一种窄划片槽的晶圆结构的制作方法
【专利摘要】一种窄划片槽的晶圆结构，涉及半导体元件IC技术领域。本发明的表面布满整齐排列多个芯片，每个芯片上设有多个CP测试晶粒。其结构特点是，在每个光照的部分芯片上置有多个测试晶粒，各芯片之间的划片槽采用激光划片的方式进行窄缝隙切割。同现有技术相比，本发明可以不受测试晶粒尺寸的影响而缩减划片槽的宽度，降低芯片成本。
【专利说明】
一种窄划片槽的晶圆结构
技术领域
[0001]本发明涉及半导体元件IC技术领域，特别是圆片流片和圆片切割的窄划片槽的晶圆结构。
【背景技术】
[0002]现有技术中，晶圆的结构如图1所示，划片槽4宽度一般在60um以上，划片槽4中分布着测试晶粒2。由于测试晶粒2有最小尺寸要求，传统的轮刀切割要求划片槽4宽度最小在50um以上，所以目前划片槽宽度以传统的流片及切割模式已经到达一个技术极限，无法再缩减。
[0003]但流片工艺正在飞速发展，线宽从um级已经发展到nm级，这样使得芯片I的面积变得更小，芯片I面积变小导致单位晶圆上划片槽4面积增加，而划片槽4部分没有电路功能，使得芯片I成本无法降低。
【发明内容】
[0004]为了克服上述现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种窄划片槽的晶圆结构。它可以不受测试晶粒尺寸的影响而缩减划片槽的宽度，降低芯片成本。
[0005]为了达到上述发明目的，本发明的技术方案以如下方式实现:
一种窄划片槽的晶圆结构，它的表面布满整齐排列多个芯片，每个芯片上设有多个CP测试晶粒。其结构特点是，在每个光照的部分芯片上置有多个测试晶粒，各芯片之间的划片槽采用激光划片的方式进行窄缝隙切割。
[0006]本发明由于采用了上述结构，将原本置于划片槽中的测试晶粒集中放置在每个光照的某一个或者某几个区域的芯片上。同时，采用激光划片方式，使得划片槽宽度可以大大缩减，有效节约了芯片成本。
[0007]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步说明。
【附图说明】
[0008]图1为现有技术中晶圆及芯片的结构TJK意图；
图2为本发明晶圆及芯片的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]参看图2，本发明晶圆结构，它的表面布满整齐排列多个芯片1，每个芯片I上设有多个CP测试晶粒3。在每个光照的部分芯片I上置有多个测试晶粒2，各芯片I之间的划片槽4采用激光划片的方式进行窄缝隙切割。
[0010]本发明中，将测试晶粒2放置在芯片I上并在放置测试晶粒2的芯片I表面保留芯片I上原有的CP测试晶粒3。
[0011]影响划片槽4宽度的第二个因素是切割的要求，现有技术中的轮刀切割要求划片槽4最小宽度为50um。本发明采用隐形激光切割的方式，这种方式的刀痕宽度可以做到Ium以内，并且没有崩齿的影响。随着激光划片设备的发展，划片槽4宽度会进一步减小，所以本发明方案理论上可以将划片槽4做到无限窄，这将大大降低光照芯片I的生产成本。
【主权项】
1.一种窄划片槽的晶圆结构，它的表面布满整齐排列的多个芯片(I)，每个芯片(I)上设有多个CP测试晶粒(3)，其特征在于，在每个光照的部分芯片(I)上置有多个测试晶粒(2)，各芯片(I)之间的划片槽(4)采用激光划片的方式进行窄缝隙切割。
【文档编号】H01L23/544GK105895618SQ201410191891
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2014年5月7日
【发明人】陈志龙, 王国兵, 高凤来
【申请人】北京同方微电子有限公司