中空型电子器件密封用片、和中空型电子器件封装件的制造方法

中空型电子器件密封用片、和中空型电子器件封装件的制造方法
【专利摘要】本发明的课题在于提供一种中空型电子器件密封用片，其能抑制向电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。本发明的解决手段在于，一种中空型电子器件密封用片，通过下述步骤的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下、且由进入量Y1减去进入量X1后的值为50μm以下。在将模拟芯片埋入中空型电子器件密封用片的样品的步骤后，测定构成样品的树脂向模拟芯片与玻璃基板之间的中空部的进入量X1的步骤、使样品热固化而得到密封体样品的步骤和测定树脂向密封体样品中的中空部的进入量Y1的步骤。
【专利说明】
中空型电子器件密封用片、和中空型电子器件封装件的制造 方法
技术领域
[0001] 本发明设及中空型电子器件密封用片和中空型电子器件封装件的制造方法。
【背景技术】
[0002] W往，在将电子器件与基板之间成为中空结构的中空型电子器件树脂密封而制作 中空型电子器件封装件时，有时使用片状的树脂作为密封树脂(例如，参照专利文献1)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1:日本特开2006-19714号公报

【发明内容】

[0006] 发明要解决的课题
[0007] 作为所述封装件的制造方法，可举出下述方法:在配置于被粘物上的1个或多个电 子器件上配置片状的密封树脂，接着，向使电子器件和片状的密封树脂靠近的方向加压而 将电子器件埋入片状的密封树脂，之后，使片状的密封树脂热固化的方法。
[000引采用上述的方法时，密封树脂的一部分进入电子器件与被粘物之间的中空部。然 而，存在其进入量的不均根据不同的封装件较大的问题。
[0009] 本发明鉴于上述课题而实施，其目的在于，提供一种中空型电子器件密封用片，其 能抑制电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。
[0010] 另外，还在于提供一种中空型电子器件封装件的制造方法，其能抑制向电子器件 与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。
[0011] 解决课题的方法
[0012] 为了达成如上的目的，本发明人首先对进入中空部的树脂的量根据不同的封装件 不均的理由进行了深入研究。其结果，查明采用上述的方法时，将电子器件埋入密封树脂 后，树脂没有进入电子器件与被粘物之间的中空部。另外查明，在之后的密封树脂的热固化 时，首先，密封树脂的一部分通过热而成为低粘度等，流动而进入中空部，之后，树脂随着热 固化而变为高粘度，树脂的进入停止。而且查明，热固化时的树脂的流动量根据不同的封装 件而大幅不同，难W控制。
[0013] 本申请发明人等发现通过采用下述的构成，可W解决所述的课题，从而完成了本 发明。
[0014] 旨P，本发明的中空型电子器件密封用片的特征在于，
[001引通过下述步骤A~步骤G的顺序测定的进入量Xl为0皿W上且50皿W下、且由进入 量Yl减去所述进入量Xl后的值为60]imW下。
[0016]步骤A，准备将下述规格的1个模拟忍片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟忍片 安装基板、
[0017] 步骤B，准备长1cm、宽1cm、厚220皿的尺寸的中空型电子器件密封用片的样品、
[0018] 步骤C，将所述样品配置在所述模拟忍片安装基板的所述模拟忍片上、
[0019] 步骤D，在下述埋入条件下，将所述模拟忍片埋入所述样品、
[0020] 步骤E，在所述步骤D后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟忍片与所述玻璃基 板之间的中空部的进入量XI、
[0021 ] 步骤F，在所述步骤E后，在150°C的热风干燥机中放置1小时，使所述样品热固化而 得到密封体样品、和
[0022] 步骤G，测定所述树脂向所述密封体样品中的所述中空部的进入量Y1。
[0023] <模拟忍片的规格〉
[0024] 忍片尺寸为长3mm、宽3mm、厚200皿，形成有高50皿的树脂凸块。
[002引 < 埋入条件〉
[0026] 压制方法:平板压制
[0027] 溫度:75°C
[0028] 加压力：3000k化
[0029] 真空度:1.6kPa
[0030] 压制时间：1分钟
[0031] 根据所述构成，由于所述进入量Xl为OwnW上且50皿W下，因此在实际的中空型电 子器件封装件的制造中，在将电子器件埋入中空型电子器件密封用片时，可W使树脂适度 进入电子器件与被粘物之间的中空部。
[0032] 另外，由于由所述进入量Yl减去所述进入量Xl后的值为eOwnW下，因此在实际的 中空型电子器件封装件的制造中，可W抑制使中空型电子器件密封用片热固化时的中空部 中的树脂的流动。
[0033] 像运样，根据所述构成，在实际的中空型电子器件封装件的制造中，可W在容易控 制树脂向中空部的进入量的埋入时使树脂进入中空部、且可W抑制难W控制的热固化时的 树脂的移动量。其结果，可W抑制进入中空部的树脂的量在每个封装件中不均。
[0034] 所述构成中，若90°C的粘度为300k化? sW上而为较高的粘度，则可W抑制通过热 固化时的热而软化、在中空部内流动。
[0035] 另外，本发明的中空型电子器件封装件的制造方法的特征在于包括：
[0036] 准备利用凸块将电子器件固定在被粘物上的层叠体的工序、
[0037] 准备中空型电子器件密封用片的工序、
[0038] 将所述中空型电子器件密封用片配置在所述层叠体的所述电子器件上的工序、
[0039] 通过热压，将所述电子器件埋入所述中空型电子器件密封用片的工序、和
[0040] 在所述埋入工序后，使所述中空型电子器件密封用片热固化而得到密封体的工 序，
[0041] 将在所述埋入工序后、且得到所述密封体的工序前的状态时的构成所述中空型电 子器件密封用片的树脂向所述电子器件与所述被粘物之间的中空部的进入量设为X2,将得 到所述密封体的工序后的状态时的所述树脂向所述中空部的进入量设为Y2时，所述进入量 X为Own W上且SOwiiW下、且由所述进入量Y2减去所述进入量X2后的值为60WI1W下
[0042] 根据所述构成，所述进入量X2为OwnW上且SOwiiW下，将电子器件埋入中空型电子 器件密封用片时，使树脂适度进入电子器件与被粘物之间的中空部。
[0043] 另外，由所述进入量Y减去所述进入量X后的值为60wiiW下，抑制了使中空型电子 器件密封用片热固化时的中空部中的树脂的流动。
[0044] 像运样，根据所述构成，在容易控制树脂向中空部的进入量的埋入时使树脂进入 中空部、且抑制了难W控制的热固化时的树脂的移动量。其结果，可W抑制进入中空部的树 脂的量在每个封装件中不均。
【附图说明】
[0045] 图1是本实施方式的中空型电子器件密封用片的截面示意图。
[0046] 图2是用于说明测定进入量Xl和进入量Yl的顺序的截面示意图。
[0047] 图3是用于说明测定进入量Xl和进入量Yl的顺序的截面示意图。
[0048] 图4是用于说明测定进入量Xl和进入量Yl的顺序的截面示意图。
[0049] 图5是用于说明测定进入量Xl和进入量Yl的顺序的截面示意图。
[0050] 图6是图5的局部放大图。
[0051] 图7是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
[0052] 图8是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
[0053] 图9是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
[0054] 图10是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
[0055] 图11是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示意图。
【具体实施方式】
[0056] W下，对本发明的实施方式边参照附图边进行说明。其中，本发明不仅限于运些实 施方式。
[0057] (中空型电子器件密封用片）
[0058] 图1是本实施方式的中空型电子器件密封用片的截面示意图。如图1所示，中空型 电子器件密封用片IUW下，也称为"密封用片11")代表性地W层叠于聚对苯二甲酸乙二醇 醋（PET)膜等隔片Ila上的状态提供。此外，为了容易进行密封用片11的剥离，可W对隔片 Ila实施脱模处理。
[0059] 此外，本实施方式中，对仅在中空型电子器件密封用片的一个面层叠隔片的情况 进行说明，但本发明不限于该例，也可W在中空型电子器件密封用片的两面层叠隔片。此 时，可W在要使用前剥离一个隔片来使用。另外，本发明中，中空型电子器件密封用片可W 不层叠于隔片而W中空型电子器件密封用片的单体提供。另外，在不违反本发明的主旨的 范围内，也可W在中空型电子器件密封用片上层叠其他层。
[0060] (中空型电子器件密封用片）
[0061 ] 密封用片11通过下述步骤A~步骤G的顺序测定的进入量Xl为化mW上且50miW 下、且由进入量Yl减去进入量Xl后的值(Yl-Xl)为60皿W下。
[0062] 所述进入量Xl优选为0皿W上且20皿W下。
[0063] 另外，所述(Yl-Xl)优选为30曲iW下，更优选为10曲iW下。
[0064] 步骤A，准备将下述规格的1个模拟忍片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟忍片 安装基板，
[0065] 步骤B，准备长1cm、宽1cm、厚220皿的尺寸的中空型电子器件密封用片的样品，
[0066] 步骤C，将所述样品配置在所述模拟忍片安装基板的所述模拟忍片上，
[0067] 步骤D，在下述埋入条件下，将所述模拟忍片埋入所述样品，
[0068] 步骤E，在所述步骤D后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟忍片与所述玻璃基 板之间的中空部的进入量XI，
[0069 ] 步骤F，在所述步骤E后，在150°C的热风干燥机中放置1小时，使所述样品热固化而 得到密封体样品、和
[0070] 步骤G，测定所述树脂向所述密封体样品中的所述中空部的进入量Y1。
[0071] <模拟忍片的规格〉
[0072] 忍片尺寸为长3mm、宽3mm、厚200皿，形成有高50皿的树脂凸块。
[0073] <埋入条件〉
[0074] 压制方法:平板压制
[0075] 溫度:75°C
[0076] 加压力：3000k化
[0077] 真空度:1.6kPa [007引压制时间：1分钟
[0079] W下，对求出进入量Xl和由进入量Yl减去进入量Xl后的值的方法进行说明。
[0080] 图2~图5是用于说明测定进入量Xl和进入量Yl的顺序的截面示意图。图6是图5的 局部放大图。
[00川（步骤A)
[0082] 步骤A中，如图2所示，准备1个模拟忍片113利用树脂凸块113a安装于玻璃基板112 的模拟忍片安装基板115。模拟忍片113的规格如下。模拟忍片安装基板115更具体地通过实 施例记载的方法准备。
[0083] <模拟忍片113的规格〉
[0084] 忍片尺寸为长3mm、宽3mm、厚200皿，形成有高50皿的树脂凸块113a。
[0085] (步骤 B)
[0086] 步骤B中，如图3所示，准备长1 cm、宽1 cm、厚220皿的尺寸的样品111。样品111使用 与密封用片11相同的材料，制成长1cm、宽1cm、厚220皿的尺寸。本实施方式中，对样品111层 叠于隔片Illa上的情况进行说明。可W例如首先制成长IOcmW上、宽IOcmW上、厚220WI1的 密封用片11，之后，切成长1cm、宽1cm、厚220皿的尺寸，由此制成样品111。此夕h密封用片11 本身无需为长1cm、宽1cm、厚220曲1的尺寸。
[0087] (步骤 C)
[0088] 步骤C中，如图4所示，将样品111配置在模拟忍片安装基板115的模拟忍片113上。 例如，在下侧加热板122上，将固定有模拟忍片113的面朝上地配置模拟忍片安装基板115， 并同时在模拟忍片113面上配置样品111。该步骤中，可W首先在下侧加热板122上配置模拟 忍片安装基板115,之后，在模拟忍片安装基板115上配置样品111，也可W先在模拟忍片安 装基板115上层叠样品111，之后，在下侧加热板122上配置模拟忍片安装基板115和样品111 层叠而成的层叠物。
[0089] (步骤 D)
[0090] 步骤C之后，在步骤D中，如图5所示，在下述埋入条件下，在样品111中埋入模拟忍 片113。具体地，在下述埋入条件下，通过平板压制所具备的下侧加热板122和上侧加热板 124进行热压，将模拟忍片113埋入样品111。之后，在大气压、常溫(25°C)放置。放置时间设 置为24小时W内。
[0091 ] <埋入条件〉
[0092] 压制方法:平板压制
[0093] 溫度:75°C
[0094] 加压力：3000k化
[0095] 真空度:1.6kPa
[0096] 压制时间：1分钟
[0097] (步骤 E)
[009引步骤D之后，步骤E中，测定构成样品111的树脂向模拟忍片113与玻璃基板112之间 的中空部114的进入量X1 (参照图6)。进入量X1为从模拟忍片113的端部向中空部114进入的 树脂的最大到达距离。
[0099] (步骤 F)
[0100] 在所述步骤E后，将模拟忍片113埋入样品111的结构物在150°C的热风干燥机中放 置1小时，使样品111热固化而得到密封体样品。
[0101] (步骤 G)
[0102] 所述步骤F之后，测定所述树脂向所述密封体样品中的中空部114的进入量Y1。进 入量Yl为从模拟忍片113的端部向中空部114进入的树脂的最大到达距离。
[0103] 之后，求出由进入量Yl减去进入量Xl后的值。
[0104] 通过W上，对求出进入量Xl和由进入量Yl减去进入量Xl后的值的方法进行说明。
[0105] 密封用片11如上所述，通过步骤A~步骤G的顺序测定的进入量Xl为OwiiW上且50y m W下、且由进入量Yl减去所述进入量Xl后的值为60]im W下。
[0106] 由于所述进入量Xl为OwnW上且SOwiiW下，因此在实际的中空型电子器件封装件 的制造中，将电子器件埋入密封用片11时，可W使树脂适度进入电子器件与被粘物之间的 中空部。
[0107] 另外，由于由所述进入量Yl减去所述进入量Xl后的值为60皿W下，因此在实际的 中空型电子器件封装件的制造中，可W抑制使密封用片11热固化时的中空部中的树脂的流 动。
[0108] 像运样，利用密封用片11，在实际的中空型电子器件封装件的制造中，可W在容易 控制树脂向中空部的进入量的埋入时使树脂进入中空部、且可W抑制难W控制的热固化时 的树脂的移动量。其结果，可W抑制进入中空部的树脂的量在每个封装件中不均。
[0109] 此外，使用进入量Xl和由进入量Yl减去所述进入量Xl后的值来评价密封用片11的 物性，是为了在设定实际的中空型电子器件封装件的制造的条件下进行评价。其中，运些评 价中的条件有时当然与实际的中空型电子器件封装件的制造中的条件不同。
[0110] 另外，所述进入量Yl优选为llOwnW下，更优选为gOwnW下。在中空型电子器件封 装件中，凸块、形成于电子器件的能动面多设置于距离电子器件的端部在中空部方向llOwn W上的内侧。因此，若将所述进入量Yl设置为110皿W下，则变得能可靠地作为中空型电子 器件封装件发挥作用。
[0111] 密封用片11的90°C时的粘度优选为300k化? SW上，更优选为350k化? SW上，进 一步优选为400k化? sW上。若密封用片11的90°C的粘度为300k化? sW上而为较高的粘 度，则可W抑制通过热固化时的热而软化、在中空部内流动。
[0112] 另外，密封用片11的90°C的粘度优选为600k化? SW下，更优选为500k化? SW下。 若密封用片11的90°C的粘度为600k化? sW下，则可W将电子器件适当地埋入密封用片11。 此外，规定9(TC的粘度是为了设定在热固化时成为最低烙融粘度的附近的溫度，运是因为 若在太高的溫度下进行测定，则密封用片11的热固化开始，从而值会不均。
[0113] 作为密封用片11的9(TC的粘度的控制的方法，可举出下述的方法等：调整下述热 塑性树脂的种类或含量、无机填充剂的含量等的方法、或通过制成用于形成密封用片11的 清漆或混炼物时的揽拌条件进行调整的方法。
[0114] 密封用片11优选含有环氧树脂和酪醒树脂。由此，能够得到良好的热固化性。
[0115] 作为环氧树脂，没有特别限定。例如可W使用苯甲烧型环氧树脂、甲酪线性酪 醒型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酪A型环氧树脂、双酪A型环氧树脂、双酪F型环氧树 月旨、改性双酪F型环氧树脂、二环戊二締型环氧树脂、苯酪线性酪醒型环氧树脂、苯氧基树脂 等各种环氧树脂。运些环氧树脂可W单独使用，也可W两种W上并用。
[0116] 从确保环氧树脂固化后的初性和环氧树脂反应性的观点出发，优选环氧当量为 150~250、软化点或烙点为50~130°C的在常溫下为固形的树脂，其中，从成型性和可靠性 的观点出发，更优选双酪F型环氧树脂、双酪A型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
[0117] 酪醒树脂只要是能与环氧树脂之间发生固化反应的树脂就没有特别限定。例如可 W使用:苯酪线性酪醒树脂、苯酪芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、二环戊二締型酪醒树脂、甲 酪线性酪醒树脂、甲阶树脂等。运些酪醒树脂可W单独使用，也可W两种W上并用。
[0118] 作为酪醒树脂，从与环氧树脂的反应性的观点出发，优选使用径基当量为70~ 250、软化点为50~Iior的树脂，其中，从固化反应性高且价格便宜的观点出发，可W适宜 使用苯酪线性酪醒树脂。此外，从可靠性的观点出发，还可W适当地使用苯酪芳烷基树脂、 联苯芳烷基树脂运样的低吸湿性酪醒树脂。
[0119] 环氧树脂与酪醒树脂的配合比例，从固化反应性的观点出发，相对于环氧树脂中 的环氧基1当量，优选使酪醒树脂中的径基合计为0.7~1.5当量进行配合，更优选为0.9~ 1.2当量。
[0120] 密封用片11中的环氧树脂和酪醒树脂的总含量下限优选为5.0重量％ ^上，更优 选为7.0重量％^上。如果为5.0重量％^上，则能够良好地获得对电子器件、基板等的粘接 力。另一方面，所述总含量的上限优选为25重量％^下，更优选为20重量％ ^下。如果为25 重量％^下，则能够降低密封用片的吸湿性。
[0121] 密封用片11优选含有热塑性树脂。由此，能够使得到的密封用片的耐热性、晓性、 强度得到提高。
[0122] 作为热塑性树脂，可W列举:天然橡胶、下基橡胶、异戊二締橡胶、氯下橡胶、乙締- 乙酸乙締醋共聚物、乙締-丙締酸共聚物、乙締-丙締酸醋共聚物、聚下二締树脂、聚碳酸醋 树脂、热塑性聚酷亚胺树脂、6-尼龙或6,6-尼龙等聚酷胺树脂、苯氧基树脂、丙締酸系树脂、 阳T或PBT等饱和聚醋树脂、聚酷胺酷亚胺树脂、氣树脂、苯乙締-异下締-苯乙締嵌段共聚物 等。运些热塑性树脂可W单独使用，或者两种W上并用。其中，从容易得到晓性、与环氧树脂 的分散性良好的观点出发，优选丙締酸系树脂。
[0123] 作为所述丙締酸系树脂，没有特别限定，可W举出W-种或两种W上的丙締酸或 甲基丙締酸的醋为成分的聚合物(丙締酸系共聚物)等，其中，丙締酸或甲基丙締酸的醋是 具有碳原子数30W下、特别是碳原子数4~18的直链或支链烷基的丙締酸或甲基丙締酸的 醋。作为所述烷基，例如可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正下基、叔下基、异下基、戊基、异 戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烧 基、月桂基、十=烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷基等。
[0124] 所述丙締酸系树脂的玻璃化转变溫度(Tg)优选为50°C W下，更优选为-70~20°C， 进一步优选为-50~0°C。通过设定为50°C W下，可W使片材具有晓性。
[0125] 所述丙締酸系树脂之中，优选重均分子量为5万W上的树脂，更优选为10万~200 万的树脂，进一步优选为30万~160万的树脂。如果在所述数值范围内，则能够进一步提高 密封用片11的粘度和晓性。需要说明的是，重均分子量是利用GPC(凝胶渗透色谱)法测定并 通过聚苯乙締换算而得到的值。
[0126] 另外，作为形成所述聚合物的其他单体，没有特别限定，例如可列举:丙締酸、甲基 丙締酸、丙締酸簇乙醋、丙締酸簇戊醋、衣康酸、马来酸、富马酸或己豆酸等运样的含簇基单 体、马来酸酢或衣康酸酢等运样的酸酢单体、（甲基)丙締酸2-径基乙醋、（甲基)丙締酸2-径 基丙醋、（甲基)丙締酸4-径基下醋、（甲基）丙締酸6-径基己醋、（甲基)丙締酸8-径基辛醋、 (甲基)丙締酸10-径基癸醋、（甲基)丙締酸12-径基月桂醋或丙締酸(4-径甲基环己基）甲醋 等运样的含径基单体、苯乙締横酸、締丙基横酸、2-(甲基)丙締酷胺-2-甲基丙横酸、（甲基） 丙締酷胺丙横酸、（甲基）丙締酸横丙醋或（甲基）丙締酷氧基糞横酸等运样的含横酸基单 体、或者2-径乙基丙締酷基憐酸醋等运样的含憐酸基单体。其中，从与环氧树脂反应而能够 提高密封用片11粘度的观点出发，优选含有含簇基单体、含缩水甘油基(环氧基)单体、含径 基单体中的至少一种。
[0127] 密封用片11中热塑性树脂的含量优选为0.5重量％ ^上，更优选为1.0重量％ W 上。如果所述含量为0.5重量％^上，则能得到密封用片的柔软性、晓性。密封用片11中热塑 性树脂的含量优选为10重量％ ^下，更优选为5重量％ ^下。如果为10重量％ ^下，则密封 用片对于电子器件、基板的粘接性良好。
[0128] 密封用片11优选含有无机填充剂。
[0129] 所述无机填充剂没有特别限定，可W使用现有公知的各种填充剂，例如可列举:石 英玻璃、滑石、二氧化娃(烙融二氧化娃、结晶性二氧化娃等）、氧化侣、氮化侣、氮化娃、氮化 棚的粉末。它们可W单独使用，也可W两种W上并用。其中，从能够良好地降低线性膨胀系 数的理由出发，优选二氧化娃、氧化侣，更优选二氧化娃。
[0130] 作为二氧化娃，优选二氧化娃粉末，更优选烙融二氧化娃粉末。作为烙融二氧化娃 粉末，可W列举:球状烙融二氧化娃粉末、破碎烙融二氧化娃粉末，从流动性的观点出发，优 选球状烙融二氧化娃粉末。
[0131] 密封用片11优选在69~86体积％的范围内含有无机填充剂。所述含量更优选为75 体积％ ^上，进一步优选为78体积％ ^上。如果在69~86体积％的范围内含有无机填充剂， 则可W使热膨胀系数接近SAW忍片13。其结果，能够抑制封装件的翅曲。进一步，如果在69~ 86体积％的范围内含有无机填充剂，则可W降低吸水率。
[0132] 所述无机填充剂是二氧化娃时，所述无机填充剂的含量也可WW"重量％"为单位 来说明。密封用片11中二氧化娃的含量优选为80~92重量％，更优选为85~92重量％。
[0133] 优选使用平均粒径在20wiiW下范围的无机填充剂，更优选使用0.1~15WI1范围的 无机填充剂，特别优选使用0.5~IOmi范围的无机填充剂。
[0134] 另外，作为所述无机填充剂，也可W使用两种W上平均粒径不同的无机填充剂。使 用两种W上平均粒径不同的无机填充剂时，所述的"无机填充剂的平均粒径为20皿W下"是 指无机填充剂整体的平均粒径为20WI1W下。
[0135] 所述无机填充剂的形状没有特别限定，可W是球状(包括楠球体状）、多面体状、多 棱柱状、扁平状、不定形状等任意形状，但从实现中空结构附近的高填充状态、适度的流动 性的观点出发，优选球状。
[0136] 密封用片11中含有的所述无机填充剂优选在利用激光衍射散射法测定的粒度分 布中具有两个峰。例如可W通过混合两种平均粒径不同的无机填充剂得到运样的无机填充 剂。如果使用粒度分布中具有两个峰的无机填充剂，则可高密度填充无机填充剂。其结果， 能够更加提高无机填充剂的含量。
[0137] 所述两个峰没有特别限定，优选粒径较大一侧的峰在3~30WI1的范围内，粒径较小 一侧的峰在0.1~Iwii的范围内。如果所述两个峰在所述数值范围内，则能够更加提高无机 填充剂的含量。
[0138] 具体而言，所述粒度分布可W通过下面的方法得到。
[0139] (a)将密封用片11投入相锅，在大气气氛下，700°C下灼烧2小时使其灰化。
[0140] (b)使得到的灰分分散至纯水中，超声波处理10分钟，利用激光衍射散射式粒度分 布测量装置（贝克曼库尔特公司制、"LS 13 320";湿式法)求出粒度分布(体积基准）。
[0141] 需要说明的是，作为密封用片11的组成，除了无机填充剂之外为有机成分，通过所 述的灼烧处理实际上全部的有机成分已被烧掉，因此将得到的灰分视为无机填充剂进行测 量。需要说明的是，平均粒径的计算与粒度分布也可W同时进行。
[0142] 密封用片11的无机填充剂优选预先用硅烷偶联剂进行表面处理。
[0143] 作为所述硅烷偶联剂，只要是具有甲基丙締酷氧基或丙締酷氧基且能够进行无机 填充剂表面处理的物质，就没有特别限定。作为所述硅烷偶联剂的具体例子，可列举:3-甲 基丙締酷氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基=甲氧基硅烷、3-甲基丙締 酷氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基=乙氧基硅烷、甲基丙締酷氧基辛 基=甲氧基硅烷、甲基丙締酷氧基辛基=乙氧基硅烷。其中，从反应性和成本的观点出发， 优选3-甲基丙締酷氧基丙基=甲氧基硅烷。
[0144] 用硅烷偶联剂处理无机填充剂的表面时，会产生逸出气体(例如，甲醇）。因此，在 制作密封用片11的前阶段就预先用硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理的话，就可在此 阶段中排除一定程度的逸出气体。其结果，在制作密封用片11时能够抑制封闭在片材内的 逸出气体的量，可W减少空隙的产生。
[0145] 密封用片11含有预先被作为硅烷偶联剂的具有甲基丙締酷氧基或丙締酷氧基的 化合物进行了表面处理的无机填充剂时，相对于无机填充剂100重量份，所述无机填充剂优 选预先用0.5~2重量份的硅烷偶联剂进行表面处理。
[0146] 如果用硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理的话，可W抑制密封用片11的粘度 变得过大，但如果硅烷偶联剂的量多，则逸出气体的产生量也增加。因此，即使对无机填充 剂预先进行了表面处理，在制作密封用片11时产生的逸出气体也会导致密封用片11的性能 下降。另一方面，如果硅烷偶联剂的量少，则有时粘度变得过大。因此，相对于无机填充剂 100重量份，如果用0.5~2重量份的硅烷偶联剂对无机填充剂预先进行表面处理的话，则在 能够适当降低粘度的同时，还能够抑制逸出气体导致的性能下降。
[0147] 密封用片11含有预先被作为硅烷偶联剂的具有甲基丙締酷氧基或丙締酷氧基的 化合物进行了表面处理的无机填充剂、并且使用混合有两种平均粒径不同的无机填充剂的 物质作为所述无机填充剂时，优选至少预先用硅烷偶联剂对平均粒径较小的无机填充剂进 行表面处理。平均粒径较小的无机填充剂比表面积更大，因此更能抑制粘度的上升。
[0148] 另外，使用混合有两种平均粒径不同的无机填充剂的物质作为所述无机填充剂 时，更优选预先用硅烷偶联剂对平均粒径较小的无机填充剂与较大的无机填充剂两者进行 表面处理。在此情况下，更能进一步抑制粘度的上升。
[0149] 密封用片11优选含有固化促进剂。
[0150] 作为固化促进剂，只要是能使环氧树脂与酪醒树脂的固化进行的物质就没有特别 限定，例如，可列举:S苯基麟、四苯基鱗四苯基棚酸盐等有机憐系化合物;2-苯基-4,5-二 径基甲基咪挫、2-苯基-4-甲基-5-径基甲基咪挫等咪挫系化合物;等。其中，从反应性良好 且固化物的Tg容易升高的理由出发，优选咪挫系化合物。咪挫系化合物中，在可W加快热固 化时的粘度上升方面，优选2-苯基-4-甲基-5-径基甲基咪挫。
[0151] 相对于环氧树脂和酪醒树脂的总量100重量份，固化促进剂的含量优选为0.1~5 重量份。
[0152] 根据需要，密封用片11也可W含有阻燃剂成分。由此，能够减小因部件短路、发热 等而起火时的燃烧扩大。作为阻燃剂组分，例如可W使用:氨氧化侣、氨氧化儀、氨氧化铁、 氨氧化巧、氨氧化锡、复合化金属氨氧化物等各种金属氨氧化物;憐腊系阻燃剂等。
[0153] 密封用片11优选含有颜料。作为颜料，没有特别限定，可W列举出炭黑等。
[0154] 密封用片11中颜料的含量优选为0.1~2重量％。如果为0.1重量％ ^上，则能够获 得良好的标记性。如果为2重量％^下，则能够确保固化后密封用片的强度。
[0155] 需要说明的是，在树脂组合物中，除了所述各成分W外，还可W根据需要适当配合 其它添加剂。
[0156] 密封用片11的厚度没有特别限定，例如为100~2000WI1。如果在所述范围内，则能 够良好地密封电子器件。
[0157] 密封用片11可W是单层结构，也可W是两个W上密封用片层叠而成的多层结构。
[0158] [中空型电子器件密封用片的制造方法]
[0159] 密封用片11可由W下方法形成:在适当溶剂中将用于形成密封用片11的树脂等溶 解、分散，制备清漆，W规定厚度在隔片Ila上涂布该清漆而形成涂膜后，在规定条件下干燥 该涂膜。涂布方法没有特别限定，例如可列举:漉涂、丝网涂布、凹版涂布等。此外，作为干燥 条件，例如在干燥溫度70~160°C、干燥时间1~30分钟的范围内实施。
[0160] 另外，作为其他方法，在支承体上涂布所述清漆形成涂膜后，也可W在所述干燥条 件下干燥涂膜形成密封用片11。随后，将密封用片11与支承体一起粘贴到隔片Ila上。特别 是密封用片11含有热塑性树脂(丙締酸系树脂）、环氧树脂、酪醒树脂时，将运些全部溶解至 溶剂之后，再进行涂布、干燥。作为溶剂，可举出甲乙酬、乙酸乙醋、甲苯等。
[0161] 另外，密封用片11可W通过混炼挤出来制造。作为通过混炼挤出来制造的方法，可 举出例如:通过用混合漉、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机将用于形成密封用片11的 各成分烙融混炼，由此制备混炼物，将得到的混炼物进行增塑加工而形成为片状的方法等。
[0162] 具体地，不将烙融混炼后的混炼物冷却而直接在高溫状态下进行挤出成形，由此 可W形成密封用片。作为运样的挤出方法，没有特别限制，可举出T模头挤出法、漉社制法、 漉混炼法、共挤出法、压延成形法等。作为挤出溫度，优选所述的各成分的软化点W上，若考 虑环氧树脂的热固化性和成形性，则例如为40~150°C，优选为50~140°C，进一步优选为70 ~120°C。通过W上，可W形成密封用片11。
[0163] [中空型电子器件封装件的制造方法]
[0164] 本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法至少包括：
[0165] 准备利用凸块将电子器件固定在被粘物上的层叠体的工序、
[0166] 准备中空型电子器件密封用片的工序、
[0167] 将所述中空型电子器件密封用片配置在所述层叠体的所述电子器件上的工序、
[0168] 通过热压，将所述电子器件埋入所述中空型电子器件密封用片的工序、和
[0169] 在所述埋入工序后，使所述中空型电子器件密封用片热固化而得到密封体的工 序，
[0170] 将在所述埋入工序后、且得到所述密封体的工序前的状态时的构成所述中空型电 子器件密封用片的树脂向所述电子器件与所述被粘物之间的中空部的进入量设为X2,将得 到所述密封体的工序后的状态时的所述树脂向所述中空部的进入量设为Y2时，所述进入量 X2为OwiiW上且SOwiiW下、且由所述进入量Y2减去所述进入量X2后的值为eOwiiW下。
[0171] 作为所述被粘物，没有特别限定，例如，可举出印刷电路基板、陶瓷基板、娃基板、 金属基板等。本实施方式中，通过密封用片11对搭载在印刷电路基板12上的SAW忍片13进行 中空密封，制作中空封装件。需要说明的是，SAW忍片13是指具有SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器的忍片。即，本实施方式中对本发明的电子器件具有SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器的忍片的情形进行说明。
[0172] 图7~图11是用于说明本实施方式的中空型电子器件封装件的制造方法的截面示 意图。
[0173] (准备层叠体的工序）
[0174] 本实施方式的中空封装件的制造方法中，首先，准备在印刷电路基板12上搭载有 多个SAW忍片13 (SAW滤波器13)的层叠体15 (参照图7)。SAW忍片13可W通过利用公知方法对 形成有规定梳状电极的压电晶体进行切割使其单片化而形成。在SAW忍片13搭载到印刷电 路基板12中，可W使用倒装忍片接合机、忍片接合机等公知的装置。SAW忍片13与印刷电路 基板12经由凸点13a进行电连接。此外，SAW忍片13与印刷电路基板12之间保持有中空部14， 使得不会阻碍SAW滤波器表面的表面弹性波的传播。可W适当设定SAW忍片13与印刷电路基 板12之间的距离（中空部的宽度），通常为10~IOOwii左右。
[0175] (准备中空型电子器件密封用片的工序）
[0176] 另外，本实施方式的中空封装件的制造方法中，准备密封用片11(参照图1)。
[0177] (配置中空型电子器件密封用片的工序）
[0178] 接着，如图8所示，在下侧加热板22上，将固定有SAW忍片13的面朝上而配置层叠体 15,并同时在SAW忍片13面上配置密封用片11。该工序中，可W在下侧加热板22上首先配置 层叠体15,然后在层叠体15上配置密封用片11，也可W在层叠体15上先层叠密封用片11，然 后将层叠有层叠体15和密封用片11的层叠物配置在下侧加热板22上。
[0179] (将电子器件埋入中空型电子器件密封用片的工序）
[0180] 接着，如图9所示，通过下侧加热板22和上侧加热板24进行热压，将SAW忍片13埋入 密封用片11。下侧加热板22和上侧加热板24可W是平板压制所具备的构件。密封用片11作 为用于保护SAW忍片13和附属于其的要素免受外部环境影响的密封树脂起作用。
[0181] 该埋入工序W构成密封用片11的树脂向SAW滤波器13与印刷布线基板12之间的中 空部14的进入量X2为OwnW上且SOwiiW下的方式进行。所述进入量X2优选为OwnW上且30曲1 W下，更优选为OwnW上且20WI1W下。作为将所述进入量X2设置为OwnW上且SOwiiW下的方 法，可W通过调整密封用片11的粘度、或调整热压条件来达成。更具体地，可举出例如将压 力和溫度设定得较高的方法。
[0182] 此外，若将密封用片11的粘度设定得较高，则需要将压力和溫度设定得更高，但若 将密封用片11的粘度设定得较高，则此后的热固化工序中可W减少构成密封用片11的树脂 的流动。
[0183] 因此，优选在能将进入量X2设置为OwiiW上且SOwiiW下的程度内，提高密封用片11 的粘度，同时将压力和溫度设定得更高的方法。
[0184] 具体地，作为将SAW忍片13埋入密封用片11时的热压条件，根据密封用片11的粘度 等而不同，但溫度优选为40~150°C，更优选为60~120°C，压力例如为0.1~lOMPa，优选为 0.2~SMPa，时间例如为0.3~10分钟，优选为0.5~5分钟。作为热压方法，可举出平行平板 压制、漉压制。其中，优选平行平板压制。通过将热压条件设置在所述数值范围内，变得容易 将进入量X2设置在所述数值范围内。
[0185] 另外，若考虑密封用片11对SAW忍片13和印刷布线基板12的密合性和追随性的提 高，则优选在减压条件下进行压制。
[0186] 作为所述减压条件，压力例如为0.1~化化，优选为0.1~IOOPa，减压保持时间（从 减压开始到压制开始的时间）例如为5~600秒，优选为10~300秒。
[0187] (隔片剥离工序）
[0188] 接着，像本实施方式那样，在单面带有隔片的状态下使用密封用片11时，剥离隔片 lla(参照图10)。
[0189] (进行热固化而得到密封体的工序）
[0190] 接着，使密封用片11热固化而得到密封体25。
[0191] 将得到密封体25的工序后的状态时的所述树脂向中空部14的进入量设为Y2时，W 由所述进入量Y2减去所述进入量X2后的值为60]imW下的方式进行得到该密封体的工序。由 所述进入量Y2减去所述进入量X2后的值优选为30皿W下，更优选为10皿W下。作为将由所 述进入量Y2减去所述进入量X2后的值设置为60WI1W下的方法，可W通过调整密封用片11的 固化前的粘度、或W加热时的固化速度变快的方式调整密封用片11的构成材料来达成。更 具体地，若将密封用片11的粘度设定得更高，则通过热固化时的热，可W抑制直到热固化的 期间树脂流动的量。另外，若W加热时的固化速度变快的方式调整密封用片11的构成材料， 则可W缩短流动时间，可W抑制流动的量。
[0192] 具体地，作为热固化处理的条件，根据密封用片11的粘度、构成材料等而不同，但 加热溫度优选为l〇〇°CW上，更优选为120°CW上。另一方面，加热溫度的上限优选为200°C W下，更优选为180°C W下。加热时间优选为10分钟W上，更优选为30分钟W上。另一方面， 加热时间的上限优选为180分钟W下，更优选为120分钟W下。此外，根据需要可W加压，优 选为0.1 MPa W上，更优选为0.5MPa W上。另一方面，上限优选为IOMPa W下，更优选为SMPa W 下。
[0193] 通过将热固化处理的条件设置在所述数值范围内，容易将从埋入工序后到热固化 工序后的期间的树脂的流动距离、即将由进入量Y2减去所述进入量X2后的值设置为60wiiW 下。
[0194] 仅密封1个作为电子器件的SAW滤波器13时，可W将密封体25制成1个中空型电子 器件封装件。另外，将多个SAW滤波器13-起密封时，通过将SAW滤波器分别分割，可W分别 制成1个中空型电子器件封装件。即，像本实施方式那样，在将多个SAW滤波器13-起密封 时，进一步，可W进行下述的构成。
[0195] (切割工序）
[0196] 热固化工序后，可W切割密封体25(参照图6)。由此，可W得至化AW忍片13单元的中 空封装件18(中空型电子器件封装件）。
[0197] (基板安装工序）
[0198] 可W根据需要，进行如下工序:对中空封装件18形成凸点，再将其安装在另外的基 板(没有图示）的基板安装工序。在将中空封装件18向基板的安装中，可W使用倒装忍片接 合机、忍片接合机等公知的装置。
[0199] 上述的实施方式中，对本发明的中空型电子器件是作为具有可动部的半导体忍片 的SAW忍片13的情况进行了说明。但是，只要本发明的中空型电子器件在被粘物与电子器件 之间具有中空部，则不限定于该例。例如，也可W是作为可动部具有压力传感器、振动传感 器等MEMS(MicrC) Electro Mechanical Systems)的半导体忍片。
[0200] 另外，上述的本实施方式中，对使用中空型电子器件密封用片、通过平行平板压制 埋入电子器件的情况进行了说明，但本发明不限于该例，也可W在真空状态的真空腔室内， 用脱模膜将电子器件与中空型电子器件密封用片的层叠物密闭后，在腔室内导入大气压W 上的气体，将电子器件埋入中空型电子器件密封用片的热固化性密封用片。具体地，也可W 通过在日本特开2013-52424号公报中记载的方法，将电子器件埋入中空型电子器件密封用 片的热固化性密封用片。
[0201] 另外，上述的实施方式中，对使用了密封用片11的中空型电子器件封装件的制造 方法进行了说明，但只要所述进入量X2为Own W上且SOwiiW下、且由所述进入量Y2减去所述 进入量X2后的值为60皿W下即可，可使用任意中空型电子器件密封用片。例如，使用W往公 知的中空型电子器件密封用片，通过控制埋入工序中的热压条件、热固化而得到密封体的 工序中的热固化处理的条件，可W达成所述进入量X2为0皿W上且50皿W下、且由所述进入 量Y2减去所述进入量X2后的值为eOwiiW下。其中，使用密封用片11时容易达成。
[0202] 实施例
[0203] 下面举例详细说明本发明的优选实施例。其中，关于该实施例中记载的材料、配合 量等，只要没有特别限定的记载，就不能将本发明的范围仅限定于运些材料、配合量。
[0204] 对在实施例中使用的密封用片的成分进行说明。
[0205] 环氧树脂：新日铁化学株式会社制的YSLV-80XY(双酪F型环氧树脂、环氧当量 200g/eq.、软化点 80°C)
[0206] 酪醒树脂:群荣化学制的LVR8210DL(线性酪醒树脂、径基当量104g/eq.、软化点60 °〇
[0207] 热塑性树脂:根上工业株式会社制的HME-2006M(含簇基的丙締酸醋共聚物、重均 分子量:约60万、玻璃化转变溫度(Tg): -35 °C)
[0208] 无机填充剂A:电气化学工业株式会社制的FB-5SDC(平均粒径如m、未作表面处理）
[0209] 无机填充剂B:对株式会社Admatechs制的S0-25R(平均粒径0.5皿)用3-甲基丙締 酷氧基丙基S甲氧基硅烷(信越化学株式会社制的产品名:KBM-503)进行表面处理得到的 无机填充剂。相对于无机填充剂B的100重量份，用1重量份的硅烷偶联剂进行表面处理。
[0210] 炭黑菱化学株式会社制造的#20
[0211] 固化促进剂：四国化成工业株式会社制造的2P4M监-PW(2-苯基-4-径基甲基5-甲 基咪挫）
[0212] [实施例和比较例的电子器件密封用片的制成]
[0213] 按照表1中记载的密封用片的配比，使各成分溶解、分散在作为溶剂的甲乙酬中， 得到浓度85重量％的清漆。将该清漆涂布在娃酬脱模处理后的隔片上后，在Iior下干燥5 分钟。由此，得到厚度为55WI1的片材。将该片材层叠4层，制作厚度为220WI1的中空密封用片。
[0214] (密封用片的90°C的粘度测定）
[0215]使用流变仪(HAAKE公司制、MARS III)利用平行板法现慢实施例和比较例中制作 的密封用片的90°C的粘度。更详细地，在间隙1mm、平行板直径8mm、旋转速率5、应变 0.05%、升溫速率10°C/分钟的条件下，在50°C~130°C的范围内测定粘度，读取此时的90°C 的值。结果如表1所示。
[0216](树脂向封装件中空部的进入性评价） 脚7] <步骤A〉
[0218] 首先，准备下述规格的1个模拟忍片利用树脂凸块安装于玻璃基板（长76mm、宽 26mm、厚1.0mm)的模拟忍片安装基板。玻璃基板与模拟忍片间的间隙宽度为50WI1。
[0219] <模拟忍片的规格〉
[0220] 忍片尺寸为长3mm、宽3mm、厚200皿，形成有高50皿、直径100皿的树脂凸块(树脂的 材质:丙締酸系树脂）。凸块数为117凸块。凸块的配置位置为300皿间距。模拟忍片的材质为 娃晶片。
[0221] 具体地，通过在下述接合条件下，将所述模拟忍片安装于所述玻璃基板，由此准备 了模拟忍片安装基板。
[0。^ <接合条件〉
[0223]装置:松下电工(株)制
[0224] 接合条件:200°C、3N、1秒钟、超声波功率2W
[02巧] < 步骤B〉
[0226] 将通过所述实施例、比较例制成的厚220WI1的密封用片切成长1cm、宽Icm而制成样 品。
[0227] < 步骤 C〉
[0228] 将所述样品配置在所述模拟忍片安装基板的所述模拟忍片上。
[0229] < 步骤 D〉
[0230] 在下述埋入条件下，将所述模拟忍片埋入所述样品。
[0231 ] <埋入条件〉
[0232] 压制方法:平板压制
[0233] 溫度:75°C
[0234] 加压力：3000k化
[0235] 真空度:1.6kPa
[0236] 压制时间：1分钟
[0237] < 步骤 E〉
[0238] 向大气压开放后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟忍片与所述玻璃基板之间 的中空部的进入量XI。具体地，通过KEYENCE公司制造的商品名"digital microscope" (200 倍），测定树脂向模拟忍片与陶瓷基板之间的中空部的进入量XI。就树脂进入量Xl而言，测 定从SAW忍片的端部向中空部进入的树脂的最大到达距离，将其作为树脂进入量Xl。此外， 没有进入、中空部比SAW忍片更向外侧扩展时，用负号表示树脂进入量。将树脂进入量Xl为0 皿~50皿的情况评价为"〇"，将低于0皿或者大于50皿的情况评价为"X"。在表1中示出结 果。
[0239] < 步骤 F〉
[0240] 在所述步骤E后，在150°C的热风干燥机中放置1小时。由此，使所述样品热固化而 得到密封体样品。
[0241] < 步骤 G〉
[0242] 之后，测定树脂向密封体样品中的中空部的进入量Y1。测定方法与进入量Xl同样。
[0243] 之后，求出由进入量Yl减去进入量Xl后的值。在表1中示出结果。将由进入量Yl减 去进入量Xl后的值为60皿W下的情况评价为"〇"，将比60WI1大的情况评价为"X"。在表1中 示出结果。
[0244] 此外，比较例2在步骤D中产生了空隙，因此不能测定进入量Yl。因此，也没有求出 由进入量Yl减去进入量Xl后的值。
[0245] 酷]
[0246]
[0247] 符号说明
[024引11中空型电子器件密封用片(密封用片） [0249] 13 SAW滤波器(电子器件）
[0巧0] 14中空部
[0巧1] 15层叠体
[0252] 18中空型电子器件封装件
[0253] 25密封体
[0巧4] 112玻璃基板
[0巧5] 113模拟忍片
[0巧6] 113a树脂凸块
[0巧7] 114中空部
[025引115模拟忍片安装基板
【主权项】
1. 一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，通过下述步骤A~步骤G的顺序测定的 进入量XI为Ομπι以上且50μπι以下，且由进入量Y1减去所述进入量XI后的值为60μπι以下， 步骤Α:准备将下述规格的1个模拟芯片利用树脂凸块安装于玻璃基板的模拟芯片安装 基板， 步骤Β:准备长lcm、宽lcm、厚220μπι的尺寸的中空型电子器件密封用片的样品， 步骤C:将所述样品配置在所述模拟芯片安装基板的所述模拟芯片上， 步骤D:在下述埋入条件下，将所述模拟芯片埋入所述样品， 步骤Ε:在所述步骤D后，测定构成所述样品的树脂向所述模拟芯片与所述玻璃基板之 间的中空部的进入量XI， 步骤F:在所述步骤Ε后，在150Γ的热风干燥机中放置1小时，使所述样品热固化而得到 密封体样品，和 步骤G:测定所述树脂向所述密封体样品中的所述中空部的进入量Y1， <模拟芯片的规格> 芯片尺寸为长3臟、宽3臟、厚200μπι，形成有高50μπι的树脂凸块， <埋入条件> 压制方法:平板压制 温度：75°C 加压力：3〇〇〇kPa 真空度：1.6kPa 压制时间：1分钟。2. 根据权利要求1所述的中空型电子器件密封用片，其特征在于，90°C时的粘度为 300kPa · s以上。3. 一种中空型电子器件封装件的制造方法，其特征在于，包括： 准备利用凸块将电子器件固定在被粘物上的层叠体的工序、 准备中空型电子器件密封用片的工序、 将所述中空型电子器件密封用片配置在所述层叠体的所述电子器件上的工序、 通过热压，将所述电子器件埋入所述中空型电子器件密封用片的工序、和 在所述埋入工序后，使所述中空型电子器件密封用片热固化而得到密封体的工序， 将在所述埋入工序后且得到所述密封体的工序前的状态时的、构成所述中空型电子器 件密封用片的树脂向所述电子器件与所述被粘物之间的中空部的进入量设为X2,将得到所 述密封体的工序后的状态时的、所述树脂向所述中空部的进入量设为Y2时，所述进入量X2 为Ομπι以上且50μηι以下，且由所述进入量Y2减去所述进入量X2后的值为60μηι以下。
【文档编号】H01L21/56GK105938817SQ201610118460
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年3月2日
【发明人】土生刚志, 丰田英志, 市川智昭, 清水祐作
【申请人】日东电工株式会社