。
[0031] 图10为本发明的第一实施方式的半导体装置的剖视图。
【具体实施方式】
[0032] 本发明提供可防止散热板因热膨胀或热收缩所伴随的应力而剥离的可靠性高的 半导体装置。
[0033] W下，参照【附图说明】本发明的半导体装置。然而，本发明的半导体装置能够W多种 不同的实施方式来实施，而不局限于W下示出的实施方式的记载内容来解释。此外，本实施 方式中参照的附图中，相同部分或具有相同功能的部分标注相同的符号，并省略其重复说 明。
[0034] <实施方式1〉
[0035] 利用图1至图3来说明有关实施方式1的半导体装置的结构。
[0036] [半导体装置的整体结构]
[0037] 图1为示出本发明的第一实施方式的半导体装置100的整体结构的简图。半导体装 置100在基板10上配置半导体忍片30,并且在基板10及半导体忍片30上配置散热板20。基板 10与散热板20相对置地配置，二者的面积大体相同，半导体装置100具有大致为立方体的形 状。
[0038] [半导体装置的剖视图]
[0039] 图2为示出本发明的第一实施方式的半导体装置100的沿图1的Ι-Γ线的剖视图。
[0040] 基板10为封装基板(支承基板），为利用了聚酷亚胺或环氧树脂等的有机材料的有 机基板。基板10可W为多层结构的层积基板。基板10的与散热板20相对置的面上设置用于 与半导体忍片30或突起部22电连接的电极。基板10的另一个表面上也可适当配置半导体忍 片30W外的元件、或用于与外部的器件或基板等电连接的电极。在基板10的表面，除了上述 电极之外的所有部分可利用构成基板10的有机材料和涂敷于基板10的环氧类树脂涂层剂、 热固性环氧类绝缘膜等而由绝缘材料构成。
[0041] 在基板10上，配置为经由导电性的凸块4則尋半导体忍片30倒装忍片连接。作为凸 块49,可使用铜(加）、银(Ag)、金(Au)及焊料(solder)等。半导体忍片30为集成电路（1C)忍 片或大规模集成电路化SI)忍片等半导体元件。作为半导体忍片30,使用W娃(Si)为主要材 料的半导体元件，但也可为W碳化娃(SiC)或氮化嫁(GaN)等为主要材料的半导体元件。此 夕h在第一实施方式中，示出在基板上配置了一个半导体元件的例子，然而也可在基板上并 排地配置多个半导体，还可层积多个半导体。
[0042] 在基板10与半导体忍片30之间，配置用于固定半导体忍片30的底部填充 (underfill)45。作为底部填充45,可使用环氧树脂、氯酸醋树脂、丙締酸树脂、聚酷亚胺树 月旨、娃树脂等。
[0043] 在半导体忍片30上经由热界面材料47配置散热板20。热界面材料47可使用散热 片、石墨、导热膏等众所周知的导热材料(TIM)。作为热界面材料47,为了有效地向散热板20 传递半导体忍片30的发热，可使用导热性高、粘结性良好的材料。另外，作为散热板20,也可 使用铜(化）、侣(A1)、侣娃铜(AlSi化)陶瓷等。
[0044] 在散热板20的外周附近具有向基板10突出的固定部28。散热板20的固定部28与基 板10经由粘结剂41固定。此外，粘结剂41的绝缘性及导电性都良好。若抽象性地舍去在后文 中说明的突起部22和应力吸收部26,则散热板20具有在散热板的外周附近具有向基板10突 出的固定部28的盖状的形状。基板10的侧面和散热板20的侧面形成为配置于大致相同平面 上，与基板10的侧面相比，散热板20的侧面可位于更接近半导体装置100的中屯、的位置，也 可W相反地，与基板10的侧面相比，散热板20的侧面位于更远离半导体装置100的中屯、的位 置。
[0045] 散热板20具有与如上所述的固定部28不同而向对置的基板10的方向突出的突起 部22。突起部22配置于与半导体忍片30相粘结的部分与固定部28之间。突起部22借助于导 电性粘结剂43而粘结于基板10。基板10的粘结于突起部22的部分配置有与基板10的地线电 连接的电极。即，突起部22与基板10的地线电连接，是为了使基板10的地线稳定化而配置的 构件。此外，若从地线稳定化的观点来看，优选地，突起部22配置于更接近于半导体忍片30 的位置。
[0046] 在本发明的第一实施方式的半导体装置100的散热板20中，在粘结于半导体忍片 30的部分与突起部22之间，配置应力吸收部26。更具体地，在散热板20的与基板10对置的面 上，在粘结于半导体忍片30的部分与突起部22之间形成凹状的槽24。在散热板20上，当抽象 性地舍去固定部28与突起部22时，散热板20具有规定的厚度，而配置有槽24的部分形成厚 度比其周围的厚度薄的应力吸收部26。此外，散热板20的固定部28、突起部22、槽24等可通 过刻蚀来形成。
[0047] [散热板20的平面结构]
[0048] 图3A为本发明的第一实施方式的半导体装置的散热板20的俯视图，图3B为沿着图 3A中的Ι-Γ线的剖视图。利用虚线围起来的矩形的区域30'为表示散热板20与半导体忍片 30(未图示）相粘结的位置。在矩形形状中可配置突起部22, W便包围粘结半导体忍片30区 域。进而，在散热板20的外周部，配置与基板10(未图示)粘结并固定的固定部28。在第一实 施方式中，在粘结半导体忍片30的区域与形成突起部22的部分之间，配置槽24(应力吸收部 26)。优选地，槽24配置于靠近配置突起部22的位置。更优选地，槽24与配置突起部22位置相 邻地配置。槽24(应力吸收部26)也与突起部22同样地，形成为包围半导体忍片30的粘结区 域的矩形形状。
[0049] 构成半导体装置100的基板10和半导体忍片30分别W有机基板和娃来作为主要材 料。基板10的热膨胀系数为约15ppm，半导体忍片30的热膨胀系数为约3.4ppm。运样，基板10 的热膨胀系数的值大于半导体忍片30的热膨胀系数的值。因此，在溫度循环试验中，低溫时 (例如，一55Γ)基板10的收缩量大，因此半导体装置100整体上向上面（图2的上侧，配置有 散热板20的面)突出弯曲。在运里，基板10与散热板20在外周附近借助于粘结剂41而牢固地 粘结并固定。另外，散热板20与半导体忍片30利用热界面材料47而牢固地粘结并固定着。运 样，散热板20与基板10及半导体忍片30被牢固地粘结并固定着，因此在溫度循环试验的低 溫时，对于散热板20在弯曲方向上施加应力。
[0050] 关于本发明的第一实施方式的半导体装置100的散热板20,在粘结半导体忍片30 的部分与固定基板10的固定部28之间，具有槽24。借助于该槽24,在散热板20中形成应力吸 收部26。即，通过在散热板20中设置槽24,在散热板20的形成了槽24的部分，形成具有比未 形成槽24的部分的散热板20的厚度薄的应力吸收部26。利用应力吸收部26,可缓和因热引 起的散热板20的应变。换言之，散热板20的应力吸收部26与其周围相比刚性低。像运样，通 过在散热板20中形成刚性低的部分，可使散热板20的热应力得到缓和。例如，通过使散热板 20中包括应力吸收部26,在溫度循环试验中，可降低在低溫时的半导体装置100的弯曲。由 此，可降低因半导体装置100的弯曲行为而产生的、在散热板20的突起部22与基板10之间的 粘结部中的应力，可防止该粘结部处的剥离。
[0化1] <第二实施方式〉
[0052] 对于本发明的第二实施方式的半导体装置的概要，参照图4A及图4B来进行说明。
[0053] 图4A为第二实施方式的半导体装置的散热板20的俯视图，图4B为沿着图4A中的 Ι-Γ线的剖视图。第二实施方式的特征在，散热板20中配置两个槽，即，槽24a和槽24b，且 形成应力吸收部26。槽24a及槽24b形成于粘结半导体忍片30的区域30'与突起部22之间。与 第一实施方式的槽24同样地，优选地，槽24a配置靠近配置突起部22的位置。更优选地，槽 24a配置为与配置突起部22的位置相邻。另外，与第一实施方式的槽24同样地，槽24a的在平 面上的形状也形成为矩形形状。槽24b配置于槽24a与粘结半导体忍片30的区域30'之间。关 于平面上的形状，与槽24a同样地形成为矩形形状。
[0054] 在第二实施方式中，在和半导体忍片30相粘结的区域30'与突起部22之间，配置有 两个槽，即，槽24a和槽24b，因此与第一实施方式相比，应力吸收部26的刚性进一步降低，从 而可进一步缓和散热板20的突起部22与基板10的粘结部处的应力。
[0化5] <第=实施方式〉
[0056] 对于本发明的第Ξ实施方式的半导体装置的概要，参照图5A及图5B来进行说明。
[0057] 图5A为第Ξ实施方式的半导体装置的散热板20的俯视图，图5B为沿着图5A中的 Ι-Γ线的剖视图。第Ξ实施方式的特征在于，在散热板20中配置有底孔24c，形成应力吸收 部26。有底孔24c形成于粘结半导体忍片30的区域30'与突起部22之间。优选地，有底孔24c 配置在靠近配置突起部22的位置。更优选地，有底孔24c配置为与配置突起部22的位置相 邻。参照图5A可知，多个有底孔24c沿着突起部22保持规定的间隔，并配置为矩形形状。进 而，也可W沿着配置运些有底孔24c的区域的内侧，将多个有底孔24c保持规定的间隔而配 置为矩形形状。
[005引像运样，在第Ξ实施方式中，不是像第一实施方式那样在散热板20中形成槽24，然 而由于在散热板20中配置有多个凹状的有底孔24c而形成应力吸收部26,因此与第一实施 方式同样地，可降低因半导体装置100的弯曲行为而产生的、在突起部22与基板10之间的粘 结部中的应力。
[0化9] <第四实施方式〉
[0060] 对于本发明的第四实施方式的半导体装置的概要，参照图6A及图6B来进行说明。
[0061] 图6A为第四实施方式的半导体装置的散热板20的俯视图，图6B为沿着图6A中的 Ι-Γ线的剖视图。第四实施方式的特征在于，在散热板20上，配置从与基板10相对的面到 作为半导体装置的外侧的面而贯通的贯通孔24d，作为应力吸收部26。贯通孔24d可配置于 与在第Ξ实施方式中示出的配置有底孔24c的位置相同的位置。优选地，贯通孔24d配置在 靠近配置突起部22的位置。更优选地，贯通孔24d配置为与配置突起部22的位置相邻。
[0062] 在第四实施方式中，在配置了散热板20的多个贯通孔24d(应力吸收部26)的部分 的周围，刚性降低。因此，与第一实施方式同样地，可降低因半导体装置100的弯曲行为而产 生的、在突起部22与基板10之间的粘结部中的应力。
[0063] <第五实施方式〉
[0064] 对于本发明的第五实施方式的半导体装置的概要，参照图7A及图7B来进行说明。
[0065] 图7A为第五实施方式的半导体装置的散热板20的俯视图，图7B为沿着图7A中的 Ι-Γ线的剖视图。第五实施方式的特征在于，与第一实施方式不同，槽24e配置于突起部22 的外侧，即，配置于突起部22与固定部28之间，形成应力吸收部26。优选地，槽24e配置在靠 近配置突起部22的位置。更优选地，槽24e配置为与配置突起部22的位置相邻。即使槽24e配 置于突起部22的外侧，也与槽24配置于突起部22的内侧的第一实施方式同样地，可降低在 突起部22与基板10之间的粘结部中的应力。
[0066] <其他实施方式〉
[0067] W上，参照图1至图7B，说明了本发明的第一实施方式至第五实施方式，然而，本发 明不局限于上述的实施方式。本发明可将如上所述的各实施方式，在不脱离要旨的范围内， 适当地变更或组合各实施方式来实施。
[0068] 例如，在第一实施方式中，示出了槽24W矩形形状连续地配置的例，然而槽24也可 断续地形成。另外，也可W与形成为矩形形状的突起部22的各边平行地形成槽，而在相当于 角的部分形成有底孔或贯通孔。另外，也可W将第一实施方式与第五实施方式进行组合，在 配置了突起部22的位置的内侧和外侧形成槽24及槽24e。另外，虽然示出了槽24等形成为凹 状的例子，然而也可W为半圆形、Ξ角形等其他形状。另外，由槽24等形成的应力吸收部26 也可形成于散热板20和半导体忍片30粘结的部分、与基板10粘结并固定于散热板20的固定 部28之间。然而，从使突起部22与基板10之间的粘结部中的应力降低的观点来看，优选将应 力吸收部26形成于靠近突起部22的位置。
[0069] 进而，在第一实施方式至第Ξ实施方式及第五实施方式中，说明了槽24等配置于 散热板20的与基板10相对置的面上的实施方式，然而本发明的实施方式不局限于此。也可 W在与散热板20的与基板10相对置的面相反的面、即在向半导体装置100的外部暴露的面 中形成槽或有底孔。
[0070] < 模拟〉
[0071] W下，对于本发明的实施例的半导体装置和比较例的半导体装置，示出应力模拟 的结果。
[0072] [比较例的结构]
[0073] 图8为示出了比较例的半导体装置700的剖视图。半导体装置700具有玻璃陶瓷基 板710。玻璃陶瓷基板的信号的传输损失小，因此常常被用于高速器件的半导体封装件。半 导体忍片730在玻璃陶瓷基板710上倒装忍片连接，在半导体忍片730的上表面，经由热界面 材料747而粘结盖状的散热板720。在玻璃陶瓷基板710的外周部，粘结并固定散热板720。
[0074] 在粘结于半导体忍片730的区域的外侧，散热板720具有向玻璃陶瓷基板710侧突 出的突起部722。突起部722经由导电性粘结剂743而粘结于玻璃陶瓷基板710,并与玻璃陶 瓷基板710的地线电连接。
[0075] 作为半导体装置700的主要结构要素的材料，盖状的散热板720使用铜，半导体忍 片730使用娃，玻璃陶瓷基板710使用玻璃陶瓷。在运里，关于运些结构要素的材料的热膨胀 系数，铜为约15ppm、娃为约3.4ppm，玻璃陶瓷为约9.5ppm。由此，在半导体装置700的制造工 序中，溫度循环试验为低溫时(例如，一55°C)，因各结构要素的热膨胀系数的不匹配，半导 体装置700向图8的上方凸突出弯曲。然而，在玻璃陶瓷基板710的情况下，弯曲的行为被抑 制为较小，因此几乎不产生各结构要素之间的粘结部的剥离等问题。
[0076] 近年，对于层积基板等有机基板，也正开发着可对应于高速器件的基板。有机基板 比玻璃陶瓷基板价格低廉，因此可用于高速器件的封装基板的机会增多。图9中示出比较例 的半导体装置800的剖视图。图9的半导体装置800与图8中示出的半导体装置700相同的结 构，然而在作为封装基板使用有机基板810运一点上不同。
[0077] 作为半导体装置800的主要结构要素的材料，盖状的散热板820为铜，半导体忍片 830为娃，有机基板810为包含有机材料的基板。关于运些结构要素的材料的热膨胀系数，铜 为约15ppm，娃为约3.4ppm，有机基板为约15ppm。由此，图8的玻璃陶瓷基板710与图9的有机 基板810的热膨胀系数相比，有机基板810的热膨胀系数大。作为封装基板，在使用了有机基 板810的半导体装置中，在溫度循环试验中，在低溫时(例如，一55°C)，半导体装置800向图9 的上方突出弯曲。此时，有机基板810弯曲行为大于图8中示出了的玻璃陶瓷基板710的弯曲 行为，因而会产生各结构要素的粘结部的剥离。尤其是，存在在散热板820的突起部822与有 机基板810之间的粘结部施加应力而产生剥离的情况，且存在难W保持地线电位的稳定性 的问题。
[007引读施例]
[0079]图10为示出本发明一个实施例的半导体装置的剖视图。图10中示出的半导体装置 具有与在第一实施方式中说明了的半导体装置相同的结构。在半导体装置100中，使用有机 基板作为基板10,并且使用包含铜(Cu)的散热板20。另外，使用环氧树脂作为粘结剂41，使 用环氧树脂作为底部填充45,且使用银(Ag)膏作为导电性粘结剂43,使用金属作为热界面 材料47。在此，散热板20为正方形，一边的长度a为26.5mm、厚度b为0.5mm、槽24的宽度C为 4mm、槽24的深度d为0.3mm、突起部22的长度e为0.3mm、突起部22的平面方向的厚度f为 0.5mm、固定部28的长度g为0.7mm、固定部28的平面方向的厚度h为2mm、夹着半导体忍片30 的两个突起部22的间隔i为16mm。另外，半导体忍片30为正方形，一边的长度j为11mm，并配 置于正方形的基板10及散热板20的中央。另外，基板10的一边的长度k为27mm、厚度m为 0.99mm。此外，应力吸收部26的宽度为4mm、厚度为0.3mm。
[0080] 另一方面，比较例的半导体装置不具有图10中的槽24(应力吸收部26)，其他为相 同结构。在表1中示出，溫度循环试验时（一55°C~125°C)，突起部22与基板10之间的连接部 分(设定为地线连接部）中的最大应力时的溫度和应力。
[0081] 表 1 Γ00821
'[0083]对于不具有槽24的比较例的半导体装置，地线连接部的最大应力为3.75Mpa。另一 I 方面，具有槽24(即，具有应力吸收部26)的实施例的地线连接部的最大应力为3.52Mpa。由 此，基于模拟可知，实施例与比较例相比，可降低一55Γ时的施加于地线连接部的应力。
[0084] <实验结果〉
[0085] 其次，在表2中示出，对于具有与上述模拟中设定的尺寸相同的结构的实施例的半 导体装置与比较例的半导体装置进行了溫度循环试验（一55Γ~125Γ)的实验结果。表2的 数值中，W投入至溫度循环试验的半导体装置的数量作为分母，W半导体装置的导通确认 结果为"不良（NG)"的作为分子。此外，半导体装置的导通确认结果为"不良"的原因认为是， 散热板20的突起部22与基板10之间的粘结部分的一部分或全部剥离。
[00化]表2
[0087]
[0088] 参照表2,不具有槽24的比较例的半导体装置的情况下，800循环的导通确认全部 无问题，然而在1000循环中，30个之中的6个为"不良"，且在1200循环中，22个之中的13个为 "不良"，在1500循环中，7个中的4个为"不良"。另一方面，具有槽24的（具有应力吸收部26) 实施例的半导体装置的情况下，800循环、1000循环、1200循环的各试验中，分别将30个、30 个、28个半导体装置投入了试验，然而未出现"不良"。在1500循环时，26个中的3个为"不 良"。
[0089] 如上所述，具有槽24(具有应力吸收部26)的实施例的半导体装置与不具有槽24的 比较例的半导体装置相比，在溫度循环试验的导通确认中，可确认"不良"的比例大幅度地 减少了。由此，可确认在实施例中具有可防止突起部22与基板10之间的粘结部的剥离的效 果。
[0090] 根据本发明，通过在散热板中设置刚性低的应力吸收部，可使由半导体装置的弯 曲行为产生的、散热板的突起部与基板之间的粘结部中的应力降低，并且可防止突起部与 基板之间的粘结部的剥离。由此，可保持散热板与地线之间的稳定的电连接。因此，可提供 可靠性高的半导体装置。
【主权项】
1. 一种半导体装置，其特征在于，具有： 表面为绝缘材料的基板； 半导体芯片，倒装芯片连接于上述基板上；以及 散热板，经由热界面材料而粘结于上述半导体芯片，在上述半导体芯片的外侧固定于 上述基板， 上述散热板在粘结于上述半导体芯片的部分与固定于上述基板的部分之间具有向上 述基板突出并由导电性树脂而粘结于上述基板的突起部， 上述散热板具有应力吸收部。2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述应力吸收部的刚性低于上述散 热板的除了上述应力吸收部之外的部分的刚性。3. 根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，上述应力吸收部利用设置在上 述散热板的上述基板一侧的面上的槽而薄壁化。4. 根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述槽设置有两个以上。5. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述散热板设置为上述突起部向上 述半导体芯片的周围突出，上述应力吸收部配置于上述突起部的内侧或外侧。6. 根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述应力吸收部与上述突起部相邻 地配置。7. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述应力吸收部包括设置在上述散 热板的上述基板一侧的面上的有底孔或贯通孔。8. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述散热板由Cu、Al或AlSiCu陶瓷 而形成。
【文档编号】H01L23/367GK105870080SQ201610068904
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月1日
【发明人】广部正雄
【申请人】株式会社吉帝伟士