一种阵列基板及其制备方法和显示器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示器件。阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板的绑定区设有绑定区电极，所述衬底基板的显示区设有信号线，所述绑定区电极通过绑定连接线与所述信号线连接，所述绑定区电极以及绑定连接线均采用金属Mo制成，所述信号线的材质包括依次叠加设置的Mo、Al、Mo三层金属层。本发明提供的阵列基板中采用金属Mo制成绑定区电极和绑定连接线，提高了绑定区电极和绑定连接线的抗腐蚀能力和抗机械划伤的能力，提高了维修成功率，减少了衬底基板报废。
【专利说明】
一种阵列基板及其制备方法和显示器件
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示器件。
【背景技术】
[0002]⑶G(chip on glass，芯片绑定在玻璃上)产品的外引线绑定工艺是指采用ACF(Anisotropic Conductive Film，各向异性导电膜)将IC绑定在阵列基板上的操作过程。在绑定过程中常因结合区异物、ACF压痕浅等原因造成的产品缺陷需要进行重新组装。重新组装过程中需要将不良的IC、FPC(Flexible Printed Circuit board，挠性印刷电路板)、PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)从玻璃基板上去除下来，通过重新绑定维修设备，将新的IC、FPC、PCB绑定到玻璃基板上，实现维修的目的。
[0003]现有技术中维修时需要将ACF从玻璃基板上采用去除液等剥离下来，现有技术中COG广品绑定区电极多米用Mo-Al -Mo材质制成，在维修过程中Mo-Al -Mo材质的绑定区电极容易发生腐蚀、划伤，导致维修失败，造成玻璃基板的报废。
【发明内容】
[0004](一)要解决的技术问题
[0005]本发明要解决的技术问题是解决如何降低COG产品维修过程中绑定区电极的划伤和腐蚀的技术问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板的绑定区设有绑定区电极，所述衬底基板的显示区设有信号线，所述绑定区电极通过绑定连接线与所述信号线连接，所述绑定区电极以及绑定连接线均采用金属Mo制成，所述信号线的材质包括依次叠加设置的Mo、Al、Mo三层金属层。
[0008]根据本发明，所述信号线为数据线。
[0009]根据本发明，所述绑定区电极、绑定连接线以及信号线的厚度相同。
[0010]根据本发明，所述信号线与所述绑定连接线之间通过连接段连接，所述连接段包括依次叠加设置的Mo、Al、Mo三层金属层。
[0011]根据本发明，所述衬底基板为玻璃基板。
[0012]本发明还提供了一种上述的阵列基板的制备方法，包括以下步骤:
[0013]SI，提供一衬底基板；
[0014]S2，在所述衬底基板的绑定区依次制作多层Mo金属层，并在制作一层金属层后根据所述绑定区电极以及绑定连接线的形状进行一次刻蚀，形成所述绑定区电极以及绑定连接线；在所述衬底基板的显示区依次制作Μο、Α1、Μο三层金属层，并在制作一层金属层后根据所述信号线的形状对金属层进行一次刻蚀，形成所述信号线，所述信号线与所述绑定连接线相连接。
[0015]根据本发明，所述步骤S2具体包括:在所述衬底基板的绑定区制作所述绑定区电极及绑定连接线，在所述衬底基板的显示区制作所述信号线，在所述信号线与所述绑定连接线之间依次制作Μο、Α1、Μο三层金属层，并在制作一层金属层后对金属层进行一次刻蚀，形成第一连接段；
[0016]在所述第一连接段的上方以及所述信号线与所述绑定连接线靠近所述第一连接段的一端设有连接所述信号线、第一连接段和绑定连接线的第二连接段，所述第二连接段包括依次叠加设置的Mo、Al、Mo三层金属。
[0017]根据本发明，所述步骤S2具体包括:
[0018]在所述衬底基板的绑定区制作绑定区第一Mo金属层，并根据所述绑定区电极及绑定连接线的形状对其进行刻蚀；
[0019]在所述衬底基板的显示区制作一层与绑定区第一Mo金属层相连接的显示区第一Mo金属层，并根据所述显示区信号线的形状对其进行刻蚀；
[°02°]在所述绑定区第一 Mo金属层的上方依次制作绑定区第二 Mo金属层和绑定区第三Mo金属层，所述绑定区第二 Mo金属层和绑定区第三Mo金属层靠近所述显示区的一端均与所述绑定区第一Mo金属层和所述显示区第一Mo金属层的连接处留有间隙，并分别在绑定区第二 Mo金属层和绑定区第三Mo金属层形成后根据所述绑定区电极及绑定连接线的形状对其进行刻蚀，最终在绑定区形成包括三层Mo金属的绑定区电极及绑定连接线；
[0021]在所述显示区第一 Mo金属层的上方依次制作显示区Al金属层和显示区第二 Mo金属层，所述显示区Al金属层和显示区第二 Mo金属层靠近所述绑定区的一端均与所述绑定区第一Mo金属层和所述显示区第一Mo金属层的连接处留有间隙，并分别在显示区Al金属层形成后和显示区第二 Mo金属层形成后根据信号线的形状对其进行刻蚀，最终在所述显示区形成包括依次叠加设置的Μο、Α1、Μο三层金属的所述信号线；
[0022]在所述绑定区第二 Mo金属层和绑定区第三Mo金属层与显示区Al金属层和显示区第二 Mo金属层之间的间隙内依次制作一层金属Al和一层金属Mo，并在制作一层金属层后对金属层进行一次刻蚀，形成所述绑定连接线与信号线的连接段。
[0023]根据本发明，所述金属层均采用真空磁控溅射工艺制成。
[0024]本发明还提供了一种显示器件，包括上述的阵列基板。
[0025](三)有益效果
[0026]本发明的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点:本发明实施例提供的阵列基板采用金属Mo制成绑定区电极和绑定连接线，金属Mo的抗腐蚀能力和抗机械划伤的能力较强，在需要进行维修去除绑定区电极表面的ACF时，不易损坏绑定区电极，提高了维修成功率，减少了衬底基板报废。另外，由于Mo的导电能力小于Al的导电能力，绑定区电极、绑定连接线与信号线均采用Mo制成会使产品存在残影不良缺陷的风险，且由于Mo的刻蚀速度小于Al的刻蚀速度，若全部采用金属Mo制作会影响到阵列基板的部分产能。本发明实施例中信号线采用MoAIMo材质保证了信号线的导电性，避免了制作出的产品产生残影等不良。并且仅绑定区电极和绑定连接线设置为Mo，而信号线仍然是采用MoAIMo保证了阵列基板的生产速度，进而不会对产能造成影响。
【附图说明】
[0027]图1是本发明实施例一和实施例二提供的阵列基板的结构示意图；
[0028]图2是本发明实施例三提供的阵列基板的结构示意图；
[0029]图3是图2中A-A向视图；
[0030]图4是本发明实施例四提供的阵列基板的绑定连接线与信号线连接位置的结构示意图。
[0031 ]图中:1:衬底基板;2:绑定区；21:绑定区电极;22;绑定连接线;3:显不区；31:彳目号线;4:连接段;41:第一连接段;42:第二连接段;201:绑定区第一Mo金属层;202:绑定区第二Mo金属层；203:绑定区第三Mo金属层；301:显不区第一Mo金属层；302:显不区Al金属层；303:显示区第二 Mo金属层。
【具体实施方式】
[0032]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0033]实施例一
[0034]本发明实施例提供了一种如图1所示的阵列基板，包括衬底基板I，本实施例中衬底基板I优选为玻璃基板，衬底基板I的绑定区2设有绑定区电极21，衬底基板I的显示区3设有信号线31，具体地，信号线31可以为数据线或栅线，由于与数据线连接的绑定区电极腐蚀较为严重，本实施例中显示区的信号线优选为数据线。绑定区电极21通过绑定连接线22与信号线31连接，绑定区电极21以及绑定连接线22均采用金属Mo制成，信号线31的材质包括依次叠加设置的Mo、Al、Mo三层金属层。
[0035]与现有的阵列基板上绑定区电极与信号线均采用MoAIMo制成相比，本发明实施例中的阵列基板中采用金属Mo制成绑定区电极21和绑定连接线22，金属Mo的抗腐蚀能力和抗机械划伤的能力较强，在需要进行维修去除绑定区电极21表面的ACF时，不易损坏绑定区电极21，提高了维修成功率，减少了衬底基板I的报废。另外，由于Mo的导电能力小于Al的导电能力，绑定区电极21、绑定连接线22与信号线31均采用Mo制成会使产品存在残影不良缺陷的风险，且由于Mo的刻蚀速度小于Al的刻蚀速度，若全部采用金属Mo制作会影响到阵列基板的部分产能。本发明实施例中信号线31采用MoAIMo材质保证了信号线31的导电性，避免了制作出的产品产生残影等不良。并且仅绑定区电极21和绑定连接线22设置为Mo，而信号线31仍然是采用MoAIMo保证了阵列基板的生产速度，进而不会对产能造成影响。
[0036]进一步地，本实施例中绑定区电极21、绑定连接线22以及信号线31的厚度相同。设置为相同的厚度便于阵列基板的制作，并且提高了整体的导电性能。
[0037]进一步地，本实施例中的信号线31与绑定连接线22之间通过连接段4连接，连接段4包括依次叠加设置的Μο、Α1、Μο三层金属层。由于信号线31与绑定连接线22采用不同材质制成，两者之间通过连接段4连接能够增强信号线与绑定连接线之间的导电性。
[0038]实施例二
[0039]本发明实施例二提供了一种实施例一中的阵列基板的制备方法，包括以下步骤:
[0040]SI，提供一衬底基板I;
[0041]S2，在衬底基板I的绑定区2依次制作多层Mo金属层，并在制作一层金属层后根据绑定区电极21以及绑定连接线22的形状进行一次刻蚀，形成绑定区电极21以及绑定连接线22;在衬底基板I的显示区3依次制作Μο、Α1、Μο三层金属层，并在制作一层金属层后根据信号线31的形状对金属层进行一次刻蚀，形成信号线31，信号线31与绑定连接线22相连接。
[0042]具体地，在衬底基板I的绑定区2逐层制作三层Mo金属层，并在制作每层金属层后根据绑定区电极21以及绑定连接线22的形状进行一次刻蚀，经三次刻蚀后形成由设定厚度Mo金属制成的绑定区电极21以及绑定连接线22。在衬底基板I的显示区3制作一层Mo金属层，并在Mo金属层形成后根据信号线31的形状对Mo金属层进行刻蚀，在Mo金属层的上方制作Al金属层，并在Al金属层形成后根据信号线31的形状对Al金属层进行刻蚀，在Al金属层完成后在Al金属层的上方制作Mo金属层，并在Mo金属层形成后根据信号线31的形状对Mo金属层进行刻蚀，经三次刻蚀后形成依次叠加设置的Μο、Α1、Μο三层金属层制成的信号线。本实施例中显示区3的每层金属层制作时均直接与绑定区2的三层金属层连接，制备工艺简单。
[0043]具体地，本实施例中的金属层的制作均采用真空磁控溅射工艺。采用真空磁控溅射工艺金属层的沉积速度快，能够提高生产效率。
[0044]实施例三
[0045]本实施例三与实施例二相同的技术内容不重复描述，实施例二公开的内容也属于本实施例三公开的内容，本实施例三是对具体步骤S2的进一步优化:如图2和图3所示，在衬底基板I的绑定区2制作绑定区电极21及绑定连接线22，在衬底基板I的显示区3制作信号线31，在信号线31与绑定连接线22之间依次制作Μο、Α1、Μο三层金属层，并在制作一层金属层后对金属层进行一次刻蚀，形成第一连接段41。第一连接段41的制作过程同上述信号线的制作过程，均为每制作一层金属层后，对每层金属层进行刻蚀，三层金属层依次进行制作刻蚀，最终得到连接信号线31和绑定连接线22的第一连接段41。在第一连接段41形成后，在第一连接段41的上方以及信号线31、绑定连接线22靠近第一连接段41的一端的上方设置有第二连接段42，第二连接段42将信号线31、第一连接段41和第二连接段42连接在一起，第二连接段42包括依次叠加设置的Μο、Α1、Μο三层金属，第二连接段42的制造过程同上述第一连接段41的制作过程，均为均为每制作一层金属层后，对每层金属层进行刻蚀，三层金属层依次进行制作刻蚀。
[0046]由于绑定连接线22与信号线31的材质不同，两者直接连接容易出现连接不良的缺陷，因此，本实施例中采用分别制作绑定连接线和信号线，然后在两者的连接处设置第一连接段和第二连接段，增大了绑定连接线和信号线接头处的接触面积，保证了良好的导电性。
[0047]实施例四
[0048]本实施例四与实施例二相同的技术内容不重复描述，实施例二公开的内容也属于本实施例四公开的内容，本实施例四是对具体步骤S2的进一步优化:如图4所示，在衬底基板I的绑定区2制作绑定区第一 Mo金属层201，并根据绑定区电极21及绑定连接线22的形状对其进行刻蚀；
[0049]在衬底基板I的显示区3制作一层与绑定区第一Mo金属层201相连接的显示区第一Mo金属层301，并根据显示区信号线31的形状对其进行刻蚀；
[0050]在绑定区第一Mo金属层201的上方依次制作绑定区第二 Mo金属层202和绑定区第三Mo金属层203，绑定区第二 Mo金属层202和绑定区第三Mo金属层203靠近显示区3的一端均与绑定区第一Mo金属层201和显示区第一Mo金属层301的连接处留有间隙，并分别在绑定区第二 Mo金属层202形成后和绑定区第三Mo金属层203形成后根据绑定区电极21及绑定连接线22的形状对金属层进行刻蚀，最终在绑定区2形成包括三层Mo金属的绑定区电极21及绑定连接线22;
[0051 ] 在显示区第一 Mo金属层301的上方依次制作显示区Al金属层302和显示区第二 Mo金属层303，显示区Al金属层302和显示区第二 Mo金属层303靠近绑定区2的一端均与绑定区第一Mo金属层201和显示区第一Mo金属层301的连接处留有间隙，并分别在显示区Al金属层302形成后和显示区第二 Mo金属层303形成后根据信号线31的形状对金属层进行刻蚀，最终在显示区3形成包括依次叠加设置的Μο、Α1、Μο三层金属的信号线31;
[0052]在绑定区第二 Mo金属层202和绑定区第三Mo金属层203与显示区Al金属层302和显示区第二 Mo金属层303之间的间隙内依次制作一层金属Al和一层金属Mo，并在制作一层金属层后对金属层进行一次刻蚀，最终形成绑定连接线22与信号线31的连接段4。如图4虚线框中所示，绑定连接线22与信号线31之间的连接段4仍然是包括依次叠加设置的Μο、Α1、Μο三层金属层。
[0053]实施例五
[0054]本发明实施例三还提供了一种显示器件，包括实施例一中的阵列基板。显示器件可以为:手机、平板电脑、电视机、数码相框等任何具有显示功能的产品。
[0055]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于:包括衬底基板，所述衬底基板的绑定区设有绑定区电极，所述衬底基板的显示区设有信号线，所述绑定区电极通过绑定连接线与所述信号线连接，所述绑定区电极以及绑定连接线均采用金属Mo制成，所述信号线的材质包括依次叠加设置的Mo、Al、Mo三层金属层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于:所述信号线为数据线。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于:所述绑定区电极、绑定连接线以及信号线的厚度相同。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于:所述信号线与所述绑定连接线之间通过连接段连接，所述连接段包括依次叠加设置的Mo、Al、Mo三层金属层。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于:所述衬底基板为玻璃基板。6.—种如权利要求1-5任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: SI，提供一衬底基板； S2，在所述衬底基板的绑定区依次制作多层Mo金属层，并在制作一层金属层后根据所述绑定区电极以及绑定连接线的形状进行一次刻蚀，形成所述绑定区电极以及绑定连接线；在所述衬底基板的显示区依次制作Μο、Α1、Μο三层金属层，并在制作一层金属层后根据所述信号线的形状对金属层进行一次刻蚀，形成所述信号线，所述信号线与所述绑定连接线相连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括:在所述衬底基板的绑定区制作所述绑定区电极及绑定连接线，在所述衬底基板的显示区制作所述信号线，在所述信号线与所述绑定连接线之间依次制作Μο、Α1、Μο三层金属层，并在制作一层金属层后对金属层进行一次刻蚀，形成第一连接段； 在所述第一连接段的上方以及所述信号线与所述绑定连接线靠近所述第一连接段的一端设有连接所述信号线、第一连接段和绑定连接线的第二连接段，所述第二连接段包括依次叠加设置的Mo、Al、Mo三层金属。8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括: 在所述衬底基板的绑定区制作绑定区第一 Mo金属层，并根据所述绑定区电极及绑定连接线的形状对其进行刻蚀； 在所述衬底基板的显示区制作一层与绑定区第一 Mo金属层相连接的显示区第一 Mo金属层，并根据所述显示区信号线的形状对其进行刻蚀； 在所述绑定区第一 Mo金属层的上方依次制作绑定区第二 Mo金属层和绑定区第三Mo金属层，所述绑定区第二 Mo金属层和绑定区第三Mo金属层靠近所述显示区的一端均与所述绑定区第一 Mo金属层和所述显示区第一 Mo金属层的连接处留有间隙，并分别在绑定区第二 Mo金属层和绑定区第三Mo金属层形成后根据所述绑定区电极及绑定连接线的形状对其进行刻蚀，最终在绑定区形成包括三层Mo金属的绑定区电极及绑定连接线； 在所述显示区第一 Mo金属层的上方依次制作显示区Al金属层和显示区第二 Mo金属层，所述显示区Al金属层和显示区第二 Mo金属层靠近所述绑定区的一端均与所述绑定区第一Mo金属层和所述显示区第一Mo金属层的连接处留有间隙，并分别在显示区Al金属层形成后和显示区第二 Mo金属层形成后根据信号线的形状对其进行刻蚀，最终在所述显示区形成包括依次叠加设置的Μο、Α1、Μο三层金属的所述信号线； 在所述绑定区第二 Mo金属层和绑定区第三Mo金属层与显示区Al金属层和显示区第二Mo金属层之间的间隙内依次制作一层金属Al和一层金属Mo，并在制作一层金属层后对金属层进行一次刻蚀，形成所述绑定连接线与信号线的连接段。9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于:所述金属层均采用真空磁控溅射工艺制成。10.一种显示器件，其特征在于:包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L27/12GK105870131SQ201610232731
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月14日
【发明人】郝西魁, 张正元, 刘明辉, 丁红杰, 程雪连, 李明伟
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司