集成电子三极管的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种集成电子三极管，所述的集成电子三极管包括最外层半导体材料层，中间层合金材料层和最内层的硅材料层，所述半导体材料层为无机化合物半导体、有机化合物半导体或非晶态与液态半导体，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的42?48%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的25%?30%，所述的硅材料层占集成电子三极管总体分量的25%?30%，本发明提供一种集成电子三极管，具有工作效率高、使用寿命长、节约资源的优点。
【专利说明】
集成电子三极管
技术领域
[0001]本发明涉及一种集成电子三极管。
【背景技术】
[0002]三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家一一巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果一一晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
[0003]晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种具有工作效率高、使用寿命长、节约资源优点的集成电子三极管。
[0005]本发明的技术方案是:一种集成电子三极管，所述的集成电子三极管包括最外层半导体材料层，中间层合金材料层和最内层的娃材料层，所述半导体材料层为无机化合物半导体、有机化合物半导体或非晶态与液态半导体，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的42-48%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的25%-30%，所述的娃材料层占集成电子三极管总体分量的25%-30%。
[0006]在本发明一个较佳实施例中，所述硅材料层为硅多晶、硅单晶或硅片。
[0007]在本发明一个较佳实施例中，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的46%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的26%，所述的娃材料层占集成电子三极管总体分量的28%。
[0008]本发明的一种集成电子三极管，具有工作效率高、使用寿命长、节约资源的优点。
【具体实施方式】
[0009]下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0010]其中，所述的集成电子三极管包括最外层半导体材料层，中间层合金材料层和最内层的硅材料层，所述半导体材料层为无机化合物半导体、有机化合物半导体或非晶态与液态半导体，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的42-48%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的25%-30%，所述的娃材料层占集成电子三极管总体分量的25%-30%。
[0011]进一步说明，所述硅材料层为硅多晶、硅单晶或硅片，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的46%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的26%，所述的娃材料层占集成电子三极管总体分量的28%。
[0012]在进一步说明，无机化合物半导体分二元系、三元系、四元系等。二元系包括:①IV-1V族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②m-V族:由周期表中m族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构，它们在应用方面仅次于66、51，有很大的发展前途。?11-￥1族:11族元素211工(1、取和￥1族元素5、56、1'6形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④I 一 W族:1族元素Cu、Ag、Au和W族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤V-VI族:V族元素As、Sb、Bi和VI族元素3、36 36形成的化合物具有的形式，如化2163、812363、81233、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、Zn、Sc、T1、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物，为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与V族元素N、As或VI族元素S、Se、Te形成的化合物。除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如S1-AlP、Ge_GaAs、InAs-1nSb、Al Sb-GaSb、InAs-1nP、GaAs_GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。三元系包括:族:这是由一个π族和一个IV族原子去替代m—V族中两个m族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族:这是由一个I族和一个ΙΠ族原子去替代Π-VI族中两个Π族原子所构成的，如CuGaSe2、AgInTe2、AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。:这是由一个I族和一个V族原子去替代族中两个ΙΠ族原子所组成，如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2Fe SnS4 )和更复杂的无机化合物。
[0013]有机化合物半导体已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。非晶态与液态半导体这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。本发明提供一种集成电子三极管，具有工作效率高、使用寿命长、节约资源的优点。
[0014]本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种集成电子三极管，其特征在于:所述的集成电子三极管包括最外层半导体材料层，中间层合金材料层和最内层的娃材料层，所述半导体材料层为无机化合物半导体、有机化合物半导体或非晶态与液态半导体，所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的42-48%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的25%-30%，所述的硅材料层占集成电子二极管总体分量的25%_30%。2.根据权利要求1所述的集成电子三极管，其特征在于:所述硅材料层为硅多晶、硅单晶或硅片。3.根据权利要求1所述的集成电子三极管，其特征在于:所述的半导体材料层占集成电子三极管总体分量的46%，所述的合金材料层占集成电子三极管总体分量的26%，所述的娃材料层占集成电子三极管总体分量的28%。
【文档编号】H01L51/05GK105870175SQ201610214728
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月8日
【发明人】钱伟国
【申请人】太仓凯丰电子科技有限公司