通过调整PoP封装件中的开口尺寸来减少裂痕的制作方法
【专利摘要】一种封装件包括：器件管芯、在其中模制器件管芯的模制材料以及在封装件的表面处的表面介电层。角部开口在表面介电层中。角部开口邻近封装件的角部。内部开口在表面介电层中。内部开口离封装件的角部比角部开口离封装件的角部更远。角部开口具有大于内部开口的第二横向尺寸的第一横向尺寸。本发明实施例涉及通过调整PoP封装件中的开口尺寸来减少裂痕。
【专利说明】
通过调整PoP封装件中的开口尺寸来减少裂痕
技术领域
[0001]本发明实施例涉及通过调整PoP封装件中的开口尺寸来减少裂痕。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，更多功能需要集成至半导体管芯内。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/O焊盘封装至更小的区域内，并且因此随着时间I/O焊盘的密度迅速提升。结果，半导体管芯的封装变得更加困难，这会不利地影响封装的产量。
[0003]传统的封装技术可以划分为两类。在第一类中，晶圆上的管芯在它们被切割之前被封装。这种封装技术具有一些有利的特征，诸如更大的生产量和更低的成本。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。然而，这种封装技术还具有缺陷。由于管芯的尺寸正变得越来越小，并且相应的封装件仅可以是扇入型封装件，其中，每个管芯的I/o焊盘限制于直接位于相应的管芯的表面上方的区域。由于管芯的面积有限，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的间距的限制而受到限制。如果焊盘的间距减小，则可能发生焊料桥接。此外，在固定的焊球尺寸需求下，焊球必须具有特定的尺寸，这进而限制可以封装在管芯表面上的焊球的数量。
[0004]在另一类封装中，在封装管芯之前从晶圆切割管芯。该封装技术的有利特征是形成扇出型封装件的可能性，这意味着管芯上的I/o焊盘可以分布至比管芯更大的区域，并且因此可以增大封装在管芯的表面上的I/o焊盘的数量。该封装技术的另一有利特征是封装“已知良好管芯”，以及丢弃缺陷管芯，并且因此成本和精力不会浪费在缺陷管芯上。
【发明内容】
[0005]根据本发明的一个实施例，提供了一种封装件，包括:第一封装件，包括:器件管芯;模制材料，将所述器件管芯模制在所述模制材料中；表面介电层，位于所述第一封装件的表面处；角部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述角部开口邻近所述第一封装件的角部；以及内部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述内部开口离所述第一封装件的所述角部比所述角部开口离所述第一封装件的所述角部更远，并且所述角部开口具有大于所述内部开口的第二横向尺寸的第一横向尺寸。
[0006]根据本发明的另一实施例，还提供了一种封装件，包括:第一封装件，包括:器件管芯;模制材料，将所述器件管芯模制在所述模制材料中；表面介电层，位于所述第一封装件的表面处；角部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述角部开口邻近所述第一封装件的角部并且具有第一横向尺寸；以及内部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述内部开口比所述角部开口更加远离所述第一封装件的所述角部，并且所述内部开口具有第二横向尺寸;第二封装件，包括:第一导电部件，具有第三横向尺寸；以及第二导电部件，具有第四横向尺寸，其中，所述第一横向尺寸和所述第三横向尺寸的第一比率大于所述第二横向尺寸和所述第四横向尺寸的第二比率;角部焊料区，接合至所述第一导电部件，延伸至所述角部开口内，并且与所述第一导电部件接触；以及内部焊料区，接合至所述第二导电部件，延伸至所述内部开口内，并且与所述第二导电部件接触。
[0007]根据本发明的又另一实施例，还提供了一种封装件，包括:器件管芯；
[0008]模制材料，将所述器件管芯包封在所述模制材料中；以及第一贯通孔和第二贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述第一贯通孔具有大于所述第二贯通孔的第二横向尺寸的第一横向尺寸。
【附图说明】
[0009]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。
[0010]图1至图14A是根据一些实施例的在封装件制造中的中间阶段的截面图；
[0011 ]图14B是根据一些实施例的示例性的封装件的顶视图；以及
[0012]图15A示出了根据可选实施例的封装件的截面图；
[0013]图15B和图15C是根据一些实施例的示例性的封装件的顶视图；以及
[0014]图16示出了根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程图。
【具体实施方式】
[0015]以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0016]而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…下面”、“在…下方”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
[0017]根据各种示例性的实施例提供了集成扇出封装件。讨论实施例的变化。贯穿各个视图和说明性实施例，相同的参考标号用于指示相同的元件。
[0018]图1至图14A示出了根据实施例的在制造封装件的中间阶段的截面图和顶视图。在图1至图14A中所示的步骤也在图16所示的工艺流程图300中示意性地示出。在随后的讨论中，参照图16中的工艺步骤讨论图1至图14A所示的工艺步骤。
[0019]图1示出了载体20和形成在载体20上的释放层22。载体20可以是玻璃载体、陶瓷载体等。载体20可以具有圆形顶视图形状和可以是娃晶圆的尺寸。例如，载体20可以具有8英寸的直径、12英寸的直径等。释放层22可以由聚合物基材料(诸如光热转换(LTHC)材料)形成，释放层22可以与载体20—起从将在随后步骤中形成的上面的结构被去除。根据本发明的一些实施例，释放层22由环氧树脂基热释放材料形成。在其他实施例中，释放层22由紫外(UV)胶形成。释放层22可以作为液体分配并且被固化。在可选实施例中，释放层22是层压膜并且层压在载体20上。释放层22的顶面是水平的并且具有高度的共面性。
[0020]在释放层22上形成介电层24。根据本发明的一些实施例，介电层24由聚合物形成，该聚合物也可以是使用光刻工艺可以容易地被图案化的诸如聚苯并恶唑(ΡΒ0)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的光敏材料。在可选实施例中，介电层24由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅的氧化物、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、硼掺杂的磷硅酸盐玻璃(BPSG)等形成。
[0021]参照图2，在介电层24上方形成再分布线(RDL)26。相应的步骤示出为图16中示出的工艺流程图中的步骤302。由于RDL26位于器件管芯36的背侧上(图5)，因此RDL 26也称为背侧RDL ADL26的形成可以包括在介电层24上方形成晶种层(未示出)，在晶种层上方形成诸如光刻胶的图案化的掩模(未示出)，以及然后在暴露的晶种层上实施金属镀。然后去除图案化的掩模和晶种层的由图案化的掩模覆盖的部分，从而留下如图2中的RDL 26。根据本发明的一些实施例，晶种层包括钛层和位于钛层上方的铜层。可以使用例如物理汽相沉积(PVD)形成晶种层。可以使用，例如，化学镀实施该镀。
[0022]参照图3，在RDL 26上形成介电层28。介电层28的底面与RDL 26和介电层24的顶面接触。根据本发明的一些实施例，介电层28由聚合物形成，该聚合物可以是诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等的光敏材料。在可选实施例中，介电层28由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅的氧化物、PSG、BSG、BPSG等形成。然后图案化介电层28以在介电层28中形成开口 30。因此，通过介电层28中的开口30暴露出RDL 26的一些部分。
[0023]参照图4，形成金属柱32(包括32A和32B)。贯穿说明书，由于金属柱32穿过随后形成的模制材料，所以金属柱32可选地称为贯通孔32。根据本发明的一些实施例，通过镀形成贯通孔32。相应的步骤示出为图16中示出的工艺流程图中的步骤304。贯通孔32用于电相互连接位于贯通孔32的相对端上的部件。镀贯通孔32可以包括在层28上方形成延伸至开口 30内的毯状晶种层(未示出)，形成和图案化光刻胶(未示出)，以及在晶种层的通过光刻胶中的开口暴露出的部分上镀贯通孔32。然后去除光刻胶和晶种层的由光刻胶覆盖的部分。贯通孔32的材料可以包括铜、铝等。贯通孔32具有杆的形状。贯通孔32的顶视图形状可以是圆形、矩形、正方形、六边形等。根据本发明的一些实施例，布置贯通孔32以对准环绕其中的区域的环(在图4中的结构的顶视图中)，其中，该区域用于放置器件管芯36(图5)。贯通孔32A和32B的顶视图形状可以选自圆形、六边形、椭圆形、正方形等。
[0024]贯穿说明书，贯通孔32A称为角部贯通孔，并且贯通孔32B称为内部贯通孔。根据本发明的一些实施例，贯通孔32A和贯通孔32B具有相同的顶面图形状和相同的顶视图尺寸。根据本发明的可选实施例，贯通孔32A和贯通孔32B具有不同的顶面图形状和/或不同的顶视图尺寸。
[0025]图5示出了器件管芯36的布置。相应的步骤示出为图16中示出的工艺流程图中的步骤306。通过管芯附着膜(DAF)45将器件管芯36粘合至介电层28，DAF 45是粘合膜。器件管芯36可以为其中包括逻辑晶体管的逻辑器件管芯。根据一些示例性实施例，器件管芯36是设计用于移动应用的管芯，并且可以是电源管理集成电路(PMIC)管芯、收发器(TRX)管芯等。尽管示出了一个器件管芯36，可以在介电层28上方放置更多的器件管芯。
[0026]根据一些示例性实施例，金属支柱38(诸如铜柱)预形成为器件管芯36的最高部分，其中金属支柱38电连接至诸如器件管芯36中的晶体管(未示出)的集成电路器件。根据本发明的一些实施例，聚合物填充相邻的金属支柱38之间的间隙以形成顶介电层40，其中，顶介电层40也可以位于钝化层42的顶上，并且可以与钝化层42接触。根据本发明的一些实施例，聚合物层40可以由PBO形成。钝化层42可以由氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或它们的多层形成。
[0027]接下来，将模制材料44模制在器件管芯36上。模制材料44填充相邻的贯通孔32之间的间隙以及贯通孔32和器件管芯36之间的间隙。模制材料44可以包括模塑料、模制底部填充物、环氧树脂和/或树脂。模制材料44的顶面高于金属支柱38的顶端。
[0028]在随后的步骤中，实施诸如化学机械抛光(CMP)步骤或研磨步骤的平坦化以减薄模制材料44，直到暴露出贯通孔32和金属支柱38。相应的步骤示出为图16中示出的工艺流程图中的步骤308。由于研磨，贯通孔32的顶端与金属支柱38的顶面基本上齐平(共面)，并且与模制材料44的顶面基本上共面。
[0029]图6至图10示出了前侧RDL和相应的介电层的形成。相应的步骤示出为图16中示出的工艺流程图中的步骤310。参照图6，形成介电层46。根据本发明的一些实施例，介电层46由诸如ΡΒ0、聚酰亚胺等的聚合物形成。在可选实施例中，介电层46由氮化硅、氧化硅等形成。在介电层46中形成开口 48以暴露出贯通孔32和金属支柱38。可以通过光刻工艺实施开口 48的形成。
[0030]接下来，参照图7，形成再分布线(RDL)50以连接至金属支柱38和贯通孔32ADL 50也可以互连金属支柱38和贯通孔32ADL 50包括位于介电层46上方的金属迹线(金属线)和延伸至介电层46内的通孔。RDL 50中的通孔连接至贯通孔32和金属支柱38。根据本发明的一些实施例，在镀工艺中形成RDL 50，其中，每个RDL 50均包括晶种层(未示出)和位于晶种层上方的镀的金属材料。晶种层和镀的材料可以由相同材料或不同材料形成。
[0031]参照图8，根据各种实施例，在图7中示出的结构上方形成介电层52，接下来，如图9所示，在介电层52中形成RDL 54。根据本发明的一些实施例，RDL 54的形成包括:形成毯式铜晶种层;在毯式铜晶种层上方形成掩模层并图案化掩模层;实施镀以形成RDL 54;去除掩模层；以及实施蚀刻步骤以去除毯式铜晶种层的未被RDL 54覆盖的部分。RDL 54可以由金属或包括铝、铜、钨和/或它们的合金的金属合金形成。
[0032]图8和图9示出了根据一些示例性实施例的一个RDL层54的形成。根据可选实施例，取决于相应的封装件的布线需要，可以存在RDL 54的一个以上的层。在这些实施例中，介电层52可以包括聚合物，诸如ΡΒ0、聚酰亚胺、BCB等。可选地，介电层52可以包括诸如氧化硅、氮化娃、碳化娃、氮氧化娃等的非有机介电材料。
[0033]图10和图1lA示出了根据一些示例性实施例的介电层56和电连接件60的形成。相应的步骤示出为图16中示出的工艺流程图中的步骤312。参照图1O，例如使用P B O、聚酰亚胺或BCB形成介电层56。在介电层56中形成开口 58以暴露出下面的金属焊盘，下面的金属焊盘是RDL 54的部分。然后，如图1lA所示，形成电连接件60。在一些实施例中，可以形成延伸至开口 58内的凸块下金属(UBM，未示出)ο电连接件60的形成可以包括将焊球放置在UBM的暴露部分上以及然后回流焊球。在可选实施例中，电连接件60的形成包括:实施镀步骤以在RDL 54中的暴露的金属焊盘上方形成焊料区域，并且然后回流焊料区域。电连接件60还可以包括金属支柱或者金属支柱和焊帽，其也可以通过镀来形成。贯穿说明书，包括介电层24和上面的结构的组合的结构称为是复合晶圆的封装件100。
[0034]图1lB示出了根据可选实施例的封装件100的截面图。在这些实施例中，跳过图2和图3示出的工艺步骤。相应地，在图1lB中，不形成背侧RDL。贯通孔32由介电层24形成。模制材料44和DAF 45也附接至介电层24。
[0035]图12至图14A示出了形成封装件形成中的剩余工艺，其中，从图1lB中示出的结构继续该工艺。首先，例如，通过对释放层22投射UV光或激光使封装件100从载体20分离(图11B)，以使释放层22在UV光或激光的热下分解。图12中示出产生的结构。封装件50进一步通过粘合层64粘合至载体62，其中，电连接件60可以面向载体62并且可以接触载体62。根据本发明的一些实施例，在载体20分离之前，将载体62附接至封装件100。
[0036]图12示出了去除介电层24的一些部分以暴露出贯通孔32。结果，在介电层24中形成开口 66。相应的步骤示出为图16中示出的工艺流程图中的步骤314。开口 66的形成可以通过激光燃烧来实现。可选地，当介电层24由诸如PBO或聚酰亚胺的光敏材料形成时，开口 66的形成也可以通过蚀刻来实现。开口 66包括位于角部贯通孔32A上方的角部开口 66A和位于内部贯通孔32B上方的内部开口 66B。
[0037]图13示出了根据一些示例性实施例的焊料区68(有时称为预焊料区)的形成。例如，可以实施印刷步骤以将焊膏印刷在开口 66中来形成焊料区68。在可选实施例中，在开口66中不形成预焊料区。然后，可以将封装件100(复合晶圆)切割成多个封装件100’，每个均具有如图13中所示的结构。
[0038]图13也示出封装件200，其可选地称为顶部封装件。如图14A所示，封装件200接合至封装件100’。相应的步骤示出为图16中示出的工艺流程图中的步骤316。根据本发明的一些实施例，封装件200包括封装衬底202和接合至封装衬底202的器件管芯204。可以通过引线接合、倒装芯片接合等实现器件管芯204至封装衬底202的接合。回流图13中示出的焊料区206和焊料区68以形成焊料区70，焊料区70将封装件200接合至封装件100’。在一些实施例中，在接合封装件200之后，将底部填充物(未示出)填充至封装件100’和封装件200之间的间隙中。
[0039]图14B示出了图14A中所示的封装件的顶视图，其中，在开口66(也参照图13)的水平处获得顶视图，其中，焊料区70(图14A)将随后位于开口66中。参照图14B，开口66包括角部开口66A(也表示为66A1)，其是接近封装件100的相应的角部100A的开口。取决于焊料区70受到的应力，可以具有接近角部100A的每个的一个、两个或三个角部开口66A。开口66也包括角部开口66A2，其是最接近于器件管芯36的相应的角部36A的开口。除了角部开口66A之外的剩余开口 66称为内部开口 66B。
[0040]根据本发明的一些实施例，角部开口66A的面积和横向尺寸Wl分别大于内部开口66B的面积和横向尺寸W2。贯穿说明书，开口 66的最大的横向尺寸称为图14A和图14B中的表示的横向尺寸11、￥2、￥3、￥4、￥5。当相应部件具有圆形顶视图形状时，横向尺寸￥1至￥5可以是直径。角部焊料区70A(图14A)和下面的角部贯通孔32A之间的界面区域大于内部焊料区70B和下面的内部贯通孔32B之间的界面面积。由于角部焊料区70A受到的应力高于内部焊料区70B受到的应力，因此角部焊料区70A和角部贯通孔32A之间更可能发生裂痕。通过增加角部焊料区70A和角部贯通孔32A之间的界面面积以大于内部焊料区70B和内部贯通孔32B之间的界面面积，角部焊料区70A的界面面积处受到的应力减小并且提高相应的封装件的可靠性。
[0041 ] 重新参照图14B，横向尺寸WI和W2的比率可以在约1.1和约1.5之间的范围内。此夕卜，参照图14A，焊料区70接触封装件200中的金属焊盘208，接触面积的横向尺寸(金属焊盘208的暴露的横向尺寸)是W3。根据一些实施例，W2和W3的比率小于或等于0.8，并且可以在约0.7和0.8之间的范围内。WI和W3的比率大于W2和W3的比率。例如，WI和W3的比率可以大于0.8，并且可以在约0.9和1.3的范围内。根据一些实施例，贯穿封装件的宽度W3可以相同。
[0042]在形成开口66中(图12)中，为了确保模制材料44不暴露于开口66，在开口66的每个侧上留下边距ENl，其中，如果相应的开口66与下面的贯通孔32的中心对准，在每侧上的边距ENl可以在约ΙΟμπι和约30μπι的范围内。在一些实施例中，其中，角部开口 66Α大于内部开口66Β，角部贯通孔32Α的横向尺寸Wl可以大于内部贯通孔32Α的横向尺寸W2以确保留下用于角部开口 66Α的足够的边距。例如，横向尺寸W5可以等于(2ΧΕΝ1 + (0.7?0.8)XW3B)，并且横向尺寸W4可以等于(2ΧΕΝ1 + (0.9?1.3)XW3A)。角部贯通孔32A的横向尺寸Wl也可以大于横向尺寸W2，以提供具有足够边距ENl的角部开口 66A。
[0043]再次参照图14B，在角部开口 66A2中焊料区受到的应力可以大于在内部开口 66B中内部焊料区70B受到的应力。此外，在角部开口 66A2中焊料区受到的应力可以小于在角部开口 66A1中焊料区受到的应力。相应地，角部开口 66A2的横向尺寸Wl大于内部开口 66B的横向尺寸W2，并且可以小于角部开口 66A1的横向尺寸(S卩，W1)。
[0044]根据可选实施例，角部开口66A的横向尺寸Wl设计为与内部开口 66B的横向尺寸W2相同。另一方面，对应于角部开口66A的金属焊盘208的横向尺寸W3A(图14A)减小至小于对应于内部开口66B的金属焊盘208的横向尺寸W3B，以使Wl和W3A的比率仍然大于W2和W3B的比率。在这些实施例中，Wl和W3的比率以及W2和W3的比率所在的范围可以与其中横向尺寸Wl大于横向尺寸W2的实施例中的范围相同。通过减小横向尺寸W3A，再分布角部焊料区70A受到的应力，并且从具有贯通孔32A的界面至具有金属焊盘208的界面再分布角部焊料区70A受到的一些应力。从而减小焊料区70A上的焊料裂痕。
[0045]参照图14A，根据本发明的一些实施例，焊料区70A的焊料体积等于焊料区70B的焊料体积。根据本发明的可选实施例，例如，当横向尺寸Wl大于横向尺寸W2时，焊料区70A的焊料体积大于焊料区70B的焊料体积。
[0046]图15A示出了根据本发明的可选实施例的封装件。除非另有说明，否则这些实施例中的组件的的材料和形成方法与相同组件基本上相同，在图12至图14A中示出的实施例中，相同组件由相同的参考标号表示。因此，在图12至图14A中示出的实施例的讨论中可以发现关于图15中示出的组件的形成工艺和材料的细节。从图1lA中示出的结构继续根据这些实施例的工艺，图11A中示出的结构不同于图1IB的结构，因为图11A中的结构包括介电层28、RDL 26和在介电层28中的通孔。
[0047]如图15A所示，分别设置在角部开口 66A和内部开口 66B中的焊料区70A和70B用于将封装件200接合至封装件100 ’。图15B示出了角部开口 66A和内部开口 66B的顶视图，其与图14B中示出的基本上相同。图15C示出了根据又可选实施例的角部开口 66A和内部开口 66B的顶视图。在这些实施例中，开口 66分布为全阵列。相应地，没有如图14B中的角部开口 66A2存在于图15C中示出的实施例中。
[0048]根据本发明的一些实施例，关于横向宽度Wl、W2、W3、W4和W5，比率W1/W3和比率W2/W3的讨论，以及关于图13、图14A和图14B的边距ENl也适用于图15A、图15B和图15C中所示的实施例，并且因此，在此不再重复。
[0049]本发明的实施例具有一些有利的特征。通过调整横向尺寸、面积和/或Wl和W3的比率和W2和W3的比率，可以再分布对角部焊料区施加的高应力，并且因此，加强了封装件的薄弱部分。因此，改进了封装件的可靠性。
[0050]根据本发明的一些实施例，一种封装件包括:器件管芯、在其中模制器件管芯的模制材料，以及在封装件的表面处的表面介电层。角部开口在表面介电层中。角部开口邻近封装件的角部。内部开口在表面介电层中。内部开口离封装件的角部比角部开口离封装件的角部远。角部开口的第一横向尺寸大于内部开口的第二横向尺寸。
[0051]根据本发明的可选实施例，一种封装件包括:第一封装件和接合至第一封装件的第二封装件。第一封装件包括器件管芯、包封其中的器件管芯的模制材料、在第一封装件的表面处的表面介电层、以及角部开口和在表面介电层中的内部开口。角部开口邻近第一封装件的角部并且具有第一横向尺寸。内部开口离第一封装件的角部比角部开口离第一封装件的角部远，并且内部开口具有第二横向尺寸。第二封装件具有包括:第三横向尺寸的第一导电部件，以及具有第四横向尺寸的第二导电部件。第一横向尺寸和第三横向尺寸的第一比率大于第二横向尺寸和第四横向尺寸的第二比率。角部焊料区接合至第一导电部件，延伸至角部开口中并且与第一导电部件接触。内部焊料区接合至第二导电部件，延伸至内部开口中并且与第二导电部件接触。
[0052]根据本发明的可选实施例，一种封装件包括:器件管芯、在其中模制器件管芯的模制材料，以及穿透模制材料的第一贯通孔和第二贯通孔。第一贯通孔的第一横向尺寸大于第二贯通孔的第二横向尺寸。
[0053]根据本发明的一个实施例，提供了一种封装件，包括:第一封装件，包括:器件管芯;模制材料，将所述器件管芯模制在所述模制材料中；表面介电层，位于所述第一封装件的表面处；角部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述角部开口邻近所述第一封装件的角部；以及内部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述内部开口离所述第一封装件的所述角部比所述角部开口离所述第一封装件的所述角部更远，并且所述角部开口具有大于所述内部开口的第二横向尺寸的第一横向尺寸。
[0054]在上述封装件中，还包括:角部焊料区，延伸至所述角部开口内；以及内部焊料区，延伸至所述内部开口内。
[0055]在上述封装件中，进一步包括:第二封装件，所述第二封装件包括:第一导电部件，接合至所述角部焊料区；以及第二导电部件，接合至所述内部焊料区。。
[0056]在上述封装件中，所述第一横向尺寸和所述第一导电部件的横向尺寸的第一比率大于所述第二横向尺寸和所述第二导电部件的横向尺寸的第二比率。
[0057]在上述封装件中，所述第一封装件还包括:角部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述角部贯通孔与所述角部焊料区接触；以及内部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述内部贯通孔与所述内部焊料区接触。
[0058]在上述封装件中，还包括:角部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述角部贯通孔的顶面暴露于所述角部开口；以及内部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述内部贯通孔的顶面暴露于所述内部开口，并且所述角部贯通孔具有大于所述内部贯通孔的横向尺寸的横向尺寸。
[0059]在上述封装件中，其中，所述角部开口具有大于所述内部开口的第二面积的第一面积。
[0060]在上述封装件中，还包括位于所述表面介电层中的额外的角部开口，其中，所述额外的角部开口离所述器件管芯的角部比位于所述表面介电层中的所有其他开口离所述器件管芯的角部更近，并且所述额外的角部开口具有大于所述内部开口的所述第二横向尺寸的第三横向尺寸。
[0061]在上述封装件中，所述表面介电层位于所述器件管芯的背侧上。
[0062]根据本发明的另一实施例，还提供了一种封装件，包括:第一封装件，包括:器件管芯;模制材料，将所述器件管芯模制在所述模制材料中；表面介电层，位于所述第一封装件的表面处；角部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述角部开口邻近所述第一封装件的角部并且具有第一横向尺寸；以及内部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述内部开口比所述角部开口更加远离所述第一封装件的所述角部，并且所述内部开口具有第二横向尺寸;第二封装件，包括:第一导电部件，具有第三横向尺寸；以及第二导电部件，具有第四横向尺寸，其中，所述第一横向尺寸和所述第三横向尺寸的第一比率大于所述第二横向尺寸和所述第四横向尺寸的第二比率;角部焊料区，接合至所述第一导电部件，延伸至所述角部开口内，并且与所述第一导电部件接触；以及内部焊料区，接合至所述第二导电部件，延伸至所述内部开口内，并且与所述第二导电部件接触。
[0063]在上述封装件中，所述角部开口具有大于所述内部开口的第二面积的第一面积。
[0064]在上述封装件中，所述第一比率在约0.9和约1.3之间的范围内，并且所述第二比率在约0.7和约0.8之间的范围内。
[0065]在上述封装件中，还包括:角部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述角部贯通孔的顶面暴露于所述角部开口；以及内部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述内部贯通孔的顶面暴露于所述内部开口，并且其中，所述角部贯通孔具有大于所述内部贯通孔的横向尺寸的横向尺寸。
[0066]在上述封装件中，所述第三横向尺寸等于所述第四横向尺寸，并且所述第一横向尺寸大于所述第二横向尺寸。
[0067]在上述封装件中，所述第三横向尺寸小于所述第四横向尺寸，并且所述第一横向尺寸等于所述第二横向尺寸。
[0068]根据本发明的又另一实施例，还提供了一种封装件，包括:器件管芯；
[0069]模制材料，将所述器件管芯包封在所述模制材料中；以及第一贯通孔和第二贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述第一贯通孔具有大于所述第二贯通孔的第二横向尺寸的第一横向尺寸。
[0070]在上述封装件中，所述第一横向尺寸和所述第二横向尺寸的比率大于约1.1。
[0071]在上述封装件中，所述第一贯通孔是角部贯通孔，所述角部贯通孔邻近所述封装件的角部，并且所述第二贯通孔是内部贯通孔，所述内部贯通孔离所述封装件的所述角部比所述角部贯通孔离所述封装件的所述角部更远。
[0072]在上述封装件中，所述第一贯通孔是角部贯通孔，所述角部贯通孔邻近所述器件管芯的角部，并且所述第二贯通孔是内部贯通孔，所述内部贯通孔离所述器件管芯的所述角部比所述角部贯通孔离所述器件管芯的所述角部更远。
[0073]在上述封装件中，包括四个角部，其中，所述四个角部的每个均具有最近的角部贯通孔，并且所述最近的角部通孔宽于所述第二贯通孔。
[0074]上面概述了若干实施例的部件、使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围、并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。
【主权项】
1.一种封装件，包括: 第一封装件，包括: 器件管芯； 模制材料，将所述器件管芯模制在所述模制材料中； 表面介电层，位于所述第一封装件的表面处； 角部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述角部开口邻近所述第一封装件的角部；以及 内部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述内部开口离所述第一封装件的所述角部比所述角部开口离所述第一封装件的所述角部更远，并且所述角部开口具有大于所述内部开口的第二横向尺寸的第一横向尺寸。2.根据权利要求1所述的封装件，还包括: 角部焊料区，延伸至所述角部开口内；以及 内部焊料区，延伸至所述内部开口内。3.根据权利要求2所述的封装件，进一步包括:第二封装件，所述第二封装件包括: 第一导电部件，接合至所述角部焊料区；以及 第二导电部件，接合至所述内部焊料区。。4.根据权利要求3所述的封装件，其中，所述第一横向尺寸和所述第一导电部件的横向尺寸的第一比率大于所述第二横向尺寸和所述第二导电部件的横向尺寸的第二比率。5.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述第一封装件还包括: 角部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述角部贯通孔与所述角部焊料区接触；以及 内部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述内部贯通孔与所述内部焊料区接触。6.根据权利要求1所述的封装件，还包括: 角部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述角部贯通孔的顶面暴露于所述角部开口；以及 内部贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述内部贯通孔的顶面暴露于所述内部开口，并且所述角部贯通孔具有大于所述内部贯通孔的横向尺寸的横向尺寸。7.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述角部开口具有大于所述内部开口的第二面积的第一面积。8.根据权利要求1所述的封装件，还包括位于所述表面介电层中的额外的角部开口，其中，所述额外的角部开口离所述器件管芯的角部比位于所述表面介电层中的所有其他开口离所述器件管芯的角部更近，并且所述额外的角部开口具有大于所述内部开口的所述第二横向尺寸的第三横向尺寸。9.一种封装件，包括: 第一封装件，包括: 器件管芯； 模制材料，将所述器件管芯模制在所述模制材料中； 表面介电层，位于所述第一封装件的表面处； 角部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述角部开口邻近所述第一封装件的角部并且具有第一横向尺寸；以及 内部开口，位于所述表面介电层中，其中，所述内部开口比所述角部开口更加远离所述第一封装件的所述角部，并且所述内部开口具有第二横向尺寸； 第二封装件，包括: 第一导电部件，具有第三横向尺寸；以及 第二导电部件，具有第四横向尺寸，其中，所述第一横向尺寸和所述第三横向尺寸的第一比率大于所述第二横向尺寸和所述第四横向尺寸的第二比率； 角部焊料区，接合至所述第一导电部件，延伸至所述角部开口内，并且与所述第一导电部件接触；以及 内部焊料区，接合至所述第二导电部件，延伸至所述内部开口内，并且与所述第二导电部件接触。10.—种封装件，包括: 器件管芯； 模制材料，将所述器件管芯包封在所述模制材料中；以及 第一贯通孔和第二贯通孔，穿透所述模制材料，其中，所述第一贯通孔具有大于所述第二贯通孔的第二横向尺寸的第一横向尺寸。
【文档编号】H01L23/48GK105895596SQ201610079442
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年2月4日
【发明人】陈宪伟
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司