利用具有不同特征的电极层和/或层间绝缘层的三维闪存及其制造方法
【专利摘要】本发明的实施例通过使多个电极层每一个的物理性结构或材料等互不相同，可改善多个电极层的阈值电压散布，且因此能提高存储数据维持过程和读写过程中的信任度。
【专利说明】
利用具有不同特征的电极层和/或层间绝缘层的H维闪存及 其制造方法
技术领域
[0001] 本发明设及一种利用具有不同特征的电极层和/或层间绝缘层的=维闪存及其制 造方法，更具体来讲，设及一种通过使多个电极层分别具有不同的特征或使多个层间绝缘 层分别具有不同的特征，计算多个电极层的阔值电压分布（Thresho Id Vo Itage Distr化Ution)且使施加于多个层间绝缘层每一个的压力等级平均的=维闪存及其制造相 关的技术。
【背景技术】
[0002] 闪存元件作为电可擦可编程只读存储器化EPROM，Electrically Erasable Programmable Read Only Memo巧），其存储器可被共同应用于例如计算机、数码照相机、 MP3播放器、游戏系统、记忆棒(memo巧stick)等。所述闪存元件根据F-N隧道效应(Fowler- Nor化eim 1:unneling)或热电子注入化Ot electron injection)电控制数据的输入/输出。
[0003] 若从电路性的观点看所述闪存元件，存在NAND型闪存元件和NOR型闪存元件，所述 NAND型闪存元件具有如下结构：N个单元晶体管（Ce 11 transistor)串联形成单位串 (Shing)且运种单位串（string)在位线(bit line)与接地线(ground line)之间并联，NOR 型闪存元件具有如下结构:各个单元晶体管在位线和接地线之间并联。
[0004] 所述闪存元件必须设计为能存储高容量的数据。因此，在单位忍片内必须形成多 个单元晶体管。但在限定水平面积内高度集成单元晶体管并不容易。
[0005] S维存储器结构改善了 NAND闪存的二维缩放(Seal ing)的限度。S维NAND闪存的 结构包括例如嵌入式电流传感器(BICS,Built-In Current Sensor)结构W及改善BICS结 构的管道式(Piped Typed)的位成本可扩展(BiCS，Bit Cost Scalable)NAND闪存结构。
[0006] 本发明的实施例通过使多个电极层的物理结构或材料等互不相同，提供一种改善 多个电极层的阔值电压分布的=维闪存及其制造方法。
[0007] 并且，本发明的实施例通过不仅使多个电极层而且使层间绝缘层的物理结构或材 料等互不相同，提供一种使施加于每个层间绝缘层的压力等级平均的=维闪存及其制造方 法。
【发明内容】
[000引根据本发明的一个实施例的=维闪存，包括:通道层；多个电极层，与所述通道层 连接，且垂直层叠;和多个层间绝缘层，与所述通道层连接，且与所述多个电极层交替配置， 并且垂直层叠，其中，所述多个电极层的每一个具有互不相同的物理性结构，或由互不相同 的物质形成。
[0009] 所述多个电极层中第一电极层的厚度相比存在于所述第一电极层的上层的第二 电极层的厚度形成为更厚。
[0010] 所述多个电极层每一个的长度或形成在所述多个电极层每一个表面上的图案互 不相同。
[0011] 所述多个电极层中形成第一电极层的材料相比存在于所述第一电极层的上层的 第二电极层的材料具有更优良的电传导特性。
[0012] 所述多个电极层中至少两个电极层由互不相同的物质形成。
[0013] 所述多个电极层的每一个与所述通道层之间配置有层间氧化膜、氧化娃膜和隧道 氧化膜。
[0014] 根据本发明另一实施例的=维闪存，包括:通道层；多个电极层，与所述通道层连 接，且垂直层叠;和多个层间绝缘层，与所述通道层连接，且与所述多个电极层交替配置，并 且垂直层叠，其中，所述多个层间绝缘层的每一个由互不相同的物质形成或具有互不相同 的物理性结构。
[0015] 所述多个层间绝缘层中形成第一层间绝缘层的材料相比存在于所述第一层间绝 缘层的上层的第二层间绝缘层的材料具有更强的抗压特性。
[0016] 所述多个层间绝缘层中至少两个层间绝缘层由互不相同的物质形成。
[0017] 所述多个层间绝缘层中第一层间绝缘层的厚度相比存在于所述第一层间绝缘层 的上层的第二层间绝缘层的厚度形成为更厚。
[0018] 所述多个层间绝缘层每一个的长度或形成在所述多个层间绝缘层每一个表面上 的图案互不相同。
[0019] 所述多个电极层的每一个与所述通道层之间配置有层间氧化膜、氧化娃膜和隧道 氧化膜。
[0020] 根据本发明另一实施例的=维闪存，包括:通道层；多个电极层，与所述通道层连 接，且垂直层叠;和多个层间绝缘层，与所述通道层连接，且与所述多个电极层交替配置，并 且垂直层叠，其中，所述多个层间绝缘层的每一个由互不相同的物质形成或具有互不相同 的物理性结构，且所述多个电极层的每一个由互不相同的物质形成或具有互不相同的物理 性结构。
[0021] 本发明的实施例通过使多个电极层的物理结构或材料等互不相同，可提供一种改 善多个电极层的阔值电压分布的=维闪存及其制造方法。因此，可提高存储在=维闪存中 的数据的信任度。
[0022] 并且，本发明的实施例通过不仅使多个电极层而且使层间绝缘层的物理结构或材 料等互不相同，可提供一种使施加于每个层间绝缘层的压力等级平均的=维闪存及其制造 方法。
【附图说明】
[0023] 图1示出S维闪存的一般性剖视图。
[0024] 图2示出包括由同一物质形成且具有均一物理性结构的多个层间绝缘层的=维闪 存的剖视图。
[0025] 图3示出根据本发明的实施例包括由互不相同的物质形成且具有均一物理性结构 的多个层间绝缘层的=维闪存的剖视图。
[0026] 图4示出根据本发明的实施例包括由互不相同的物质形成且具有互不相同物理性 结构的多个层间绝缘层的=维闪存的剖视图。
[0027]图5示出包括具有均一物理性结构且由同一物质形成的多个电极层的=维闪存的 剖视图。
[00%]图6示出根据本发明的实施例包括具有互不相同的物理性结构且由同一物质形成 的多个电极层的S维闪存的剖视图。
[0029] 图7示出根据本发明的实施例包括具有互不相同的物理性结构且由互不相同的物 质形成的多个电极层的S维闪存的剖视图。
[0030] 图8是示出根据本发明一个实施例的包括=维闪存的存储装置的示图。
[0031] 图9是示出包括具有均一物理性结构且由同一物质形成的多个电极层的=维闪存 的结构的示图。
[0032] 图10是示出图9所示的S维闪存中阔值电压分布的图表。
[0033] 图11是示出根据多个电极层的每一个厚度的=维闪存中阔值电压分布的图表。
【具体实施方式】
[0034] W下，参考附图对本发明的实施例进行详细说明。但，本发明不局限或限定于实施 例。并且，各附图中显示的同一参考符号表示同一部件。
[0035] 图1示出S维闪存的一般性剖视图。
[0036] 参考图1，=维闪存包括作为垂直结构物的通道层110。即，通道层110针对基板(未 图示）垂直形成。在此，通道层可由单晶娃形成，例如可通过片状利用基板的选择性外延生 长工艺或相转移外延工艺等而形成。
[0037] 在通道层110周边可形成有隧道氧化膜120、氧化娃膜130和层间氧化膜140,且多 个电极层150垂直层叠。并且，在图1中虽未示出，但在多个电极层150之间可交替配置多个 层间绝缘层。
[0038] 虽然下面将进行详细说明，但形成在通道层110周边的隧道氧化膜120、氧化娃膜 130和层间氧化膜140通过俘获电荷可存储数据。但，在俘获电荷的过程中发生的外在压力 或内在压力或随着时间的经过电荷的扩散将会发生数据干扰。此时，在俘获电荷的过程中 发生的外在压力或内在压力分别不同地作用于多个层间绝缘层。例如，存在于上层部的层 间绝缘层会受到低等级的压力，存在于下层部的层间绝缘层会受到高等级的压力。
[0039] 并且，由于S维闪存的通道层110的电阻率根据位置而不同，因此多个电极层150 每一个的阔值电压的差异发生，从而阔值电压分布会扩散。运种阔值电压分布的扩散会使 存储的数据维持过程和读取过程中的信任度下降。此时，由于在多个电极层150每一个中流 过的电流密度不同，因此多个电极层150每一个的阔值电压会发生差异。例如，存在于上层 部的电极层具有高的电流密度，且存在于下层部的电极层具有相对低的电流密度。
[0040] 图2示出包括由同一物质形成且具有均一物理性结构的多个层间绝缘层的=维闪 存的剖视图。
[0041] 参考图2,由于S维闪存的结构问题，在与多个电极层210交替配置的多个层间绝 缘层220中上层部的层间绝缘层受到低等级的压力，相反在下层部的层间绝缘层受到高等 级的压力。
[0042] 如此，多个层间绝缘层220的每一个受到互不相同等级的压力可成为降低存储数 据的信任度的原因。因此，本发明的实施例为了使多个层间绝缘层220的每一个实际上受到 均一等级的压力而建议了多个层间绝缘层220的材料或物理性结构。
[0043] 图3示出根据本发明的实施例包括由互不相同的物质形成且具有均一物理性结构 的多个层间绝缘层的=维闪存的剖视图。
[0044] 参考图3,在本发明的实施例中利用互不相同的物质形成分别配置在多个电极层 310之间的多个层间绝缘层320。例如，多个层间绝缘层320可包括物质1的层间绝缘层330、 物质2的层间绝缘层331、物质3的层间绝缘层332和物质4的层间绝缘层333。
[0045] 多个层间绝缘层320 W平坦化或绝缘为目的进行使用，且可包括WSi02、DSG (510。）、1。05、8?56等〇0)成膜的气体材料^及^旋涂玻璃（506,59111-011-61日33八111'〇1^ Acid)为代表的涂布材料(SOD)。运些多样的材料在机械性强度、介电常数、介电损耗、化学 性安全度、热安全性、导电率等具有多样化材料性的特征，运种特征决定与内在压力或外在 压力相关的耐久度。
[0046] 此时，在本发明的实施例中，为了多个层间绝缘层320中存在于上层部的层间绝缘 层，可使用对于压力相对较弱的材料，为了存在于下层部的层间绝缘层，可使用对于压力相 对较强的材料。因此，可使分别施加于多个层间绝缘层320的压力的等级平均。
[0047] 图4示出根据本发明的实施例包括由互不相同的物质形成且具有互不相同物理性 结构的多个层间绝缘层的=维闪存的剖视图。
[0048] 参考图4,在本发明的实施例中，如图3所示，为了多个层间绝缘层的每一个，可使 用互不相同的物质，且也可将多个层间绝缘层的每一个物理性结构设计为互不相同。在此， 物理性结构由多个层间绝缘层每一个的厚度、长度等而被决定。此时，多个层间绝缘层包括 最上位层间绝缘层、最下位层间绝缘层和中间层间绝缘层。因此，将多个层间绝缘层每一个 的物理性结构设计为互不相同意味着将多个中间层间绝缘层每一个的物理性结构设计为 互不相同。
[0049] 再参考图4,在本发明的实施例中，分别存在于多个电极层410之间的多个层间绝 缘层420可包括物质1的层间绝缘层430、物质2的层间绝缘层431、物质3的层间绝缘层432和 物质4的层间绝缘层433。此时，物质1的层间绝缘层430、物质2的层间绝缘层431、物质3的层 间绝缘层432和物质4的层间绝缘层433每一个的厚度可被决定为互不相同。例如，物质1的 层间绝缘层430的厚度可形成为相比物质2的层间绝缘层431、物质3的层间绝缘层432和物 质4的层间绝缘层433的厚度更厚，其能使分别施加于多个层间绝缘层420的压力的等级平 均。
[0050] 在图4中虽然通过多个层间绝缘层420每一个厚度的变化对物理性结构的变更进 行了说明，但本发明的实施例可包括多种长度、形成在多个层间绝缘层420每一个表面上的 图案等的变化。
[0051] 如此，在本发明的实施例中，虽然建议了不仅按互不相同物质形成而且具有互不 相同物理性结构的多个层间绝缘层420,但其并不局限或限定于此，也可建议按同一物质形 成且仅具有互不相同物理性结构的多个层间绝缘层420。
[0052] 图5示出包括具有均一物理性结构且由同一物质形成的多个电极层的=维闪存的 剖视图。
[0053] 参考图5,由于=维闪存的结构问题（例如，=维闪存包含的通道层的电阻率基于 位置而变化的问题），在多个电极层510中流过上层部的电极层的电流密度与流过下层部的 电极层的电流密度不同，因此多个电极层150每一个的阔值电压会发生差异。
[0054] 如此，多个电极层510每一个的阔值电压的差异带来阔值电压分布的扩散，且阔值 电压的扩散会成为使存储的数据维持过程和读取过程中的信任度下降的原因。因此，本发 明的实施例为了使多个电极层510的每一个实质上具有均一的阔值电压，建议了多个电极 层510的材料或物理性结构。此时，与多个电极层510交替配置的多个层间绝缘层520也可具 有上述分别实质性适用均一等级的压力的材料或物理性结构。
[0055] 图6示出根据本发明的实施例具有互不相同的物理性结构且包括由同一物质形成 的多个电极层的S维闪存的剖视图。
[0056] 参考图6,在本发明的实施例中，可设计使多个电极层610每一个的物理性结构互 不相同。在此，物理性结构由多个电极层610每一个的厚度、长度等决定。此时，多个电极层 610包括最上位电极层、最下位电极层和中间电极层。因此，W下，将多个电极层610每一个 的物理性结构设计为互不相同意味着将多个中间电极层每一个的物理性结构设计为互不 相同。
[0057] 例如，多个电极层610可包括具有互不相同厚度的电极层1(620)、电极层2(621)、 电极层3(622)和电极层4(623)。此时，电极层1(620)的厚度可形成为相比电极层2(621)、电 极层3(622)和电极层4(623)的厚度更厚，其能使多个电极层610每一个的阔值电压平均。
[0058] 在图6中虽然通过多个电极层610每一个厚度的变化对物理性结构的变更进行了 说明，但本发明的实施例可包括多种长度、形成在多个电极层610每一个表面上的图案等的 变化。
[0059] 此时，与多个电极层610交替配置的多个层间绝缘层630也可具有上述分别实质性 适用均一等级的压力的材料或物理性结构。
[0060] 图7示出根据本发明的实施例包括具有互不相同的物理性结构且由互不相同的物 质形成的多个电极层的S维闪存的剖视图。
[0061] 参考图7,在本发明的实施例中，如图6所示，可将多个电极层每一个的物理性结构 设计为互不相同，且同时为了多个电极层的每一个，可适用互不相同的物质。
[0062] 再参考图7,在本发明的实施例中，多个电极层710可包括物质1的电极层720、物质 2的电极层721、物质3的电极层722和物质4的电极层723。
[0063] 在此，在本发明的实施例中，在多个电极层710中为了存在于上层部的电极层，可 使用电传导特性相对较弱的材料，为了存在于下层部的电极层，可使用电传导特性相对较 好的材料。例如，物质1的电极层720的电传导特性好于物质4的电极层723的电传导特性。因 此，多个电极层710每一个的阔值电压可变均一。
[0064] 此时，与多个电极层710交替配置的多个层间绝缘层730也可具有上述分别实质性 适用均一等级的压力的材料或物理性结构。
[0065] 并且，在本发明的实施例中，虽然建议了具有互不相同物理性结构且按互不相同 物质形成的多个电极层710,但其并不局限或限定于此，也可建议具有均一物理性结构且仅 按互不相同物质形成的多个电极层710。
[0066] 图8是示出根据本发明一个实施例的包括=维闪存的存储装置的示图。
[0067] 参考图8,系统800中存储器810与存储器控制器820连接。此时，存储器810意味着 上述S维闪存。存储器810不仅可是NAND闪存，也可是应用本发明思想的NOR闪存。
[0068] 存储器控制器820为了控制存储器810的动作提供输入信号。
[0069] 系统例如当是写入存储卡的存储器控制器和存储器的关系时传达主机的命令进 而控制输入/输出数据，或基于施加的控制信号控制存储器的多种数据。
[0070] 运种结构不仅可应用于简单的存储卡而且可应用于不使用存储器的数码设备，从 而可适用于携带用数码相机、手机等需要存储器的所有数码设备中。
[0071] 图9是示出具有均一物理性结构且包括由同一物质形成的多个电极层的=维闪存 的结构的示图。
[0072] 参考图9，S维闪存按具有如下结构的NAND闪存之情况进行了说明，NAND闪存具有 如下结构：单元晶体管（Ce 11 transistor)串联形成单位串（string)且运种单位串 (S化ing)在位线(bit line)与接地线（ground line)之间并联。此时，参考图9a可知，串的 长度越长，通道层的电阻增加，施加于位线的读写电流根据通道层流动，电流密度越朝向串 的下层部越变弱。W下，在图10中，如图9b所示，对如下试验进行记载:将串中包含的单元的 层叠数按10层、30层和50层进行不同的区分，且向上部的单元和下部的单元分别施加IOV的 程序BIOS,在执行存储数据的读写动作时，确认根据栅压的漏极电流。
[0073] 图10是示出图9所示的S维闪存中阔值电压分布的图表。
[0074] 参考图10,可W得知，单元的层叠数为30层时的顶部(top)与底部(bottom)的漏极 电流1030、1040相比单元的层叠数为10层时的顶部(top)与底部(bottom)的漏极电流1010、 1020减少，且可W得知单元的层叠数为50层时的顶部（top)与底部（bottom)的漏极电流 1050、1060相比单元的层叠数为30层时的顶部(top)与底部(bottom)的漏极电流1030、1040 减少。
[0075] 并且，基于单元层叠数的栅压差异如下表1所示。
[0076] 表 1 [00771
[C
[0079] 察看表1可W得知，随着=维NAND闪存的层叠数增加，位于上部的单元和位于下部 的单元之间的阔值电压的差异有变大的趋势。也就是说，单元层数小时，基于单元位置的阔 值电压的差异甚微，但若单元的层数变大，阔值电压的散布就会扩散。运种结果，尤其，将会 降低存储每单元两位W上信息的多层单元(MLC，Multi Level Cell)中所存储的数据读写 过程中的信任度。
[0080] 图11是示出根据多个电极层的每一个厚度的=维闪存中阔值电压分布的图表。
[0081] 参考图11，通过调整=维闪存的栅层即多个电极层每一个的厚度，比较基于变化 之厚度的阔值电压散布。
[0082] 如a所示，可W得知，当将多个电极层每一个的厚度按40nm固定设定时，多个电极 层中上部的电极层和下部的电极层之间的阔值电压1110、1120的差异是0.2082。
[0083] 并且，如b所示，可W得知，针对多个电极层每一个的厚度，当将上部的电极层按 7化m进行设定且将下部的电极层按40nm进行设定，越向上厚度越增加时，多个电极层中上 部的电极层和下部的电极层之间的阔值电压1130、1140的差异是0.3918。
[0084] 并且，如C所示，可W得知，针对多个电极层每一个的厚度，当将上部的电极层按 Wnm进行设定且将下部的电极层按40nm进行设定，越向上厚度越减小时，多个电极层中上 部的电极层和下部的电极层之间的阔值电压1150、1160的差异是-0.2198。
[0085] 并且，如d所示，可W得知，针对多个电极层每一个的厚度，当将上部的电极层按 2化m进行设定且将下部的电极层按40nm进行设定，越向上厚度越减小时，多个电极层中上 部的电极层和下部的电极层之间的阔值电压1170、1180的差异是0.0039。
[0086] 目P，可W得知，通过将多个电极层每一个的厚度按朝向下部逐渐变厚而形成，可改 善阔值电压散布。因此，正如将多个电极层中第一电极层的厚度相比存在于第一电极层的 上层的第二电极层的厚度形成为更厚，通过将多个电极层每一个的物理性结构进行互不相 同地设计，可改善多个电极层的阔值电压散布。
[0087] 如上所述，虽然根据实施例所限定的实施例和附图进行了说明，但对本技术领域 具有一般知识的技术人员来说能从上述的记载中进行各种修改和变形。例如，根据与说明 的技术中所说明的方法相不同的顺序来进行，和/或根据与说明的系统、结构、装置、电路等 构成要素所说明的方法相不同的形态进行结合或组合，或根据其他构成要素或均等物进行 替换或置换也可达成适当的效果。
[0088] 因此，其他具体体现、其他实施例W及与权利要求范围相均等的都属于所述的权 利要求所保护的范围。
【主权项】
1. 一种三维闪存，包括： 通道层； 多个电极层，与所述通道层连接，且垂直层叠;和 多个层间绝缘层，与所述通道层连接，且与所述多个电极层交替配置，并且垂直层叠， 其中，所述多个电极层的每一个具有互不相同的物理性结构，或由互不相同的物质形 成。2. 如权利要求1所述的三维闪存，其特征在于，所述多个电极层中第一电极层的厚度相 比存在于所述第一电极层的上层的第二电极层的厚度形成为更厚。3. 如权利要求1所述的三维闪存，其特征在于，所述多个电极层每一个的长度或形成在 所述多个电极层每一个表面上的图案互不相同。4. 如权利要求1所述的三维闪存，其特征在于，所述多个电极层中形成第一电极层的材 料相比存在于所述第一电极层的上层的第二电极层的材料具有更优良的电传导特性。5. 如权利要求1所述的三维闪存，其特征在于，所述多个电极层中至少两个电极层由互 不相同的物质形成。6. 如权利要求1所述的三维闪存，其特征在于，所述多个电极层的每一个与所述通道层 之间配置有层间氧化膜、氧化硅膜和隧道氧化膜。7. -种三维闪存，包括： 通道层； 多个电极层，与所述通道层连接，且垂直层叠;和 多个层间绝缘层，与所述通道层连接，且与所述多个电极层交替配置，并且垂直层叠， 其中，所述多个层间绝缘层的每一个由互不相同的物质形成或具有互不相同的物理性 结构。8. 如权利要求7所述的三维闪存，其特征在于，所述多个层间绝缘层中形成第一层间绝 缘层的材料相比存在于所述第一层间绝缘层的上层的第二层间绝缘层的材料具有更强的 抗压特性。9. 如权利要求7所述的三维闪存，其特征在于，所述多个层间绝缘层中至少两个层间绝 缘层由互不相同的物质形成。10. 如权利要求7所述的三维闪存，其特征在于，所述多个层间绝缘层中第一层间绝缘 层的厚度相比存在于所述第一层间绝缘层的上层的第二层间绝缘层的厚度形成为更厚。11. 如权利要求7所述的三维闪存，其特征在于，所述多个层间绝缘层每一个的长度或 形成在所述多个层间绝缘层每一个表面上的图案互不相同。12. 如权利要求7所述的三维闪存，其特征在于，所述多个电极层的每一个与所述通道 层之间配置有层间氧化膜、氧化硅膜和隧道氧化膜。13. -种三维闪存，包括： 通道层； 多个电极层，与所述通道层连接，且垂直层叠;和 多个层间绝缘层，与所述通道层连接，且与所述多个电极层交替配置，并且垂直层叠， 其中，所述多个层间绝缘层的每一个由互不相同的物质形成或具有互不相同的物理性 结构，且 所述多个电极层的每一个由互不相同的物质形成或具有互不相同的物理性结构。
【文档编号】H01L21/8247GK105940492SQ201480074446
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2014年12月31日
【发明人】宋润洽
【申请人】汉阳大学校产学协力团