磁性体和包含它的电子部件的制作方法
【专利摘要】本发明提供磁性体和包含它的电子部件，其以高水准同时具有用于响应电子部件的小型化、高性能化的要求的磁导率和体积电阻率的新的磁性体，磁性体(1)包括：含有Fe、M(其中，M为比Fe容易氧化的金属元素。)和S的软磁性合金颗粒(11)；和软磁性合金颗粒(11)的一部分氧化而形成的氧化膜(12)，相邻的软磁性合金颗粒(11)彼此的结合的至少一部分是通过氧化膜(12)进行的，含有92.5～96wt％的Fe和0.003～0.02wt％的S。
【专利说明】
磁性体和包含它的电子部件
技术领域
[0001] 本发明涉及能够在线圈、电感器等的电子部件中主要用作磁芯的磁性体和包含它 的电子部件。
【背景技术】
[0002] 电感器、扼流圈、变压器等电子部件(所谓的线圈部件、电感部件)具有作为磁芯的 磁性体和在上述磁性体的内部或表面形成的线圈。作为磁性体的材料，一般使用Ni-Cu-Zn 类铁氧体等铁氧体。
[0003] 近年来，对这种电子部件要求大电流化(意味着额定电流的高值化），为了满足该 要求，正在研究将磁性体的材料从现有的铁氧体更换为金属类的材料。作为金属类的材料， 有Fe-Cr-Si合金、Fe-Al-Si合金，材料自身的饱和磁通密度比铁氧体高。另一方面，材料自 身的体积电阻率与现有的铁氧体相比格外低。
[0004] 在专利文献1中公开有将Fe-Cr-Al类合金粉作为软磁性材料使用的压粉磁芯及其 制造方法。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1:日本专利第5626672号公报
【发明内容】
[0008] 发明所要解决的问题
[0009] 根据电子部件的如今的小型化、高性能化的要求，期望提供以高水准同时保持磁 导率和体积电阻率的磁性体。本发明的课题在于这样的磁性体的提供。进一步，本发明还以 含有上述磁性体的电子部件的提供为课题。
[0010]用于解决问题的技术手段
[0011] 发明人进行深入研究的结果是完成了以下记载的本发明。
[0012] 根据本发明，磁性体包括含有Fe、金属元素 Μ和S的软磁性合金颗粒和该软磁性合 金颗粒的一部分氧化而形成的氧化膜。金属元素 Μ为比Fe容易氧化的金属元素。相邻的软磁 性合金颗粒彼此的结合的至少一部分是通过氧化膜进行的。该磁性体含有92.5~96wt %的 Fe，并且含有0 · 003~0 · 02wt %、优选为0 · 005~0 · 014wt % 的S。
[0013] 根据优选方式，磁性体中作为金属元素 Μ含有Cr和/或AlXr与A1的合计的含有率 优选为2~6.5wt%。更优选磁性体进一步含有Si。优选按重量标准计的Cr和A1的合计含有 量比Si的含有量多。
[0014] 包括含有这样的磁性体的磁芯的电子部件也是本发明的一个实施方式。
[0015] 发明效果
[0016] 根据本发明，如果通过硫的添加进行低温热处理则氧化膜薄且稳定，其结果是，能 够同时实现磁性体的高的磁导率、体积电阻率。根据优选方式，还能够提高磁性体的防锈性 能，通过含有少量的Si提高填充率，制作更广范围的用途的部件。
【附图说明】
[0017] 图1是示意地表示本发明的磁性体的细微结构的截面图。
[0018] 图2是表示图1的氧化膜的放大图。
【具体实施方式】
[0019] 参照附图对本发明进行详细说明。但是，本发明并不限定于图示的方式，此外，在 图中存在强调发明的特征的部分进行表现的情况，在图中各部分并不一定确保比例尺的精 确性。
[0020] 图1是示意地表示本发明的磁性体的细微结构的截面图。在本发明中，磁性体1就 整体而言是原本独立的大量的软磁性合金颗粒11彼此结合而成的集合体。也可以说磁性体 1是由大量的软磁性合金颗粒11构成的压粉体。在至少一部分的软磁性合金颗粒11，其周围 的至少一部分、优选大致在其整体形成有氧化膜12,通过该氧化膜12确保磁性体1的绝缘 性。相邻的软磁性合金颗粒11彼此主要通过在各自的软磁性合金颗粒11的周围存在的氧化 膜12结合(参照图1的附图标记22)，其结果是，构成具有一定形状的磁性体1。根据本发明， 也可以在一部分，相邻的软磁性合金颗粒11如以附图标记21表示的那样通过金属部分彼此 而结合。在现有的磁性体中，使用在固化了的有机树脂的基体(matrix)中分散有磁性颗粒 或几个程度的磁性颗粒的结合体的磁性体，或在固化了的玻璃成分的基体中分散有磁性颗 粒或几个程度的磁性颗粒的结合体的磁性体。在本发明中，优选实质上既不存在包含有机 树脂的基体也不存在包含玻璃成分的基体。
[0021] 各个软磁性合金颗粒11至少是至少含有铁(Fe)和比铁容易氧化的金属元素(在本 发明中总称为M。）的合金，进一步，必须含有硫(S)。金属元素 Μ典型的能够列举Cr(铬）、A1 (铝）、Ti(钛)等，优选为Cr或A1。软磁性合金颗粒也可以含有Si。
[0022] 在磁性体1中，Fe的含有率为92.5~96wt%。在为上述范围的情况下，确保了高的 体积电阻率。
[0023] 金属元素 Μ只要是比铁容易氧化的金属就没有特别限定，优选列举Cr、Al。优选作 为金属元素 Μ在磁性体中含有Cr、Al之一或这两者。更优选磁性体1中的Cr和A1的合计含有 率为2~6.5wt%。此处，Cr和A1的合计含有率在磁性体1含有Cr和A1的两者的情况下为它们 的合计的含有率，在仅含有Cr和A1之一的情况下为该所含有的元素的含有率。在为上述范 围的合计的含有率的情况下，能够期待防锈性能的提高。
[0024] 在磁性体1中，含有0.003wt %以上的S，优选含有0.005wt %以上。磁性体1中的S的 含有比例的上限为0.02wt%，优选为0.014wt%。通过使得S的含有比例与上述的Fe的含有 比例同时满足上述范围，能够一举提高体积电阻率、磁导率和耐电压这三方面，其结果是， 有助于电子部件的小型化。
[0025] 优选在磁性体1含有硅(Si)。另外，Si不符合上述的金属元素 Μ的定义。优选含有Si 的情况下的、磁性体1中的Si的含有率比上述的Cr与A1的合计的含有率低。另外优选Si的优 选含有率为1~4wt%。
[0026] 关于磁性体1的组成，能够通过等离子体发射光谱法（plasma emission spectroscopy)来计算。另外，S的含有率通过燃烧红外吸收法测定。
[0027] 作为除Fe、Si和Μ以外还可以含有的元素，能够列举Μη(锰）、Co(钴）、Ni (镍）、Cu (铜）、P(磷）、c(碳)等。
[0028] 在构成磁性体1的各个软磁性合金颗粒11的至少一部分，在其周围的至少一部分 形成有氧化膜12。氧化膜12可以在形成磁性体1之前的原料颗粒的阶段形成，在原料颗粒的 阶段，氧化膜可以不存在或极少，而在成形过程中生成氧化膜。优选氧化膜12由软磁性合金 颗粒11自身的氧化物构成。换言之，优选不另外添加用于形成氧化膜12而上述软磁性合金 颗粒11以外的材料。优选在对成形前的软磁性合金颗粒11实施热处理而得到磁性体1时，软 磁性合金颗粒11的表面部分氧化而生成氧化膜12,多个软磁性合金颗粒11通过所生成的氧 化膜12结合。氧化膜12的存在能够在利用扫描型电子显微镜(SEM)拍摄的10000倍程度拍摄 图像中由对比度（明亮度）的差异而识别。通过氧化膜12的存在，确保作为整个磁性体的绝 缘性。
[0029] 如图2所示，在氧化膜12中，优选在软磁性合金颗粒11的表面形成Si的氧化膜。Si 的氧化膜12a比软磁性合金颗粒11的内部含有更多Si元素。进一步，Si的氧化膜12a能够通 过使S量为0 · 003wt %而形成为5nm，使S量为0 · 005wt %而形成为10nm，使S量为0 · 014wt %而 形成为50nm以下，使S量为0.002Wt%而形成为100nm以下。通过形成在这些范围中，能够获 得厚度薄而且覆盖金属颗粒表面的膜。
[0030] 进一步，在Si的氧化膜12a的表面形成有金属元素 Μ的氧化膜12b。在金属元素 Μ的 氧化膜12b中相对Fe元素的上述Μ表示的金属元素的重量比比软磁性合金颗粒11大。为了获 得金属元素的氧化膜12b，能够列举在用于获得磁性体的原料颗粒中尽量少含有Fe的氧化 物或极力不含Fe的氧化物，在获得磁性体1的过程中，通过进行加热处理等使合金的表面部 分氧化等。通过这样的处理，比Fe容易氧化的金属元素 Μ有选择地被氧化，其结果是，氧化膜 12中的相对Fe的金属元素 Μ的重量比比软磁性合金颗粒11中的相对Fe的金属元素 Μ的重量 比相对而言大。在氧化膜12中，与Fe元素相比，含有较多以Μ表示的金属元素，由此，具有抑 制合金颗粒的过剩的氧化的优点。
[0031] 测定磁性体1中的氧化膜12的化学组成的方法如下所述。首先，将磁性体1截断等 而使其截面露出。接着，通过离子铣削等形成平滑面，利用扫描型电子显微镜(SEM)进行拍 摄，通过能量分散型X线光谱分析(EDS)利用ZAF法计算出氧化膜12的部分。此外，对于Si的 氧化膜12a，能够利用扫描型透射电子显微镜（STEM)-EDS通过线分析从软磁性合金颗粒11 识别金属颗粒的结合部22,由于在Si的氧化膜12a是超过从软磁性合金颗粒检测出的Si量 的2倍的量，因此能够判断为Si的氧化膜12a。
[0032] 在磁性体1中，软磁性合金颗粒11彼此主要利用金属元素 Μ的氧化膜12b结合。由金 属元素 Μ的氧化膜12b形成的结合部22的存在例如能够在放大了约5000倍后的SEM观察图像 等中在处于相邻的软磁性合金颗粒11的表面的Si的氧化膜12a的外侧观察到。由于由氧化 膜12形成的结合部22的存在，能够实现机械强度和绝缘性的提高。虽然优选在磁性体1的整 体通过相邻的软磁性合金颗粒11具有的氧化膜12进行结合，但是如果只在一部分结合，也 能够实现相应的机械强度和绝缘性的提高，这样的方式也可以说是本发明的一个方式。此 外，也可以如以附图标记21表示的那样，在局部存在不利用氧化膜12的软磁性合金颗粒11 彼此的结合。进一步，相邻的软磁性合金颗粒11也可以在局部具有由氧化膜12形成的结合 部和软磁性合金颗粒11彼此的结合部21均不存在、而只不过物理地接触或靠近的形态。进 一步，磁性体1也可以在局部具有空隙30。
[0033]进一步，能够利用以下的方法对Si的氧化膜12a的厚度和金属元素 Μ的氧化膜12b 的厚度进行评价。
[0034] Si层的分析方法
[0035] (1)以从芯部的中心通过的方式制作扫描型电子显微镜(SEM)用的截面试样。
[0036] (2)利用SEM随机抽取选择通过氧化覆膜隔开的颗粒间界面。按以下的顺序判定是 否为颗粒界面。首先，取得试样的图像，以成为100μπιΧ100μπι的格子的方式在试样的图像上 设定坐标。在坐标内，仅选择芯部部分，对各坐标分配号码，利用计算机产生随机数，在坐标 内选择一个点。将所选择的100μπιΧ100μπι的格子内按每Ιμπι进行格子区划。利用计算机产生 随机数，选择对应的坐标内的一个点。确认格子中的颗粒界面的有无，在不含有颗粒界面的 情况下，再次产生随机数，重新选择格子，重复操作至在所选择的格子内含有颗粒界面为 止。选择所选择的格子的内部具有的颗粒界面。
[0037] (3)利用聚焦离子束装置(FIB)以与通过颗粒的中心的界面垂直的方式对颗粒进 行加工，制作薄片试样。薄片试样的制作方法能够使用微量取样法。以试样厚度在金属颗粒 粉部分成为lOOnm以下的方式进行加工。关于试样厚度，使用利用扫描型透射电子显微镜 (STEM:日本电子(株)公司制JEM-2100F)附属的电子能量损失光谱装置的、利用透射电子的 非弹性散射平均自由行程的方法。令EELS测定时的半收敛角为9mrad、取出角为1 Omrad，使 用此时的非弹性散射平均自由行程105nm。
[0038] (4)制作试样后，立即使用装载有环状暗视野检测器和能量分散X线光谱分析 (EDS)检测器的STEM，利用STEM-EDS法确认Si氧化覆膜的有无，利用STEM-高角度环状暗视 野(HAADF)法计量氧化覆膜的厚度。具体而言，按以下的项目记载。STEM-EDS的测定条件为 加速电压200kV、电子束径1. Onm、分辨率lnm/pix、Fe颗粒部分的各点的6.22keV~6.58keV 的范围的信号强度的累计值为25计数值以上的测定时间。将FeKa线+CrKa线与ΟΚα线的信号 强度比为0.5以上的区域评价为氧化膜。STEM-EDS法由于在试样内信号产生区域扩展，因此 不适合于测长度。由此，在测长度时使用下述的STEM-HAADF法。STEM-HAADF法的测定条件为 电子束径0.7nm以下、取入角27mrad~73mrad、放大率300000倍、像素尺寸为0.35nm/像素。 为了除去噪声的影响，使得图像中的信号强度为1.7 X106计数值左右。为了使测长度时的 放大率一致，在拍摄前后以相同条件拍摄放大率校正用的试样，对比例尺(scale)进行校 正。在各图像的拍摄之前，将放大率提升至最大值之后，降低至原来的放大率，使透镜电流 与既定值（拍摄校正用试样时的值)一致，与试样高度相匹配进行拍摄。此外，关于图像拍 摄，在横穿界面的方向扫描电子线地进行拍摄。
[0039] (5)关于STEM-HAADF像，为了减少背景的影响，将图像中的各像素的信号强度利用 图像的纵向与横向的坐标的一次函数的和(f(x)=ax+by)近似，从图像减去。
[0040] (6)在STEM-HAADF图像中的、根据STEM-EDS像判断不含真空部的、隔着Si的氧化膜 12a和金属元素 Μ的氧化膜12b的金属颗粒间制作与区域垂直的长度1 μπι左右的线段，沿该线 段制作图像强度的曲线（分布图）。与金属元素 Μ的氧化膜12b垂直的线段，通过从STEM-EDS 的氧元素的信号强度提取金属元素 Μ的氧化膜12b的位置坐标，按最小二乘法绘制近似直 线，作为与该直线垂直的直线求出。
[0041 ] (7)STEM-HAADF像的强度曲线典型地由三种强度构成，从强度高的一方起对应软 磁性合金颗粒11、金属元素 Μ的氧化膜12b、Si的氧化膜12a。这通过与EDX信号的曲线相对照 来判明。更具体而言，关于曲线中的强度I(x)，能够按以下的式子转换为标准化强度Ι η°? (X)，按其强度范围进行判断。
[0042] 式子：r_(x) = (I(x)-Imin)/(rax-Imin)
[0043] 其中，Imax是曲线中的强度的最大值，1_是曲线中的强度的最小值。软磁性合金颗 粒11满足0.8<1_^)<1.0，金属元素1的氧化膜1213满足0.2<1_^)<0.8,5浦氧化膜 12a满足0·0< Γ_(χ) <0.2。
[0044] (8)根据STEM-HAADF像的强度曲线求取Si的氧化膜12a的厚度和金属元素 Μ的氧化 膜12b的厚度的方法如下。在软磁性合金颗粒11与Si的氧化膜12a的中间的位置，将强度成 为一半的位置作为软磁性合金颗粒11与Si的氧化膜12a的界面。在金属元素 Μ的氧化膜12b 与Si的氧化膜12a的中间的位置，将强度成为一半的位置作为金属元素 Μ的氧化膜12b与Si 的氧化膜12a的界面。取得软磁性合金颗粒11与Si的氧化膜12a的界面和金属元素 Μ的氧化 膜12b与Si的氧化膜12a的界面之间的距离，以该距离为Si的氧化膜12a的厚度。
[0045] (9)从不同的100μπιΧ100μπι的格子中对共计10个颗粒间界面同样地进行测定，将 在所有的颗粒测定得到的各个氧化膜的厚度的平均值作为试样的氧化膜的厚度。
[0046]这样，氧化膜12由Si的氧化膜12a和金属元素 Μ的氧化膜12b构成，通过将Si的氧化 膜12a形成得薄而同时具有高的填充率、绝缘性和耐电压，并且通过将金属元素 Μ的氧化膜 12b形成得比Si的氧化膜12a厚而将金属颗粒彼此结合，由此能够确保磁性体的强度。
[0047]为了产生由氧化膜12形成的结合部22,例如能够列举在制造磁性体1时、在存在氧 的气氛下(例如空气中）在后述的规定的温度实施热处理等。
[0048]上述的软磁性合金颗粒11彼此的结合部21的存在例如能够在放大了约5000倍的 SEM观察像(截面照片)在进行视认。通过软磁性合金颗粒11彼此的结合部21的存在实现磁 导率的提尚。
[0049] 为了生成软磁性合金颗粒11彼此的结合部21，例如能够列举使用氧化膜少的颗粒 作为原料颗粒、在用于制造磁性体1的热处理中如后述那样调节温度和氧分压或调节从原 料颗粒获得磁性体1时的填充率等。
[0050] 作为原料使用的软磁性合金颗粒（以下，也称为原料颗粒。）的组成反映在最终获 得的磁性体的组成中。由此，能够根据最终要得到的磁性体的组成适当地选择原料颗粒的 组成，其优选组成范围与上述的磁性体的优选组成范围相同。
[0051 ]各个原料颗粒的尺寸实质上与构成最终获得的磁性体中的磁性体1的颗粒的尺寸 相等。作为原料颗粒的尺寸，如果考虑磁导率和晶粒内涡流损耗，则优选d50为2~30μπι。原 料颗粒的d50能够通过利用激光衍射、散射的测定装置进行测定。
[0052]作为原料使用的磁性颗粒优选利用雾化(Atomized)法制造。在雾化法中，在高频 熔化炉添加成为主原材料的Fe、Cr(铬铁合金）、Si和FeS(硫化铁)进行熔化。此处，确认主成 分的重量比和S的重量比。S的重量比利用后述的燃烧红外吸收法测定。根据该结果进行反 馈，以使S的重量比成为最终要得到的重量比的方式进一步添加 FeS，由此调节S的量。能够 由这样获得的材料利用雾化法得到磁性颗粒。
[0053]在上述的燃烧红外吸收法中，在高频感应加热炉中流动纯氧并加热至高温而使测 定试样燃烧。通过燃烧，利用氧气流将从S得到的二氧化硫(s〇2)送出，利用红外线吸收法测 定其量。根据本发明的发明人的确认，对成形后的磁性体也能够利用该方法测定S的量，在 成形前后含有S的各元素的组成比不变。在成形时实施热处理的情况下，认为软磁性合金颗 粒11的一部分发生氧化，但是重量比例的变化是极微量的感知不到的程度。
[0054] 关于从原料颗粒获得成形体的方法没有特别限定，能够适当地采用颗粒成形体制 造中的公知的方法。以下，作为典型的制造方法，对将原料颗粒在非加热条件下成形后实施 加热处理的方法进行说明。在本发明中并不限定于该制法。
[0055] 在非加热条件下形成原料颗粒时，优选作为粘合剂加入有机树脂。作为有机树脂 使用由热解温度为500°C以下的丙烯酸树脂、丁醛树脂、乙烯基树脂等构成的有机树脂，在 热处理后不易残留粘合剂方面优选。在成形时也可以加入公知的润滑剂。作为润滑剂，能够 列举有机酸盐等，具体能够列举硬脂酸锌、硬脂酸钙等。润滑剂的量相对于原料颗粒1〇〇重 量部优选为〇~1.5重量部。润滑剂的量为零意味着不使用润滑剂。在相对于原料颗粒任意 地加入粘合剂和/润滑剂并搅拌后，形成为所期望的形状。在进行成形时例如能够列举施加 1~ 3〇t/cm2的压力等。
[0056]对热处理的优选方式进行说明。
[0057]热处理优选在氧化气氛下进行。更具体而言，加热中的氧浓度优选为1 %以上，由 此容易生成由氧化膜形成的结合部22。氧浓度的上限没有特别限定，考虑到制造成本等能 够列举空气中的氧浓度(约21 %)。关于加热温度，从软磁性合金颗粒11自身氧化而生成氧 化膜12、容易通过该氧化膜12生成结合的观点出发优选为600~800°C。从容易生成由氧化 膜12形成的结合部22的观点出发，优选加热时间为0.5~3小时。此外，通过使S为0.003~ 0.02wt %，能够将热处理温度降低至700以下，进一步通过使S为0.005~0.014wt%，能够将 热处理时间为0.5小时以下，还能够使热处理效率良好。另外，在磁性体1内也可以存在空隙 30 〇
[0058]能够将这样获得的磁性体1作为各种电子部件的磁芯使用。例如，可以通过在本发 明的磁性体的周围卷绕绝缘包覆导线而形成线圈。或者，利用公知的方法形成含有上述的 原料颗粒的生片，在该生片通过印刷等形成规定图案的导体膏，之后通过将完成印刷的生 片叠层并进行加压而成形，接着，按上述的条件实施热处理，由此还能够得到在本发明的磁 性体的内部形成线圈而构成的电子部件（电感器）。此外，能够通过将本发明的磁性体作为 磁芯使用，在其内部或表面形成线圈而得到各种电子部件。电子部件可以为表面安装型和 通孔安装型等各种实施方式的电子部件，关于由磁性体得到电子部件的方法，能够参考后 述的实施例的记载，此外，能够适当地采取电子部件的领域公知的制造方法。
[0059](实施例）
[0060]以下，通过实施例对本发明进行更具体的说明。但是，本发明并不限定于这些实施 例所记载的方式。
[0061 ](磁性颗粒）
[0062]利用雾化法制作软磁性合金颗粒。在雾化法中，以Fe、Cr(铬铁合金）、Si、Al、FeSS 原料。软磁性合金颗粒的组成如表1记载的那样(单位为wt% )。此处的组成以Fe、Cr、Si、Al 的合计为l〇〇wt%，相对于这些主成分为100wt%，按规定的比例添加硫(S)。关于软磁性合 金颗粒的组成，对硫(S)利用燃烧红外吸收法确认，S以外的元素利用等离子体发射光谱法 进行了确认。软磁性合金颗粒的平均粒径为?ομπι。
[0063] (磁性体的制造）
[0064] 将该原料颗粒100重量部与PVA粘合剂1.5重量部一起进行搅拌混合，作为润滑剂 添加0.5重量部的硬脂酸Ζη。之后，利用6~12ton/cm 2的成形压力成形为用于后述的各评价 的形状。此时，成形压力调节为使得磁性体中的软磁性合金颗粒的填充率成为83vol%。接 着，在大气气氛下(氧化气氛下）、在650 °C进行1小时热处理，得到磁性体。
[0065] (衷1)
[0066] 膜。在Au膜的两个面施加电压，进行I-V测定。逐渐提升施加的电压，将电流密度成为0.01A/ cm2的时刻的施加电压看做击穿电压。如果击穿电压小于25V，则标记为C等级，如果为25V以 上而小于100V则标记为B等级，如果为100V以上则标记为A等级。
[0073]为了进行防锈性能的评价，制造外形φ9.5ηιηι X厚度4.2~4.5mm的磁性体。将该 磁性体在85°C/85%的高温多湿的条件下放置100小时。对试验前后的磁性体的外形的尺寸 变化进行测定，如果尺寸变化小于0.01mm则标记为A等级，如果为0.01mm以上而小于0.03mm 则标记为B等级，如果为0.03mm以上则标记为C等级。
[0074]将各评价结果记载在表2。
[0075] (表 2)
[0076]
[0077]附图标记的说明
[0078] 1 磁性体
[0079] 11软磁性合金颗粒
[0080] 12氧化膜
[0081 ] 12a Si的氧化膜
[0082] 12b金属元素 Μ的氧化膜
[0083] 21金属颗粒彼此的结合部
[0084] 22由氧化膜形成的结合部
[0085] 30 空隙
【主权项】
1. 一种磁性体，其特征在于，包括： 含有Fe、M和S的软磁性合金颗粒;和 所述软磁性合金颗粒的一部分氧化而形成的氧化膜， 其中，M为比Fe更容易氧化的金属元素， 相邻的软磁性合金颗粒彼此的结合的至少一部分是通过所述氧化膜进行的， 含有 92 · 5 ~96wt % 的Fe和 O · 003 ~O · 02wt % 的 S。2. 如权利要求1所述的磁性体，其特征在于： 含有0.005 ~0.014wt% 的S。3. 如权利要求1或2所述的磁性体，其特征在于： 作为所述M含有Cr和/或Al，Cr和Al的合计的含有率为2~6.5wt %。4. 如权利要求3所述的磁性体，其特征在于： 还含有Si，按重量标准计的Cr和Al的合计的含量比Si的含量多。5. -种电子部件，其特征在于： 包括含有权利要求1~4中的任一项所述的磁性体的磁芯。
【文档编号】H01F1/147GK105931789SQ201610108469
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年2月26日
【发明人】棚田淳, 高岛贤二, 织茂洋子
【申请人】太阳诱电株式会社