电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物；在第一硅氧化物上表面覆盖一层光刻胶；之后进行光刻过程，在光刻胶上刻蚀出电容沟槽的开口；使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程，生成电容沟槽；对沟槽进行重掺杂过程，形成重掺杂硅；在重掺杂硅上生长第二硅氧化物；在第二硅氧化物之上、电容沟槽中，生长多晶硅。在相同的沟槽深度下，本发明所述的方法制作出来的电容结构，电容面积大于现有技术，由基本的电路的原理中的电容定义可知，本发明的电容数值更大。
【专利说明】
电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法。
【背景技术】
[0002]在集成电路中，为了进一步减小芯片的体积，要尽量将电路中所有的原件，都集成在硅片上。图1是现有技术中的硅电容的结构，在图1中，硅衬底中的沟槽是垂直方向的，如何进一步增大电容数值，是一个问题，增大电容数值可以增大电容面积，但是在现有技术中，对于硅衬底的刻蚀技术是有限的，使得硅衬底的沟槽的深度增加是十分困难的。
【发明内容】
[0003]针对现有技术的不足，本发明公开了一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法。
[0004]本发明的技术方案如下:
[0005 ] 一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法，包括以下步骤:
[0006]步骤1、在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物；
[0007]步骤2、在第一硅氧化物上表面覆盖一层光刻胶；之后进行光刻过程，在光刻胶上刻蚀出电容沟槽的开口；
[0008]步骤3、使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程，生成电容沟槽;所述电容沟槽由沟槽开口处到底部，横截面的面积越来越小;之后去除光刻胶；。
[0009]步骤4、对沟槽进行重掺杂过程，形成重掺杂硅；
[0010]步骤5、在重掺杂硅上生长第二硅氧化物；
[0011 ]步骤6、在第二硅氧化物之上、电容沟槽中，生长多晶硅。
[0012]本发明的有益技术效果是:
[0013]在相同的沟槽深度下，本发明所述的方法制作出来的电容结构，电容面积大于现有技术，由基本的电路的原理中的电容定义可知，本发明的电容数值更大。
【附图说明】
[0014]图1是现有技术的结构图。
[0015]图2是本发明所述的方法制作出来的结构图。
[0016]图3是步骤2的示意图。
[0017]图4是步骤3结束之后的示意图。
【具体实施方式】
[0018]图2是本发明所述的方法制作出来的结构图。如图2所示，本发明包括硅衬底I。硅衬底I的最上层为一层第一硅氧化物2。硅衬底I上表面由竖直方向开设有沟槽。沟槽的侧面为倾斜状。由沟槽的开口处到沟槽底端，沟槽的横截面越来越小。沟槽的高度大于沟槽的宽度最宽处。沿沟槽最内层为一层重掺杂硅3。重掺杂硅3之外为一层第二硅氧化物4。第二硅氧化物4的上表面与沟槽开口处的第一硅氧化物2的内表面对齐。在第二硅氧化物4的上表面之上、沟槽内部，填充有多晶硅5。
[0019]在本发明所得到的结构中，重掺杂硅3和多晶硅5为导体，相当于电容中的两个相对的极板，而第二硅氧化物4为绝缘体，相当于电容中的介质。显而易见，图2与图1相比，在同样的高度下，显然图2中的斜面面积更大，所以图2中的电容数值更大。而电容的性能与电容的形状并无关系，所以本发明改变了电容的形状，可增加电容的数值，但是并不影响电容性能。
[0020]本发明的制作流程为:
[0021 ]步骤1、在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物2;
[0022]步骤2、在第一硅氧化物2上表面覆盖一层光刻胶21;之后进行光刻过程，在光刻胶21上刻蚀出电容沟槽的开口；图3是步骤2的示意图。
[0023]步骤3、使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程，湿法刻蚀的溶液为HF。由于在湿法刻蚀中，位于上层溶液与沟槽的接触面积大，所以反应速度快，所以在湿法刻蚀的过程中，沟槽自然会形成上部截面面积大，下部截面面积小的斜面。之后去除光刻胶。图4是步骤3结束之后的不意图。
[0024]步骤4、对沟槽进行重掺杂过程，形成重掺杂硅3;
[0025]步骤5、在重掺杂硅3上生长第二硅氧化物4;
[0026]步骤6、在第二硅氧化物4之上、沟槽中，生长多晶硅5。
[0027]以上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电容数值更大的深沟槽硅电容的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1、在硅衬底上表面生长一层第一硅氧化物(2); 步骤2、在第一硅氧化物(2)上表面覆盖一层光刻胶(21);之后进行光刻过程，在光刻胶(21)上刻蚀出电容沟槽的开口 ； 步骤3、使用湿法刻蚀的方法进行刻蚀过程，生成电容沟槽(51);所述电容沟槽(51)由沟槽开口处到底部，横截面的面积越来越小;之后去除光刻胶；。 步骤4、对沟槽进行重掺杂过程，形成重掺杂硅(3); 步骤5、在重掺杂硅(3)上生长第二硅氧化物(4); 步骤6、在第二硅氧化物(4)之上、电容沟槽(51)中，生长多晶硅(5)。
【文档编号】H01L29/92GK105957902SQ201610571751
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年7月20日
【发明人】吕耀安
【申请人】无锡宏纳科技有限公司