一种碳化硅双极结型晶体管的制作方法
【专利摘要】一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
【专利说明】
一种碳化硅双极结型晶体管
技术领域
[0001]本发明涉及高功率半导体器件领域，更具体地涉及一种碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)。【背景技术】
[0002]宽禁带半导体材料SiC是制备高压电力电子器件的理想材料，碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)是重要的常关型器件之一，在万伏级高耐压电力电子器件领域具有优势。相对Si基三极管，SiC BJT具有更低的导通电压，不存在二次击穿现象等优点；SiC BJT避免了常开型器件SiC JFET的栅极驱动问题，没有SiC IGBT导通损耗大的缺点，不存在SiC M0SFET因为栅介质稳定性差及沟道迀移率低而使器件工作条件受到限制的问题。
[0003]SiC/Si02高界面态的存在会导致SiC M0SFET的栅介质不稳定，沟道迀移率低等不良影响;对于SiC BJT，SiC BJT的发射极台面边缘与基极欧姆接触之间的外基区表面的高界面态密度会成为复合中心，导致大量的基区少子(电子和空穴)在界面处复合产生复合电流，降低器件的电流增益，并导致器件性能退化。美国专利号US8378390提出了一种新结构的碳化硅双极结型晶体管，来减小SiC/Si02高界面态导致的复合电流，其基本原理是:在 SiC BJT的发射极台面边缘与基极欧姆接触之间的外基区，利用Si〇2介质层上的金属、Si〇2 介质层以及外基区三者形成M0S结构，利用BE结偏置电压控制M0S结构衬底表面的电势，改变衬底表面的载流子密度，达到抑制表面复合电流的作用。这种结构虽然减小了复合电流， 提高了电流增益，但是仍然没有从根本上解决SiC/Si02高界面态的问题;而且Si02介质层上的金属是一个需要加电压的电极，导致此结构的器件是一个四端器件，而本领域公知的是， 对于三极管而言，四端器件相比于三端器件存在很多弊端。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种碳化硅双极结型晶体管，以解决上述技术问题中的至少之一。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供了一种碳化硅双极结型晶体管，所述双极结型晶体管的发射极台面边缘与基极欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构。
[0006]作为优选，所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。
[0007]作为优选，所述肖特基接触结构形成的肖特基势皇为P型反阻挡层。
[0008]作为优选，所述基区是不同掺杂浓度的两层结构。
[0009]作为优选，所述基区的两层结构是:靠近发射结的一层是厚度为h的基区，其采用 P型掺杂;而靠近漂移区的另一层是厚度为t2的基区，其掺杂浓度要比所述靠近发射结的一层基区的大，达到l〇17cnf3的数量级。
[0010]作为优选，所述金属层不接电压、不接地。
[0011]作为优选，所述金属层的功函数大于所述基区表面的功函数。
[0012]作为优选，所述金属层采用镍或铂制备。
[0013]作为优选，所述金属层的左端与发射极台面边缘之间形成有一 Si〇2钝化层。
[0014]作为优选，所述Si〇2钝化层的厚度为40-60nm。
[0015]基于上述技术方案可知，本发明的碳化硅双极结型晶体管及其制作方法具有如下有益效果:当金属的功函数Wm大于外基区表面处的P型半导体的功函数1时，半导体表面的能带向上弯曲，形成一个P型反阻挡层(阻止电子向界面处运动)，同时为了保证发射结正偏，基极要加正向偏压，这会使得外基区远离表面的能带下移，表面处的能带进一步向上弯曲，势皇高度增加;最终结果是，P型外基区表面处于积累状态，空穴浓度增大，电子浓度降低，在空间上分离了电子和空穴。由于势皇的存在，电子向表面运动受到限制，从而阻止了从发射区注入基区的电子被外基区表面陷阱俘获，降低了表面复合电流，提高了电流增益； 本发明不需要额外的加偏置电压的电极，仍保持器件为三端器件。【附图说明】
[0016]图1是本发明的一种碳化硅双极结型晶体管的结构示意图；
[0017]图2是本发明的金属层和基区的肖特基接触结构的结构示意图；
[0018]图3是肖特基接触前的能带图；
[0019]图4是金属和P型半导体接触后的能带图。【具体实施方式】
[0020]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
[0021]本发明公开了一种带有肖特基接触结构的碳化硅双极结型晶体管，不需要额外的加偏置电压的电极，仍保持器件为三端器件;且有效地解决了 SiC/Si02高界面态的问题，提高了SiC BJT器件的电流增益。更具体地，本发明是通过在三极管的发射极台面边缘与基极欧姆接触之间的外基区表面制造一个肖特基接触结构，在该外基区表面形成肖特基势皇从而阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
[0022]进一步的，所述肖特基结构是由金属层与P型碳化娃接触形成的。
[0023]进一步的，所述金属层要选择功函数比较大的金属，如镍、铂等;且所述金属层要浮空，不外接任何电压、不接地，即不作电极使用。
[0024]进一步的，所述P型碳化硅是所述三极管的基区，所述基区是采用不同掺杂浓度的两层结构，靠近发射结的一层厚度为的基区采用低浓度的P型掺杂，例如浓度小于1015cnf3 的数量级；而靠近漂移区的另一层是厚度为t2的基区，其掺杂浓度要比上一层基区大，达到 1017cnf3的数量级。
[0025]进一步的，所述金属层的左端与发射极台面边缘之间形成有一Si02钝化层，所述 Si〇2钝化层的厚度为40-60nm，优选为50nm。
[0026]下面结合附图对本发明的【具体实施方式】作进一步的说明。[〇〇27]为了增加现有技术中SiC BJT的电流增益，必须减少发射极台面边缘和基极欧姆接触之间的外基区表面的复合电流，影响复合电流大小的主要因素有三个:[〇〇28]1、外基区表面处的缺陷浓度；
[0029] 2、外基区表面处的电子浓度；
[0030]3、外基区表面处的空穴浓度；
[0031]因素1取决于现有的材料生长及工艺水平，因素2、3可能受设计的影响，本发明就是从设计方面来减少外基区表面的复合电流。在该三极管中，电子-空穴对的复合率主要取决于少数载流子的浓度，复合主要发生在发射极台面边缘到基极欧姆接触之间的外基区表面，又由于在P型基区中电子是少子，因此外基区表面处电子的浓度会极大的影响表面复合的发生。本发明通过在所述三极管的发射极台面边缘与基极欧姆接触之间的外基区表面制造一个肖特基接触结构，在该外基区表面形成肖特基势皇从而阻止电子向表面处运动，减少外基区表面处的电子浓度，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
[0032]图1是本发明的结构示意图。图中画出了发射极台面的边缘，具有发射极1、基极2、 N+发射区3、P型基区4、N-集电区5、N+衬底6和集电极7。在发射极台面的边缘有Si02钝化层 8,在Si02钝化层8的边缘和基极2之间的外基区的表面，溅射形成具有一定厚度和长度的金属层9，金属层9和P型基区4的表面形成肖特基接触结构。[〇〇33]图2是金属层9和基区4的肖特基接触结构示意图。此结构只是用来形成肖特基势皇，其中金属层不作电极使用，作浮空处理，不接任何电压和地。
[0034]需要着重说明的是，该P型基区是采用不同掺杂浓度的两层结构，靠近发射结的一层厚度为七的基区采用低浓度的P型掺杂，浓度小于1015cnf3的数量级;而靠近漂移区的另一层是厚度为t2的基区，其掺杂浓度比上一层基区要大，达到1017cnf3的数量级。靠近发射结的一层轻掺杂是为了调节外基区表面处的P型SiC半导体的功函数，使得金属的功函数大于半导体的功函数，这样才能形成如图4所示的肖特基势皇，如此同时还可以提高发射结的注入效率。
[0035]图3是肖特基接触前的能带图，其中Eo是真空能级，(EF)m是金属的费米能级，^^是金属的功函数，x是半导体的电子亲和能，Ws是半导体的功函数，(￡?)3是半导体的费米能级， EC和EV分别是半导体的导带和价带。
[0036]图4是金属和P型半导体接触后的能带图，当金属的功函数Wm大于P型半导体的功函数Ws时，半导体表面的能带向上弯曲，形成一个P型反阻挡层(阻止电子向界面处运动)， 同时为了保证发射结正偏，基极要加正向偏压，这会使得外基区远离表面的能带下移，表面处的能带进一步向上弯曲，势皇高度增加。最终结果是，P型外基区表面处于积累状态，空穴浓度增大，电子浓度降低，在空间上分离了电子和空穴。由于势皇的存在，电子向表面运动受到限制，从而阻止了从发射区注入基区的电子被外基区表面陷阱俘获，降低了表面复合电流，提高了电流增益。
[0037]以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述双极结型晶体管的发射极台面边缘 与基极欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构。2.根据权利要求1所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述肖特基接触结构包 括一基区及位于所述基区上的一金属层。3.根据权利要求2所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述肖特基接触结构形 成的肖特基势皇为P型反阻挡层。4.根据权利要求2所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述基区是不同掺杂浓 度的两层结构。5.根据权利要求4所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述基区的两层结构 是:靠近发射结的一层是厚度为t的基区，其采用P型掺杂;而靠近漂移区的另一层是厚度 为^的基区，其掺杂浓度要比所述靠近发射结的一层基区的大，达到1017cnf3的数量级。6.根据权利要求2所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述金属层不接电压、 不接地。7.根据权利要求2所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述金属层的功函数大 于所述基区表面的功函数。8.根据权利要求2所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述金属层采用镍或铂制备。9.根据权利要求2所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述金属层的左端与发 射极台面边缘之间形成有一 Si02钝化层。10.根据权利要求9所述的碳化硅双极结型晶体管，其特征在于，所述Si02钝化层的厚度 为40_60nm。
【文档编号】H01L29/161GK105957886SQ201610488399
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年6月28日
【发明人】郭飞, 申华军, 汤益丹, 张有润, 白云, 杨成樾, 宋凌云, 柏思宇, 彭朝阳
【申请人】中国科学院微电子研究所