氮化钛去除用液体组合物和使用其的半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法

氮化钛去除用液体组合物和使用其的半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法
【专利摘要】根据本发明，可以提供如下液体组合物：其用于从具有氮化钛、钨和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化钛而不腐蚀钨和低介电常数层间绝缘膜，该液体组合物包含：(A)氧化剂，其为选自由高锰酸钾、过二硫酸铵、过二硫酸钾和过二硫酸钠组成的组中的至少一种、(B)氟化合物、和(C)钨防腐蚀剂，且pH值为0～4，前述(C)钨防腐蚀剂包含：选自由烷基胺和其盐、氟烷基胺和其盐等组成的C1化合物组中的2种以上不同的化合物，或者包含选自前述C1化合物组中的1种以上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基氟烷基胺等组成的C2化合物组中的1种以上，前述(A)氧化剂中的高锰酸钾的浓度为0.001～0.1质量％，前述(B)氟化合物的浓度为0.01～1质量％。
【专利说明】
氮化铁去除用液体组合物和使用其的半导体元件的清洗方 法、从及半导体元件的制造方法
技术领域
[0001] 本发明设及液体组合物，更详细而言，设及半导体元件的制造工序中用于去除硬 掩模中使用的氮化铁而不腐蚀布线中使用的鹤和低介电常数层间绝缘膜的液体组合物、和 使用其的半导体元件的清洗方法、W及半导体元件的制造方法。
【背景技术】
[0002] 半导体基板的制造中，无论有机材料和无机材料的种类如何使用了各种材料，其 中有鹤和氮化铁。近年来研究了例如鹤作为布线材料使用、氮化铁作为硬掩模使用的方法。
[0003] 表面上鹤和氮化铁共存的半导体基板中，例如鹤作为布线使用、氮化铁作为硬掩 模使用那样的情况下，要求去除氮化铁而不腐蚀鹤。如果使用含有过氧化氨的组合物则可 W比较容易地去除氮化铁，但过氧化氨对鹤的腐蚀性大因此难W使用。此外，还需要增大氮 化铁对鹤的蚀刻选择比。
[0004] 因此，为了防止由过氧化氨导致的鹤的腐蚀，研究了在含有过氧化氨的组合物中 添加防腐蚀剂的方法。专利文献1中公开了使用季锭和其盐、季化晚鐵和其盐、季联化晚鐵 和其盐、W及季咪挫鐵和其盐的防腐蚀剂。然而，对比文件1所示的防腐蚀剂对鹤的防腐蚀 效果是不充分的。
[0005] 另外，专利文献2中，作为不使用过氧化氨的组合物使用浓硫酸且能够蚀刻氮化铁 而不腐蚀鹤。然而，对比文件帥，氮化铁的蚀刻速率慢至3~15A/分钟，例如用于通常具有 数百~数千A的厚度的氮化铁硬掩模的去除时是不实用的。
[0006] 另外，专利文献3中，使用含有氧化剂、氣化合物和防腐蚀剂的组合物，能够蚀刻氮 化铁而不腐蚀鹤。然而，对比文件3中，存在氮化铁的去除性低且鹤的防腐蚀效果不充分等 问题。
[0007] 现有技术文献 [000引专利文献
[0009] 专利文献1:日本特开2008-285508号公报
[0010] 专利文献2:日本特开2003-234307号公报
[0011] 专利文献3:国际公开第2013/101907号

【发明内容】

[00。] 发明要解决的问题
[0013] 本发明的课题在于，解决上述现有问题中的至少一个。进而，本发明的课题在于， 提供能够从包含氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化铁而不腐蚀鹤和低介 电常数层间绝缘膜的液体组合物、和使用其的半导体元件的清洗方法W及半导体元件的制 造方法。
[0014] 用于解决问题的方案
[0015] 本发明人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现:通过使用包含特定的 氧化剂、氣化合物和鹤防腐蚀剂的液体组合物，可W解决上述课题。
[0016] 旨P，本发明如W下所述。
[0017] <1〉一种液体组合物，其用于从具有氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板去 除氮化铁而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜，其包含：
[0018] (A)氧化剂，其为选自由高儘酸钟、过二硫酸锭、过二硫酸钟和过二硫酸钢组成的 组中的至少一种、
[0019] (B)氣化合物、和
[0020] (C)鹤防腐蚀剂，
[0021] 且抑值为0~4，
[0022] 前述(C)鹤防腐蚀剂包含:选自由烷基胺和其盐、氣烷基胺和其盐、烷基氧化胺、氣 烷基氧化胺、烷基甜菜碱、氣烷基甜菜碱、烷基季锭和其盐、氣烷基季锭和其盐、烷基季化晚 鐵盐、氣烷基季化晚鐵盐、烷基季联化晚鐵盐、氣烷基季联化晚鐵盐、烷基季咪挫鐵盐和氣 烷基季咪挫鐵盐组成的Cl化合物组中的巧巾W上不同的化合物，或者
[0023] 包含:选自前述Cl化合物组中的巧中W上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基 氣烷基胺、聚氧亚烷基烷基酸、聚氧亚烷基氣烷基酸、聚氧亚烷基烷基憐酸醋、聚氧亚烷基 氣烷基憐酸醋、聚氧亚烷基烷基酸硫酸盐、聚氧亚烷基氣烷基酸硫酸盐、烷基二苯基酸横酸 盐和氣烷基二苯基酸横酸盐组成的C2化合物组中的1种W上，
[0024] 前述(A)氧化剂中的高儘酸钟的浓度为0.001~0.1质量％，
[00巧]前述(B)氣化合物的浓度为0.01~1质量％。
[00%] <2〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其不包含过氧化氨。
[0027] <3〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述(B)氣化合物为选自由氨氣酸、氣 化锭、酸性氣化锭、四甲基氣化锭、氣化钟、六氣娃酸和四氣棚酸组成的组中的至少一种。 [00%] <4〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物组中的烷基胺或氣烷基
胺如下沐诵式（1)所示。
[0029] a)
[0030] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基 的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0031] <5〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物组中的烷基胺盐或氣烧 基胺盐为选自由盐酸盐、硝酸盐、乙酸盐、甲横酸盐、氯酸盐、高氯酸盐、氨氣酸盐、氨漠酸 盐、氨舰酸盐、硫酸氨盐、硫酸盐、碳酸氨盐、碳酸盐、憐酸二氨盐、憐酸氨二盐和憐酸盐组成 的组中的至少一种。
[0032] <6〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物组中的烷基氧化胺或氣 烷基氧化胺如下述通式(2)所示。
[0033]
巧）
[0034] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基 的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0035] <7〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物组中的烷基甜菜碱或氣
烷基甜萃$成々"下;术诵^ ) HS M)目斤^ -
[0036] 巧）
[0037] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基 的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[00；3 引 從
[0039] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基 的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0040] <8〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物组中的烷基季锭和其盐 或氣烷基季锭和其盐如下述通式(5)、（6)或(7)所示。
[0041 巧
[0042][式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3、R4表示氨原子、碳数1~4的烷基、苯基或苄基， 键合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0043； 僻
[0044] L巧甲，Ri巧不儉数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3、R4表示氨原子、碳数1~4的烷基、苯基或苄基， 键合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表示面原子:F、C1、化或I。]
[0045]
[0046] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3、R4表示氨原子、碳数1~4的烷基、苯基或苄基， 键合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0047] <9〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物组中的烷基季化晚鐵盐 或氣烷基季化晚鐵盐如下述通式(8)所示。
[00少 巧）
[0049] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。护、护、护、护、护表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合 于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表示面原子:F、C1、化或I。]
[0050] <10〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物组中的烷基季联化晚鐵 盐或氣烷基季联化晚鐵盐如下述通式(9)所示。
[0化1; (9)
[0052][式中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子。R3~RW表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该 烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表不面原子:F、C1、化或I。]
[0053] <11〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物组中的烷基季咪挫鐵盐 或氣烷基季咪挫鐵盐如下述通式（10)或（11)所示。
[0化4 0.0)
[0055][式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2表示碳数1~4的烷基，键合于该烷基的氨原子的 一部分或全部任选取代为氣原子。R3~R5表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表不面原子:F、C1、化或I。]
[0化6; (11)
[0057][式中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子。R3~R5表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烧 基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表示面原子:F、C1、化或I。]
[005引<12〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述C2化合物组中的聚氧亚烷基烷基 胺或聚氧亚烷基氣烷基胺如下述通式(12)所示。
[0化
[0060] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示碳数2~6的烧二基，m和n表示2~20的整 数，m和n任选相同或不同。]
[0061] <13〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述C2化合物组中的聚氧亚烷基烷基 酸或聚氧亚烷基氣烷基酸如下述通式(13)所示。
[0062]
[0063] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2表示碳数2~6的烧二基，n表示2~20的整数。]
[0064] <14〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述C2化合物组中的聚氧亚烷基烷基 憐酸醋或聚氧,W糕其氣,糕其磯酸鹏血下沐诵击（1 4)或（15)所示。
[00 化]
[0066] L巧甲，IT巧不厭数《~的婉巷现厭数《~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2表示碳数2~6的烧二基，n表示2~20的整数。]
[0067]
[0068] [式中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子。R3、R4表示碳数2~6的烧二基，m和n表示2~20的整 数，m和n任选相同或不同。]
[0069] <15〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述C2化合物组中的聚氧亚烷基烷基 酸硫酸盐或聚氧亚烷基氣烷基酸硫酸盐如下述通式(16)所示。
[0070]
[0071] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基、碳数8~18的締基、苯基或苄基，键合于该烷基或 締基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2表示碳数2~6的烧二基，n表示2~20 的数。M表示钢(Na)、钟化）、或锭(畑4)。]
[0072] <16〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述C2化合物组中的烷基二苯基酸横 酸盐或氣烷基二苯基酸横酸盐如下述通式(17)所示。
[0073]
[0074] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。M表示钢(Na)、钟化）、或锭(N也)。]
[0075] <17〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述(A)氧化剂中的过二硫酸锭、过二 硫酸钟或过二硫酸钢的浓度为0.1~20质量％。
[0076] <18〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述(C)鹤防腐蚀剂的浓度为0.002~ 2质量％。
[0077] <19〉根据上述<1〉所述的液体组合物，其中，前述Cl化合物的浓度为0.001~1质 量％，前述C2化合物的浓度为0.001~1质量％。
[0078] <20〉一种半导体元件的清洗方法，使用上述<1〉~<19〉中任一项所述的液体组合 物。
[0079] <21〉一种半导体元件的制造方法，从具有氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的 基板去除氮化铁而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜，所述方法包括:使上述<1〉~<19〉中 任一项所述的液体组合物与具有氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板接触。
[0080] 发明的效果
[0081] 本发明的液体组合物能够在具有氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板中去 除氮化铁而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜。
【附图说明】
[0082] 图1为示出包含氮化铁硬掩模1、鹤布线2和低介电常数层间绝缘膜3的半导体元件 的截面的示意图。
【具体实施方式】
[0083] W下，详细说明本发明。
[0084] <液体组合物>
[0085] 本发明的液体组合物是为了在具有氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板中 去除氮化铁而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜而使用的，其为包含(A)氧化剂、（B)氣化 合物和(C)鹤防腐蚀剂、且pH值为0~4的液体组合物。
[0086] (A)氧化剂
[0087] 本发明的液体组合物中所含的氧化剂（W下，有时简单称为(A)成分)作为氮化铁 的氧化剂发挥功能。本发明的液体组合物的特征之一在于，不含过氧化氨。本发明的液体组 合物不含过氧化氨，因此不存在腐蚀鹤的问题。作为氧化剂，可W优选举出高儘酸钟、过二 硫酸锭、过二硫酸钟和过二硫酸钢。运些氧化剂可W单独使用也可W组合多种使用。
[008引本发明的液体组合物中的(A)成分即高儘酸钟的含量优选为0.0 Ol质量％~0.1质 量％，更优选为0.005质量％~0.1质量％，特别优选为0.005质量％~0.05质量％。本发明 的液体组合物中的高儘酸钟（（A)成分）的含量如果在上述范围内，则氮化铁的去除性高且 不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜。高儘酸钟浓度越高则氮化铁的去除性变得越高，但另 一方面鹤的腐蚀性増大，因此高儘酸钟浓度过高时不优选。
[0089]本发明的液体组合物中的(A)成分即过二硫酸锭、过二硫酸钟和过二硫酸钢的含 量优选为0.1质量％~20质量％，更优选为0.1质量％~10质量％，特别优选为0.5质量％~ 10质量％。本发明的液体组合物中的过二硫酸锭、过二硫酸钟和过二硫酸钢的含量如果在 上述范围内，则氮化铁的去除性高且不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜。过二硫酸离子浓 度越高氮化铁的去除性变得越高，但另一方面鹤的腐蚀性増大，因此，过二硫酸离子浓度过 高时不优选。
[0090] (B)氣化合物
[0091] 本发明的液体组合物中所含的氣化合物（W下，有时简单称为(B)成分)具有氮化 铁的蚀刻功能。作为氣化合物，从具有氣原子的化合物中选择。作为氣化合物，例如可W优 选举出：氨氣酸、氣化锭、酸性氣化锭、四甲基氣化锭、氣化钟、六氣娃酸、六氣娃酸锭、四氣 棚酸、四氣棚酸锭之类的氣化合物。运些氣化合物可W单独使用也可W组合多种使用。其 中，更优选氨氣酸、氣化锭、酸性氣化锭、四甲基氣化锭和氣化钟。特别优选氨氣酸、氣化锭 和酸性氣化锭。
[0092] 本发明的液体组合物中的（B)成分即氣化合物的含量优选为0.01~1质量％的范 围，更优选为0.05~1质量％，特别优选为0.05~0.5质量％。本发明的液体组合物中的氣化 合物的含量如果在上述范围内，则氮化铁的去除性高且不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘 膜。氣化合物的浓度越高则氮化铁的去除性变得越高，但另一方面，鹤、低介电常数层间绝 缘膜的腐蚀性増大，因此氣化合物的浓度过高时不优选。
[0093] (C)鹤防腐蚀剂
[0094] 本发明的液体组合物中所含的鹤防腐蚀剂（W下，有时简单称为(C)成分)包含选 自Cl化合物组中的巧中W上不同的化合物，或者包含选自Cl化合物组中的1种W上和选自C2 化合物组中的1种W上，由此具有鹤的防腐蚀功能。
[0095] 作为Cl化合物组（W下，有时将其分别称为"(Cl)成分"），可W举出：烷基胺和其 盐、氣烷基胺和其盐、烷基氧化胺、氣烷基氧化胺、烷基甜菜碱、氣烷基甜菜碱、烷基季锭和 其盐、氣烷基季锭和其盐、烷基季化晚鐵盐、氣烷基季化晚鐵盐、烷基季联化晚鐵盐、氣烷基 季联化晚鐵盐、烷基季咪挫鐵盐和氣烷基季咪挫鐵盐。
[0096] (Cl)烷基胺或氣烷基胺优选如下述通式(1)所示。
[0097] (1)
[0098] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基 的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0099] (Cl)烷基胺盐或氣烷基胺盐为选自由盐酸盐、硝酸盐、乙酸盐、甲横酸盐、氯酸盐、 高氯酸盐、氨氣酸盐、氨漠酸盐、氨舰酸盐、硫酸氨盐、硫酸盐、碳酸氨盐、碳酸盐、憐酸二氨 盐、憐酸氨二盐和憐酸盐组成的组中的至少一种。
[0100] 作为烷基胺和其盐或氣烷基胺和其盐的具体例，例如可W举出：辛基胺、癸基胺、 十二烷基胺、十四烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺、十二烷基胺盐酸盐、全氣十二烷基胺、 二辛基胺、二癸基胺、二(十二烧)基胺、二辛基胺、二癸基胺、二(十二烷基)胺、辛基二甲基 胺、癸基二甲基胺、十二烷基二甲基胺等。其中，优选十二烷基胺、十四烷基胺、十六烷基胺。
[0101] (Cl)烷基氧化胺或氣烷基氧化胺优选如下述通式(2)所示。
[0102]
[0103] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基 的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0104] 作为烷基氧化胺或氣烷基氧化胺的具体例，例如可W举出：N-癸基-N，N-二甲基氧 化胺、N-十二烷基-N，N-二甲基氧化胺、N-十四烷基-N，N-二甲基氧化胺、N-十六烷基-N，N- 二甲基氧化胺、Surflon S-24U商品名、AGC SEIMI CHEMICAL CO. ,LTD.制造的全氣烷基氧 化胺）、AM0GEN(商品名、第一工业制药株式会社制造的烷基氧化胺)等。其中，优选Su计1 on S-241。
[010日]化1 V隐甚甜革脯冰值惊甚印菜碱优选如下述通式（3)或（4)所示。
[0106] 谈
[0107][式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基
的氨原早的一都A冰A都件端放化责值目早-1 [010 引 (4)
[0109] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基 的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0110] 作为烷基甜菜碱或氣烷基甜菜碱的具体例，例如可W举出；十二烷基二甲基氨基 乙酸甜菜碱、全氣十二烷基二甲基氨基乙酸甜菜碱、十二烷基二甲基氨基横基甜菜碱、全氣 十二烷基二甲基氨基横基甜菜碱、AMPHIT0U商品名、第一工业制药株式会社制造的烷基甜 菜碱)等。其中，优选41口11口化20￥8、41口^1'01248。
[0111] (Cl)烷基季馈和其盐或氣烷基季锭和其盐优选如下述通式(5)、（6)或(7)所示。 [0112 (5)
[0113][式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3、R4表示氨原子、碳数I~4的烷基、苯基或苄基， 键合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0114] 銜
[0115] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3、R4表示氨原子、碳数1~4的烷基、苯基或苄基、 键合于该院基的氮原子的一部分或令部件选取代为氣原子。X表示面原子:F、C1、化、或I。]
[0116] - V?)
[0117] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3、R4表示氨原子、碳数1~4的烷基、苯基或苄基， 键合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。]
[0118] 作为烷基季锭和其盐或氣烷基季锭和其盐的具体例，例如可W举出：十二烷基= 甲基氨氧化锭、十四烷基=甲基氨氧化锭、十六烷基=甲基氨氧化锭、苄基二甲基癸基氨氧 化锭、苄基二甲基十二烷基氨氧化锭、苄基二甲基十四烷基氨氧化锭、苄基二甲基十六烷基 氨氧化锭、十二烷基=甲基氨氧化锭、十四烷基=甲基氨氧化锭、十六烷基=甲基氨氧化 锭、十二烷基=甲基氯化锭、十四烷基=甲基氯化锭、十六烷基=甲基氯化锭、苄基二甲基 癸基氯化锭、苄基二甲基十二烷基氯化锭、苄基二甲基十四烷基氯化锭、苄基二甲基十六烧 基氯化锭、Ethoquad(商品名、Lion Co巧oration制造的聚氧亚乙基加成型季锭氯化物）、和 Fluorad FC-135(商品名、Sumitomo 3M Limited制造的全氣烷基季锭舰化物）、Kohtamin (商品名、花王株式会社制造的烷基季锭氯化物）、CATI0GEN(商品名、第一工业制药株式会 社制造的烷基季锭乙基硫酸盐)等。其中，优选十二烷基=甲基氯化锭、十六烷基=甲基氯 化锭、Fluorad FC-135。
[0119] (Cl)烷基季化晚鐵盐或氣烷基季化晚鐵盐优选如下述通式(8)所示。
[0120] 巧）
[0121] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。护、护、於、护、护表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合 于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表示面原子:F、C1、化、或I。]
[0122] 作为(Cl)烷基季化晚鐵盐或氣烷基季化晚鐵盐的具体例，例如可W举出：1-癸基 氯化化晚鐵、1-十二烷基氯化化晚鐵、1-十四烷基氯化化晚鐵、1-十六烷基氯化化晚鐵和1- 十六烷基-4-甲基氯化化晚鐵。其中，优选I-十二烷基氯化化晚鐵和I-十六烷基-4-甲基氯 化化晚鐵。
[0123] (Cl)烷基季联化晚鐵盐或氣烷基季联化晚鐵盐优选如下述通式(9)所示。
[0124] 餅
[0125] [式中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子。R3~RW表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该 烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表示面原子:F、C1、化、或I。]
[0126] 作为烷基联化晚鐵盐或氣烷基联化晚鐵盐的具体例，例如可W举出：1，1'-二正辛 基-4,4'-二漠化联化晚鐵、1-甲基-1'-十四烷基-4,4'-二漠化联化晚鐵、和l，r-二正全氣 辛基-4,4'-二漠化联化晚鐵。其中，优选l，r-二正辛基-4,4'-二漠化联化晚鐵。
[0127] (Cl)烷基咪挫鐵盐或氣烷基咪挫鐵盐优选如下述通式（10)或（11)所示。
[012 引 (!巧
[0129] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2表示碳数1~4的烷基，R3~R5表示氨原子或碳数1 ~4的烷基，键合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表示面原子:F、 Cl'Br、或I。]
[0130] a巧
[0131] [式中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子。R3~R5表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烧 基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。X表示面原子:F、C1、化、或I。]
[0132] 作为烷基季咪挫鐵盐或氣烷基季咪挫鐵盐的具体例，例如可W举出：1-辛基-3-甲 基氯化咪挫鐵、1-癸基-3-甲基氯化咪挫鐵、1-十二烷基-3-甲基氯化咪挫鐵、1-十四烷基- 3-甲基氯化咪挫鐵、1-十六烷基-3-甲基氯化咪挫鐵、1-十八烷基-3-甲基氯化咪挫鐵、1,3- 二癸基-2-甲基氯化咪挫鐵和I-全氣辛基氯化咪挫鐵。其中，优选I-十二烷基-3-甲基氯化 咪挫鐵、1-十四烷基-3-甲基氯化咪挫鐵、1-十六烷基-3-甲基氯化咪挫鐵、1-十八烷基-3- 甲基氯化咪挫鐵和1,3-二癸基-2-甲基氯化咪挫鐵。
[0133] 作为C2化合物组（W下，有时将其分别称为"(C2)成分"），可W举出：聚氧亚烷基烧 基胺、聚氧亚烷基氣烷基胺、聚氧亚烷基烷基酸、聚氧亚烷基氣烷基酸、聚氧亚烷基烷基憐 酸醋、聚氧亚烷基氣烷基憐酸醋、聚氧亚烷基烷基酸硫酸盐、聚氧亚烷基氣烷基酸硫酸盐、 烷基二苯基酸横酸盐和氣烷基二苯基酸横酸盐。
[0134] (C2)聚氧亚烷基烷基胺或聚氧亚烷基氣烷基胺优选如下述通式（12)所示。
[0135]
[0136] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2、R3表示碳数2~6的烧二基，m和n表示2~20的整 数，m和n任选相同或不同。]
[0137] 作为聚氧亚烷基烷基胺或聚氧亚烷基氣烷基胺的具体例，例如可W举出：NYM邸N (商品名、日本油脂株式会社制造的聚氧亚乙基烷基胺）、Noigen(商品名、第一工业制药株 式会社制造的聚氧亚乙基烷基胺）等。其中，优选NYMEEN F-215、Noigen ET-189和Noigen 化-140。
[0138] 、巧氧而恰昔恰巧氧亚烷基氣烷基酸优选如下述通式（13)所示。
[0139] :巧
[0140] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2表示碳数2~6的烧二基，n表示2~20的整数。]
[0141] 作为聚氧亚烷基烷基酸或聚氧亚烷基氣烷基酸的具体例，例如可W举出：Newcol (商品名、日本乳化剂株式会社制造的烷基酸型非离子性表面活性剂KFtergent(商品名、 化OS Corporation制造的聚氧亚乙基全氣烷基酸），Antifros(商品名、第一工业制药株式 会社制造的特殊非离子性表面活性剂）等。其中，优选Newcol 2308-LY、Antif;ros M-9、 Ftergent 222F、Ftergent 250、Ftergent 251。
[0142] (C2)聚氧亚烷基烷基憐酸醋或聚氧亚烷基氣烷基憐酸醋优选如下述通式（14)或 (15)所示。
[0143]
[0144] L巧甲，IT巧不厭效《~1?的婉巷现献数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2表示碳数2~6的烧二基，n表示2~20的整数。]
[0145]
[0146] [式中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子。R3、R4表示碳数2~6的烧二基，m和n表示2~20的整 数，m和n任选相同或不同。]
[0147] 作为聚氧亚烷基烷基憐酸醋或聚氧亚烷基氣烷基憐酸醋的具体例，例如可W举 出：PhosphanoU商品名、东邦化学工业株式会社制造的聚氧亚乙基憐酸醋）。其中，优选 Phosphanol RA-600、Phosphanol RS-710、曲osphanol 化-310、Phosphanol 抓-230、 F*hos地anol或iDl〇-P、Phosphanol ]VL-240、Phosphanol 0F-100。
[0148] (C2)聚氧亚烷基烷基酸硫酸盐或聚氧亚烷基氣烷基酸硫酸盐优选如下述通式 (16)戶
[0149
[0150] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基、碳数8~18的締基、苯基或苄基，键合于该烷基或 締基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。R2表示碳数2~6的烧二基，n表示2~20 的整数。M表示钢(Na)、钟化)或锭(畑4)。]
[0151] 作为聚氧亚烷基烷基酸硫酸盐或聚氧亚烷基氣烷基酸硫酸盐的具体例，例如可W 举出：mTENOL(商品名、第一工业制药株式会社制造的聚氧亚乙基烷基酸横酸）。其中，优选 HITENOL NF-08、HITEN0L NF-13、HITEN0L NF-17。
[0152] /、'倍甘^世甘*扣典化^告' '倍甘^世甘《7；典酸盐优选如下述通式（17)所示。
[0153]
[0154] [式中，Ri表示碳数8~18的烷基、或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子。M表示钢(Na)、钟化)或锭(N也)。]
[0155] 作为烷基二苯基酸横酸盐或氣烷基二苯基酸横酸盐的具体例，例如可W举出： PELEX(商品名、花王株式会社制造的烷基二苯基酸二横酸盐）。其中，优选PELEX SS-H、 阳LEX SS-Lo
[0156] 本发明的液体组合物中的鹤防腐蚀剂（（C)成分)的含量优选为0.002~2质量％的 范围，更优选为0.004~1.0质量％，特别优选为0.01~0.4质量％。本发明的液体组合物中 的(C)成分的含量如果为上述范围内，则可W得到充分的鹤防腐蚀性能。鹤防腐蚀剂的浓度 小于0.002重量％时，有时无法得到充分的防腐蚀性能，超过2质量％时，不经济，不适于实 用。
[0157] 本发明的液体组合物中的鹤防腐蚀剂即（Cl)成分的含量优选为0.001~1质量％ 的范围，更优选为0.002~0.5质量％，特别优选为0.005~0.2质量％。本发明的液体组合物 中的（Cl)成分的含量如果为上述范围内，则可W得到充分的防腐蚀性能。鹤防腐蚀剂的浓 度小于0.001重量％时，有时无法得到充分的防腐蚀性能，超过1质量％时，不经济，不适于 实用。
[0158] 本发明的液体组合物中的鹤防腐蚀剂即（C2)成分的含量优选为0.001~1质量％ 的范围，更优选为0.0 Ol~0.5质量％，特别优选为0.005~0.2质量％。本发明的液体组合物 中的（C2)成分的含量如果为上述范围内，则可W得到充分的鹤防腐蚀性能。鹤防腐蚀剂的 浓度小于0.001重量％时，有时无法得到充分的防腐蚀性能，超过1质量％时，不经济，不适 于实用。
[0159] (D)抑调节剂
[0160] 本发明的液体组合物的pH值优选为0~4,更优选为0.5~3.5，特别优选为1~3。
[0161] 用于调整pH值的pH调节剂(有时称为(D)成分）只要能够调整pH就没有特别限制， 例如可W举出：盐酸、硝酸、硫酸、憐酸、高氯酸、乙酸等无机酸和有机酸类;氨、氨氧化钟、氨 氧化钢、四甲基氨氧化锭等无机碱性化合物和有机碱性化合物。运些酸或碱化合物可W单 独使用也可W组合多种使用。其中，特别优选硝酸、硫酸、憐酸、乙酸、氨、氨氧化钟和四甲基 氨氧化锭。
[0162] 本发明的液体组合物中的抑调节剂的含量可W W液体组合物的pH达到目标值的 方式根据其他成分的含量而适当确定。
[0163] 本发明的液体组合物除了上述(A)成分、（B)成分、（C)成分和根据需要包含的抑调 节剂之外，可W在不妨碍上述液体组合物的效果的范围包含水、W及清洗用的液体组合物 中通常使用的各种水溶性有机溶剂、添加剂。例如，作为水，优选通过蒸馈、离子交换处理、 过滤处理、各种吸附处理等去除了金属离子、有机杂质、颗粒粒子等而成的水，更优选纯水， 特别优选超纯水。
[0164] 作为水溶性有机溶剂，只要不妨碍上述液体组合物的效果就没有特别限制，例如 可W优选使用：二乙二醇单甲基酸、二乙二醇单乙基酸、二乙二醇单下基酸、二丙二醇单甲 基酸等乙二醇类；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-下醇、叔下醇等醇类；乙二醇、丙二醇、丙S 醇等。
[0165] <半导体元件的制造方法>
[0166] 本发明的半导体元件的制造方法为从包含氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的 基板去除氮化铁而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜的半导体元件的制造方法，所述方法 包括如下工序:使上述液体组合物与包含氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板接触。 根据本发明的方法，可W从包含氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板中去除氮化铁 而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜。
[0167] 本发明的半导体元件的制造方法W包含氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基 板作为对象物。清洗对象物例如可W如下得到:在娃晶圆等基板上层叠鹤布线、低介电常数 层间绝缘膜、氮化铁硬掩模、光致抗蚀膜，然后对该光致抗蚀膜实施选择性曝光?显影处 理，形成光致抗蚀剂图案，接着，将该抗蚀剂图案作为掩模，对氮化铁硬掩模、低介电常数层 间绝缘膜实施干式蚀刻处理，去除该光致抗蚀膜从而得到。
[0168] 对使液体组合物与清洗对象物接触的方法没有特别限制，例如可W采用:通过液 体组合物的滴加(单片旋转处理）、喷雾等形式使其与对象物接触的方法;使蚀刻对象物浸 溃于液体组合物的方法等。本发明中，任意方法均能够进行清洗。
[0169] <半导体元件的清洗方法>
[0170] 作为本发明的液体组合物的使用溫度，优选为10~70°C的溫度，特别优选为20~ 60°C。如果液体组合物的溫度为10°C W上，则蚀刻速度变良好，因此可W得到优异的生产效 率。另一方面，如果为70°C W下，则可W抑制液体组成变化，保持蚀刻条件一定。通过提高液 体组合物的溫度，蚀刻速度上升，但也可W在考虑到抑制液体组合物的组成变化抑制得较 小等基础上来确定适当最佳的处理溫度。
[0171] 实施例
[0172] 接着，通过实施例更详细地说明本发明，但本发明的范围不受运些实施例的任何 限定。
[0173] <氮化铁去除性、鹤和低介电常数层间绝缘膜的防腐蚀性评价>
[0174] 氮化铁去除性、鹤防腐蚀性和低介电常数层间绝缘膜的防腐蚀性评价利用沈M观 察进行。使用扫描型电子显微镜r'SU9000(型号r;Hitachi High-Tech Fielding Corporation制造），W加速电压化V、发射电流化A观察实施例和比较例中得到的与液体组 合物接触处理后的基板截面。W所得沈M图像为基础，对氮化铁硬掩模的去除性、鹤布线的 防腐蚀性和低介电常数层间绝缘膜的防腐蚀性进行评价。
[0175] 合格分别为E和G。
[0176] 判定：
[0177] I.氮化铁硬掩模1的去除性
[0178] E:氮化铁硬掩模被完全去除。
[0179] G:氮化铁硬掩模基本被去除。
[0180] P:氮化铁硬掩模没有被去除。
[0181] II鹤布线2的防腐蚀性
[0182] E:鹤布线与清洗前相比未见变化。
[0183] G:鹤布线的表面上可见稍变粗糖。
[0184] P:鹤布线上观察到腐蚀。
[01化]III.低介电常数层间绝缘膜3的防腐蚀性
[0186] E:低介电常数层间绝缘膜与清洗前相比未见变化。
[0187] G:低介电常数层间绝缘膜的表面稍凹陷。
[0188] P:低介电常数层间绝缘膜上观察到腐蚀。
[0189] 实施例1
[0190] 在容量IOL的聚丙締容器中投入纯水8.53kg、作为(A)成分的0.02mol/L高儘酸钟 溶液(和光纯药工业株式会社制造、特级、分子量158.03)1.0kg、作为(B)成分的40质量％氣 化锭溶液(森田化学工业株式会社制造、半导体用级、分子量37.04)0.0375kg、作为(Cl)成 分的Surflon S-24U30质量％品、商品名、AGC沈IMI CHEMICAL CO. ,LTD.制造的全氣烷基 氧化胺)〇.〇〇33kg、作为(C2)成分的化OS地anol RS-710(商品名、东邦化学工业株式会社制 造的聚氧亚乙基憐酸醋)〇. OOlkg和作为(D)成分的47质量％硫酸（和光纯药工业株式会社 制造、特级、分子量98.08)0.42化g。进行揽拌确认各成分的溶解，制备液体组合物。所得液 体组合物的pH值为1.4 (表1)。
[0191] 使用如上述那样得到的液体组合物，在50°C下将具有图I所示那样的截面的布线 结构的半导体元件浸溃5分钟，然后进行利用超纯水的冲洗，喷射干燥氮气进行干燥。使包 含清洗处理后的氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板断裂，利用SBl观察基板的截 面，从而对氮化铁硬掩模1的去除性、鹤布线2和低介电常数层间绝缘膜3的防腐蚀性进行评 价，结果氮化铁被完全去除，未观察到鹤的腐蚀和低介电常数层间绝缘膜的腐蚀(表1)。
[0192] 实施例2~41
[0193] 制备表1~7所示的配混量的液体组合物，除此之外，与实施例1同样地进行清洗处 理。将评价结果示于表1~7。利用SEM观察清洗处理后的基板截面，结果，所有利用液体组合 物进行清洗处理后的基板，氮化铁均被完全去除，未观察到鹤和低介电常数层间绝缘膜的 腐蚀。
[0194] 比较例1~10
[01M]制备表8~9所示的配混量的液体组合物，除此之外，与实施例1同样地进行清洗处 理。将评价结果示于表8~9。利用沈M观察清洗处理后的基板截面，结果没有全部满足氮化 铁的去除性、鹤和低介电常数层间绝缘膜的防腐蚀性的液体组合物。
[0196] 比较例11
[0197] 如表10所示的配混量那样，配混作为氧化剂的舰酸锭、作为蚀刻剂的六氣娃酸、作 为防腐蚀剂的5-苯基-IH-四挫和肉豆違基S甲基漠化锭，除此之外，与实施例1同样地进行 清洗处理。将评价结果示于表10。利用SBl观察清洗处理后的基板截面，结果氮化铁的去除 性不充分。
[019 引[表 1]
[0199] 表1
[0200]
[0201] Surflon S-24UAGC 沈IMI CHEMICAL CO. ,LTD.制造）...全氣烷基氧化胺
[0202] Phosphanol RS-710(东邦化学工业株式会社制造)…聚氧亚乙基烷基憐酸醋
[0203] Fte;rgent 250(化OS Co巧oration制造）...聚氧亚乙基(n = 22)全氣烷基酸
[0204] Fte;rgent 251(化OS Co巧oration制造）…聚氧亚乙基(n = 8)全氣烷基酸 [0205] Fte;rgent 222F(化OS Co巧oration制造）...聚氧亚乙基(n = 22)全氣烷基酸
[0206] Noigen ET-189(第一工业制药株式会社制造）…聚氧亚乙基(n= 18)油締基嫁蜡 基酸
[0207] Noigen Xk100 (第一工业制药株式会社制造)…聚氧亚烷基支链癸基酸 [020引 NYMffiN F-215(日本油脂株式会社制造)…聚氧亚乙基挪子油烷基胺
[0209] 化WCOl 2308寸如日本乳化剂株式会社制造)…聚氧亚烷基酸
[0210] HITENOL NF-13(第一工业制药株式会社制造）…聚氧亚乙基苯乙締化苯基酸硫酸 锭
[0211] 阳LEX SS-H(花王株式会社制造)…十二烷基二苯基酸横酸二钢
[0212] [表 2]
[0別：3] 表2
[0214]
123 Surflon S-23UAGC 沈IMI CHEMICAL CO. ,LTD.制造）..?全氣烷基S烷基锭盐 2 AMOGEN AOL(第一工业制药株式会社制造)…月桂基二甲基氧化胺 3 AMPHIT0L 24B(第一工业制药株式会社制造)…月桂基甜菜碱 [0別引[表3]
[0219]表3
[0220]
[0221] Kohtamin 24P(花王株式会社制造)…月桂基S甲基氯化锭
[0222] Kohtamin 86W(花王株式会社制造)…硬脂基S甲基氯化锭
[0223] [表 4]
[0224] 主 J
[0225]
[0226]
[0227]
[022引
[0229] L巧0」
[0230] 表 6
[0231]
[0232]
[0233]
[0234]
[0235]
[0236]
[0237]
[023引
[0239]
[0240]
[02W [表 10]
[0242] 表10.
[0243]
[0244] 田W王的评i)r结巧巧明，头她例的徽悴沮甘物巧古隊J m化巧ra个尸阔'邸巧卿化）广 电常数层间绝缘膜。
[0245] 产业上的可利用性
[0246] 本发明的液体组合物适用于包含氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板的清 洗，能够W良好的速度去除氮化铁而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜，能够达成高的生 产率。
[0247] 附图标记说明 [024引1.氮化铁
[0249] 2.低介电常数层间绝缘膜
[0巧0] 3.鹤
【主权项】
1. 一种液体组合物，其从具有氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化铁 而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜，该液体组合物包含： (A) 氧化剂，其为选自由高儘酸钟、过二硫酸锭、过二硫酸钟和过二硫酸钢组成的组中 的至少一种、 (B) 氣化合物、和 (C) 鹤防腐蚀剂， 且pH值为0~4， 所述(C)鹤防腐蚀剂包含:选自由烷基胺和其盐、氣烷基胺和其盐、烷基氧化胺、氣烷基 氧化胺、烷基甜菜碱、氣烷基甜菜碱、烷基季锭和其盐、氣烷基季锭和其盐、烷基季化晚鐵 盐、氣烷基季化晚鐵盐、烷基季联化晚鐵盐、氣烷基季联化晚鐵盐、烷基季咪挫鐵盐和氣烧 基季咪挫鐵盐组成的C1化合物组中的巧巾W上不同的化合物，或者 包含:选自所述C1化合物组中的巧中^上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基氣烧 基胺、聚氧亚烷基烷基酸、聚氧亚烷基氣烷基酸、聚氧亚烷基烷基憐酸醋、聚氧亚烷基氣烧 基憐酸醋、聚氧亚烷基烷基酸硫酸盐、聚氧亚烷基氣烷基酸硫酸盐、烷基二苯基酸横酸盐和 氣烷基二苯基酸横酸盐组成的C2化合物组中的1种W上， 所述(A)氧化剂中的高儘酸钟的浓度为0.001~0.1质量％， 所述(B)氣化合物的浓度为0.01~1质量％。2. 根据权利要求1所述的液体组合物，其不包含过氧化氨。3. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述(B)氣化合物为选自由氨氣酸、氣化 锭、酸性氣化锭、四甲基氣化锭、氣化钟、六氣娃酸和四氣棚酸组成的组中的至少一种。4. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C1化合物组中的烷基胺或氣烷基胺如 下述通式（1)所示，式（1)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基的 氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。5. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C1化合物组中的烷基胺盐或氣烷基胺 盐为选自由盐酸盐、硝酸盐、乙酸盐、甲横酸盐、氯酸盐、高氯酸盐、氨氣酸盐、氨漠酸盐、氨 舰酸盐、硫酸氨盐、硫酸盐、碳酸氨盐、碳酸盐、憐酸二氨盐、憐酸氨二盐和憐酸盐组成的组 中的至少一种。6. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C1化合物组中的烷基氧化胺或氣烷基 氧化胺如下述通式(2)所示，式(2)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基的 氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。7. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C1化合物组中的烷基甜菜碱或氣烷基 甜菜碱如下述通式(3)或(4)所示，式(3)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基的 氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子，式(4)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2、R3表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基的 氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。8. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C1化合物组中的烷基季锭和其盐或氣 烷基季锭和其盐如下述通式(5)、（6)或(7)所示，式(5)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2、R3、R4表示氨原子、碳数1~4的烷基、苯基或苄基，键 合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子，式(6)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2、R3、R4表示氨原子、碳数1~4的烷基、苯基或苄基，键 合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子;X表示面原子:F、C1、化或I，式(7)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2、R3、R4表示氨原子、碳数1~4的烷基、苯基或苄基，键 合于该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子。9. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C1化合物组中的烷基季化晚鐵盐或氣 烷基季化晚鐵盐如下述通式(8)所示，式(8)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;护、护、护、护、护表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于 该烷基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子;X表不面原子:F、C1、化或I。10. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C1化合物组中的烷基季联化晚鐵盐 或氣烷基季联化晚鐵盐如下述通式(9)所示，式(9)中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子;R3~RW表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烧 基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子;X表不面原子:F、C1、化或I。11. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C1化合物组中的烷基季咪挫鐵盐或 氣烷基季咪挫鐵盐如下述通式（10)或（11)所示，式(10)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2表示碳数1~4的烷基，键合于该烷基的氨原子的一 部分或全部任选取代为氣原子;R3~R5表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烷基的氨原 子的一部分或全部任选取代为氣原子;X表示面原子:F、C1、化或I，式（11)中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子;R3~R5表示氨原子或碳数1~4的烷基，键合于该烧 基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子;X表不面原子:F、C1、化或I。12. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C2化合物组中的聚氧亚烷基烷基胺 或聚氧亚烷基氣烷基胺如下述通式(12)所示，式(12)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2、R3表示碳数2~6的烧二基，m和η表示2~20的整数，m 和η任选相同或不同。13. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C2化合物组中的聚氧亚烷基烷基酸 或聚氧亚烷基氣烷基酸如下述通式(13)所示，式(13)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2表示碳数2~6的烧二基，η表示2~20的整数。14. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C2化合物组中的聚氧亚烷基烷基憐 酸醋或聚氧亚烷基氣烷基憐酸醋如下述通式(14)或（15)所示，式(14)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;R2表示碳数2~6的烧二基，η表示2~20的整数，式（15)中，Ri、R2表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨 原子的一部分或全部任选取代为氣原子;R3、R4表示碳数2~6的烧二基，m和η表示2~20的整 数，m和η任选相同或不同。15. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C2化合物组中的聚氧亚烷基烷基酸 硫酸盐或聚氧亚烷基氣烷基酸硫酸盐如下述通式(16)所示，式(16)中，Ri表示碳数8~18的烷基、碳数8~18的締基、苯基或苄基，键合于该烷基或締 基的氨原子的一部分或全部任选取代为氣原子;R2表示碳数2~6的烧二基，η表示2~20的 数;Μ表示钢(Na)、钟化）、或锭(畑4)。16. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述C2化合物组中的烷基二苯基酸横酸 盐或氣烷基二苯基酸横酸盐如下述通式(17)所示，式(17)中，Ri表示碳数8~18的烷基或碳数8~18的締基，键合于该烷基或締基的氨原子 的一部分或全部任选取代为氣原子;Μ表示钢(Na)、钟化）、或锭(NH4)。17. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述(A)氧化剂中的过二硫酸锭、过二硫 酸钟或过二硫酸钢的浓度为0.1~20质量％。18. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述(C)鹤防腐蚀剂的浓度为0.002~2质 量％。19. 根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述Cl化合物的浓度为0.001~1质量％， 所述C2化合物的浓度为0.001~1质量％。20. -种半导体元件的清洗方法，使用权利要求1~19中任一项所述的液体组合物。21. -种半导体元件的制造方法，从具有氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板去 除氮化铁而不腐蚀鹤和低介电常数层间绝缘膜，所述方法包括:使权利要求1~19中任一项 所述的液体组合物与具有氮化铁、鹤和低介电常数层间绝缘膜的基板接触。
【文档编号】C23F11/04GK105981136SQ201580005638
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2015年1月23日
【发明人】玉井聪, 岛田宪司
【申请人】三菱瓦斯化学株式会社