发光显示装置和制造该发光显示装置的方法

发光显示装置和制造该发光显示装置的方法
【专利摘要】公开了一种发光显示装置和制造该发光显示装置的方法。该发光显示装置包括具有多个像素的衬底、第一电极、位于衬底上并具有暴露第一电极的开口的像素定义层、在像素定义层的开口中从第一电极沿着像素定义层的侧表面延伸的发光层、第二电极以及泄漏电流阻挡层，其中发光层包括位于第一电极上的第一部分和位于像素定义层的侧表面上的第二部分，该第二部分具有在从像素定义层的侧表面朝向像素定义层的上表面的方向上减小的厚度，泄漏电流阻挡层在第一电极与发光层之间或者在发光层与第二电极之间在像素定义层的侧表面上具有均匀的厚度。
【专利说明】发光显示装置和制造该发光显示装置的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2015年2月25日提交至韩国知识产权局的第10-2015-0026583号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过弓I用整体并入本文。
技术领域
[0003]本发明涉及发光显示装置以及制造该发光显示装置的方法。
【背景技术】
[0004]在发光显示装置中，有机发光显示装置为具有宽视角、高对比度以及高响应速度的特征的自发光显示装置，因此已经被认为是下一代显示装置。
[0005]有机发光显示装置具有由设置在阳极电极和阴极电极之间的有机发光材料制成的有机发光层。当分别将阳极电压和阴极电压施加于这些电极时，从阳极电极注入的空穴通过空穴注入层和空穴传输层移动到有机发光层，并且电子通过电子注入层和电子传输层移动到有机发光层。电子和空穴在有机发光层中重新结合，并且通过该重新结合生成激子。随着生成的激子从激发态返回基态，有机发光层发射光以显示图像。

【发明内容】

[0006]有机发光显示装置包括具有用于暴露形成为用于每个像素的阳极电极的开口的像素定义层、以及形成在通过像素定义层的开口暴露的阳极电极上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极电极。具体地，有机发光层可通过使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等将包括发光材料的发光溶液排放至像素定义层的开口中而形成。
[0007]另一方面，当通过(使用例如喷墨印刷法或喷嘴印刷法)将发光溶液排放至像素定义层的开口中而形成发光层时，为了防止或者大体上防止发光溶液离开像素定义层的开口，像素定义层形成为具有疏液属性。
[0008]然而，即使当像素定义层具有疏液属性时，发光溶液也具有对于像素定义层的小的润湿性。因此，通过将发光溶液排放至像素定义层的开口中而形成的发光层可具有从阳极电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度。在这种情况下，在发光层的厚度减小的部分中可在阳极电极与阴极电极之间出现泄漏电流。因此，可减小发光层的发光效率并且发光显示装置的显示质量可能退化。
[0009]因此，本发明的一方面是提供一种发光显示装置，该发光显示装置可通过减小在阳极电极与阴极电极之间出现的泄漏电流来降低发光层的发光效率的退化，从而降低显示质量的退化。
[0010]本发明的另一方面是提供一种制造发光显示装置的方法，该方法可通过减小在阳极电极与阴极电极之间出现的泄漏电流来降低发光层的发光效率的退化，从而降低显示质量的退化。
[0011]本发明的另外的方面和特征将在下面的描述中部分地阐述，通过查看下文之后该描述对本领域普通技术人员而言将部分地变得清楚或者可从本发明的实践获知。
[0012]根据本发明的一个实施方式，提供了一种发光显示装置，该发光显示装置包括:衬底，包括布置在第一方向和与第一方向相交的第二方向上的多个像素；第一电极，用于衬底上的多个像素中的每个；像素定义层，位于衬底上并具有暴露第一电极的开口 ；发光层，在像素定义层的开口中从第一电极沿着像素定义层的侧表面延伸，并包括位于第一电极上的第一部分和位于像素定义层的侧表面上的第二部分，该第二部分具有在从像素定义层的侧表面朝向像素定义层的上表面的方向上减小的厚度；第二电极，位于发光层上；以及泄漏电流阻挡层，在第一电极与发光层之间或者在发光层与第二电极之间在像素定义层的侧表面上具有均匀的厚度。
[0013]在实施方式中，泄漏电流阻挡层具有比发光层的电阻高的电阻。
[0014]在实施方式中，泄漏电流阻挡层包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
[0015]在实施方式中，泄漏电流阻挡层在多个像素中的相邻像素之间具有连续形式。
[0016]在实施方式中，泄漏电流阻挡层具有相交的第一阻挡部分和第二阻挡部分，第一阻挡部分沿着第二方向延伸并且在像素定义层的沿着第一方向隔开的开口之间延伸，以及第二阻挡部分沿着第一方向延伸并且在像素定义层的沿着第二方向隔开的开口之间延伸。
[0017]在实施方式中，发光显示装置还包括在像素定义层的开口中位于第一电极与发光层之间的空穴注入层，空穴注入层具有从第一电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度，其中泄漏电流阻挡层位于空穴注入层与发光层之间。
[0018]在实施方式中，发光显示装置还包括在像素定义层的开口中位于第一电极与发光层之间的空穴注入层以及在像素定义层的开口中位于空穴注入层与发光层之间的空穴传输层，其中空穴注入层具有从第一电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度，空穴传输层具有从第一电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度，其中泄漏电流阻挡层位于空穴传输层与发光层之间。
[0019]在实施方式中，发光显示装置还包括位于发光层与第二电极之间的电子传输层，其中泄漏电流阻挡层位于发光层与电子传输层之间。
[0020]根据本发明的一个实施方式，提供了一种发光显示装置，该发光显示装置包括:衬底，包括布置在第一方向和与第一方向相交的第二方向上的多个像素；第一电极，用于衬底上的多个像素中的每个；像素定义层，位于衬底上并具有暴露第一电极的开口 ；发光层，在像素定义层的开口中从第一电极沿着像素定义层的侧表面延伸；第二电极，位于发光层上；以及泄漏电流阻挡层，在第一电极与发光层之间或者在发光层与第二电极之间从像素定义层的侧表面延伸到像素定义层的上表面，并在相邻像素之间具有连续形式。
[0021]在实施方式中，泄漏电流阻挡层具有比发光层的电阻高的电阻。
[0022]在实施方式中，泄漏电流阻挡层由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。
[0023]在实施方式中，泄漏电流阻挡层具有相交的第一阻挡部分和第二阻挡部分，第一阻挡部分沿着第二方向延伸并且在像素定义层的沿着第一方向隔开的开口之间延伸，以及第二阻挡部分沿着第一方向延伸并且在像素定义层的沿着第二方向隔开的开口之间延伸。
[0024]在实施方式中，发光层包括位于第一电极上的第一部分和位于像素定义层的侧表面上的第二部分，第二部分具有在从像素定义层的侧表面朝向像素定义层的上表面的方向上减小的厚度。
[0025]在实施方式中，发光显示装置还包括在像素定义层的开口中位于第一电极与发光层之间的空穴注入层，空穴注入层具有从第一电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度，其中泄漏电流阻挡层位于空穴注入层与发光层之间。
[0026]在实施方式中，发光显示装置还包括在像素定义层的开口中位于第一电极与发光层之间的空穴注入层以及在像素定义层的开口中位于空穴注入层与发光层之间的空穴传输层，其中空穴注入层具有从第一电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度，空穴传输层具有从第一电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度，其中泄漏电流阻挡层位于空穴传输层与发光层之间。
[0027]在实施方式中，发光显示装置还包括位于发光层与第二电极之间的电子传输层，其中泄漏电流阻挡层位于发光层与电子传输层之间。
[0028]根据本发明的一个实施方式，提供了一种制造发光显示装置的方法，该方法包括:在衬底上形成第一电极，其中该衬底包括布置在第一方向和与第一方向相交的第二方向上的多个像素，该第一电极用于多个像素中的每个；在衬底上形成具有暴露第一电极的开口的像素定义层；在像素定义层的开口中形成从第一电极沿着像素定义层的侧表面的发光层，该发光层包括位于第一电极上的第一部分和位于像素定义层的侧表面上的第二部分，该第二部分具有在从像素定义层的侧表面朝向像素定义层的上表面的方向上减小的厚度；在发光层上形成第二电极；以及在第一电极与发光层之间或者在发光层与第二电极之间在像素定义层的侧表面上形成具有均匀厚度的泄漏电流阻挡层。
[0029]在实施方式中，形成泄漏电流阻挡层的步骤包括:在衬底上设置具有第一开口的第一掩模，该第一开口在像素定义层的开口中暴露像素定义层的在第一方向上彼此面对的侧部；通过使用沉积法在像素定义层的、通过第一掩模的第一开口暴露的侧表面和上表面上沉积形成泄漏电流阻挡层的材料而形成第一阻挡部分；在衬底上设置具有第二开口的第二掩模，该第二开口在像素定义层的开口中暴露像素定义层的在第二方向上彼此面对的侧部；通过使用沉积法在像素定义层的、通过第二掩模的第二开口暴露的侧表面和上表面上沉积形成泄漏电流阻挡层的材料而形成第二阻挡部分。
[0030]在实施方式中，第一开口沿着第二方向延伸并且在像素定义层的在第一方向上相邻的开口之间具有连续形式，以及第二开口沿着第一方向延伸并且在像素定义层的在第二方向上相邻的开口之间具有连续形式。
[0031]在实施方式中，该方法还包括:在像素定义层的开口中在第一电极与发光层之间形成空穴注入层，该空穴注入层具有从第一电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度；在像素定义层的开口中在空穴注入层与发光层之间形成空穴传输层，该空穴传输层具有从第一电极朝向像素定义层的侧表面减小的厚度；以及在像素定义层的开口中在发光层与第二电极之间形成电子传输层，其中形成泄漏电流阻挡层的步骤包括在空穴注入层与空穴传输层之间、在空穴传输层与发光层之间或者在发光层与电子传输层之间设置泄漏电流阻挡层。
[0032]根据本发明的实施方式，至少可实现以下效果。
[0033]根据本发明的实施方式的发光显示装置包括泄漏电流阻挡层，该泄漏电流阻挡层具有均匀的厚度，并且在第一电极与第二电极之间的距离由于发光层中具有减小的厚度的部分而变得更小的区域处、在第一电极与发光层之间设置在像素定义层的侧表面上。这是因为设置在像素定义层的开口中的发光层在与像素定义层的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度。
[0034]因此，根据本发明的实施方式的发光显示装置可通过减小或者防止在第一电极与第二电极之间出现泄漏电流来降低发光层的发光效率的退化，从而降低显示质量的退化。
[0035]根据本发明的效果不限于以上例示的内容，另外的各效果也包括在说明书中。
【附图说明】
[0036]通过结合附图进行的以下详细描述，本发明的上述和其他特征和方面将更加清楚，在附图中:
[0037]图1是根据本发明的实施方式的发光显示装置的多个像素的示意性平面图；
[0038]图2是沿着图1的线1-1’截取的剖视图；
[0039]图3是图2的部分A的放大剖视图；
[0040]图4是图2的泄漏电流阻挡层的平面图；
[0041]图5是根据本发明的另一实施方式的发光显示装置的剖视图；
[0042]图6是根据本发明的又一实施方式的发光显示装置的剖视图；
[0043]图7是根据本发明的又一实施方式的发光显示装置的剖视图；
[0044]图8是根据本发明的又一实施方式的发光显示装置的剖视图；
[0045]图9是根据本发明的又一实施方式的发光显示装置的剖视图；以及
[0046]图10至图20是示出了根据本发明的实施方式制造发光显示装置的方法的图。
【具体实施方式】
[0047]通过参考示例性实施方式的以下详细描述和附图，可更容易地理解本发明的诸多方面和特征以及实现本发明的诸多方面和特征的方法。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被理解为受限于本文所阐述的实施方式。相反地，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的并且将向本领域技术人员充分地传递本发明的构思，本发明将由所附权利要求及其等同技术方案限定。
[0048]在下文中，将参照附图对本发明的实施方式进行描述。
[0049]图1是根据本发明的实施方式的发光显示装置的多个像素的示意性平面图。图2是沿着图1的线1-1’截取的剖视图。图3是图2的部分A的放大剖视图。图4是图2的泄漏电流阻挡层的平面图。
[0050]参照图1和图2，发光显示装置100包括衬底105、第一电极110、像素定义层120、空穴注入层130、泄漏电流阻挡层140、空穴传输层150、发光层160、电子传输层170、电子注入层180以及第二电极190。这些层(或构件)沿着图2的Z方向依次堆叠。
[0051]衬底105包括显示区域DA和非显示区域NDA，其中显示区域DA包括显示图像的多个像素PX，非显示区域NDA定位在显示区域DA外部。像素PX沿着第一方向X和与第一方向X相交的第二方向Y设置，以具有矩阵形式，并且包括发射红光的红色像素、发射绿光的绿色像素以及发射蓝光的蓝色像素。如图2中所示，非像素区域NPX限定在衬底105的显示区域DA中的相邻像素PX之间。
[0052]衬底105可包括绝缘衬底。绝缘衬底可由具有作为主要成分的S12的透明玻璃材料形成。在一些实施方式中，绝缘衬底可由不透明材料、塑料材料和/或类似物制成。此夕卜，绝缘衬底可以是柔性衬底。
[0053]衬底105可进一步包括形成在绝缘衬底上的其他结构。这些结构的示例包括布线、电极和绝缘层。在一些实施方式中，衬底105可包括形成在绝缘衬底上的多个薄膜晶体管(TFT)。TFT的漏电极可电气性连接至第一电极110。每个TFT可包括由非晶硅、多晶硅、单晶硅和/或类似物制成的有源区。在另一实施方式中，每个TFT可包括由氧化物半导体制成的有源区。
[0054]第一电极110形成为用于衬底105上的每个像素PX。第一电极110可以是阳极电极或者阴极电极，其中阳极电极响应于传输至相应的TFT的信号向发光层160提供空穴，阴极电极响应于传输至TFT的信号向发光层160提供电子。第一电极110可用作透明电极或反射电极。为了用作透明电极，第一电极110可由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、In2O3和/或类似物形成。为了用作反射电极，可通过使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au,Ni,Nd, Ir,Cr和/或类似物、或它们的化合物形成反射膜，然后在该反射膜上形成ΙΤ0、ΙΖ0, ZnO, In2O3和/或类似物来形成第一电极110。第一电极110例如可通过光刻法形成，或者可通过任何其他适当的方法形成。
[0055]像素定义层120设置在衬底105上，以便具有暴露第一电极110的开口 OP以分隔各个像素PX。像素定义层120使得空穴注入层130能够通过开口 OP形成在第一电极110上。像素定义层120可由绝缘材料制成。
[0056]在本发明的实施方式中，像素定义层120形成为具有疏液属性，以当通过使用墨印刷法、喷嘴印刷法等将空穴注入溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成空穴注入层130时防止或基本上防止空穴注入溶液离开像素定义层120的开口 OP(例如，从开口 OP出来)。像素定义层120可由使得空穴注入溶液相对于像素定义层120的接触角度变为等于或大于约40°的绝缘材料形成。例如，像素定义层120可由包括氟和/或类似物的有机绝缘材料形成。有机绝缘材料可以为从包括苯并环丁烷(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂、酚醛树脂和/或类似物的组中选择的至少一种聚合树脂。像素定义层120可通过光刻法形成，但是并不限于此。墨喷印刷法是指将待印刷的材料以墨滴形式滴在期望位置，以及喷嘴印刷法是指使材料沿着包括期望位置的线以溶液形式流动。
[0057]空穴注入层130沿着第一电极110和像素定义层120的侧表面设置在像素定义层120的开口 OP中。空穴注入层130通过使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等将包括空穴注入材料的空穴注入溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成。在这种情况下，空穴注入层130可具有从第一电极110朝向像素定义层120的侧表面减小的厚度。这是因为虽然像素定义层120具有疏液属性，但是空穴注入溶液具有对于像素定义层120的小的润湿性。例如，空穴注入层130可包括位于第一电极110上的第一部分和位于像素定义层120的侧表面上的第二部分。第一部分可具有均匀的厚度，以及第二部分可具有在从像素定义层120的侧表面朝向像素定义层120的上表面的方向上减小的厚度。
[0058]空穴注入层130为降低第一电极110与空穴传输层150之间的能皇的缓冲层。空穴注入层130促进空穴从第一电极110到空穴传输层150的注入。空穴注入层130形成为诸如4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、铜酞菁(CuPc)或聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)，聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)和/或类似物的有机化合物。
[0059]泄漏电流阻挡层140在第一电极110与发光层160之间设置在像素定义层120的侧表面上。例如，在空穴注入层130的侧部被设置在像素定义层120的侧表面上的区域处，泄漏电流阻挡层140可设置在空穴注入层130的侧部上。因此，泄漏电流阻挡层140可设置在第一电极110与第二电极190之间的距离变得更小的区域处，该区域对应于发光层160的具有减小的厚度的那一部分(即，图3的第二部分160b)。这是因为设置在像素定义层120的开口 OP中的发光层160在与像素定义层120的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度。由此，泄漏电流阻挡层140可减小或防止在第一电极110与第二电极190之间出现泄漏电流，其中该泄漏电流可另外由发光层160的变薄部分(图3的第二部分160b)引起。在图3所示的示例中，在与像素定义层120的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度的元件为发光层160，然而，该元件可包括空穴注入层130和空穴传输层150中的至少一个。
[0060]在一些实施方式中，泄漏电流阻挡层140可以不形成在发光层160的具有增大的厚度的那一部分(即，图3的第一部分160a)上。
[0061]泄漏电流阻挡层140形成为具有疏液属性，以当形成空穴传输层150时防止或基本上防止空穴传输溶液从像素定义层120的开口 OP离开(或者到达开口 OP之外)。空穴传输层150可通过使用墨印刷法、喷嘴印刷法等将空穴传输溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成，同时具有比发光层160的电阻高的电阻，以防止或基本上防止泄漏电流在第一电极110与第二电极190之间流动。由此，泄漏电流阻挡层140可由使得空穴传输溶液相对于泄漏电流阻挡层140的接触角度变为等于或大于约40°的绝缘材料形成。例如，泄漏电流阻挡层140可由包括氟和/或类似物的有机绝缘材料形成。有机绝缘材料可以为从包括苯并环丁烷(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂、酚醛树脂等的组中选择的至少一种聚合树脂。
[0062]泄漏电流阻挡层140可具有均匀的厚度T。因此，泄漏电流阻挡层140可通过减小其中第一电极110与第二电极190之间的间隔减小的区域来减小或防止在第一电极110与第二电极190之间出现泄漏电流，其中泄漏电流可在设置在像素定义层120的开口 OP中的发光层160具有从第一电极110朝向像素定义层120的侧表面减小的厚度的情况下出现，并且还可在由于发光层160的诸如不平坦的形状的其他图案，发光层160在像素定义层120的侧表面上具有薄的厚度的情况下出现。泄漏电流阻挡层140可使用沉积法来形成以具有均匀的厚度T。沉积法可以为这样的方法，即通过该方法容易地控制在期望位置处形成泄漏电流阻挡层140。可选择使沉积材料蒸发以沉积在期望位置处的蒸发沉积法作为沉积方法。
[0063]泄漏电流阻挡层140可形成为从像素定义层120的侧表面延伸至像素定义层120的上表面，从而在平面图中在相邻像素PX之间具有连续形式。在这种情况下，如图4中所示，可形成泄漏电流阻挡层140以使第一阻挡部分140a和第二阻挡部分140b相交，其中第一阻挡部分140a沿着第二方向Y在像素定义层120的上表面上延伸并且被设置在像素定义层120的沿着第一方向X隔开的开口 OP之间，以及第二阻挡部分140b沿着第一方向X在像素定义层120的上表面上延伸并且被设置在像素定义层120的沿着第二方向Y隔开的开口 OP之间。
[0064]空穴传输层150可在像素定义层120的开口 OP中被设置在空穴注入层130和泄漏电流阻挡层140上。空穴传输层150可通过使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等将包括空穴传输材料的空穴传输溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成。在这种情况下，空穴传输层150可具有从第一电极110朝向像素定义层120的侧表面减小的厚度。这是因为虽然泄漏电流阻挡层140具有疏液属性，但是空穴传输溶液具有对于泄漏电流阻挡层140的小的润湿性。例如，空穴传输层150可包括位于第一电极110上的第一部分和位于像素定义层120的侧表面上的第二部分。第一部分可具有均匀的厚度，以及第二部分可具有在从像素定义层120的侧表面朝向像素定义层120的上表面的方向上减小的厚度。
[0065]空穴传输层150将从空穴注入层130提供的空穴传输至发光层160。空穴传输层150由具有比空穴注入层130的导电性低的导电性的空穴传输材料形成。空穴传输层150可由诸如 N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1，I，-联苯-4，4’ - 二胺(TPD)或 N，N’ - 二(萘-1-基)-N, N’ - 二苯基-联苯胺(NPB)和/或类似物的有机化合物形成。
[0066]发光层160可在像素定义层120的开口 OP中设置在空穴传输层150上。发光层160可通过使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等将包括发光材料的发光溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成。在这种情况下，发光层160可具有从第一电极110朝向像素定义层120的侧表面减小的厚度。这是因为虽然泄漏电流阻挡层140具有疏液属性，但是发光溶液具有对于泄漏电流阻挡层140的小的润湿性。例如，发光层160可包括位于第一电极110上的第一部分160a和位于像素定义层120的侧表面上的第二部分160b。第一部分160a可具有均匀的厚度，以及第二部分160b可具有在从像素定义层120的侧表面朝向像素定义层120的上表面的方向上减小的厚度。
[0067]当从第一电极110接收的空穴与从第二电极190接收的电子重新结合时发光层160发光。例如，提供给发光层160的空穴和电子可结合以形成激子。当激子从激发态变化为基态时，发光层160可以发光。发光层160可以由具有比空穴注入层130的导电性低并且与空穴传输层150的导电性类似的导电性的发光材料形成。发光层160可包括发射红光的红色发光层、发射绿光的绿色发光层和发射蓝光的蓝色发光层。
[0068]红色发光层可包括一种红色发光材料或者基质和红色掺杂剂。红色发光层的基质的示例可包括但不限于8-羟基喹啉铝、4，4’ -N, N’ -双咔唑-联苯(CBP)、聚(η-乙烯基咔唑)(PVK)、9，10- 二 (2-萘基)蒽(ADN)、4，4’，4〃-三(N 咔唑基)三苯胺(TCTA)、I, 3，5-三(N苯基-苯并咪唑-2基)苯(TPBI)、3_叔丁基-9，10-双(萘基_2基)蒽(TBADN)、三芴(Ε3)、联苯乙烯基(DSA)。此外，红色掺杂剂的示例可包括但不限于PtOEP、Ir(piq)#PBtp2Ir (acac)。
[0069]绿色发光层可包括一种绿色发光材料或者基质和绿色掺杂剂。红色发光层的基质可被用作绿色发光层的基质。绿色掺杂剂的示例可包括但不限于Ir (ppy) 3、Ir (ppy) 2 (acac)和 Ir(mpyp)3。
[0070]蓝色发光层可包括一种蓝色发光材料或者基质和蓝色掺杂剂。红色发光层的基质可被用作蓝色发光层的基质。蓝色掺杂剂的示例可包括但不限于F2Irpic、的??7)21^饱(1)、1^(^^2)3、三芴、4，4’-双(4-二苯胺苯乙烯基)联苯(DPAVBi)、2，5，8，11-四-钛-丁基二萘嵌苯(TBPe)。
[0071]电子传输层170可设置在发光层160上，以在相邻像素PX之间具有连续形式。电子传输层170将从第二电极190通过电子注入层180提供的电子传输至发光层160。电子传输层170可由诸如4，7- 二苯基-1，10-菲啰啉(Bphen)、联苯酚铝、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、双(10-羟基苯喹啉)铍(Bebq2)、TPBI和/或类似物的有机化合物形成。电子传输层170可通过例如沉积法或者任何其他适当的方法形成。
[0072]电子注入层180可设置在电子传输层170上。电子注入层180为降低电子传输层170与第二电极190之间的能皇的缓冲层。电子注入层180促进电子从第二电极190到电子传输层170的注入。电子注入层180可由LiF、CsF和/或类似物形成。电子注入层180可通过例如沉积法或者任何其他适当的方法形成。
[0073]第二电极190可形成在电子注入层180上并且可以为向发光层160提供电子的阴极电极或者向发光层160提供空穴的阳极电极。类似于第一电极110，第二电极190可用作透明电极或者反射电极。第二电极190可通过例如沉积法或任何其他适当的方法形成。
[0074]发光显示装置100可进一步包括位于第二电极190上的封装衬底。封装衬底可由绝缘衬底制成。间隔件可设置在像素定义层120上的第二电极190与封装衬底之间。在本发明的一些其他实施方式中，封装衬底可被省略。在这种情况下，由绝缘材料制成的封装层可覆盖并且由此保护整个结构。
[0075]如上所述，根据本发明的实施方式的发光显示装置100包括泄漏电流阻挡层140，泄漏电流阻挡层140具有均匀的厚度，并且在第一电极110与第二电极190之间的距离由于发光层160中具有减小的厚度的部分而变得更小的区域处、在第一电极110与发光层160之间设置在像素定义层120的侧表面上。这是因为设置在像素定义层120的开口 OP中的发光层160在与像素定义层120的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度。
[0076]因此，根据本发明的实施方式的发光显示装置100可通过减少或防止在第一电极110与第二电极190之间出现泄漏电流来降低发光层160的发光效率的退化，并且由此可降低显示质量的退化。
[0077]接下来将描述根据本发明的另一实施方式的发光显示装置200。
[0078]图5是根据本发明的另一实施方式的发光显示装置的剖视图。
[0079]参照图5，除电子传输层270、电子注入层280和第二电极290之外，根据本发明的另一实施方式的发光显示装置200具有与图1的发光显示装置100的配置相同或基本上相同的配置。因此，对于根据本发明的另一实施方式的发光显示装置200的说明将主要集中在电子传输层270、电子注入层280和第二电极290上。
[0080]根据本发明的另一实施方式的发光显示装置200包括衬底105、第一电极110、像素定义层120、空穴注入层130、泄漏电流阻挡层140、空穴传输层150、发光层160、电子传输层270、电子注入层280和第二电极290。这些构件依次堆叠在图5的Z方向上。
[0081]电子传输层270类似于图2的电子传输层170。然而，电子传输层270仅设置在发光层160上。S卩，电子传输层270形成为在相邻像素PX之间具有分开的形式。
[0082]电子注入层280类似于图2的电子注入层180。然而，电子注入层280形成为对应于形成为在相邻像素PX之间具有分开的形式的电子传输层270。
[0083]第二电极290类似于图2的第二电极190。然而，第二电极290与泄漏电流阻挡层140的、通过形成为在相邻像素PX之间具有分开的形式的电子注入层280暴露的局部部分接触。
[0084]如上所述，根据本发明的另一实施方式的发光显示装置200包括泄漏电流阻挡层140，泄漏电流阻挡层140具有均匀的厚度，并且在第一电极110与第二电极290之间的距离由于发光层160中具有减小的厚度的部分而变得更小的区域处、在第一电极110与发光层160之间设置在像素定义层120的侧表面上。这是因为设置在像素定义层120的开口 OP中的发光层160在与像素定义层120的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度。
[0085]因此，根据本发明的另一实施方式的发光显示装置200可通过减少或防止在第一电极110与第二电极290之间出现泄漏电流来降低发光层160的发光效率的退化，并且由此可降低显示质量的退化。
[0086]接下来将描述根据本发明的又一实施方式的发光显示装置300。
[0087]图6是根据本发明的又一实施方式的发光显示装置的剖视图。
[0088]参照图6，除泄漏电流阻挡层340、空穴传输层350和发光层360之外，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置300具有与图1的发光显示装置100的配置相同或基本上相同的配置。因此，对于根据本发明的又一实施方式的发光显示装置300的说明将主要集中在泄漏电流阻挡层340、空穴传输层350和发光层360上。
[0089]根据本发明的又一实施方式的发光显不装置300包括衬底105、第一电极110、像素定义层120、空穴注入层130、泄漏电流阻挡层340、空穴传输层350、发光层360、电子传输层170、电子注入层180和第二电极190。这些构件依次堆叠在图6的Z方向上。
[0090]泄漏电流阻挡层340类似于图2的泄漏电流阻挡层140。然而，泄漏电流阻挡层340设置在空穴传输层350与发光层360之间。泄漏电流阻挡层340可具有与图2的泄漏电流阻挡层140相同或基本上相同的功能。
[0091]空穴传输层350类似于图2的空穴传输层150。然而，空穴传输层350设置在空穴注入层130与泄漏电流阻挡层340之间。空穴传输层350可具有与图2的空穴传输层150相同或基本上相同的功能。
[0092]发光层360类似于图2的发光层160。然而，发光层360在像素定义层120的开口 OP中设置在空穴传输层350和泄漏电流阻挡层340上。发光层360可具有与图2的发光层160相同或基本上相同的功能。
[0093]如上所述，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置300包括泄漏电流阻挡层340，泄漏电流阻挡层340具有均匀的厚度，并且在第一电极110与第二电极190之间的距离由于发光层360中具有减小的厚度的部分而变得更小的区域处、在第一电极110与发光层360之间设置在像素定义层120的侧表面上。这是因为设置在像素定义层120的开口 OP中的发光层360在与像素定义层120的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度。
[0094]因此，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置300可通过减少或防止在第一电极110与第二电极190之间出现泄漏电流来降低发光层360的发光效率的退化，并且由此可降低显示质量的退化。
[0095]图5中所示的电子传输层270和电子注入层280可代替电子传输层170和电子注入层180应用于发光层360。
[0096]接下来将描述根据本发明的又一实施方式的发光显示装置400。
[0097]图7是根据本发明的又一实施方式的发光显示装置的剖视图。
[0098]参照图7，除第一通用层430、泄漏电流阻挡层440和发光层460之外，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置400具有与图1的发光显示装置100的配置相同或基本上相同的配置。因此，对于根据本发明的又一实施方式的发光显示装置400的说明将主要集中在第一通用层430、泄漏电流阻挡层440和发光层460上。
[0099]根据本发明的又一实施方式的发光显示装置400包括衬底105、第一电极110、像素定义层120、第一通用层430、泄漏电流阻挡层440、发光层460、电子传输层170、电子注入层180和第二电极190。这些构件依次堆叠在图7的Z方向上。
[0100]第一通用层430可沿着第一电极110和像素定义层120的侧表面设置在像素定义层120的开口 OP中。第一通用层430可通过使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等将包括第一通用材料的第一通用溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成。在这种情况下，第一通用层430可具有从第一电极110朝向像素定义层120的侧表面减小的厚度。第一通用层430可以为图2中所示的空穴注入层130或空穴传输层150。S卩，在发光显示装置400中可以省略图2中所示的空穴传输层150或空穴注入层130。
[0101]第一通用层430可代替空穴注入层130应用于省略了空穴传输层150的图5的发光显示装置200。
[0102]泄漏电流阻挡层440类似于图2的泄漏电流阻挡层140。然而，泄漏电流阻挡层440可设置在第一通用层430与发光层460之间。泄漏电流阻挡层440可具有与图2的泄漏电流阻挡层140相同或基本上相同的功能。
[0103]发光层460类似于图2的发光层160。然而，发光层460在像素定义层120的开口 OP中设置在第一通用层430和泄漏电流阻挡层440上。发光层460可具有与图2的发光层160相同或基本上相同的功能。
[0104]如上所述，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置400包括泄漏电流阻挡层440，泄漏电流阻挡层440具有均匀的厚度，并且在第一电极110与第二电极190之间的距离通过发光层460中具有减小的厚度的部分而变得更小的区域处、在第一电极110与发光层460之间设置在像素定义层120的侧表面上。这是因为设置在像素定义层120的开口 OP中的发光层460在与像素定义层120的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度。
[0105]因此，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置400可通过减少或防止在第一电极110与第二电极190之间出现泄漏电流来降低发光层460的发光效率的退化，并且由此可降低显示质量的退化。
[0106]接下来将描述根据本发明的又一实施方式的发光显示装置500。
[0107]图8是根据本发明的又一实施方式的发光显示装置的剖视图。
[0108]参照图8，除第一通用层430、泄漏电流阻挡层440、发光层460、第二通用层570和第二电极590之外，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置500具有与图1的发光显示装置100的配置相同或基本上相同的配置。因此，对于根据本发明的又一实施方式的发光显示装置500的说明将主要集中在第一通用层430、泄漏电流阻挡层440、发光层460、第二通用层570和第二电极590上。
[0109]根据本发明的又一实施方式的发光显示装置500包括衬底105、第一电极110、像素定义层120、第一通用层430、泄漏电流阻挡层440、发光层460、第二通用层570和第二电极590。这些构件依次堆叠在图8的Z方向上。
[0110]第一通用层430、泄漏电流阻挡层440和发光层460已经在上述实施方式中进行了详细描述，并且因此可以不提供它们的冗余描述。
[0111]第二通用层570可设置在发光层460上以在相邻像素PX之间具有连续形式。第二通用层570可以为图2中所示的电子传输层170或电子注入层180。S卩，在发光显示装置500中可以省略图2中所示的电子注入层180或电子传输层170。第二通用层570可通过例如沉积法或任何其他适当的方法形成。
[0112]第二通用层570可代替电子传输层170和电子注入层180应用于图2的发光显不装置100、代替电子传输层270和电子注入层280应用于图5的发光显示装置200或者代替电子传输层170和电子注入层180应用于图6的发光显不装置300。
[0113]第二电极590类似于图2的第二电极190。然而，第二电极590设置在第二通用层570上。第二电极590可具有与图2的第二电极190相同或基本上相同的功能。
[0114]如上所述，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置500包括泄漏电流阻挡层440，泄漏电流阻挡层440具有均匀的厚度，并且在第一电极110与第二电极590之间的距离通过发光层460中具有减小的厚度的部分而变得更小的区域处、在第一电极110与发光层460之间设置在像素定义层120的侧表面上。这是因为设置在像素定义层120的开口 OP中的发光层460在与像素定义层120的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度。
[0115]因此，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置500可通过减少或防止在第一电极110与第二电极590之间出现泄漏电流来降低发光层460的发光效率的退化，并且由此可降低显示质量的退化。
[0116]接下来将描述根据本发明的又一实施方式的发光显示装置600。
[0117]图9是根据本发明的又一实施方式的发光显示装置的剖视图。
[0118]参照图9，除泄漏电流阻挡层640、空穴传输层650、发光层660和电子传输层670之外，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置600具有与图1的发光显示装置100的配置相同或基本上相同的配置。因此，对于根据本发明的又一实施方式的发光显示装置600的说明将主要集中在泄漏电流阻挡层640、空穴传输层650、发光层660和电子传输层670上。
[0119]根据本发明的又一实施方式的发光显不装置600包括衬底105、第一电极110、像素定义层120、空穴注入层130、泄漏电流阻挡层640、空穴传输层650、发光层660、电子传输层670、电子注入层180和第二电极190。这些构件依次堆叠在图9的Z方向上。
[0120]泄漏电流阻挡层640类似于图2的泄漏电流阻挡层140。然而，泄漏电流阻挡层640在发光层660与第二电极190之间设置在像素定义层120的侧表面上。例如，泄漏电流阻挡层640可在发光层660与电子传输层670之间设置在发光层660的设置在像素定义层120的侧表面上的侧部上。
[0121]此外，因为电子传输层670通过沉积法形成在泄漏电流阻挡层640上，因此不要求泄漏电流阻挡层640具有疏液属性。因此，泄漏电流阻挡层640可由具有比发光层660的电阻高的电阻的绝缘材料形成，以防止或基本上防止泄漏电流在第一电极110与第二电极190之间流动。由此，泄漏电流阻挡层640可由诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似物的无机绝缘材料形成。在这种情况下，泄漏电流阻挡层640可通过具有高平直度的溅射沉积法形成。溅射沉积法为将沉积材料沉积在衬底上的方法，该方法通过具有能量的粒子向由沉积材料制成的目标的表面施加冲击，由此使得沉积材料通过冲击时的动量交换从目标表面脱离并释放。此外，泄漏电流阻挡层640可由有机绝缘材料形成。有机绝缘材料可以为从包括苯并环丁烷(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂、酚醛树脂等的组中选择的至少一种聚合树脂。在这种情况下，泄漏电流阻挡层640可通过蒸发沉积法形成。
[0122]泄漏电流阻挡层640可与图2的泄漏电流阻挡层140具有相同或基本上相同的功會K。
[0123]空穴传输层650类似于图2的空穴传输层150。然而，空穴传输层650设置在空穴注入层130与发光层660之间。空穴传输层650可与图2的空穴传输层150具有相同或基本上相同的功能。
[0124]发光层660类似于图2的发光层160。然而，发光层660在像素定义层120的开口 OP中设置在空穴传输层650和泄漏电流阻挡层640之间。发光层660可与图2的发光层160具有相同或基本上相同的功能。
[0125]电子传输层670类似于图2的电子传输层170。然而，电子传输层670设置在发光层660和泄漏电流阻挡层640上。电子传输层670可与图2的电子传输层170具有相同或基本上相同的功能。
[0126]如上所述，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置600包括泄漏电流阻挡层640，泄漏电流阻挡层640具有均匀的厚度，并且在第一电极110与第二电极190之间的距离通过发光层660中具有减小的厚度的部分而变得更小的区域处、在发光层660与第二电极190之间设置在像素定义层120的侧表面上。这是因为设置在像素定义层120的开口 OP中的发光层660在与像素定义层120的侧表面相对应的部分处具有减小的厚度。
[0127]因此，根据本发明的又一实施方式的发光显示装置600可通过减少或防止在第一电极110与第二电极190之间出现泄漏电流来降低发光层660的发光效率的退化，并且由此可降低显示质量的退化。
[0128]图5的电子传输层270和电子注入层280可代替电子传输层670和电子注入层180应用于图9的发光显示装置600，图7的第一通用层430可代替空穴注入层130应用于省略了空穴传输层650的图9的发光显示装置600，图8的第二通用层570可代替电子传输层670和电子注入层180应用于图9的发光显示装置600，或者图7的第一通用层430可代替空穴注入层130应用于省略了空穴传输层650的图9的发光显示装置600并且图8的第二通用层570可代替电子传输层670和电子注入层180应用于图9的发光显不装置600。
[0129]接下来，现在将描述根据本发明的各种实施方式的制造发光显示装置的示例性方法。
[0130]图10至图20是示出了根据本发明的实施方式的制造发光显示装置的方法的视图。
[0131]参照图10，第一电极110形成在具有多个像素的衬底105上以用于多个像素PX中的每个。第一电极110可通过将透明电极材料或反射材料沉积在衬底105上并对透明电极材料或反射材料进行图案化而形成。
[0132]然后，参照图11，像素定义层120形成在衬底105上，以分隔每个像素PX并且以具有暴露第一电极I1的开口 0P。像素定义层120可通过使用沉积法将绝缘材料沉积在衬底105的整个表面上以覆盖第一电极110并将沉积的绝缘材料图案化而形成。
[0133]像素定义层120形成为具有疏液属性，以当通过使用墨印刷法、喷嘴印刷法等将空穴注入溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成空穴注入层130时防止或基本上防止空穴注入溶液离开像素定义层120的开口 OP。例如，像素定义层120可由使得空穴注入溶液相对于像素定义层120的接触角度变为等于或大于约40°的绝缘材料形成。
[0134]然后，参照图12，空穴注入层130形成在第一电极110上。空穴注入层130可沿着第一电极110和像素定义层120的侧表面设置在像素定义层120的开口 OP中。空穴注入层130可通过使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等将空穴注入溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成。在这种情况下，空穴注入层130可具有从第一电极110朝向像素定义层120的侧表面减小的厚度。
[0135]然后，参照图13至图17，泄漏电流阻挡层140形成在像素定义层120的侧表面(例如，图12中所示的空穴注入层130的侧部)和上表面上。
[0136]例如，如图13中所示，具有第一开口 1a的第一掩模10设置在包括图12中所示的空穴注入层130的衬底105上。第一开口 1a设置为暴露在像素定义层120的开口 OP中的空穴注入层130的、在第一方向X上彼此面对的侧部(例如，参见图12)。在这种情况下，第一开口 1a可形成为沿着第二方向Y延伸，并且在像素定义层120的在第一方向X上相邻的开口 OP之间具有连续形式。
[0137]在具有第一开口 1a的第一掩模10被设置在包括图12中所示的空穴注入层130的衬底105上之后，使用诸如蒸发沉积法的沉积法将形成泄漏电流阻挡层140的材料(或泄漏电流阻挡层140的形成材料)沉积在空穴注入层130(例如，参见图12)的侧部上和像素定义层120的上表面上，其中空穴注入层130 (例如，参见图12)的侧部和像素定义层120的上表面通过第一掩模10的第一开口 1a暴露。然后，如图14中所不，第一阻挡部分140a形成在空穴注入层130 (例如，参见图12)的侧部上和像素定义层120的上表面上，其中空穴注入层130 (例如，参见图12)的侧部和像素定义层120的上表面通过第一掩模10的第一开口 1a暴露。
[0138]如图15中所示，在形成第一阻挡部分140a之后，具有第二开口 20a的第二掩模20被设置在包括第一阻挡部分140a的衬底105上。第二开口 20a设置为暴露在像素定义层120的开口 OP中的空穴注入层130的、在第二方向Y上彼此面对的侧部(例如，参见图12)。在这种情况下，第二开口 20a可形成为沿着第一方向X延伸，并且在像素定义层120的在第二方向Y上相邻的开口 OP之间具有连续形式。
[0139]在具有第二开口 20a的第二掩模20被设置在包括第一阻挡部分140a的衬底105上之后，使用诸如蒸发沉积法的沉积法将形成泄漏电流阻挡层140的材料(或者形成材料)沉积在空穴注入层130 (例如，参见图12)的侧部上和像素定义层120的上表面上，其中空穴注入层130 (例如，参见图12)的侧部和像素定义层120的上表面通过第二掩模20的第二开口 20a暴露。然后，如图16中所示，第二阻挡部分140b形成在空穴注入层130 (例如，参见图12)的侧部上和像素定义层120的上表面上，其中空穴注入层130 (例如，参见图12)的侧部和像素定义层120的上表面通过第二掩模20的第二开口 20a暴露。
[0140]然后，参照图18，空穴传输层150在像素定义层120的开口 OP中形成在空穴注入层130和泄漏电流阻挡层140上。空穴传输层150可通过使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等将空穴传输溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成。在这种情况下，空穴传输层150可具有从第一电极110朝向像素定义层120的侧表面减小的厚度。
[0141]然后，参照图19，发光层160在像素定义层120的开口 OP中形成在空穴传输层150上。发光层160可通过使用喷墨印刷法、喷嘴印刷法等将发光溶液排放至像素定义层120的开口 OP中而形成。在这种情况下，发光层160可具有从第一电极110朝向像素定义层120的侧表面减小的厚度。例如，发光层160可包括位于第一电极110上的第一部分160a和位于像素定义层120的侧表面上的第二部分160b。第一部分160a可具有均匀的厚度，以及第二部分160b可具有在从像素定义层120的侧表面朝向像素定义层120的上表面的方向上减小的厚度。
[0142]然后，参照图20，电子传输层170、电子注入层180和第二电极190形成在发光层160上。电子传输层170、电子注入层180和第二电极190可使用沉积法依次形成。
[0143]根据实施方式的制造发光显示装置的方法还可包括在第二电极190上设置封装衬底。此外，根据实施方式的制造发光显示装置的方法还可包括在第二电极190与封装衬底之间设置间隔件。放置封装衬底以及放置间隔件的各种适当方法在本发明所属的领域中被广泛地公开，并且因此可以不提供它们的详细描述。
[0144]总结详细描述，本领域技术人员将理解的是，在实质上不背离本发明的原理的情况下可对示例性实施方式进行多种改变和修改。因此，本发明的公开的示例性实施方式以通用和描述性含义使用而不是为了限制的目的。对于每个示例性实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他示例性实施方式中的其他类似特征或方面。
[0145]虽然已经参照附图描述了一个或多个示例性实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不背离由所附权利要求及其等同技术方案所限定的精神和范围的情况下，可对其进行形式和细节上的各种适当改变。
[0146]将理解的是，虽然本文中可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各个元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应由这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本发明构思的精神和范围的情况下，上文所论述的第一元件、部件、区域、层或部分可被称作第二元件、部件、区域、层或部分。
[0147]还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，其可以是两个层之间的唯一层，或者也可能存在一个或多个插入的层。
[0148]本文中所使用的术语是为了描述具体的实施方式的目的并且不旨在成为本发明构思的限制。如本文中所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一(a)”和“一(an)”旨在也包括复数形式。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(include) ”、“包括(including) ”、“包括(comprises) ” 和 / 或“包括(comprising) ” 时，指定存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但是不排除存在或附加有一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列举项目中的一个或多个的任何和全部组合。当如“……中的至少一个”的表述在一列元件之前时，是修饰整列的元件而不是修饰该列的单独的元件。此外，当描述本发明构思的实施方式时，“可以”的使用是指“本发明构思的一个或多个实施方式”。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
[0149]将理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层“上”或“邻近于”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接至、耦接至或邻近于另一元件或层，或者可存在一个或多个插入的元件或层。
[0150]如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”以及类似术语用作近似化的术语而不是用作程度性的术语，并且旨在解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有变化。
[0151]如本文中所使用的，术语“使用(use) ”、“使用(using) ”以及“使用(used) ”可被认为分别与术语“利用(utilize) ”、“利用(utilizing)”以及“利用(utilized) ”同义。
【主权项】
1.一种发光显示装置，包括: 衬底，包括布置在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上的多个像素； 第一电极，用于所述衬底上的所述多个像素中的每个； 像素定义层，位于所述衬底上并具有暴露所述第一电极的开口 ； 发光层，在所述像素定义层的所述开口中从所述第一电极沿着所述像素定义层的侧表面延伸，并包括位于所述第一电极上的第一部分和位于所述像素定义层的所述侧表面上的第二部分，所述第二部分具有在从所述像素定义层的所述侧表面朝向所述像素定义层的上表面的方向上减小的厚度； 第二电极，位于所述发光层上；以及 泄漏电流阻挡层，在所述第一电极与所述发光层之间或者在所述发光层与所述第二电极之间在所述像素定义层的所述侧表面上具有均匀的厚度。2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述泄漏电流阻挡层具有比所述发光层的电阻高的电阻。3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述泄漏电流阻挡层包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述泄漏电流阻挡层在所述多个像素中的相邻像素之间具有连续形式。5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中所述泄漏电流阻挡层具有相交的第一阻挡部分和第二阻挡部分，所述第一阻挡部分沿着所述第二方向延伸并且在所述像素定义层的沿着所述第一方向隔开的开口之间延伸，以及所述第二阻挡部分沿着所述第一方向延伸并且在所述像素定义层的沿着所述第二方向隔开的开口之间延伸。6.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括:空穴注入层，在所述像素定义层的所述开口中位于所述第一电极与所述发光层之间，所述空穴注入层具有从所述第一电极朝向所述像素定义层的所述侧表面减小的厚度， 其中所述泄漏电流阻挡层位于所述空穴注入层与所述发光层之间。7.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括:空穴注入层，在所述像素定义层的所述开口中位于所述第一电极与所述发光层之间，所述空穴注入层具有从所述第一电极朝向所述像素定义层的所述侧表面减小的厚度，以及 空穴传输层，在所述像素定义层的所述开口中位于所述空穴注入层与所述发光层之间，所述空穴传输层具有从所述第一电极朝向所述像素定义层的所述侧表面减小的厚度，其中所述泄漏电流阻挡层位于所述空穴传输层与所述发光层之间。8.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括位于所述发光层与所述第二电极之间的电子传输层， 其中所述泄漏电流阻挡层位于所述发光层与所述电子传输层之间。9.一种发光显示装置，包括: 衬底，包括布置在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上的多个像素； 第一电极，用于所述衬底上的所述多个像素中的每个； 像素定义层，位于所述衬底上并具有暴露所述第一电极的开口 ； 发光层，在所述像素定义层的所述开口中从所述第一电极沿着所述像素定义层的侧表面延伸； 第二电极，位于所述发光层上；以及 泄漏电流阻挡层，在所述第一电极与所述发光层之间或者在所述发光层与所述第二电极之间从所述像素定义层的所述侧表面延伸到所述像素定义层的上表面，并在相邻像素之间具有连续形式。10.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中所述泄漏电流阻挡层具有比所述发光层的电阻高的电阻。11.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中所述泄漏电流阻挡层由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。12.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中所述泄漏电流阻挡层具有相交的第一阻挡部分和第二阻挡部分，所述第一阻挡部分沿着所述第二方向延伸并且在所述像素定义层的沿着所述第一方向隔开的开口之间延伸，以及所述第二阻挡部分沿着所述第一方向延伸并且在所述像素定义层的沿着所述第二方向隔开的开口之间延伸。13.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中所述发光层包括位于所述第一电极上的第一部分和位于所述像素定义层的所述侧表面上的第二部分，所述第二部分具有在从所述像素定义层的所述侧表面朝向所述像素定义层的上表面的方向上减小的厚度。14.根据权利要求9所述的发光显示装置，还包括:空穴注入层，在所述像素定义层的所述开口中位于所述第一电极与所述发光层之间，所述空穴注入层具有从所述第一电极朝向所述像素定义层的所述侧表面减小的厚度， 其中所述泄漏电流阻挡层位于所述空穴注入层与所述发光层之间。15.根据权利要求9所述的发光显示装置，还包括:空穴注入层，在所述像素定义层的所述开口中位于所述第一电极与所述发光层之间，所述空穴注入层具有从所述第一电极朝向所述像素定义层的所述侧表面减小的厚度，以及 空穴传输层，在所述像素定义层的所述开口中位于所述空穴注入层与所述发光层之间，所述空穴传输层具有从所述第一电极朝向所述像素定义层的所述侧表面减小的厚度， 其中所述泄漏电流阻挡层位于所述空穴传输层与所述发光层之间。16.根据权利要求9所述的发光显示装置，还包括位于所述发光层与所述第二电极之间的电子传输层， 其中所述泄漏电流阻挡层位于所述发光层与所述电子传输层之间。17.—种制造发光显示装置的方法，所述方法包括: 在衬底上形成第一电极，其中所述衬底包括布置在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上的多个像素，所述第一电极用于所述多个像素中的每个； 在所述衬底上形成具有暴露所述第一电极的开口的像素定义层； 在所述像素定义层的所述开口中形成从所述第一电极沿着所述像素定义层的侧表面的发光层，所述发光层包括位于所述第一电极上的第一部分和位于所述像素定义层的所述侧表面上的第二部分，所述第二部分具有在从所述像素定义层的所述侧表面朝向所述像素定义层的上表面的方向上减小的厚度； 在所述发光层上形成第二电极；以及 在所述第一电极与所述发光层之间或者在所述发光层与所述第二电极之间在所述像素定义层的所述侧表面上形成具有均匀厚度的泄漏电流阻挡层。18.根据权利要求17所述的方法，其中形成泄漏电流阻挡层的步骤包括: 在所述衬底上设置具有第一开口的第一掩模，所述第一开口在所述像素定义层的所述开口中暴露所述像素定义层的在所述第一方向上彼此面对的侧部； 通过使用沉积法在所述像素定义层的、通过所述第一掩模的所述第一开口暴露的侧表面和上表面上沉积形成所述泄漏电流阻挡层的材料而形成第一阻挡部分； 在所述衬底上设置具有第二开口的第二掩模，所述第二开口在所述像素定义层的所述开口中暴露所述像素定义层的在所述第二方向上彼此面对的侧部；以及 通过使用沉积法在所述像素定义层的、通过所述第二掩模的所述第二开口暴露的侧表面和上表面上沉积形成所述泄漏电流阻挡层的所述材料而形成第二阻挡部分。19.根据权利要求18所述的方法，所述第一开口沿着所述第二方向延伸，并且在所述像素定义层的在所述第一方向上相邻的开口之间具有连续形式，以及 其中所述第二开口沿着所述第一方向延伸，并且在所述像素定义层的在所述第二方向上相邻的开口之间具有连续形式。20.根据权利要求17所述的方法，还包括: 在所述像素定义层的所述开口中在所述第一电极与所述发光层之间形成空穴注入层，所述空穴注入层具有从所述第一电极朝向所述像素定义层的所述侧表面减小的厚度； 在所述像素定义层的所述开口中在所述空穴注入层与所述发光层之间形成空穴传输层，所述空穴传输层具有从所述第一电极朝向所述像素定义层的所述侧表面减小的厚度；以及 在所述像素定义层的所述开口中在所述发光层与所述第二电极之间形成电子传输层， 其中，形成泄漏电流阻挡层的步骤包括在所述空穴注入层与所述空穴传输层之间、在所述空穴传输层与所述发光层之间或者在所述发光层与所述电子传输层之间设置所述泄漏电流阻挡层。
【文档编号】H01L51/56GK105914300SQ201510767482
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2015年11月11日
【发明人】黄在权, 金律局
【申请人】三星显示有限公司