用于半导体元件的超接面结构的制作方法
【专利摘要】本发明有关于一种用于半导体元件的超接面结构，该超接面结构包含：一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层；多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上。该半导体元件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、或超接面二极管。本发明提高了超接面结构的反向耐压且具有高深宽比。
【专利说明】用于半导体元件的超接面结构
[0001 ] 本申请为分案申请，其母案的申请号为:201210568724.7，申请日为:2012年12月25日，
【申请人】为:节能元件控股有限公司，发明名称为:用于半导体元件的超接面结构及其制程。
技术领域
[0002]本发明为一种半导体结构，尤指一种半导体元件的超接面结构。
【背景技术】
[0003]自陈星弼博士于1991年(例如可参见美国专利第5，216，275号)提出超接面(superjunct1n)的概念之后，已经有许多研究企图发展并增进上述发明的超接面效果。
[0004]例如美国专利第6，608，350即提出一种沟槽型超接面装置，参见图1，为说明此专利沟槽型超接面装置概念的示意图，此沟槽型超接面MOS装置主要包含一基板81、一N型磊晶层82、多个平行沟槽83、位在平行沟槽83侧壁上的P型层84、位在N型磊晶层82上的P基底(base)93、在两个平行沟槽83之间及在N型磊晶层82上的栅极氧化层87及栅极88、位在P基底93上的源极区89及源极电极91，及在P型层84内的介电质(未加图号)。在导通模式时，在栅极88上施加一偏压，而源极电极89为接地。此时于P基底93及栅极氧化层87之间会形成一通道(channel)，在漏极上施加小偏压时即可在此元件中产生电流，且在沟槽83中的P型层
84可提供低的导通电阻RDS0N。在现有的MOS装置之中，如要降低导通电阻RDS0N，则必须降低N型磊晶层82的电阻系数，亦即要增加掺杂浓度。然而若N型磊晶层82的掺杂浓度增加，则会影响此MOS元件的耐压性能。
[0005]藉由上述的超接面结构，即可兼具高耐压能力及低导通电阻。然而要在N型磊晶层82上形成具有高深宽比的沟槽83并不容易，因此若能提供一种新的半导体元件超接面结构及其制程，以改善现有技术缺点，即非常有利于超接面装置的制作。
【发明内容】
[0006]为了克服现有技术问题，本发明的一目的为提供一种可进一步提高反向耐压且可制作高深宽比的用于半导体元件的超接面结构。
[0007]为了达成本发明目的，本发明提供一种用于半导体元件的超接面结构，包含:一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层;多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上;其中先在该第一导电型磊晶层上依次磊晶成长多个低掺杂浓度第一导电型磊晶层覆盖层，每一低掺杂浓度第一导电型磊晶层覆盖层具有多个高浓度第二导电型离子布植区，及多个分别在每一高浓度第二导电型离子布植区旁边的低浓度第二导电型离子布植区；藉由离子驱入步骤以形成前述的多个高浓度第二导电型柱及多个低浓度第二导电型侧壁。
[0008]上述的半导体元件为超接面M0SFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、或超接面二极管。
【附图说明】
[0009]本案得藉由下列图式及说明，俾得一更深入的了解:
[0010]图1为现有技术的沟槽型超接面装置侧视图；
[0011]图2A至图2D为说明本发明第一实施例的俯视图；
[0012]图3A至图3F为说明本发明第一实施例的侧视图；
[0013]图4A至图4D为说明本发明第二实施例的俯视图；
[0014]图5A至图5F为说明本发明第二实施例的侧视图；
[0015]图6A至图6D为说明本发明第三实施例的俯视图；
[0016]图7A至图7F为说明本发明第三实施例的侧视图。
[0017]其中，附图标记:
[0018][现有]
[0019]基板81
[0020]N型磊晶层82
[0021]平行沟槽83
[0022]P型层 84
[0023]栅极氧化层87
[0024]栅极88
[0025]源极区89
[0026]源极电极91
[0027]P基底 93
[0028][本发明]
[0029]基板20
[0030]高掺杂浓度N型硅基板201
[0031]低掺杂浓度N型磊晶层202
[0032]低掺杂浓度P型磊晶层203
[0033]第一光阻层210
[0034]外侧光阻211
[0035]中心点光阻212
[0036]掩模层220
[0037]外侧掩模层221
[0038]中心点掩模层222
[0039]缺口223
[0040]高浓度P型离子布植区30[0041 ]低浓度P型离子布植区32
[0042]高浓度P型柱34
[0043]低浓度P型侧壁36
[0044]高浓度N型离子布植区40
[0045]低浓度N型离子布植区42
[0046]高浓度N型柱44
[0047]低浓度N型侧壁46
[0048]场氧化层60
【具体实施方式】
[0049]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
[0050]请参阅图2A及图3A，其为说明本案用于半导体元件的超接面制程的第一较佳具体实例步骤俯视图及侧视图。如图3A所示，首先，提供一基板20，该基板20为一高掺杂浓度N型硅基板201(N+硅基板)与一低掺杂浓度N型磊晶层202(N-磊晶层)所构成。于此图中所绘示的低掺杂浓度N型磊晶层202与较高掺杂浓度N型硅基板201有近似厚度，但是须知此图仅为示意说明本发明的具体实例，于实际的元件中，低掺杂浓度N型磊晶层202在实际上应比较高掺杂浓度N型硅基板201来的薄。随后通过一氧化制程于该基板20上形成一掩模层(未标号，例如一场氧化层)；然后于该第一掩模层上以光阻布形步骤形成一第一光阻层210。复参见图2A及图3A所示，该第一光阻层210包含外侧光阻层211及中心点光阻层212，以在外侧光阻层211及中心点光阻层212之间界定出环形沟槽(未标号)。在此须知图2A及图3A所示的沟槽仅为范例，任何封闭形状的沟槽(例如四边形及椭圆形)皆可达成本案的功效。随后以此第一光阻层210为掩模以对于该掩模层蚀刻，以形成如图3A所示的掩模层220(包含外侧掩模层221及中心点掩模层222)。随后在所得结构上以这些光阻层211，212作为掩模进行高浓度P型离子布植，例如可以植入浓度为113Cnf3的硼离子于低掺杂浓度N型磊晶层202之上，即形成如图3A所示的结构，其中该结构具有高浓度P型离子布植区30。
[0051]随后如图2B及图3B所示，利用第一光阻层210作为掩模，对于其下的掩模层220进行等向性蚀刻(isotropic etching)，例如可以用缓冲氧化物蚀刻剂(buffered oxideetchant，B0E)对于为场氧化层的掩模层220进行等向性蚀刻，以将掩模层220向内推而形成缺口 223，亦即移除该光阻层210下的部份掩模层220周缘部份，使部份光阻层210悬空。
[0052]随后如图3C所示，在去除第一光阻层210之后，即可利用再一次的BOE制程，且控制蚀刻速率，以将中心点掩模层222移除。此时，如图2C所示，在所得结构的表面上留下者为掩模层220(其仅包含外侧掩模层221)。
[0053]随后如图2D及图3D所示，在所得结构上以该掩模层220为掩模进行低浓度的P型离子布植，且控制离子布植深度，以在高浓度P型离子布植区30之旁形成低浓度P型离子布植区32，随后移除剩余的掩模层220，并于所得结构上再磊晶成长一低掺杂浓度N型磊晶层覆盖层(未图式)。
[0054]随后如图3E所示，可在反复进行上述步骤之后(例如进行如图3A到图3D所示步骤六次)，即可形成如图示的多层高浓度P型离子布植区30及低浓度P型离子布植区32结构。
[0055]随后如图3F所示，在所得结构上形成一场氧化层60，及进行离子驱入步骤(drivein)，以使上下层的P型离子布植区30及低浓度P型离子布植区32分别上下连接在一起，以形成如此图所示的高浓度P型柱34及低浓度P型侧壁36，即可以此结构为基础，制作后续的半导体元件，如超接面M0SFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、及超接面二极管。
[0056]再者，如图3F所示，由于高浓度P型柱34可由低浓度P型侧壁36作为与低掺杂浓度N型磊晶层202之间的缓冲层，因此可以进一步提高所制成元件的反向耐压。
[0057]如图4A及图5A所示，为说明本案用于半导体元件的超接面制程的第二较佳具体实例步骤俯视图及侧视图。如图5A所示，首先，提供一基板20，该基板20为一高掺杂浓度N型硅基板201(N+硅基板)与一低掺杂浓度N型磊晶层202(N-磊晶层)所构成。随后通过一氧化制程于该基板20上形成一掩模层(未标号，例如一场氧化层)；然后于该第一掩模层上以光阻布形步骤形成一第一光阻层210。复参见图4A及图5A所示，该第一光阻层210界定出一圆形空心沟槽(未标号)。
[0058]在此须知图4A及图5A所示的沟槽仅为范例，任何封闭形状的沟槽(例如四边形及椭圆形)皆可达成本案的功效。随后以此第一光阻层210的为掩模以对于该第一掩模层蚀亥IJ，以形成如图5A所示的掩模层220。随后在所得结构上以该光阻层210作为掩模进行高浓度P型离子布植，例如可以植入浓度为113Cnf3的硼离子于低掺杂浓度N型磊晶层202之上，即形成如图5A所示的结构，其中该结构具有高浓度P型离子布植区30。
[0059]随后如图4B及图5B所示，利用第一光阻层210作为掩模，对于其下的掩模层220进行等向性蚀刻(isotropic etching)，例如可以用缓冲氧化物蚀刻剂(buffered oxideetchant，B0E)对于为场氧化层的掩模层220进行等向性蚀刻，以将掩模层220向内推而形成缺口 223，亦即移除该光阻层210下的部份掩模层220周缘部份，使部份光阻层210悬空。
[0060]随后如图4C及图5C所示，在去除第一光阻层210之后，即再一次进行BOE制程，以去除掩模层220表面杂质，此时所得结构的上表面为掩模层220。
[0061]随后如图5D所示，在所得结构上以掩模层220为掩模进行低浓度的P型离子布植，且控制离子布植深度，以在高浓度P型离子布植区30之旁形成低浓度P型离子布植区32，随后移除剩余的掩模层220，并于所得结构上再磊晶成长一低掺杂浓度N型磊晶层覆盖层(未图式)。
[0062]随后如图5E所示，可在反复进行上述步骤之后(例如进行如图5A到图5D所示步骤六次)，即可形成如图示的多层高浓度P型离子布植区30及低浓度P型离子布植区32结构。
[0063]随后如图5F所示，在所得结构上形成一场氧化层60，及进行离子驱入步骤(drivein)，以使上下层的P型离子布植区30及低浓度P型离子布植区32分别上下连接在一起，以形成如此图所示的高浓度P型柱34及低浓度P型侧壁36，即可以此结构为基础，制作后续的半导体元件，如超接面M0SFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、及超接面二极管。
[0064]如图6A及图7A所示，为说明本案用于半导体元件的超接面制程的第三较佳具体实例步骤俯视图及侧视图。如图7A所示，首先，提供一基板20，该基板20为一高掺杂浓度N型硅基板201(N+硅基板)与一低掺杂浓度N型磊晶层202(N-磊晶层)所构成。随后进行一低掺杂浓度P型磊晶层制程，以在低掺杂浓度N型磊晶层202上形成一低掺杂浓度P型磊晶层203。随后通过一氧化制程于该低掺杂浓度P型磊晶层203上形成一掩模层(未标号，例如一场氧化层)；然后于该掩模层上以光阻布形步骤形成一第一光阻层210。复参见图6A所示，该第一光阻层210例如可为一圆形图案。在此须知图6A所示的第一光阻层210仅为范例，该第一光阻层210也可为其他封闭图案(例如四边形及椭圆形)皆可达成本案的功效。随后以此第一光阻层210的为掩模以对于该掩模层蚀刻，以形成如图7A所示的掩模层220。随后在所得结构上以光阻层210为掩模进行高浓度N型离子布植，例如可以植入浓度为1013cm—3的磷离子于低掺杂浓度P型磊晶层203，即形成如图7A所示的结构，其中该结构具有高浓度N型离子布植区40。
[0065]随后如图6B及图7B所示，利用第一光阻层210作为掩模，对于其下的掩模层220进行等向性蚀刻(isotropic etching)，例如可以用缓冲氧化物蚀刻剂(buffered oxideetchant，B0E)对于为场氧化层的掩模层220进行等向性蚀刻，以将掩模层220向内推而形成缺口 223，亦即移除该光阻层210下的部份掩模层220周缘部份，使部份光阻层悬空。
[0066]随后如图6C及图7C所示，在去除第一光阻层210之后，即再一次进行BOE制程，以去除掩模层220表面杂质，此时所得结构的上表面为掩模层220。
[0067]随后如图7D所示，在所得结构上以掩模层220为掩模进行低浓度的N型离子布植，且控制离子布植深度，以在高浓度N型离子布植区40之旁形成低浓度N型离子布植区42，随后移除剩余的第一掩模层220，并于所得结构上再磊晶成长一低掺杂浓度P型磊晶层覆盖层(未图式)。
[0068]随后如图7E所示，可在反复进行上述步骤之后(例如进行如图7A到图7D所示步骤六次)，即可形成如图示的多层高浓度N型离子布植区40及低浓度N型离子布植区42结构。
[0069]随后如图7F所示，在所得结构上形成一场氧化层60，及进行离子驱入步骤(drivein)，以使上下层的N型离子布植区40及低浓度N型离子布植区42分别上下连接在一起，以形成如此图所示的高浓度N型柱44及低浓度N型侧壁46，即可以此结构为基础，制作后续的半导体元件，如超接面M0SFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体(thyristor)、及超接面二极管。
[0070]综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
【主权项】
1.一种用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，包含: 一硅基板，该硅基板上具有一第一导电型磊晶层； 多个高浓度第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层内；及 多个低浓度第二导电型侧壁，形成于该第一导电型磊晶层内且位于该第二导电型柱的外侧面上， 其中先在该第一导电型磊晶层上依次磊晶成长多个低掺杂浓度第一导电型磊晶层覆盖层，每一低掺杂浓度第一导电型磊晶层覆盖层具有多个高浓度第二导电型离子布植区，及多个分别在每一高浓度第二导电型离子布植区旁边的低浓度第二导电型离子布植区；藉由离子驱入步骤以形成前述的多个高浓度第二导电型柱及多个低浓度第二导电型侧壁。2.根据权利要求1的用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，第一导电型为N型，第二导电型为P型。3.根据权利要求1的用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，第一导电型为P型，第二导电型为N型。4.根据权利要求1的用于半导体元件的超接面结构，其特征在于，该半导体元件为超接面MOSFET、超接面MESFET、超接面Schottky晶体管、超接面IGBT、闸流体、或超接面二极管。5.根据权利要求1的用于半导体组件的超接面结构，其特征在于，该高浓度第二导电型离子布植区的离子浓度为113Cnf3。6.根据权利要求1的用于半导体组件的超接面结构，其特征在于，多个高浓度第二导电型柱沿着深度方向有相同的掺杂浓度。
【文档编号】H01L29/06GK105932045SQ201610320079
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2012年12月25日
【发明人】张崇健
【申请人】节能元件控股有限公司