片式电阻器及其制造方法

片式电阻器及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种片式电阻器及其制造方法，能够抑制成本，并且实现耐硫化性能的提高。片式电阻器(A1)包括：具有搭载面(11)和安装面(12)的基片(1)；配置于搭载面(11)的两端的一对上表面电极(31)；搭载于一对上表面电极(31)之间的电阻体(2)；具有配置于基片(1)的侧面(13)的部分和与搭载面(11)及安装面(12)重叠的部分，并且与上表面电极(31)导通的侧面电极(33)；覆盖侧面电极(33)的中间电极(34)和外部电极(35)，其中，片式电阻器(A1)具有：具有比上表面电极(31)难以硫化的特性的第一保护层(41)，其位于上表面电极(31)与中间电极(34)之间，并且与上表面电极(31)和侧面电极(33)接触地配置；具有导电性的第二保护层(42)，其位于第一保护层(41)与中间电极(34)之间，并且与第一保护层(41)、侧面电极(33)和中间电极(34)接触地配置。
【专利说明】
片式电阻器及其制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及用于各种电子设备的片式电阻器及其制造方法。
【背景技术】
[0002]构成片式电阻器的电极的一部分的内部电极(上表面电极、背面电极和侧面电极)中主要含有Ag。在使用片式电阻器的电子设备的周边环境中存在硫化气体(H2S、S02等)的情况下，上述内部电极与硫化气体化合，而生成黑色的硫化银(Ag2S)。硫化银具有电绝缘性，因此，当上述内部电极的硫化推进时，上述内部电极可能断线即片式电阻器的电极可能断线。
[0003]基于这样的情况，如例如专利文献I所公开的那样，以往存在使上述内部电极中的上表面电极的材质为Ag — Pd合金的片式电阻器。Ag — Pd合金虽然是耐硫化性能优异的材质，但是价格高，因此存在经济性差的缺点。
[0004]因此，在相同的专利文献I中公开了一种片式电阻器，在上述内部电极的上表面电极的上表面还具有由含有Ag等金属粒子和碳颗粒的环氧树脂构成的又一上表面电极。上述又一上表面电极是比上表面电极更难以硫化的电极，并且比由Ag — Pd合金构成的电极更便宜。因此，具有上述又一上表面电极的片式电阻器具有下述优点:具有耐硫化性能且经济性方面是有利的。
[0005]这里，具有上述又一上表面电极的片式电阻器具有覆盖上述又一上表面电极的Ni镀层(中间电极)。上述又一上表面电极含有碳颗粒，碳颗粒的含量越多，越提高上述又一上表面电极的耐硫化性能。但是，当碳颗粒的含量超过任意的量时，Ni镀层与上述又一上表面电极的附着力降低，存在Ni镀层剥离的情况。当Ni镀层剥离时，硫化气体进入到上述内部电极(上表面电极和侧面电极)，且由于上述内部电极的硫化的推进，片式电阻器的电极可能会断线。
[0006]另外，一般而言，如专利文献2所公开的片式电阻器，电阻体的表面被由含有环氧树脂的膏构成的保护膜覆盖。
[0007]根据片式电阻器的使用状态的不同，覆盖上述内部电极的Ni镀层(中间电极)的温度显著上升。此时，存在在上述Ni镀层的前端部(俯视时上述Ni镀层和上述保护膜的边界部)产生热冲击。当该热冲击作用于上述保护膜时，在上述保护膜上产生裂纹。当该裂纹向上述内部电极推进时，上述内部电极露出。此时，在使用片式电阻器的电子设备的周边环境存在硫化气体的情况下，如上述那样，上述内部电极与硫化气体化合，存在片式电阻器的电极断线的可能性。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1:日本特开2013 — 258292号公报
[0011]专利文献2:日本特开2012 —151195号公报

【发明内容】

[0012]发明所要解决的课题
[0013]鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种片式电阻器及其制造方法，能够抑制成本且实现耐硫化性能的提高。此外，鉴于上述情况，本发明的另一目的在于提供一种片式电阻器及其制造方法，即使由于电极中产生的热冲击而使裂纹在保护膜中推进，也能够防止由硫化引起的该电极的断线。
[0014]用于解决问题的方案
[0015]由本发明的第一方面提供的一种片式电阻器，其包括:具有彼此朝向相反侧的搭载面和安装面的基片；配置在上述基片的上述搭载面两端的一对上表面电极;与上述上表面电极导通的侧面电极，其具有配置在位于上述基片的上述搭载面与上述安装面之间的上述基片的侧面的部分和在上述基片的厚度方向上与上述搭载面和上述安装面重叠的部分；在上述基片的上述搭载面上搭载在上述一对上表面电极之间的电阻体;覆盖上述侧面电极的中间电极;和覆盖上述中间电极的外部电极，上述片式电阻器的特征在于，包括:具有比上述上表面电极难以硫化的特性的第一保护层，其位于上述上表面电极与上述中间电极之间，并且与上述上表面电极和上述侧面电极接触地配置;和具有导电性的第二保护层，其位于上述第一保护层与上述中间电极之间，并且与上述第一保护层、上述侧面电极和上述中间电极接触地配置。
[0016]在本发明优选的实施方式中，上述第一保护层含有碳颗粒。
[0017]在本发明优选的实施方式中，上述第一保护层为电绝缘体。
[0018]在本发明优选的实施方式中，上述第二保护层含有Ag。
[0019]在本发明优选的实施方式中，上述侧面电极由Ni— Cr合金构成。
[0020]在本发明优选的实施方式中，还具有配置在上述基片的上述安装面两端的一对背面电极，上述侧面电极与上述背面电极导通。
[0021]在本发明优选的实施方式中，上述背面电极被上述中间电极覆盖。
[0022]在本发明优选的实施方式中，上述基片为电绝缘体。
[0023]在本发明优选的实施方式中，上述基片由氧化铝构成。
[0024]在本发明优选的实施方式中，上述电阻体的俯视形状为蛇形形状。
[0025]在本发明优选的实施方式中，上述电阻体含有RuO2或Ag—Pd合金。
[0026]在本发明优选的实施方式中，在上述电阻体形成有贯穿上述电阻体的调整槽。
[0027]在本发明优选的实施方式中，上述中间电极和上述外部电极由镀层构成。
[0028]在本发明优选的实施方式中，上述中间电极由Ni镀层构成。
[0029]在本发明优选的实施方式中，上述外部电极由Sn镀层构成。
[0030]在本发明优选的实施方式中，还具有覆盖上述电阻体和上述上表面电极的一部分的保护膜。
[0031]在本发明优选的实施方式中，上述第一保护层的一部分被上述保护膜覆盖。
[0032]在本发明优选的实施方式中，上述保护膜具有下部保护膜和上部保护膜。
[0033]在本发明优选的实施方式中，上述下部保护膜包含玻璃。
[0034]在本发明优选的实施方式中，上述上部保护膜含有环氧树脂。
[0035]根据本发明的第二方面，提供一种片式电阻器的制造方法，其特征在于，包括:准备具有彼此朝向相反侧的搭载面和安装面的片状基片，在上述片状基片的上述搭载面上形成具有彼此分开的一对区域的上表面电极的工序;在上述片状基片的上述搭载面中被上述一对区域夹着的区域中搭载与上述上表面电极导通的电阻体的工序;在上述上表面电极的上表面形成具有比上述上表面电极难以硫化的特性的第一保护层的工序;在上述第一保护层的上表面形成具有导电性的第二保护层的工序;将上述片状基片分割成多个带状基片的工序;在沿着上述带状基片的长度方向的两端设置的侧面、上述搭载面和上述安装面形成与上述上表面电极导通且与上述第一保护层和上述第二保护层接触的侧面电极的工序;和分别形成覆盖上述侧面电极和上述第二保护层的中间电极、以及覆盖上述中间电极的外部电极的工序。
[0036]在本发明优选的实施方式中，在形成上述第一保护层的工序中，通过使用印刷的方法形成上述第一保护层。
[0037]在本发明优选的实施方式中，在形成上述第二保护层的工序中，通过使用印刷的方法形成上述第二保护层。
[0038]在本发明优选的实施方式中，在形成上述侧面电极的工序中，通过物理蒸镀形成上述侧面电极。
[0039]在本发明优选的实施方式中，上述物理蒸镀为溅射法。
[0040]在本发明优选的实施方式中，在搭载上述电阻体的工序中，通过使用印刷的方法或者使用物理蒸镀和光刻的方法，搭载上述电阻体。
[0041]在本发明优选的实施方式中，在分别形成上述中间电极和上述外部电极的工序之前，还具有将上述带状基片分割成多个单片的工序。
[0042]在本发明优选的实施方式中，在分别形成上述中间电极和上述外部电极的工序中，通过镀覆分别形成上述中间电极和上述外部电极。
[0043]在本发明优选的实施方式中，还具有在上述片状基片的上述安装面上形成具有彼此分开的一对区域的背面电极的工序。
[0044]在本发明优选的实施方式中，还具有在上述电阻体形成贯穿上述电阻体的调整槽的工序。
[0045]在本发明优选的实施方式中，还具有形成覆盖上述电阻体、以及上述上表面电极和上述第一保护层各自的一部分的保护膜的工序。
[0046]在本发明优选的实施方式中，在形成上述保护膜的工序中，包括形成下部保护膜的工序和形成上部保护膜的工序。
[0047]通过本发明的第三方面提供一种片式电阻器，包括:具有彼此朝向相反侧的搭载面和安装面的基片；配置在上述基片的上述搭载面两端的一对上表面电极;在上述基片的上述搭载面上搭载在上述一对上表面电极之间的电阻体;覆盖上述电阻体和上述上表面电极的一部分的保护膜;与上述上表面电极导通的侧面电极，其具有配置在位于上述基片的上述搭载面与上述安装面之间的上述基片的侧面的部分、以及在上述基片的厚度方向上与上述搭载面和上述安装面重叠的部分;覆盖上述侧面电极的中间电极;覆盖上述中间电极的外部电极，所述片式电阻器的特征在于:上述保护膜具有彼此层叠的下部保护膜和上部保护膜，上述下部保护膜由抗热冲击性比上述上部保护膜强的材质构成，上述上表面电极的一部分被上述下部保护膜覆盖。
[0048]在本发明优选的实施方式中，上述上表面电极和上述上部保护膜各自的一部分分别被上述侧面电极覆盖。
[0049]在本发明优选的实施方式中，还具有比上述上表面电极难以硫化的特性的保护层，该保护层覆盖上述上表面电极的上表面的至少一部分，上述保护层的至少一部分被上述侧面电极覆盖。
[0050]在本发明优选的实施方式中，上述保护层的一部分被上述上部保护膜覆盖。
[0051 ]在本发明优选的实施方式中，上述保护层含有碳颗粒。
[0052]在本发明优选的实施方式中，上述保护层为电绝缘体。
[0053]在本发明优选的实施方式中，上述下部保护膜包含玻璃。
[0054]在本发明优选的实施方式中，上述上部保护膜含有环氧树脂。
[0055]在本发明优选的实施方式中，上述侧面电极由Ni— Cr合金构成。
[0056]在本发明优选的实施方式中，还具有配置在上述基片的上述安装面两端的一对背面电极，上述侧面电极与上述背面电极导通。
[0057]在本发明优选的实施方式中，上述背面电极被上述中间电极覆盖。
[0058]在本发明优选的实施方式中，上述基片为电绝缘体。
[0059]在本发明优选的实施方式中，上述基片由氧化铝构成。
[0060]在本发明优选的实施方式中，在上述电阻体形成有贯穿上述电阻体的调整槽。
[0061]在本发明优选的实施方式中，上述中间电极和上述外部电极由镀层构成。
[0062]在本发明优选的实施方式中，上述中间电极由Ni镀层构成。
[0063]在本发明优选的实施方式中，上述外部电极由Sn镀层构成。
[0064]根据本发明的第四侧面，提供一种片式电阻器的制造方法，其特征在于，包括:准备具有彼此朝向相反侧的搭载面和安装面的片状基片，在上述片状基片的上述搭载面上形成具有彼此分开的一对区域的上表面电极的工序;在上述片状基片的上述搭载面中被上述一对区域夹着的区域中搭载与上述上表面电极导通的电阻体的工序;形成覆盖上述电阻体和上述上表面电极的一部分的下部保护膜的工序;形成覆盖上述下部保护膜的上部保护膜的工序;将上述片状基片分割成多个带状基片的工序;在沿着上述带状基片的长度方向的两端设置的侧面、上述搭载面和上述安装面形成与上述上表面电极导通的侧面电极的工序;和分别形成覆盖上述侧面电极的中间电极和覆盖上述中间电极的外部电极的工序。
[0065]在本发明优选的实施方式中，在形成上述侧面电极的工序中，上述上表面电极和上述上部保护膜各自的一部分分别被上述侧面电极覆盖，由此形成上述侧面电极。
[0066]在本发明优选的实施方式中，还具有形成覆盖上述上表面电极的上表面的至少一部分的、具有比上述上表面电极难以硫化的特性的保护层的工序。
[0067]在本发明优选的实施方式中，在形成上述保护层的工序中，通过使用印刷的方法形成上述保护层。
[0068]在本发明优选的实施方式中，在形成上述侧面电极的工序中，通过上述保护层的至少一部分被上述侧面电极覆盖，形成上述侧面电极。
[0069]在本发明优选的实施方式中，在形成上述上部保护膜的工序中，通过上述保护层的一部分被上述上部保护膜覆盖，形成上述上部保护膜。
[0070]在本发明优选的实施方式中，在形成上述下部保护膜的工序中，通过使用印刷的方法形成上述下部保护膜。
[0071]在本发明优选的实施方式中，在形成上述上部保护膜的工序中，通过使用印刷的方法形成上述上部保护膜。
[0072]在本发明优选的实施方式中，在形成上述侧面电极的工序中，通过物理蒸镀形成上述侧面电极。
[0073]在本发明优选的实施方式中，上述物理蒸镀为溅射法。
[0074]在本发明优选的实施方式中，在分别形成上述中间电极和上述外部电极的工序中，通过镀覆分别形成上述中间电极和上述外部电极。
[0075]在本发明优选的实施方式中，在分别形成上述中间电极和上述外部电极的工序之前，还具有将上述带状基片分割成多个单片的工序。
[0076]在本发明优选的实施方式中，还具有在上述片状基片的上述安装面形成具有彼此分开的一对区域的背面电极的工序。
[0077]在本发明优选的实施方式中，还具有在上述电阻体形成贯穿上述电阻体的调整槽的工序。
[0078]发明效果
[0079]本发明的片式电阻器具有位于上表面电极与中间电极之间并且与上述上表面电极和侧面电极接触地配置的第一保护层。由此，上述上表面电极成为被上述第一保护层覆盖的结构。上述第一保护层具有比上述上表面电极难以硫化的特性。因此，能够利用上述第一保护层，防止上述上表面电极的硫化，避免上述上表面电极的断线。另外，本发明的片式电阻器具有第二保护层，该第二保护层与上述第一保护层一起(配合)，位于上述第一保护层和上述中间电极之间，并且与上述第一保护层、上述侧面电极和上述中间电极接触地配置。上述第一保护层成为被具有导电性的上述第二保护层和上述侧面电极覆盖的结构。由此，上述中间电极成为不与上述第一保护层接触的结构。因此，能够避免构成上述中间电极的镀层的剥离。根据以上说明，通过具有上述第一保护层和上述第二保护层，能够抑制片式电阻器的成本，并且实现耐硫化性能的提尚。
[0080]另外，本发明的片式电阻器成为具有彼此层叠的下部保护膜和上部保护膜且上表面电极的一部分被上述下部保护膜覆盖的结构。上述下部保护膜由抗热冲击性比上述上部保护膜强的材质构成。因此，即使由于在作为中间电极和外部电极的镀层的前端部(俯视时上述镀层与上述上部保护膜的边界部)产生的热冲击，在上述上部保护膜产生裂纹，也能够由上述下部保护膜抑制该裂纹的发展。因此，上述上表面电极不会由于该裂纹而露出，所以在片式电阻器的周边产生的硫化气体不会经由该裂纹进入到上述上表面电极。因此，即使由于在电极产生的热冲击而在上述上部保护膜产生裂纹，也能够防止硫化引起的该电极的断线。
[0081]本发明的另一特征和优点通过以下基于附图进行的详细说明将变得更加明确。
【附图说明】
[0082]图1是表示本发明第一实施方式的片式电阻器的俯视图。
[0083]图2是沿着图1的II一 II线的截面图。
[0084]图3是将图2的一部分放大的局部放大截面图。
[0085]图4是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0086]图5是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0087]图6是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0088]图7是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0089]图8是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0090]图9是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0091]图10是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0092]图11是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0093]图12是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的立体图。
[0094]图13是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的立体图。
[0095]图14是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的立体图。
[0096]图15是表示图1的片式电阻器的制造方法的工序的立体图。
[0097]图16是表示本发明第二实施方式的片式电阻器的俯视图。
[0098]图17是沿着图16的XVII—XVII线的截面图。
[0099]图18是表示本发明第三实施方式的片式电阻器的俯视图。
[0100]图19是沿着图18的XIX—XIX线的截面图。
[0101 ]图20是将图19的一部分放大的局部放大截面图。
[0102]图21是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0103]图22是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0104]图23是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0105]图24是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0106]图25是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0107]图26是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0108]图27是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的立体图。
[0109]图28是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的立体图。
[0110]图29是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的立体图。
[0111]图30是表示图18的片式电阻器的制造方法的工序的立体图。
[0112]图31是表示本发明第四实施方式的片式电阻器的俯视图。
[0113]图32是沿着图31的XXXII — XXXII线的截面图。
[0114]图33是将图32的一部分放大的局部放大截面图。
[0115]图34是表示图31的片式电阻器的制造方法的工序的俯视图。
[0116]符号说明
[0117]A1，A2，A3，A4:片式电阻器
[0118]1:基片
[0119]11:搭载面
[0120]12:安装面
[0121]13:侧面
[0122]2:电阻体
[0123]21:调整槽
[0124]3:电极
[0125]31:上表面电极
[0126]32:背面电极
[0127]33:侧面电极
[0128]34:中间电极
[0129]35:外部电极
[0130]4:保护层
[0131]41:第一保护层
[0132]42:第二保护层
[0133]5:保护膜
[0134]51:下部保护膜
[0135]52:上部保护膜
[0136]81:片状基片
[0137]811:—次分割槽
[0138]812: 二次分割槽
[0139]86:带状基片
[0140]87:单片
[0141]X:方向
【具体实施方式】
[0142]基于附图对用于实施本发明的方式(以下称为“实施方式”)进行说明。
[0143](第一实施方式)
[0144]基于图1?图3对本发明第一实施方式的片式电阻器Al进行说明。图1是表示片式电阻器Al的俯视图。图2是沿着图1的II一II线的截面图。图3是将图2的一部分放大的局部放大截面图。此外，在图1中，为了便于理解，省略后述的中间电极34、外部电极35和保护膜5。
[0145]这些图中所示的片式电阻器Al是在各种电子设备的电路基片上进行表面安装的这种形式的电阻器。本实施方式的片式电阻器Al具有:基片1、电阻体2、电极3、保护层4和保护膜5。在本实施方式中，片式电阻器Al俯视时呈矩形。本实施方式的片式电阻器Al是所谓的厚膜(金属釉膜)片式电阻器。
[0146]如图1和图2所示，基片I是搭载电阻体2且用于将片式电阻器Al安装于各种电子设备的电路基片的部件。基片I是电绝缘体。在本实施方式中，基片I例如由氧化铝(Al2O3)构成。在使用片式电阻器Al时，从电阻体2产生的热易于向外部散热，因此，基片I优选为热传导率高的材质。基片I具有搭载面11、安装面12和侧面13。在本实施方式中，基片I俯视时为矩形。
[0147]搭载面11是图2所示的基片I的上表面，即搭载电阻体2的面。安装面12是图2所示的基片I的下表面，即在将片式电阻器Al安装于各种电子设备的电路基片时所利用的面。搭载面11和安装面12彼此朝向相反一侧。如图1和图2所示，侧面13是与搭载面11和安装面12正交且朝向基片I的长度方向(图1所示的方向X)的一对面。侧面13位于搭载面11和安装面12之间。
[0148]电阻体2是发挥限制电流或检测电流等作用的元件。在本实施方式中，电阻体2的俯视形状为沿着图1所示的方向X延伸的带状。电阻体2例如由含有RuO2或Ag —Pd合金等金属的膏构成。在本实施方式中，电阻体2的俯视形状为带状，但能够使该形状为例如蛇形形状等任意的形状。电阻体2具有调整槽(Trimming groove)210
[0149]如图1和图2所示，调整槽21是在电阻体2的厚度方向上贯穿的槽。利用调整槽21，在沿着电阻体2的长度方向(图1所示的方向X)的侧面形成开口部。在本实施方式中，在电阻体2形成俯视时呈L形的调整槽21。调整槽21是为了将电阻体2的电阻值调整成所需的值而形成的。
[0150]如图1?图3所示，电极3是与电阻体2导通并且用于将片式电阻器Al和各种电子设备的电路基片的配线图案相互连接的彼此分开的一对部件。电极3在图1所示的方向X上配置于夹着电阻体2的两侧。在本实施方式中，电极3具有:上表面电极31、背面电极32、侧面电极33、中间电极34和外部电极35。
[0151]如图1?图3所示，上表面电极31具有配置于基片I的搭载面11上的两端的、彼此分开的一对区域。上表面电极31俯视时呈矩形。另外，上表面电极31的一部分夹在搭载面11和电阻体2之间。因此，电阻体2与上表面电极31导通。上表面电极31例如由含有Ag的膏构成。
[0152]如图1?图3所示，背面电极32具有配置于基片I的安装面12上的两端的、彼此分开的一对区域。背面电极32的俯视形状与上表面电极31大致相同(省略图示)。背面电极32与上表面电极31 —样，例如由含有Ag的膏构成。此外，背面电极32能够省略。
[0153]如图1?图3所示，侧面电极33具有配置于基片I的侧面13的、彼此分开的一对区域。侧面电极33不仅覆盖侧面13，还覆盖上表面电极31、背面电极32和保护层4各自的一部分。即，侧面电极33具有配置于侧面13的部分和在基片I的厚度方向上观察时与基片I的搭载面11和安装面12重叠的部分。利用侧面电极33，上表面电极31和背面电极32彼此导通。因此，利用上表面电极31和侧面电极33，电阻体2与背面电极32导通。在本实施方式中，侧面电极33例如由Ni — Cr合金构成。此外，侧面电极33的材质只要是具有导电性且具有难以硫化的特性的金属即可，可以是任意材质。
[0154]如图2和图3所示，中间电极34是覆盖背面电极32、侧面电极33和保护层4的彼此分开的一对部位。在本实施方式中，中间电极34例如由Ni镀层构成。中间电极34发挥保护电极3免受热或冲击的影响的作用。
[0155]如图2和图3所示，外部电极35是覆盖中间电极34的、彼此分开的一对部位。在本实施方式中，外部电极35例如由Sn镀层构成。通过将焊锡附着于外部电极35，使外部电极35与焊锡一体化，将片式电阻器Al和各种电子设备的电路基片的配线图案相互连接。在本实施方式中，中间电极34由Ni镀层构成，因此难以使焊锡直接附着于中间电极34。因此，需要由Sn镀层构成的外部电极35。
[0156]如图1?图3所示，保护层4是覆盖上表面电极31的至少一部分的、彼此分开的一对部件。在本实施方式中，保护层4具有第一保护层41和第二保护层42。保护层4发挥防止上表面电极31的硫化的作用。
[0157]第一保护层41具有图2和图3所示的形成于上表面电极31的上表面的、彼此分开的一对区域。第一保护层41具有与上表面电极31相比难以硫化的特性。另外，第一保护层41位于上表面电极31和中间电极34之间，并且与上表面电极31和侧面电极33接触地配置。在本实施方式中，第一保护层41由膏构成，该膏含有例如由Ru等构成的玻璃和金属氧化物、碳颗粒(碳黑)和环氧树脂。在该情况下，第一保护层41具有导电性。这里，第一保护层41也可以是电绝缘体。作为电绝缘体的第一保护层41例如由含有玻璃的膏构成。
[0158]第二保护层42具有图2和图3所示的形成于第一保护层41的上表面的、彼此分开的一对区域。第二保护层42具有导电性。另外，第二保护层42位于第一保护层41和中间电极34之间，并且与第一保护层41、侧面电极33和中间电极34接触地配置。在本实施方式中，第二保护层42例如由含有Ag和环氧树脂的膏构成。
[0159]如图1?图3所示，保护膜5是覆盖电阻体2且保护电阻体2免于受到外部影响的作用的部件。保护膜5具有下部保护膜51和上部保护膜52。下部保护膜51覆盖电阻体2的表面(图2所示的电阻体2的上表面)。下部保护膜51例如由含有玻璃的膏构成。上部保护膜52覆盖基片I的一部分、电阻体2和上表面电极31的一部分。在本实施方式中，第一保护层41的一部分成为被上部保护膜52覆盖的结构。这里，上部保护膜52的一部分也可以成为被第一保护层41覆盖的结构。上部保护膜52例如由含有环氧树脂的膏构成。
[0160]接着，基于图4?图15对片式电阻器Al的制造方法进行说明。图4?图11是表示涉及片式电阻器Al的制造方法的工序的俯视图。图12?图15是表示涉及片式电阻器Al的制造方法的工序的立体图。此外，在图10?图15中，为了便于理解，省略保护膜5的下部保护膜51。另外，在图12和图13中，为了便于理解，忽略电阻体2、上表面电极31、侧面电极33、第一保护层41、第二保护层42和上部保护膜52各自的厚度。
[0161]首先，如图4所示，准备由氧化铝构成的片状基片81。片状基片81具有搭载面11和安装面12。搭载面11和安装面12彼此朝向相反一侧。图4表示片状基片81的搭载面U。在搭载面11，呈棋盘格状地在图4所示的纵向上形成有多个一次分割槽811、以及在图4所示的横向上形成有多个二次分割槽812。一次分割槽811和二次分割槽812即使在与搭载面11相反一侧的安装面12也形成有相同个数(省略图不)。一次分割槽811和二次分割槽812的俯视时的位置在搭载面11和安装面12上均相同。由一次分割槽811和二次分割槽812形成的区划是与片式电阻器Al的基片I相当的区域。
[0162]接着，如图5所示，在片状基片81的搭载面11上，以跨越片状基片81的一次分割槽811的方式形成上表面电极31。并且，在片状基片81的安装面12上，以跨越一次分割槽811的方式形成背面电极32(省略图示)。上表面电极31和背面电极32的俯视时的位置和大小大致相同。在本实施方式中，上表面电极31和背面电极32通过将使Ag中含有玻璃粉(Glassfrit)而成的膏使用丝网印刷分别印刷于搭载面11和安装面12上，并利用烧成炉进行烧成而形成。通过该工序，具有彼此分开的一对区域的上表面电极31和背面电极32形成于搭载面11和安装面12。
[0163]接着，如图6所示，在片状基片81的搭载面11中由上表面电极31具有的上述一对区域夹着的区域，搭载与上表面电极31导通的电阻体2。在本实施方式中，电阻体2通过将使RuO2或Ag — Pd合金等金属中含有玻璃粉而成的膏使用丝网印刷进行印刷，并利用烧成炉进行烧成来搭载。
[0164]接着，如图7所示，在上表面电极31的上表面且由电阻体2夹着的区域中形成具有比上表面电极31难以硫化的特性的第一保护层41。在本实施方式中，第一保护层41通过将含有由Ru等构成的玻璃及金属氧化物、碳颗粒和环氧树脂的膏使用丝网印刷进行印刷，并进行固化而形成。此时的第一保护层41具有导电性。在使第一保护层41为电绝缘体的情况下，通过将含有玻璃的膏使用丝网印刷进行印刷，并利用烧成炉进行烧成而形成。这里，在形成具有导电性的第一保护层41时，为了使第一保护层41不与电阻体2接触，俯视时第一保护层41与电阻体2之间设置间隙。这是由于如果第一保护层41与电阻体2接触，则片式电阻器Al的电阻值变动。通过该工序，上表面电极31的一部分被第一保护层41覆盖。
[0165]接着，如图8所示，在第一保护层41的上表面形成具有导电性的第二保护层42。在本实施方式中，第二保护层42通过将含有Ag和环氧树脂的膏使用丝网印刷进行印刷，并进行固化而形成。在形成第二保护层22时，在第二保护层42的与电阻体2相邻的端部，第一保护层41露出。通过该工序，第一保护层41的一部分被第二保护层42覆盖。
[0166]接着，如图9所示，形成覆盖电阻体2的表面的下部保护膜51。在本实施方式中，下部保护膜51通过将含有玻璃的膏使用丝网印刷进行印刷，并利用烧成炉进行烧成而形成。在该后工序的后工序即在电阻体2形成调整槽21的工序中，通过激光形成该槽，因此对电阻体2作用热冲击，并且产生电阻体2的微粒子。因此，下部保护膜51缓和上述热冲击，同时上述微粒子再附着于电阻体2，从而发挥防止电阻体2的电阻值变动的作用。
[0167]接着，如图10所示，将贯穿电阻体2的调整槽21形成于电阻体2。调整槽21通过激光调整(Laser trimming)装置(省略图示)形成。调整槽21的形成步骤如下。首先，从沿着电阻体2的长度方向的一对侧面中的一个侧面朝向另一个侧面，以与流过电阻体2的电流的方向正交的方式形成调整槽21。接着，电阻体2的电阻值上升到接近片式电阻器Al所需的值的值之后，直接将朝向转换90°使得与流过电阻体2的电流的方向(电阻体2的长度方向)平行地形成调整槽21。电阻体2的电阻值成为片式电阻器Al所需的值时，结束调整槽21的形成。通过该工序，俯视时呈L形的调整槽21形成于电阻体2。此外，调整槽21在使电阻值测量用的探针(省略图示)与电阻体2的长度方向的两端抵接的状态下形成。
[0168]接着，如图11所示，在片状基片81的搭载面11上形成上部保护膜52。此时，不仅电阻体2，而且上表面电极31和第一保护层41各自的一部分被上部保护膜52覆盖。此外，第二保护层42不被上部保护膜52覆盖。在本实施方式中，上部保护膜52以跨越片状基片81的二次分割槽812的方式，形成为沿着片状基片81的一次分割槽811延伸的多个带状。另外，在本实施方式中，上部保护膜52通过将含有环氧树脂的膏使用丝网印刷进行印刷，并进行固化而形成。此外，上部保护膜52也可以与图9所示的保护膜5的下部保护膜51—样，以成为按各个电阻体2分离的状态的方式形成。
[0169]接着，如图12所示，将片状基片81在片状基片81的一次分割槽811切断，分割成多个带状基片86。此时，沿着带状基片86的长度方向，侧面13分别形成于带状基片86的两侧。
[0170]接着，如图13所示，在沿着带状基片86的长度方向的两端设置的侧面13和搭载面11及安装面12各自的一部分形成侧面电极33。在本实施方式中，侧面电极33通过用溅射法等物理蒸镀(PVD: Physical Vapor Depos it 1n)使Ni — Cr合金成膜来形成。在形成侧面电极33时，侧面13和与侧面13正交配置的第二保护层42和背面电极32各自表面的一部分作为一体被侧面电极33覆盖(对背面电极32省略图示)。此时，侧面电极33与第二保护层42、第一保护层41、上表面电极31和背面电极32的沿着侧面13的各自的端部接触。通过该工序，上表面电极31和背面电极32由侧面电极33彼此导通。
[0171]接着，如图14所示，将带状基片86在带状基片86的二次分割槽812切断，分割成多个单片87。此时，侧面电极33的形状成为夹着基片I的“η”形。另外，侧面电极33还分别形成于位于夹着在第二保护层42和背面电极32各自表面的一部分形成的侧面电极33的部位的两端的、基片I的搭载面11和安装面12的一部分(对背面电极32省略图示)。
[0172]接着，如图15所示，在单片87中，分别形成覆盖背面电极32、侧面电极33和第二保护层42的中间电极34和覆盖中间电极34的外部电极35(对背面电极32省略图示)。在本实施方式中，中间电极34通过镀Ni形成，外部电极35通过镀Sn形成。通过该工序，形成与电阻体2导通的一对电极3。通过经由以上的工序，制造片式电阻器Al。
[0173]接着，对片式电阻器Al的作用效果进行说明。
[0174]根据本实施方式，片式电阻器Al具有位于上表面电极31和中间电极34之间且与上表面电极31和侧面电极33接触地配置的第一保护层41。由此，成为上表面电极31的至少一部分被第一保护层41覆盖的结构。第一保护层41含有碳颗粒，因此具有比上表面电极31难以硫化的特性。因此，利用第一保护层41，防止上表面电极31的硫化，避免上表面电极31的断线。
[0175]另外，片式电阻器Al与第一保护层41一起具有第二保护层42，该第二保护层42位于第一保护层41与中间电极34之间，并且与第一保护层41、侧面电极33和中间电极34接触地配置。第二保护层42含有Ag，因此具有导电性。第一保护层41成为被第二保护层42同样具有导电性的侧面电极33覆盖的结构。由此，中间电极34成为不与含有碳颗粒的第一保护层41接触的结构。因此，能够避免作为中间电极34的Ni镀层的剥离。
[0176]根据以上说明，通过包括具有比含有碳颗粒的上表面电极31难以硫化的特性的第一保护层41和含有Ag的具有导电性的第二保护层42，能够抑制片式电阻器Al的成本，同时实现耐硫化性能的提尚。
[0177]成为上表面电极31等硫化的主要原因的硫化气体的大部分在片式电阻器Al中沿着构成中间电极34和外部电极35的镀层与保护膜5的上部保护膜52的界面进入片式电阻器Al的内部。因此，通过采用第一保护层41的一部分被上部保护膜52覆盖的结构，遮蔽沿着上述界面进入的上述硫化气体的效果更明显。此外，即使是第一保护层41覆盖上部保护膜52的一部分的结构，也可以确保片式电阻器Al的耐硫化性能。
[0178]假定在硫化气体沿着上述界面进入的情况下，含有Ag的第二保护层42优先硫化。即，第二保护层42发挥与牺牲电极类似的作用。另外，第二保护层42成为因第一保护层41和侧面电极33而不与上表面电极31接触的结构，因此即使第二保护层42硫化，上表面电极31也不会硫化。因此，通过具有含有Ag的第二保护层42，能够进一步提高片式电阻器Al的耐硫化性能。
[0179]通过使侧面电极33的材质为具有导电性且具有难以硫化的特性的Ni— Cr合金，侧面电极33不会硫化。由此，避免侧面电极33的断线，并且防止上表面电极31的经由侧面电极33的硫化。另外，侧面电极33通过溅射法等物理蒸镀而形成，因此能够使与侧面电极33接触的第一保护层41为电绝缘体。在该情况下，第一保护层41例如由含有玻璃的膏构成，因此能够进一步缩减片式电阻器Al的成本。
[0180](第二实施方式)
[0181]基于图16和图17对本发明第二实施方式的片式电阻器A2进行说明。在这些图中，对与已经说明的片式电阻器Al相同或类似的要素标注相同的符号，并省略重复的说明。
[0182]图16是表示片式电阻器A2的俯视图。图17是沿着图16的XVII— XVII线的截面图。此外，图16中，为了便于理解，省略中间电极34、外部电极35和保护膜5。在本实施方式中，片式电阻器A2俯视时呈矩形。
[0183]本实施方式的片式电阻器A2中，电阻体2的俯视形状和保护膜5的结构与片式电阻器Al不同。在本实施方式中，电阻体2的俯视形状为蛇形形状。该形状的电阻体2是通过溅射法等物理蒸镀在基片I的搭载面11上搭载电阻体2之后，能够由使用了光刻的方法形成。在该情况下，电阻体2例如由Ni — Cr合金等构成。即，本实施方式的片式电阻器A2为所谓的薄膜片式电阻器。另外，在本实施方式中，保护膜5的下部保护膜51省略。
[0184]接着，对片式电阻器A2的作用效果进行说明。
[0185]根据本实施方式，也与片式电阻器Al—样，通过包括具有比含有碳颗粒的上表面电极31难以硫化的特性的第一保护层41和含有Ag的具有导电性的第二保护层42，能够抑制片式电阻器A2的成本，同时实现耐硫化性能的提高。另外，通过使电阻体2的俯视形状为蛇形形状(Serpentine)，能够比片式电阻器Al相对地提高片式电阻器A2的电阻值，并且实现电阻值的精度提尚。
[0186](第三实施方式)
[0187]基于图18?图20对本发明第三实施方式的片式电阻器A3进行说明。在这些图中，对与已经说明的片式电阻器Al相同或类似的要素标注相同的符号，并省略重复的说明。
[0188]图18是表示片式电阻器A3的俯视图。图19是沿着图18的XIX— XIX线的截面图。图20是将图19的一部分放大的局部放大截面图。此外，图18中，为了便于理解，省略中间电极34和外部电极35。本实施方式的片式电阻器A3与片式电阻器Al—样是所谓的厚膜片式电阻器。另外，在本实施方式中，片式电阻器A3俯视时呈矩形。
[0189]本实施方式的片式电阻器A3中，省略保护层4、以及电极3和保护膜5的结构与片式电阻器Al不同。
[0190]本实施方式的电极3与片式电阻器Al—样具有:上表面电极31、背面电极32、侧面电极33、中间电极34和外部电极35。其中，侧面电极33、中间电极34和外部电极35的结构与片式电阻器Al不同。
[0191]如图18?图20所示，侧面电极33是配置于基片I的侧面13的部位。侧面电极33不仅覆盖侧面13，而且覆盖上表面电极31、背面电极32和上部保护膜52各自的一部分。即，侧面电极33具有配置于侧面13的部分和俯视基片I时与基片I的搭载面11和安装面12重叠的部分。利用侧面电极33，上表面电极31和背面电极32彼此导通。因此，利用上表面电极31和侧面电极33，电阻体2与背面电极32导通。在本实施方式中，?面电极33例如由Ni —Cr合金构成。此外，侧面电极33的材质只要是具有导电性且具有难以硫化的特性的金属即可，可以是任意材质。
[0192]如图19和图20所示，中间电极34是覆盖背面电极32和侧面电极33的部位。在本实施方式中，中间电极34例如由Ni镀层构成。
[0193]如图19和图20所示，外部电极35是覆盖中间电极34的部位。在本实施方式中，外部电极35例如由Sn镀层构成。
[0194]如图18?图20所示，保护膜5是覆盖电阻体2且发挥保护电阻体2免于受到外部影响的作用的部件。保护膜5具有下部保护膜51和上部保护膜52。下部保护膜51和上部保护膜52相互层叠。下部保护膜51和上部保护膜52均是电绝缘体。本实施方式的下部保护膜51由抗热冲击性比上部保护膜52强的材质构成。
[0195]下部保护膜51是覆盖电阻体2的部位。下部保护膜51位于图19和图20所示的上部保护膜52的下方。下部保护膜51不仅覆盖电阻体2，而且覆盖上表面电极31的表面(图19和图20所示的上表面电极31的上表面)的一部分。如图18所示，下部保护膜51成为从俯视片式电阻器A3时侧面电极33与上部保护膜52的边界部向基片I的侧面13伸出至外侧的形状。下部保护膜51例如由含有玻璃的膏构成。
[0196]上部保护膜52是覆盖基片I和上表面电极31各自的一部分和覆盖电阻体2的下部保护膜51的部位。上部保护膜52位于图19和图20所示的下部保护膜51的上方。在本实施方式中，上部保护膜52的一部分成为被侧面电极33覆盖的结构。上部保护膜52例如由含有环氧树脂的膏构成。
[0197]接着，基于图21?图30对片式电阻器A3的制造方法进行说明。图21?图26是表示片式电阻器A3的制造方法的工序的俯视图。图27?图30是表示涉及片式电阻器A3的制造方法的工序的立体图。此外，图27和图28中，为了便于理解，忽略电阻体2、上表面电极31、侧面电极33、下部保护膜51和上部保护膜52各自的厚度。
[0198]首先，如图21所示，准备由氧化铝构成的片状基片81。片状基片81具有搭载面11和安装面12。搭载面11和安装面12彼此朝向相反一侧。图21表示片状基片81的搭载面U。在搭载面11，呈棋盘格状地在图21所示的纵向上形成有多个一次分割槽811，在图21所示的横向上形成有多个二次分割槽812。一次分割槽811和二次分割槽812在安装面12也形成有与形成于搭载面11的个数相同的个数(省略图示)。一次分割槽811和二次分割槽812俯视时的位置在搭载面11和安装面12均相同。由一次分割槽811和二次分割槽812形成的区划是片式电阻器A3的作为基片I的区域。
[0199]接着，如图22所示，在片状基片81的搭载面11上以跨越片状基片81的一次分割槽811的方式形成上表面电极31。并且，在片状基片81的安装面12上以跨越一次分割槽811的方式形成背面电极32(省略图示)。上表面电极31和背面电极32俯视时的位置大致相同。在本实施方式中，上表面电极31和背面电极32通过将使Ag中含有玻璃粉而成的膏使用丝网印刷分别印刷于搭载面11和安装面12上，并利用烧成炉进行烧成而形成。通过该工序，具有相互分开的一对区域的上表面电极31和背面电极32形成于搭载面11和安装面12。
[0200]接着，如图23所示，在片状基片81的搭载面11中的由上表面电极31具有的上述一对区域夹着的区域，搭载与上表面电极31导通的电阻体2。在本实施方式中，电阻体2通过将使RuO2或Ag — Pd合金等金属中含有玻璃粉而成的膏使用丝网印刷进行印刷，并利用烧成炉进行烧成而搭载。
[0201]接着，如图24所示，形成覆盖电阻体2的表面的下部保护膜51。在本实施方式中，下部保护膜51通过将含有玻璃的膏使用丝网印刷进行印刷，并利用烧成炉进行烧成来形成。通过该工序，电阻体2的表面和上表面电极31的一部分被下部保护膜51覆盖。
[0202]接着，如图25所示，在各个电阻体2形成贯穿电阻体2的调整槽21。调整槽21通过激光调整装置(省略图示)形成。调整槽21的形成步骤与已经说明的图10所示的片式电阻器Al中的调整槽21的形成步骤相同。通过该工序，俯视时呈L形的调整槽21形成于电阻体2。此夕卜，调整槽21在使电阻值测量用的探针(省略图示)与夹着电阻体2的一对上表面电极31的露出部抵接的状态下形成。
[0203]接着，如图26所示，在片状基片81的搭载面11上形成上部保护膜52。此时，覆盖电阻体2的表面和上表面电极31的一部分的下部保护膜51、上表面电极31的一部分被上部保护膜52覆盖。在本实施方式中，上部保护膜52以跨越片状基片81的二次分割槽812的方式形成为沿着片状基片81的一次分割槽811延伸的多个带状。另外，在本实施方式中，上部保护膜52通过将含有环氧树脂的膏使用丝网印刷进行印刷，并进行固化而形成。此外，上部保护膜52也可以与图24所示的下部保护膜51—样，以成为按各个电阻体2分离的状态的方式形成。
[0204]接着，如图27所示，将片状基片81在片状基片81的一次分割槽811切断，分割成多个带状基片86。此时，沿着带状基片86的长度方向，侧面13分别形成于带状基片86的两侧。
[0205]接着，如图28所示，在沿着带状基片86的长度方向的两端设置的侧面13和搭载面11及安装面12各自的一部分形成侧面电极33。在本实施方式中，侧面电极33通过溅射法等物理蒸镀使Ni — Cr合金成膜来形成。在形成侧面电极33时，侧面13和与侧面13正交配置的上表面电极31、背面电极32和上部保护膜52各自表面的一部分作为一体被侧面电极33覆盖(对背面电极32省略图示)。此时，侧面电极33与上表面电极31和背面电极32的沿着侧面13的各自的端部接触。通过该工序，上表面电极31和背面电极32由侧面电极33彼此导通。
[0206]接着，如图29所示，将带状基片86在带状基片86的二次分割槽812切断，分割成多个单片87。此时，侧面电极33的形状成为夹着基片I的“η”形。另外，侧面电极33还分别形成于位于夹着在上表面电极31和背面电极32各自表面的一部分形成的侧面电极33的部分的两侧的、基片I的搭载面11和安装面12的一部分。
[0207]接着，如图30所示，在单片87中，分别形成覆盖背面电极32和侧面电极33的中间电极34、以及覆盖中间电极34的外部电极35 (对背面电极32省略图示)。在本实施方式中，中间电极34通过镀Ni形成，外部电极35通过镀Sn形成。通过该工序，形成与电阻体2导通的一对电极3。通过经由以上的工序，制造片式电阻器A3。
[0208]接着，对片式电阻器A3的作用效果进行说明。
[0209]根据本实施方式，片式电阻器A3成为具有彼此层叠的下部保护膜51和上部保护膜52且上表面电极31的一部分被下部保护膜51覆盖的结构。下部保护膜51由抗热冲击性比上部保护膜52强的材质构成。因此，即使由于在作为中间电极34和外部电极35的镀层的前端部(俯视时上述镀层与上部保护膜52的边界部)产生的热冲击而在上部保护膜52产生裂纹，也能够由下部保护膜51抑制上述裂纹的发展。因此，上表面电极31也不会由于上述裂纹而露出，因此在片式电阻器A3的周边产生的硫化气体不会经由上述裂纹进入到上表面电极31。因此，即使由于在电极3产生的热冲击而在上部保护膜52产生裂纹，也能够防止硫化引起的电极3的断线。
[0210]通过使侧面电极33的材质为具有导电性且具有难以硫化的特性的Ni— Cr合金，可抑制侧面电极33的硫化。由此，避免侧面电极33的断线，并且避免上表面电极31的经由侧面电极33的硫化。另外，侧面电极33通过溅射法等物理蒸镀而形成，因此进一步提高与作为电绝缘体的上部保护膜52的附着性能。因此，避免作为中间电极34的Ni镀层与侧面电极33—起剥离，所以消除上表面电极31的一部分因该剥离而露出且该露出部硫化的可能性。
[0211](第四实施方式)
[0212]基于图31?图33对本发明第四实施方式的片式电阻器A4进行说明。在这些图中，对与已经说明的片式电阻器Al相同或类似的要素标注相同的符号，并省略重复的说明。
[0213]图31是表示片式电阻器A4的俯视图。图32是沿着图31的XXXII—XXXII线的截面图。图33是将图32的一部分放大的局部放大截面图。此外，图31中，为了便于理解，省略中间电极34和外部电极35。本实施方式的片式电阻器A4与片式电阻器Al—样是所谓的厚膜片式电阻器。另外，在本实施方式中，片式电阻器A4俯视时呈矩形。
[0214]本实施方式的片式电阻器A4中，保护层4和保护膜5的结构与片式电阻器Al不同。
[0215]如图31?图33所示，保护层4是具有形成于上表面电极31的上表面的彼此分开的一对区域的部件。保护层4具有比上表面电极31难以硫化的特性。在本实施方式中，保护层4覆盖上表面电极31和下部保护膜51各自的一部分。此外，保护层4也可以不覆盖下部保护膜51的一部分。另外，在本实施方式中，保护层4的各部分分别被侧面电极33和上部保护膜52覆盖，并且在与基片I的侧面13—致(相同)的面上与侧面电极33接触。本实施方式的保护层4与片式电阻器Al的第一保护层41 一样，由含有例如由Ru等构成的玻璃和金属氧化物、碳颗粒(碳黑)和环氧树脂的膏构成。在该情况下，保护层4具有导电性。此外，保护层4也可以是例如由含有玻璃的膏构成的电绝缘体。
[0216]如图31?图33所示，保护膜5是覆盖电阻体2且发挥保护电阻体2免于受到外部影响的作用的部件。保护膜5具有下部保护膜51和上部保护膜52。下部保护膜51和上部保护膜52相互层叠。下部保护膜51和上部保护膜52均是电绝缘体。本实施方式的下部保护膜51的材质与片式电阻器A3的下部保护膜51相同，上部保护膜52的材质与片式电阻器A3的材质相同。
[0217]下部保护膜51是覆盖电阻体2的部位。下部保护膜51位于图32和图33所示的上部保护膜52的下方。与片式电阻器A3—样，下部保护膜51不仅覆盖电阻体2，而且覆盖上表面电极31的表面(图32和图33所示的上表面电极31的上表面)的一部分。如图31所示，下部保护膜51成为从片式电阻器A4的俯视时的侧面电极33与上部保护膜52的边界部向基片I的侧面13延伸至外侧的形状。
[0218]上部保护膜52是覆盖基片I和保护层4各自的一部分以及覆盖电阻体2的下部保护膜51的部位。上部保护膜52位于图32和图33所示的下部保护膜51的上方。在本实施方式中，上部保护膜52的一部分与侧面电极33、中间电极34和外部电极35接触。
[0219]接着，基于图34对片式电阻器A4的制造方法进行说明。在已经说明的片式电阻器A3的制造中，图21和图22所示的准备片状基片81形成上表面电极31的工序、图23所示的搭载电阻体2的工序、图24所示的形成下部保护膜51的工序和图25所示的形成调整槽21的工序在片式电阻器A4的制造中均相同。
[0220]如图34所示，在电阻体2形成调整槽21之后，在上表面电极31露出的部分形成具有比上表面电极31难以硫化的特性的保护层4。在本实施方式中，保护层4通过将含有例如由Ru等构成的玻璃和金属氧化物、碳颗粒和环氧树脂的膏使用丝网印刷进行印刷，并进行固化来形成。此时的保护层4具有导电性。在使保护层4为电绝缘体的情况下，通过将含有玻璃的膏使用丝网印刷进行印刷，并利用烧成炉进行烧成而形成。通过该工序，上表面电极31露出的部分和下部保护膜51的一部分被保护层4覆盖。
[0221]接着，在片状基片81的搭载面11上形成上部保护膜52。此时，覆盖电阻体2的表面和上表面电极31的一部分的下部保护膜51、保护层4的一部分被上部保护膜52覆盖。上部保护膜52的形成方法与涉及图26所示的片式电阻器A3的制造方法的工序中的形成方法相同。形成上部保护膜52之后，直到制造片式电阻器A4为止的工序与片式电阻器A3—样。
[0222]接着，对片式电阻器A4的作用效果进行说明。
[0223]根据本实施方式，也与片式电阻器A3—样，通过采用上表面电极31的一部分被下部保护膜51覆盖的结构，即使由于在电极3产生的热冲击而在上部保护膜52产生裂纹，也能够防止硫化引起的电极3的断线。另外，通过具有保护层4，成为上表面电极31的上表面不仅被下部保护膜51覆盖，还被保护层4覆盖的结构。保护层4具有比上表面电极31难以硫化的特性。因此，能够比片式电阻器A3进一步提高片式电阻器A4的耐硫化性能。
[0224]本发明的片式电阻器不限定于已经说明的实施方式。本发明的片式电阻器的各部的具体的结构能够自由地进行各种设计变更。
[0225]对于通过本发明提供的片式电阻器及其制造方法的技术结构，附注在以下。
[0226](附注I)
[0227]一种片式电阻器，其包括:
[0228]具有彼此朝向相反侧的搭载面和安装面的基片；
[0229]配置在上述基片的上述搭载面两端的一对上表面电极；
[0230]在上述基片的上述搭载面上搭载在上述一对上表面电极之间的电阻体；
[0231]覆盖上述电阻体和上述上表面电极的一部分的保护膜；
[0232]与上述上表面电极导通的侧面电极，其具有配置在位于上述基片的上述搭载面与上述安装面之间的上述基片的侧面的部分和在俯视上述基片上时与上述搭载面和上述安装面重叠的部分；
[0233]覆盖上述侧面电极的中间电极;和
[0234]覆盖上述中间电极的外部电极，
[0235]上述片式电阻器的特征在于:
[0236]上述保护膜具有彼此层叠的下部保护膜和上部保护膜，
[0237]上述下部保护膜由抗热冲击性比上述上部保护膜强的材质构成，
[0238]上述上表面电极的一部分被上述下部保护膜覆盖。
[0239](附注2)
[0240]如附注I所述的片式电阻器，其中，上述上表面电极和上述上部保护膜各自的一部分分别被上述侧面电极覆盖。
[0241](附注3)
[0242]如附注I所述的片式电阻器，其中，还具有比上述上表面电极难以硫化的特性的保护层，该保护层覆盖上述上表面电极的上表面的至少一部分，上述保护层的至少一部分被上述侧面电极覆盖。
[0243](附注4)
[0244]如附注3所述的片式电阻器，其中，上述保护层的一部分被上述上部保护膜覆盖。
[0245](附注5)
[0246]如附注3或4所述的片式电阻器，其中，上述保护层含有碳颗粒。
[0247](附注6)
[0248]如附注3或4所述的片式电阻器，其中，上述保护层为电绝缘体。
[0249](附注7)
[0250]如附注I?6中任一项所述的片式电阻器，其中，上述下部保护膜含有玻璃。
[0251](附注8)
[0252]如附注I?7中任一项所述的片式电阻器，其中，上述上部保护膜含有环氧树脂。
[0253](附注9)
[0254]如附注I?8中任一项所述的片式电阻器，其中，上述侧面电极由Ni — Cr合金构成。
[0255](附注10)
[0256]如附注I?9中任一项所述的片式电阻器，其中，还具有一对背面电极，该一对背面电极配置在上述基片的上述安装面的两端，上述侧面电极与上述背面电极导通。
[0257](附注11)
[0258]如附注10所述的片式电阻器，其中，上述背面电极被上述中间电极覆盖。
[0259](附注12)
[0260]如附注I?11中任一项所述的片式电阻器，其中，上述基片为电绝缘体。
[0261](附注13)
[0262]如附注12所述的片式电阻器，其中，上述基片由氧化铝构成。
[0263](附注14)
[0264]如附注I?13中任一项所述的片式电阻器，其中，在上述电阻体形成有贯穿上述电阻体的调整槽。
[0265](附注15)
[0266]如附注I?14中任一项所述的片式电阻器，其中，上述中间电极和上述外部电极由镀层构成。
[0267](附注16)
[0268]如附注15所述的片式电阻器，其中，上述中间电极由Ni镀层构成。
[0269](附注17)
[0270]如附注15所述的片式电阻器，其中，上述外部电极由Sn镀层构成。
[0271](附注18)
[0272]—种片式电阻器的制造方法，其特征在于，包括:
[0273]准备具有彼此朝向相反侧的搭载面和安装面的片状基片，在上述片状基片的上述搭载面上形成具有彼此分开的一对区域的上表面电极的工序；
[0274]在上述片状基片的上述搭载面中被上述一对区域夹着的区域中搭载与上述上表面电极导通的电阻体的工序；
[0275]形成覆盖上述电阻体和上述上表面电极的一部分的下部保护膜的工序；
[0276]形成覆盖上述下部保护膜的上部保护膜的工序；
[0277]将上述片状基片分割成多个带状基片的工序；
[0278]在沿着上述带状基片的长度方向的两端设置的侧面、上述搭载面和上述安装面形成与上述上表面电极导通的侧面电极的工序;和
[0279]分别形成覆盖上述侧面电极的中间电极和覆盖上述中间电极的外部电极的工序。
[0280](附注19)
[0281]如附注18所述的片式电阻器的制造方法，其中，在形成上述侧面电极的工序中，通过将上述上表面电极和上述上部保护膜各自的一部分分别被上述侧面电极覆盖，形成上述侧面电极。
[0282](附注20)
[0283]如附注18所述的片式电阻器的制造方法，其中，还具有形成覆盖上述上表面电极的上表面的至少一部分的、具有比上述上表面电极难以硫化的特性的保护层的工序。
[0284](附注21)
[0285]如附注20所述的片式电阻器的制造方法，其中，在形成上述保护层的工序中，通过使用印刷的方法，形成上述保护层。
[0286](附注22)
[0287]如附注20或21所述的片式电阻器的制造方法，其中，在形成上述侧面电极的工序中，通过上述保护层的至少一部分被上述侧面电极覆盖，形成上述侧面电极。
[0288](附注23)
[0289]如附注22所述的片式电阻器的制造方法，其中，在形成上述上部保护膜的工序中，通过上述保护层的一部分被上述上部保护膜覆盖，形成上述上部保护膜。
[0290](附注24)
[0291]如附注18?23中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其中，在形成上述下部保护膜的工序中，通过使用印刷的方法，形成上述下部保护膜。
[0292](附注25)
[0293]如附注18?24中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其中，在形成上述上部保护膜的工序中，通过使用印刷的方法，形成上述上部保护膜。
[0294](附注26)
[0295]如附注18?25中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其中，在形成上述侧面电极的工序中，通过物理蒸镀形成上述侧面电极。
[0296](附注27)
[0297]如附注26所述的片式电阻器的制造方法，其中，上述物理蒸镀为溅射法。
[0298](附注28)
[0299]如附注18?27中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其中，在分别形成上述中间电极和上述外部电极的工序中，通过镀覆分别形成上述中间电极和上述外部电极。
[0300](附注29)
[0301]如附注28所述的片式电阻器的制造方法，其中，在分别形成上述中间电极和上述外部电极的工序之前，还具有将上述带状基片分割成多个单片的工序。
[0302](附注30)
[0303]如附注18?29中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其中，还具有在上述片状基片的上述安装面形成具有彼此分开的一对区域的背面电极的工序。
[0304](附注31)
[0305]如附注18?30中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其中，还具有在上述电阻体形成贯穿上述电阻体的调整槽的工序。
【主权项】
1.一种片式电阻器，其包括: 具有彼此朝向相反侧的搭载面和安装面的基片； 配置在所述基片的所述搭载面两端的一对上表面电极； 在所述基片的所述搭载面上搭载在所述一对上表面电极之间的电阻体； 与所述上表面电极导通的侧面电极，其包括配置在位于所述基片的所述搭载面与所述安装面之间的所述基片侧面的部分和在所述基片的厚度方向上与所述搭载面和所述安装面重叠的部分； 覆盖所述侧面电极的中间电极;和 覆盖所述中间电极的外部电极， 所述片式电阻器的特征在于，包括: 具有比所述上表面电极难以硫化的特性的第一保护层，其位于所述上表面电极与所述中间电极之间，并且与所述上表面电极和所述侧面电极接触地配置;和 具有导电性的第二保护层，其位于所述第一保护层与所述中间电极之间，并且与所述第一保护层、所述侧面电极和所述中间电极接触地配置。2.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于: 所述第一保护层含有碳颗粒。3.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于: 所述第一保护层为电绝缘体。4.根据权利要求1?3中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 所述第二保护层含有Ag。5.根据权利要求1?4中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 所述侧面电极由Ni — Cr合金构成。6.根据权利要求1?5中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 还具有配置在所述基片的所述安装面两端的一对背面电极，所述侧面电极与所述背面电极导通。7.根据权利要求6所述的片式电阻器，其特征在于: 所述背面电极被所述中间电极覆盖。8.根据权利要求1?7中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 所述基片为电绝缘体。9.根据权利要求8所述的片式电阻器，其特征在于: 所述基片由氧化铝构成。10.根据权利要求1?9中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 所述电阻体的俯视形状呈蛇形。11.根据权利要求1?10中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 所述电阻体含有RuO2或Ag—Pd合金。12.根据权利要求1?11中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 在所述电阻体形成有贯穿所述电阻体的调整槽。13.根据权利要求1?12中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 所述中间电极和所述外部电极由镀层构成。14.根据权利要求13所述的片式电阻器，其特征在于: 所述中间电极由Ni镀层构成。15.根据权利要求13所述的片式电阻器，其特征在于: 所述外部电极由Sn镀层构成。16.根据权利要求1?15中任一项所述的片式电阻器，其特征在于: 还具有覆盖所述电阻体和所述上表面电极的一部分的保护膜。17.根据权利要求16所述的片式电阻器，其特征在于: 所述第一保护层的一部分被所述保护膜覆盖。18.根据权利要求16或17所述的片式电阻器，其特征在于: 所述保护膜具有下部保护膜和上部保护膜。19.根据权利要求18所述的片式电阻器，其特征在于: 所述下部保护膜含有玻璃。20.根据权利要求18所述的片式电阻器，其特征在于: 所述上部保护膜含有环氧树脂。21.一种片式电阻器的制造方法，其特征在于，包括: 准备具有彼此朝向相反侧的搭载面和安装面的片状基片，在所述片状基片的所述搭载面上形成具有彼此分开的一对区域的上表面电极的工序； 在所述片状基片的所述搭载面中被所述一对区域夹着的区域中搭载与所述上表面电极导通的电阻体的工序； 在所述上表面电极的上表面形成具有比所述上表面电极难以硫化的特性的第一保护层的工序； 在所述第一保护层的上表面形成具有导电性的第二保护层的工序； 将所述片状基片分割成多个带状基片的工序； 在沿着所述带状基片的长度方向两端设置的侧面、所述搭载面和所述安装面形成与所述上表面电极导通且与所述第一保护层和所述第二保护层接触的侧面电极的工序;和分别形成覆盖所述侧面电极和所述第二保护层的中间电极和覆盖所述中间电极的外部电极的工序。22.根据权利要求21所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 在形成所述第一保护层的工序中，通过使用印刷的方法形成所述第一保护层。23.根据权利要求21或22所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 在形成所述第二保护层的工序中，通过使用印刷的方法形成所述第二保护层。24.根据权利要求21?23中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 在形成所述侧面电极的工序中，通过物理蒸镀形成所述侧面电极。25.根据权利要求24所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 所述物理蒸镀为溅射法。26.根据权利要求21?25中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 在搭载所述电阻体的工序中，通过使用印刷的方法或者使用物理蒸镀和光刻的方法，搭载所述电阻体。27.根据权利要求21?26中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 在分别形成所述中间电极和所述外部电极的工序之前，还具有将所述带状基片分割成多个单片的工序。28.根据权利要求27所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 在分别形成所述中间电极和所述外部电极的工序中，通过镀覆分别形成所述中间电极和所述外部电极。29.根据权利要求21?28中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 还具有在所述片状基片的所述安装面形成具有彼此分开的一对区域的背面电极的工序。30.根据权利要求21?29中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 还具有在所述电阻体形成贯穿所述电阻体的调整槽的工序。31.根据权利要求21?30中任一项所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 还具有形成覆盖所述电阻体、以及所述上表面电极和所述第一保护层各自的一部分的保护膜的工序。32.根据权利要求31所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于: 在形成所述保护膜的工序中，包括形成下部保护膜的工序和形成上部保护膜的工序。
【文档编号】H01C1/148GK105913986SQ201610091865
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年2月18日
【发明人】篠浦高德, 今桥涉
【申请人】罗姆股份有限公司