与等离子体源耦合的led型光源的制作方法
【专利摘要】一种被配置成从基板的表面和从基板处理腔室的内部移除金属蚀刻副产物的设备。等离子体与固态光源(诸如LED)结合使用以脱附金属蚀刻副产物。接着可从腔室移除被脱附的副产物。
【专利说明】与等离子体源輔合的LED型光源
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求享有于2013年10月3日所提交的名称为"L抓BASED OPTICAL SOURCE COU化邸WITH PLASMA SOURC护的临时申请第61/886,521号;及2013年10月7日所提交的名 称为 "APPARATUS FOR ETCHING SUBSTRATES PR孤UCING NON-VOLATILE BYW孤UCTS USING COMBINATION OF PLASMA AND LED SOURCES"的临时申请第61/887,830号；及2014年5月29 日所提交的名称为"L邸BASED OPTICAL SOURCE COUPLED mH PLASMA S0URC护的非临时 申请第14/290,856号的优先权，通过引用将运些申请的整体内容并入本文。
【背景技术】
[0003] 在半导体装置中使用诸如铜和钻之类的金属作为导电性互连材料是有利的，因为 运些金属能实现高导电性及电路速度。另一方面，此类金属难W图案化。因此，使用镶嵌法 (damascene)和双镶嵌法处理技术形成迄今仍为优越的铜互连引线，从而在基板(诸如用于 形成半导体装置的半导体基板)上的电介层中形成开口。将铜沉积在电介层上并沉积在开 口内。抛光/平坦化从电介质上方移除铜，留下嵌入开口内的铜。W此方式，光刻的负担从铜 转移至更易控制的电介层。嵌入的铜包括上表面，所述上表面基本上与其中形成有铜的经 图案化的电介层的顶表面共面。
[0004] 减法式金属蚀刻（sub化active metal etching)为镶嵌法工艺流程的替代方案。 沉积邻接的金属层，并接着图案化所述金属层W形成水平的电性互连。被用来进行减法式 金属蚀刻的一个工艺使用等离子体。等离子体选择性地移除金属，然而，等离子体可能在基 板上W及在处理腔室内再沉积含金属的残留物。此类残留物可为难W移除的，且此类残留 物可能对半导体装置和腔室具有有害的影响。
【发明内容】
[0005] 描述了从基板W及从蚀刻处理腔室的内表面移除蚀刻残留物的方法。等离子体处 理将基板上的金属转换为金属副产物，金属副产物沉积于晶片上也沉积于蚀刻处理腔室的 内表面上。使用发光二极管在相对低溫下脱附（desorb)金属副产物，使金属副产物可从基 板和蚀刻处理腔室被移除。
[0006] 为了更好地理解本发明的性质和优点，应参照W下说明书和附图。然而，应理解 到，各图仅为了说明的目的而提供，且不意在限定为对本发明范围的限制。
【附图说明】
[0007] 图1为根据某些实施方式的示例性基板处理系统；
[000引图2为根据某些实施方式的供基板处理系统所用的脉冲式处理顺序的实例；
[0009] 图3为蚀刻处理腔室的示意图，所述蚀刻处理腔室可用于执行根据某些实施方式 的工艺;和
[0010] 图4为示例性多腔室基板处理系统的示意性顶视图，所述示例性多腔室基板处理 系统可用于执行根据某些实施方式的工艺。
[0011] 在附图中，相似的部件和/或特征结构可具有相同的参考标记。此外，同类的多个 部件可通过在参考标记后加上一破折号W及第二标记（该标记区别开类似的部件）加 W区 另IJ。如果在说明书中仅使用第一参考标记，该叙述内容可适用于具有相同第一参考标记(无 论第二参考标记为何)的类似部件的任一者。
【具体实施方式】
[0012] 本发明的某些实施方式设及对半导体装置的制造而言有帮助的设备。尽管本发明 对生产许多种半导体装置有帮助，但本发明的某些实施方式对生产具有金属层的半导体装 置特别有帮助，所述金属层W等离子体工艺进行减法式图案化(sub化actively pattern)， 如下文描述更多细节。然而，应理解到，也可利用此类工艺W减法式图案化非金属层并移除 后续残留物。
[0013] 图1示出了可于实施方式中利用的基板处理系统100的实例。基板处理系统100具 有由一个或更多个腔室壁110所围绕的基板处理区域105。在一个实施方式中，至少一个腔 室110壁为窗口 112。基板支撑件115设置于基板处理腔室内，并被配置成于基板处理操作期 间在基板处理区域105中支撑基板120。可使用气体输送系统125将一种或更多种工艺气体 输送至基板处理区域105。感应禪合式等离子体源130在基板处理腔室内形成等离子体。在 某些实施方式中，等离子体源为远程等离子体源，而在其它实施方式中，等离子体源为原位 等离子体源。在进一步的实施方式中，等离子体源可为环形（toroidal)等离子体源。多个 LED 135位于基板处理腔室外部，并被配置成通过窗口 112将福射发射到基板处理腔室中。 基板支撑件115可被安置成与LED 135直接相对，并接近地与LED 135隔开。控制器禪接至等 离子体源和多个LED 135。控制器被配置成按顺序脉冲等离子体源和多个LED 135。
[0014] 在某些实施方式中，偏压系统140被配置成在基板120与电极之间施加偏压。在进 一步的实施方式中，使用DC或RF偏压。在某些实施方式中，控制器可按顺序脉冲等离子体 源、L邸和偏压系统140。可使用多种脉冲顺序，包括但不限于W下实例。应理解到，不仅可改 变脉冲的顺序，也可改变脉冲的持续时间、功率和频率。在一个实施方式中，通过脉冲上述 Ξ种源，可产生屯种不同的工艺条件：
[00巧]1.脉冲等离子体
[0016] 2.脉冲DC偏压
[0017] 3.脉冲LED能量
[001引 4.等离子体+DC偏压(RIE)
[0019] 5. DC偏压+L邸能量
[0020] 6.等离子体+L邸能量(调节等离子体/改变工艺气体）
[0021 ] 7.等离子体+DC偏压+L邸能量(L邸辅助式反应性离子蚀刻(RIE))
[0022] 运屯种工艺条件提供了对处理非挥发性残留物的新颖解决方案。可改变脉冲的持 续时间、幅度和/或次序，W达到上文所列的各工艺条件的不同长度和大小。可脉冲或可持 续操作各个源。也可导入气体，且可通过来自L邸的UV光预先处理气体。
[0023] 多个L邸可呈现多种配置方式。在某些实施方式中，波长可在UV、DUV或EUV范围内。 其它实施方式可具有不同的波长。在一个实施方式中，目标波长可为455nm，因此可使用 60皿至500皿的范围。就用来蚀刻铜的实施方式而言，可使用在lOOW/m2至l，000,000W/m2的 范围内的功率密度。在某些实施方式中，可使用365nm的波长和隶弧灯（mercury arc lamp)。在进一步的实施方式中，可使用100,000W/m2或更大的功率密度。在某些实施方式 中，为了控制Lm)的功率，可监控输入电流和/或电压。在其它实施方式中，可使用单独的远 程功率传感器。
[0024] 在某些实施方式中，可设置一个或更多个光导管，使所述光导管至少部分地位于 L抓与窗口之间。可用光导管将光能从LED导向窗口。在进一步的实施方式中，可在介于LED 与基板之间的光路径中设置一个或更多个透镜。可用透镜聚焦或散射L邸光。在一个实施方 式中，窗口不存在且Lm)位于腔室内。在其它实施方式中，可在单一基板处理系统中使用不 同波长和/或功率的LED。在一个实施方式中，可将具有第一波长和功率的L邸用于一个化学 反应，同时将具有第二波长和功率的LED用于分开的化学反应。在其它实施方式中，可使用 某些LED来增进与基板相邻的等离子体区域中的反应，同时可使用其它LED来增进腔室壁 上、窗口或腔室内的不同区域的反应。在进一步的实施方式中，LED热管理系统可被配置成 控制多个L邸的溫度。在一个实施方式中，可将L邸维持在低于100摄氏度。
[0025] 本发明的实施方式包括清洁和/或防止残留物在基板处理腔室的窗口上累积 (buildup)的方法。在某些实施方式中，可使用气体注射器使惰性气体流过窗口。在其它实 施方式中，可在第一局部等离子体期间，将电介质窗口的内表面上的残留物转换成面素铜 层(copper halogen layer)。在第一局部等离子体之后发生的第二局部等离子体期间，面 素铜层可作为被脱附物种而从电介质窗口脱附。在某些实施方式中，可将窗口维持在特定 溫度，W减少或防止残留物累积。在一个实施方式中，可将窗口的溫度维持在将近65摄氏 度。也可使用数种其它方法来清洁和/或防止窗口上的残留物。
[00%]在某些实施方式中，基板处理系统能量化(energize)特定前驱物、工艺气体和化 学物质。通过使用固态源（solid state source,SSS)(例如，L邸、激光二极管等等）的单色 特性，腔室可用于把某些键的解离能作为目标W破坏运些键，为后续的工艺作准备。在另一 个实施方式中，单独的源(等离子体源、热源等等)可解离键，而来自固态源(诸如LED)的单 色光可将能量输送至经解离的反应物，所述单色光处于经解离的反应物之峰值吸光度 (peak absorbance)的波长下。
[0027] 由于产业朝向具有异类材料(exotic material)和界面的单位数纳米尺寸特征结 构发展，W先进的化学物质进行的工艺可能增加对更精确控制气相反应、副产物和表面反 应的需求。在某些实施方式中，可通过选择SSS并使用特定波长，定制（tailor)"或仅诱 发能在反应器内达到最佳控制的期望反应，W针对特定化学物质调苄基板处理系统。
[0028] W下示出一些示例性反应和工艺。应理解运些反应和工艺仅仅是示例性的，且本 发明并不受运些实例的限制：
[0029] 1.C12+CU 一 CuCl2 或 CuCl。接着，CuCl2 或 CuCl+UV 一 Cu3Cl3(CuCl 的更具挥发性物种）
[0030] 2.CU(固态)+出(气态)一 CuH (气态)--或一Cu(固态)+出(气态)+UV一 CuH (气态）cUV 给予更多能量，W协助制造更多化，来产生化Η。
[0031] 3.设及Cl2+出+UV的2个步骤处理：
[0032] a.Cl2+Cu 一 CuCl2 或 CuCl。
[0033] b.接着表面清洁。CuCl2+此一CuH+CuxClx-和/或-CuCl+此一CuH+CuxClx。可加入 UV W产生更多挥发性物种化xClx。
[0034] 4.02等离子体+ H202(过氧化氨）+hfac (六氣乙酷丙酬， hexafluoroacetylacetoneVCs也0H。W类似的方式，已用hfac及〇2蚀刻Cu:可根据W下反应 选项蚀刻化(I)物种及化(II)物种二者：
[0035] a.选项 1: 2Cu (固态）+0一Cu2〇 (固态）。接着，Cu2〇+2H化f ac)(气态）一Cu (固态）+Cu 化fac)2(气态)+出0(气态）。
[0036] b.选项2:Cu(固态）+0一CuO(固态）。接着，CU0+2H化fac)(气态）一Cu化fac)2(气 态)+出0(气态）。
[0037] 在某些实施方式中，使用UV能量可起到使运些化合物较快挥发成气态并清洁表面 的作用。在进一步的实施方式中，〇2也可产生有帮助的保护层(纯化层）。
[003引 5.肥1+C2此:研究已表明此及C1蚀亥ijCu。在某些实施方式中，可经由肥L加入此及C1 二者。有机物C2出的加入可导致较高的化Η形成。在进一步的实施方式中，碳也可产生供铜所 用的有利的保护层。
[0039] a.示例性反应可为:Cu(固态)+HCl (气态)+C2此(气态)一 C地+CuxClx+Cx(某些形式 的含碳物种）
[0040] 6.二阶段反应：
[0041] a.氧化反应
[0042] i . 2Cu(固态)+出02 (气态)一Cu2〇(固态)+出0(气态)和/或
[0043] ii.Cu(固态)+出02(气态)一 CuO(固态)+出0(气态）
[0044] b.继发反应
[0045] i . Cu2〇(固态)+2hf曰地(气态)一Cu (固态)+Cu化fac) 2 (气态)+出0(气态），和/或
[0046] ii.化0(固态)+化化地(气态）一化化化c)z(气态)+出0(气态）
[0047] 在其它实施方式中，蚀刻剂气体可包括面化物、氧化剂和/或氨化物。在进一步的 实施方式中，任何运些示例性反应可使用钻取代铜。在更进一步的实施方式中，可使用其它 金属。在其它实施方式中，也可在低溫及高溫下（-50至350摄氏度)实施任何运些示例性反 应。
[0048] 根据所设及的化学物质，在气体前驱物的存在下照射表面能够通过热或其它手段 提高化学反应的速率。举例而言，光可激发气相分子、被吸附的分子，或甚至激发基板，W促 进表面上的化学反应。为了提高反应速率，可对Lm)的波长进行选择，W例如通过选用能与 分子电子跃迁(molecular electronic transition)共振的波长，来改良期望的膜工艺。也 可选用波长来促进基板对福射的吸收，从而更有效率地加热基板。
[0049] 在进一步的实施方式中，基板处理系统可与现有的等离子体基反应器结合，基板 处理系统也可并入等离子体腔室中。在某些实施方式中，基板处理系统可由W下任何组合 所构成，但不应受限于W下组合：
[0050] i.Lm)源，可为脉冲式或连续式，W解离工艺气体。此Lm)源可为具有介于100皿与 2000nm之间的波长的单色L邸源，或此L邸源可由多重波长构成。
[0051] 2.用W控制晶片的表面溫度的源。此源可包括W传导式加热的基座、光源（SSS或 传统光源)或电阻式加热。可使用LED热源，W能量脉冲或连续式加热的方式来加热晶片表 面。
[0052] 3.脉冲式或连续式源，W在工艺气体被解离后能量化工艺气体。此源可为具有介 于1 OOnm与2000nm之间的波长的单色源，或此源可由多重波长构成。
[0化3] 4.脉冲式或连续式等离子体源，W范围从100W至2000W的偏压功率、IMHz至60MHz 的脉冲频率和10 %至90 %的工作周期(duty巧C1 e)来解离工艺气体。
[0054] 5.脉冲式或连续式气体供应系统。在某些实施方式中，可W脉冲式供应个别气体 或气体组合。在进一步的实施方式中，可连续供应个别气体或气体组合，而在进一步的实施 方式中，可连续供应某些气体，同时W脉冲式供应其它气体。
[0055] 在进一步的实施方式中，可在相同腔室中使用多重Lm)源，W执行各种功能，诸如 加热晶片、加热腔室壁、解离前驱物、激发反应物或副产物，W及腔室管理或其它工艺。因 此，可将多重L邸和其它源置于腔室中的多个位置。
[0056] 因此，在某些实施方式中，可使用结合等离子体源(ICP、CCP、远程或微波）、加热源 am)或传统的)和能精细控制工艺气体反应的新式SSS的基板处理系统。此类系统能更精细 地控制未来的技术节点所期望的先进应用。
[0化7] 图2示出并入了脉冲式RF等离子体源210、脉冲式DC偏压215和脉冲式UV LED 220 的处理系统的示例性实施方式。其它实施方式可具有其它配置。可使用主时钟205来同步多 种系统的脉冲。在时间T1处，主时钟205开始一脉冲。在时间T2处，开启RF等离子体源210,在 腔室内活化等离子体并蚀刻基板表面。在时间T3处，开启DC偏压215,在基板与电极之间提 供DC偏压。因此，在时间T2与T3之间，发生等离子体瞬态(transient),而基板暴露于等离子 体。在时间T4处，开启UV LED 220。因此，在时间T3与T4之间，基板暴露于W经DC偏压等离子 体进行的反应性离子蚀刻(RIE)。在时间巧处，关闭RF等离子体210。因此，在时间T4与T5之 间，发生UV等离子体蚀刻处理。在时间T6处，关闭DC偏压215。因此，在时间巧与T6之间，发生 利用UV LED和DC偏压进行的残留物处理。在时间T7处，关闭UV LED脉冲220。因此，在时间T6 与T7之间，发生利用UV LED 220进行的残留物处理。可调节任何脉冲的幅度，W最佳化工 艺。可改变任何脉冲的重叠、延迟和顺序，W进一步最佳化工艺。
[0058] 图3描绘可于实施方式中使用的示例性蚀刻处理腔室1001的示意图。蚀刻处理腔 室1001可被并入参照图4于后文描述的基板处理系统1101中。示例性蚀刻处理腔室1001也 可称为去禪-等离子体源腔室或DPS腔室。蚀刻处理腔室1001包括感应线圈1012,感应线圈 1012位于电介的拱顶型(dome-shaped)天花板1020(在本文中称为拱形结构1020)夕t'部。其 它腔室可具有其它类型的天花板，例如，平坦的天花板。感应线圈1012可禪接至射频(RF)源 1018(RF源1018通常能产生具有可调节频率的RF信号）dRF源1018经由匹配网络1019禪接至 感应线圈1012。蚀刻处理腔室1001可包括禪接至第二RF源1022的基板支撑基座（阴极） 1016,第二RF源1022通常能产生RF信号。RF源1022可经由匹配网络1024禪接至基座1016。蚀 刻处理腔室1001也可含有导电腔室壁1030,腔室壁1030连接至电性接地1034。在其它实施 方式中，处理腔室1001可利用DC偏压网络。处理腔室1001的进一步实施方式可使用诸如环 形源、位于壁1030周围的感应线圈或其它配置之类的其它变形来产生等离子体。包括有中 央处理单元(CPUH044、存储器1042和供CPU 1044所用的支持电路1046的控制器1040禪接 至蚀刻处理腔室1001的多个部件，W有助于控制蚀刻工艺。
[0059] 在操作中，将半导体基板1014置放在基座1016上，并通过(多个)输入口 1026将气 态成分从气体操纵系统（gas handling system)1038供应至蚀刻处理腔室1001，W形成气 态混合物1050。通过将RF功率从RF源1018和1022分别施加至感应线圈1012和基座1016, W 在蚀刻处理腔室1001中将气态混合物1050点燃成（ignited)等离子体1052。使用节流阀 1027来控制蚀刻处理腔室1001内部的压力，节流阀1027坐落于蚀刻处理腔室1001与真空累 1036之间。使用位于蚀刻处理腔室1001的腔室壁1030中的含液体导管(未示出）来控制腔室 壁1030的表面处的溫度。也可使用循环的液体或其它手段来控制拱形结构1020的表面处的 溫度。
[0060] 通过稳定基座1016的溫度，并使氮气从氮源1048流向形成于基板1014的背部的沟 道和基座表面上的沟槽(未示出），来控制基板1014的溫度。氮气被用来促进基座1016与基 板1014之间的热传导。在蚀刻工艺期间，通过基座内的电阻式加热器将基板1014加热至稳 态溫度，且氮对基板1014的均匀加热有帮助。使用拱形结构1020和基座1016二者的热控制， 可将基板1014维持在介于约-200°C与约500°C之间的溫度。
[0061] 图4为说明性多腔室处理系统1101的示意性顶视图。处理系统1101可包括一个或 更多个负载锁定腔室1102、1104,用于传递基板进出处理系统1101。典型地，由于处理系统 1101处在真空下，负载锁定腔室1102、1104可对导入处理系统1101的基板"抽气（pump down)"。第一机械手1110可在负载锁定腔室1102、1104与第一组一个或更多个基板处理腔 室1112、1114、1116、1118(图中示出四个)之间传递基板。各处理腔室1112、1114、1116、1118 可被配置成进行数种基板处理操作，包括本文所述的干式蚀刻处理，还有循环层沉积 (CLD)、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻、预清洁、脱气 (degas)、定位和其它基板处理。
[0062] 第一机械手1110也可传递基板进/出一个或更多个传递腔室1122、1124。传递腔室 1122U124可用于在允许基板于处理系统1101内传递的同时维持超高真空环境。第二机械 手1130可在传递腔室1122、1124与第二组一个或更多个处理腔室1132、1134、1136、1138之 间传递基板。类似于处理腔室1112、1114、1116、1118,处理腔室1132、1134、1136、1138可被 配置成进行数种基板处理操作，包括本文所述的UV L抓蚀刻处理，还有，例如，循环层沉积 (CLD)、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻、预清洁、脱气 (degas)和定位。若对于处理系统1101所进行的特定工艺而言非必需的话，可从处理系统 1101移去基板处理腔室1112、1114、1116、1118、1132、1134、1136、1138中的任何腔室。可将 用W执行本文所述的方法的铜蚀刻处理腔室安装在任何一个或更多个基板处理腔室位置。
[0063] 系统控制器1157用于控制马达(motor)、阀、流量控制器、电源供应器和其它执行 本文所述的工艺配方(process recipe)所需要的功能。系统控制器1157可依赖来自光学传 感器的反馈，W确定并且调整可移动的机械组件的位置。机械组件可包括机械手、节流阀和 底座，前述部件可在系统控制器1157的控制下由马达移动。气体操纵系统1155用于在本文 所描述的方法期间的多个阶段传递含面素前驱物和惰性物种。
[0064] 在示例性实施方式中，系统控制器1157包括硬盘驱动器(存储器）、USB端口、软盘 驱动器和处理器。系统控制器1157包括模拟和数字输入/输出板、接口板（interface board)和步进马达控制板。含有处理腔室400的多腔室处理系统1101的各种部件受到系统 控制器1157的控制。系统控制器执行系统控制软件，系统控制软件W计算机程序的形式存 储在诸如硬盘、软盘或闪存拇指驱动器(flash memo巧tluimb化ive)之类的计算机可读介 质上。也可使用其它形式的存储器。计算机程序包括指令集，运些指令集指示时序 (timing)、气体的混合、腔室压力、腔室溫度、RF功率水平、底座位置和特定工艺的其它参 数。
[0065] 可使用由控制器执行的计算机程序产品来实施用于在基板上蚀刻、沉积或其它方 式处理膜的工艺，或者实施用于清洁腔室的工艺。计算机程序编码可W任何传统的计算机 可读的程序语言撰写，例如68000汇编语言、C、C++、Pascal Jodran或其它程序语言。使用 传统的文字编辑器将适合的程序编码输入单一文件(file)或多个文件中，并且存储于计算 机可使用介质(诸如计算机的存储器系统)或由计算机可使用介质实施。倘若输入的编码文 字是高级语言，则编译该编码，而所得的编译程序编码随后与预先编译的Microsoft Windows麼库存程序（libra巧routine)的目标编码链接。为了执行该链接、编译的目标 编码，系统使用者调用该目标编码，使计算机系统载入存储器中的编码。CPU随后读取并且 执行该编码，W进行程序中辨识的任务。
[0066] 使用者与控制器之间的界面可为经由触摸感应显示器（touch-sensitive monitor),亦可包括鼠标和键盘。在使用两个显示器的一个实施方式中，一个显示器安装在 清洁室壁中W供操作者使用，且另一个显示器在壁后W供维修技术人员使用。两个显示器 可同步显示相同信息，在运样的实例中，一次仅有一个显示器被配置成接受输入。为了选择 特定的屏幕或功能，操作者用手指或鼠标触摸显示屏上的指定区域。被触摸的区域改变该 区域的强调色彩，或显示新的菜单或屏幕，确认操作者的选择。
[0067] 已在此披露数个实施方式，本领域的技术人员应认识到可使用多种修饰、替代构 造和等效物而不背离本文披露的实施方式的精神。此外，说明书中没有对多种已知工艺和 元件做说明，W避免不必要地模糊本发明。因此，上述说明不应被视为对本发明范围的限 制。
[0068] 当提供一定范围的数值时，除非文中另外清楚指明，应理解亦具体披露了介于该 范围的上限值和下限值之间各个区间值至下限值单位的十分之一。亦涵盖了任何所陈述数 值或陈述范围中的区间值与陈述范围中任何另一陈述数值或区间值之间的每个较小范围。 运些较小范围的上限值和下限值可独立包括或排除于该范围中，且各范围（其中，在该较小 范围内包括任一个极限值、包括两个极限值或不含极限值)皆被本发明内所陈述的范围涵 盖，除非在该陈述的范围中有特别排除的限制。在所陈述的范围包括极限值的一者或两者 之处，该范围也包括那些排除其中任一者或两者被包括的极限值的范围。
[0069] 如本文和所附要求保护的范围中所使用的，除非本文另有明确指定，否则单数形 式''一"、''一个"和''所泌'包括复数指示物。因此，例如，提及的''工艺"包括多个运样的工艺， 且提及的"所述电介材料"包括提及一种或更多种电介材料和本领域技术人员所熟知的所 述一种或更多种电介材料的等效物，等等。
[0070] 此外，
【申请人】希望此说明书和W下要求保护的范围中所用的"包含"和"包括"运些 用语是指存在所陈述的特征、整体、部件或步骤，但运些用语不排除存在或增加一种或更多 种其他特征、整体、部件、步骤、动作或组。
【主权项】
1. 一种基板处理系统，包括： 基板处理腔室，所述基板处理腔室具有由一个或更多个腔室壁围绕的基板处理区域； 基板支撑件，所述基板支撑件被配置成在基板处理操作期间于所述基板处理区域中支 撑基板； 气体输送系统，所述气体输送系统被配置成将一种或更多种工艺气体输送至所述基板 处理区域； 等离子体源，所述等离子体源操作性地耦接至所述基板处理腔室； 窗口，所述窗口位于所述腔室壁中的一个腔室壁上； 多个LED，所述多个LED位于所述基板处理腔室的外部，并且所述多个LED被配置成通过 所述窗口将辐射发射到所述腔室中； 控制器，所述控制器操作性地耦接至所述等离子体源和所述多个LED。2. 如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括:偏压系统，所述偏压系统被配置成 于所述基板与电极之间施加偏压。3. 如权利要求2所述的基板处理系统，其中所述控制器被进一步配置成按顺序脉冲所 述等离子体源和所述多个LED。4. 如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括:光导管，所述光导管被设置成至少 部分地位于所述LED与所述窗口之间，所述光导管被配置成将来自所述LED的光导引至所述 窗口。5. 如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括:透镜，所述透镜设置于所述LED与所 述基板支撑件之间，所述透镜被配置成聚焦或散射来自所述LED的光能量。6. 如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述多个LED包括:具有第一波长的第一组 LED和具有第二波长的第二组LED，所述第一波长与所述第二波长不同。7. 如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述基板支撑件被安置成与所述LED直接相 对并接近地与所述LED隔开。8. 如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括:LED热管理系统，所述LED热管理系 统被配置成控制所述多个LED的温度。9. 如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括:气体注射器，所述气体注射器被配 置成使惰性气体流过所述窗口。10. 如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述多个LED位于所述基板处理腔室内。11. 一种半导体制造系统，所述半导体制造系统被配置成蚀刻半导体基板，所述系统包 括： 半导体基板处理区域，所述半导体基板处理区域由多个壁围绕； 窗口，所述窗口设置于所述多个壁中的一个壁中； 多个LED，所述多个LED设置于所述基板处理区域的外部，所述多个LED被配置成通过所 述窗口将UV辐射发射到所述半导体基板处理区域中。12. 如权利要求11所述的半导体制造系统，进一步包括:控制器，所述控制器被配置成 脉冲所述多个LED。13. 如权利要求11所述的半导体制造系统，进一步包括:光导管，所述光导管被设置成 至少部分地位于所述多个LED与所述窗口之间，所述光导管被配置成将来自所述多个LED的 光导引至所述窗口。14. 如权利要求11所述的半导体制造系统，进一步包括:透镜，所述透镜设置于所述多 个LED与所述半导体基板处理区域之间，所述透镜被配置成聚焦或散射所述UV辐射。15. 如权利要求11所述的半导体制造系统，其中所述多个LED包括:具有第一波长的第 一组LED和具有第二波长的第二组LED，所述第一波长与所述第二波长不同。
【文档编号】H01L21/3065GK105874569SQ201480056680
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年9月18日
【发明人】萨布哈什·德什, 约瑟夫·约翰逊
【申请人】应用材料公司